JP3292540B2 - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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JP3292540B2
JP3292540B2 JP06937593A JP6937593A JP3292540B2 JP 3292540 B2 JP3292540 B2 JP 3292540B2 JP 06937593 A JP06937593 A JP 06937593A JP 6937593 A JP6937593 A JP 6937593A JP 3292540 B2 JP3292540 B2 JP 3292540B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型プロセスチューブ
内で被処理体を熱処理する熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウェハ、ＬＣＤ基板などの
製造においては、酸化、拡散、アニール、ＣＶＤなどの
処理を行なうために、各種の熱処理装置が使用される。
これらの熱処理装置においては、例えばプロセスの高精
度化を達成すること、被処理体の面内の温度分布の均一
性を向上させること、また熱処理の効率を高めることな
どが大きな技術課題となっている。
【０００３】ところで、近年、半導体プロセスはより微
細化が進み、これとともに、ウェハの口径も８インチ〜
１２インチへと、より大口径化が進んでおり、またＬＣ
Ｄ基板などの大型の基板を均一に効率良く処理する熱処
理装置も必要となってきている。このような情況に応じ
てプロセスの微細化が進み、被処理体が大口径化するの
に応じて処理のさらなる高精度化、被処理体の面内での
温度分布のさらなる均一化、熱処理効率のさらなる向上
が必要とされる。しかもこのような大口径化にある被処
理体を製造する場合のスループットの向上も要望され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような被処理体の
大口径化に伴い、実際の処理を行なう場合には、次のよ
うな問題があった。
【０００５】つまり、被処理体の大口径化に伴い、被処
理体に生じるスリップ、歪みを効果的に防止し、また、
被処理体の面内での温度分布の均一性の向上を図る必要
がある。したがって、このような要求に対しては、被処
理体にいかにして均一に温度を加えるか、また、中心部
より周辺部のほうが放熱量が大きいために生じる中央部
と周辺部との温度差をいかにして少なくするか等が、大
きな技術課題となる。また、プロセスの微細化に伴い、
被処理体に対する処理の高精度化、被処理体に対する汚
染度の低減化が必要になる。したがって、被処理体の面
内での膜質、膜厚の均一化を図るために、いかにして短
時間で効率良く熱処理を行なうか、いかにして、被処理
体に対する重金属等による汚染のダメージを低下化する
か等が大きな技術課題となる。
【０００６】本発明の目的とするところは、上記従来の
熱処理装置における問題に鑑み、被処理体の全面を均一
な温度で効率良く熱処理することができるとともに、製
造工程でのスループットを向上させることのできる熱処
理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を決するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体の搬入出用の下端
開口を有し、処理位置に配置される被処理体を加熱する
熱源を備えている縦型プロセスチューブと、水平に支持
した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチ
ューブ内に搬入し、所定の処理位置に設定する被処理体
用ホルダーと、上記プロセスチューブ内の処理位置に向
け反応ガスを供給するガス供給手段とを有し、上記被処
理体用ホルダーは、上記被処理体が所定の処理位置に設
定された時に上記処理位置の下方を覆う遮蔽部材を備
え、 上記気密室には、被処理体用ホルダーが上記所定の
処理位置から退避した時に対向して被処理体の冷却を行
う冷却部が設けられていることを特徴としている。
【０００８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の熱処理装置において、上記被処理体用ホルダーを１
回転以上回転させる回転機構を有することを特徴として
いる。
【０００９】また、請求項３記載の発明は、請求項１記
載の熱処理装置において、上記ガス供給手段は、処理位
置に達する途中に予熱部が設けられ、この予熱部には、
上記被処理体が所定の処理位置に設定された時の上記被
処理体用ホルダーの遮蔽手段が対向して配置されること
を特徴としている。
【００１０】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の熱処理装置において、上記プロセスチューブの下端
開口の下方には気密室が設けられ、かつ、上記下端開口
と対向する領域には、縦軸方向に沿って複数の遮熱用シ
ャッターが開閉可能に設けられるとともに、上記被処理
体用ホルダーには、上記遮蔽手段とは別に遮熱手段が設
けられ、この遮熱手段が、上記被処理体用ホルダーが所
定の処理位置にあるときに、上記遮熱用シャッターのう
ち、上記下端開口側のものの上方に配置されることを特
徴としている。
【００１１】
【００１２】また、請求項５記載の発明は、請求項１記
載の熱処理装置において、上記冷却部は、気密室内壁に
設けられて冷却用気体を噴射するノズルによって構成さ
れていることを特徴としている。
【００１３】また、請求項６記載の発明は、請求項１記
載の熱処理装置において、上記冷却部は、上記被処理体
の面と対向する遮熱用シャッターの内部に設けられた水
冷ジャケットによる雰囲気冷却構造とされていることを
特徴としている。
【００１４】
【作用】本発明では被処理体の周辺部での放熱を抑えて
面内での温度差をなくし、面内均一性を確保することが
できる。すなわち、被処理体を水平に維持する処理体用
ホルダーは、処理位置とその下方との間に遮蔽部材が設
けられている。したがって遮蔽部材は、処理位置と処理
位置下方との間の遮熱部材として機能し、処理位置に設
定されている温度勾配の変化を防止する。また、この温
度勾配の変化を防止することによって、気流の発生を防
止し、気流の発生によって生じる被処理体周辺部での放
熱を抑えることができる。したがって、被処理体の面内
均一性を良好に維持することができる。
【００１５】また本発明では、被処理体用ホルダーを被
処理体の搬入出時、少なくとも処理位置に達するまでの
間に一回転以上回転させている。したがって、輻射熱の
成分が偏った状態で被処理体と導入される場合にあって
も、回転することによって面内での均一な供給が可能に
なる。さらに被処理体の搬出時には、処理位置から被処
理体が搬出される前に遮蔽部材が処理位置下方から移動
するので、遮蔽部材の周辺で気流が発生しこの気流の発
生部をバッファとして被処理体周辺部での気流の発生を
防止することができる。
【００１６】さらに本発明では、処理位置内に供給され
る反応ガスを予熱することができる。したがって、反応
ガスの反応温度を予め上げておくことにより、反応温度
に達するまでの時間を短縮化することができる。
【００１７】しかも、予熱される箇所は、処理位置での
吸熱部としても機能するため、処理位置での被処理体の
処理面とこれの裏面との間で要求される温度勾配に設定
することができる。
【００１８】本発明では、被処理体用ホルダーが所定の
処理位置から退避した時に、被処理体を冷却する冷却部
が設けられている。したがって、被処理体を搬出すると
きに被処理体の冷却が行なえるので、被処理体の移送を
含めた製造工程でのスループットが向上する。
【００１９】
【実施例】以下、図１乃至図１１に示す実施例によって
本発明の詳細を説明する。
【００２０】図１は、本発明実施例による熱処理装置の
全体構成を示す断面図である。
【００２１】本実施例における熱処理装置には熱処理部
１０、被処理体搬入出部５０およびシャッター駆動部６
０が設けられている。
【００２２】熱処理部１０は、例えば半導体ウエハやＬ
ＣＤ等の被処理体１００に対して各種の熱処理を行なう
ための部分であり、プロセスチューブ１２を備えてい
る。プロセスチューブ１２は、下端開口を有する円筒状
部材であり、本実施例の場合、軽量化を目的としてアル
ミニュームによって形成されている。そして、プロセス
チューブ１２の内面には、被処理体１００の処理部領域
に対面する内壁面がアルミナ（Ａｌ3 Ｏ2 ）等を用いた
耐熱処理が施されている。
【００２３】そして、プロセスチューブ１２の内部に
は、外部からプロセスガスを供給するための給気パイプ
１４が配置されている。この給気パイプ１４は、プロセ
スチューブ１２の内部空間で上端部に開口を有し、その
開口に至る途中、つまり、被処理体１００の熱処理位置
よりも下方には、図２に示すように、空間部からなる予
熱部１４Ａが形成されている。この予熱部１４Ａは、被
処理体１００の熱処理位置の下方の雰囲気熱を吸熱する
ことにより外部から供給されて一旦貯溜されるプロセス
ガスを加熱したうえで処理部上方の空間に噴出させるよ
うになっている。従って、プロセスガスは、噴出される
までの間に処理温度に近い状態を設定されているので、
反応処理のための温度に達するまでの時間を短縮される
ことになる。
【００２４】また、被処理体１００の処理面の裏側に相
当する位置の下方は、予熱部１４Ａによって雰囲気熱を
吸収されることで被処理体１００の処理面とそのｎ裏側
空間との間で被処理体１００の面内均一性を設定するた
めの温度勾配が得られる温度に設定される。なお、この
給気パイプ１４の予熱部１４Ａ内の構造としては、周方
向に沿って複数配置された放熱フィン（図示されず）を
設けてもよい。これによって、熱処理部１０からの熱を
プロセスガスに対して効率良く伝達することができる。
また、プロセスチューブ１２の下端開口近傍には、給気
パイプ１４から供給されたプロセスガスを排気するため
の排気パイプ２６が設けられ、これらパイプの組合せに
より、プロセスチューブ１２内に導入されたプロセスガ
スに適当な流れを生じさせて被処理体１００の表面に形
成される薄膜の均一化等を行なえるようになっている。
なお、当然のことではあるが、プロセスガスと接触する
給気および排気パイプ１４、２８は、例えば石英等で覆
われ、重金属汚染対策が施されている。
【００２５】一方、プロセスチューブ１２の周囲には、
例えば、アルミナセラミックス等からなる断熱材１６が
設けられている。この断熱材１６は、例えば、その外周
に配置されているガラスウールあるいは石綿からなる断
熱材１７の内部に設けられている。なお、断熱材１７を
設ける範囲を含めて断熱材１６としてもよい。
【００２６】断熱材１７が配置されている場合でいう
と、その外壁面には、インナーシェル１８Ａとアウタシ
ェル１８Ｂとで形成された水冷ジャケットからなる水冷
機構１８が設けられ、熱処理部１０と外部との間での熱
隔離が行なわれている。これによって、熱処理部１０内
で高温熱処理を行なっている場合に、外部での操作の安
全を確保することができる。
【００２７】さらに、プロセスチューブ１２の上方に
は、面状発熱源２０が設けられている。この面状発熱源
２０は、例えば、二硅化モリブデン（ＭｏＳｉ2 ）、ま
たは、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）とアルミニューム
（Ａｌ）との合金線であるカンタル（商品名）線等の抵
抗発熱体を断熱材１６の上部内壁面に配置することで構
成されている。特に、二硅化モリブデンは、１８００℃
の高温にも充分耐えることができるので、酸化拡散材料
としては好適である。このような面状発熱源２０は、例
えば、二硅化モリブデンの単線からなる抵抗発熱線を螺
旋状に配置して構成することも可能である。さらに、こ
の面状発熱源２０の発熱面は、被処理体１００の外径の
２倍以上であることが、熱効率の点から有効である。
【００２８】ところで、プロセスチューブ１２と面状発
熱源２０との間には、面状発熱源２０からの熱を被処理
体１００に対して均一に与えるための均熱部材２２が配
置されている。この均熱部材２２は、例えば、炭化硅素
（ＳｉＣ）等の汚染度が比較的低く耐熱性が良好な材質
が選択され、プロセスチューブ１２の上壁と面状発熱源
２０との間の領域およびプロセスチューブ１２の周壁を
囲む領域とにかけて配置されている。このような均熱部
材２２を設けることにより、面状発熱源２０に発熱ムラ
が発生した場合でも、この発熱ムラを解消して熱処理の
ための温度分布を均一化することができる。また、一般
に、被処理体１００の面内においては、被処理体１００
の中心部よりも周縁部の方が放熱量が多くなりがちであ
り、これによって、被処理体１００の面内での温度分布
が不均一になりやすいが、均熱部材２２を被処理体１０
０の周縁部に対向させることによって、周縁部からの放
熱を効果的に防止でき、熱処理特性の均一性を高めるこ
とができる。しかも、炭化硅素等の耐熱性が良好でか
つ、汚染度が低い材質を用いることによって、プロセス
チューブ１２の処理空間を発熱源から熱的に隔離するこ
とができるので、発熱源が汚染の原因となる重金属を含
む材料により構成されている場合であっても、重金属に
よる汚染を有効に防止することができる。
【００２９】本実施例においては、上記均熱部材２２に
よって構成されている空間内で、プロセスチューブ１２
との間には、均熱部材２２からの輻射熱を遮断するため
の断熱材２４が設けられている。この断熱材２４は、例
えば、酸化アルミナ（Ａｌ2Ｏ3 ）や二酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）等の材料によって形成された遮熱壁で構成
され、被処理体１００が所定の処理位置に設定されたと
き、被処理体１００の処理位置より下方の下部空間を覆
うことのできる高さ（Ｈ）を以って配置されている。そ
して、断熱材２４は、均熱部材２２からの輻射熱を遮る
ことにより、処理体１００の熱処理位置での温度勾配を
維持している。
【００３０】このような熱処理部１０には、この処理部
１０に対して被処理体１００を熱処理部１０に移送する
ための被処理体用ホルダー３０が設けられている。
【００３１】被処理体用ホルダー３０は、本実施例の特
徴的な構造であり、被処理体１００の載置部３０Ａおよ
び遮蔽部材３０Ｂを備えている。載置部３０Ａは、被処
理体用ホルダー３０の軸方向一端に形成され、被処理体
１００を水平に載置することができる形状とされてい
る。また、遮蔽部材３０Ｂは、熱処理部１０からの輻射
熱の遮断、そして、熱処理部１０内でのプロセスガスの
密封および被処理体用ホルダー３０が移動する場合の気
流の整流を行なうためのものであり、被処理体用ホルダ
ー３０の軸方向他端に至る途中に設けられた蓋体で構成
されている。この遮蔽部材３０Ｂは、図１に示すよう
に、被処理体用ホルダー３０の軸方向において、載置部
３０Ａが被処理体１００の処理位置に設定されたときに
熱処理部１０の下方位置を覆うことのできる位置に設け
られている。そして、遮蔽部材３０Ｂの外径（Ａ）は、
上記載置部３０Ａが処理位置から搬入出のために移動し
たとき、給気パイプ１４の予熱部１４Ａの内壁面との間
に存在するガスに急激な流速が生じない程度の隙間が得
られる大きさに設定されており、本実施例では、予熱部
２４Ａの内壁面の内径（Ｂ）よりも３０ｍｍ程度小さく
なるように設定されている。
【００３２】これは、例えば、熱処理後に被処理体用ホ
ルダー３０が熱処理部１０から移動した場合に被処理体
１００に面内温度差が生じるのを防止するためである。
つまり、予熱部１４Ａと遮蔽部材３０Ｂとの関係のよう
に、接近した部材同士が相対的に移動した場合、その間
に存在している気体には流速が発生する。そして、この
気流の速度は両者間の隙間の大きさに影響され、この隙
間が小さ過ぎると流速が急激に増加し、遮蔽部材３０Ｂ
を境にして一方の空間である処理位置内に対流が起こる
ことになる。このため、被処理体１００の周縁部からの
放熱が促進されてしまう。そこで、遮蔽部材３０Ｂの外
径寸法を決めることにより、熱処理時には被処理位置内
での温度勾配を変化させないようにすると共に、被処理
体１００がアンロードされるために処理位置から移動す
る場合には気流速度の増大を抑えて被処理体１００の面
内温度差が生じるのを防止する。従って、被処理体１０
０がアンロードのために移動する時には、遮蔽部材３０
Ｂの周辺で気流にある程度の速度が生じた場合であって
もこの速度を処理位置内に作用させないようにして、所
謂、処理位置での対流を防止し、被処理体１００の面内
温度差を発生させないようにすることができる。なお、
遮蔽部材３０Ｂの形状は、上記した蓋状に限らず、被処
理体用ホルダー３０が移動するときの気流の乱れや速度
の発生を抑える形状が設定されること勿論であり、例え
ば、上下に円錐形を組み合わせた形状にしても良く、ま
た、複数枚を連続的に設けても良い。
【００３３】また、被処理体用ホルダー３０の軸方向他
端には、遮熱部材３０Ｃが設けられている。この遮熱部
材３０Ｃはフランジによって構成され、この端部の下方
に位置する冷却ロッド３２に連結されている。遮熱部材
３０Ｃは、被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが熱
処理部１０内での被処理体１００の処理位置に設定され
ているとき、プロセスチューブ１２の下端開口近傍を覆
って後述する被処理体搬入出部５０に対する輻射熱の通
過を遮断するためのものである。
【００３４】一方、冷却ロッド３２は、被処理体用ホル
ダー３０を冷却するためのものである。このため、冷却
ロッド３２は金属製のもので形成され、内部には、図３
に示すように、水冷ジャケット３２Ａが形成されてい
る。
【００３５】さらに、被処理体用ホルダー３０および冷
却ロッド３２の中央部には、図３に示すように、載置部
３０Ａに至る貫通孔３４が形成されている。この貫通孔
３４には、熱処理部１０での処理温度を近似的に測定す
るための温度計３６のリード線３６Ａが挿通されてい
る。温度計３６は、被処理体１００の載置部３０Ａの裏
面に配置されて被処理体１００の表面温度を検知するよ
うになっている。また、この貫通孔３４は、温度計に代
えて、例えば、被処理体１００の表面色から温度を検知
する光学式温度センサへの光路として用いることも可能
である。また、この貫通孔３４の一部には、例えば、Ｎ
2 ガスなどのパージガスの供給パイプ３８が連通させて
あり、貫通孔３４内をパージするようになっている。
【００３６】ところで、このような被処理体用ホルダー
３０および冷却ロッド３２には、昇降および回転するた
めの駆動機構４０が設けられているが、この機構につい
ては、後で詳しく説明する。
【００３７】一方、被処理体搬入出部５０は、プロセス
チューブ１２の下端開口の下方に位置する気密室で構成
され、主に、大気に対して気密状態を保ちながら被処理
体用ホルダー３０との間で被処理体１００を搬入出する
箇所である。
【００３８】このため、被処理体搬入出部５０は、図４
に示すように、第１、第２のロードロック室５２、５４
とこれらロードロック室５２、５４からの被処理体１０
０をプロセスチューブ１２に受渡すための受渡し室５６
が直角な位置にそれぞれ配置されている。そして、第
１、第２のロードロック室５２、５４は、ともに同じ構
成とされ、第１のロードロック室５２に関して説明する
と、第１、第２のゲートバルブ５２Ａ、５２Ｂ、伸縮・
昇降および回転可能な搬送アーム５２Ｃ、ガス導入孔５
２Ｄ、ガス排出孔５２Ｅを備えている。また、第２のロ
ードロック室５４は、第１、第２のゲートバルブ５４
Ａ、５４Ｂ、伸縮・昇降および回転可能な搬送アーム５
４Ｃガス導入孔５４Ｄ、ガス排出孔５４Ｅをそれぞれ備
えている。ゲートバルブ５２Ａ、５２Ｂ、５４Ａ、５４
Ｂは、装置外部とロードロック室５２、５４との間であ
るいはロードロック室５２、５４と受渡し室５６との間
で被処理体１００を搬入出する際に開き、気密状態を保
持する場合に閉じるという開閉機能を備えている。搬送
アーム５２Ｃ、５４Ｃは、例えば多関節を有するアーム
により構成され、装置外部からロードロック室５２、５
４へ、あるいは、ロードロック室５２、５４から受渡し
室５６へと被処理体１００を搬入出する機能を備えてい
る。ガス導入孔５２Ｄ、５４Ｄは、ロードロック室５２
および５４を、例えばＮ2 ガスによりパージするための
ものであり、また、ガス排出孔５２Ｅ、５４Ｅは、ロー
ドロック室５２、５４を真空引きするためのものであ
る。
【００３９】そして、この被処理体搬入で部５０の近傍
には、シャッター駆動部６０が設けられている。
【００４０】すなわち、シャッター駆動部６０は、プロ
セスチューブ１２の下端開口の下方で縦軸方向に沿って
複数設けられた遮熱用の第１のシャッター６２、第２の
シャッター６４を備えている。この遮熱用の第１、第２
のシャッター６２、６４は、被処理体搬入出部５０をは
さんで縦軸方向両側に配置され、シリンダ等の駆動部材
６６により相反する方向に移動することで開閉可能なシ
ャッター板６２Ａ、６２Ｂおよび６４Ａ、６４Ｂを備え
ている。
【００４１】上記各シャッター板は、共に、水冷ジャケ
ットが内部に形成された断熱構造のものである。これら
シャッター板のうち、プロセスチューブ１２の下端開口
側に位置する第１のシャッター６２におけるシャッター
板６２Ａ、６２Ｂは、図５に示すように、対向面をＬ字
状に形成されて曲面を構成している。これは、対向面同
士が密着した際に、シャッター板同士の下面が平坦面と
されるとともに、プロセスチューブ１２からの輻射熱線
の通過を遮断して、気密室の下方の温度が上昇するのを
防止するためである。また、第２のシャッター６４にお
けるシャッター板６４Ａ、６４Ｂは、図６（Ａ）に示す
ように、先端に被処理体用ホルダー３０をはさみ込むこ
とのできる凹部が形成されている。そして、この先端
は、図６（Ｂ）に示すように、互いにオーバラップする
ことができるようになっており、オーバラップした状態
で被処理体用ホルダー３０を挾持した場合に、上方から
の熱線の通過を遮断するようになっている。
【００４２】一方、この第１、第２のシャッター６２、
６４が位置する気密室には、被処理体１００の冷却構造
が設けられている。
【００４３】すなわち、第１、第２のシャッター６２、
６４の下方、つまり、図７に示すように、被処理体用ホ
ルダ３０が熱処理部１０から退避する位置には、例え
ば、周方向で等分された位置に冷却気体の噴射ノズル６
６が配置されている。そして、この噴射ノズル６６の数
に合わせて周方向で噴射ノズル６６と干渉しない等分位
置には排気口６８が設けられている。この噴射ノズル６
６は、縦軸方向に沿って水平方向に冷却気体を噴射する
噴射口を有し、図４に示すように、退避した位置にある
被処理体１００の面と平行に冷却気体を噴射することが
できる。
【００４４】また、被処理体１００への冷却構造として
は、第１のシャッター６２を用いることができる。すな
わち、この場合には、図５において符号Ｓで示すよう
に、熱処理部１０から退避した被処理体用ホルダー３０
の上面との間の距離（Ｇ）を小さくして極力接近する位
置に配置する。これにより、シャッター６２からの冷気
を被処理体１００に接触させて被処理体１００を冷却す
ることが可能である。
【００４５】ところで、上記した被処理体用ホルダー３
０および冷却ロッド３２の駆動機構４０は、次のような
構成となっている。
【００４６】すなわち、駆動機構４０は、被処理体用ホ
ルダ３０と一体にされている冷却ロッドの軸方向端部に
連結された昇降アーム４２を備えており、この昇降アー
ム４２は、例えば、ボールネジとナットとを組み合わせ
た昇降機構４４によって上下動させることができる。そ
して、昇降アーム４２内には、例えば、歯車を介した回
転機構が設けられており、この回転機構は、被処理体用
ホルダー３０が熱処理部１０に対して搬入出されるとき
に少なくとも１回転以上の回転を、そして、被処理体用
ホルダー３０が熱処理部１０から退避して被処理体１０
０を第１のシャッター６２の下方に位置する噴射ノズル
６６に対向させたときには、例えば、６０ｒｐｍ程度の
回転を行なわせるようになっている。また、このとき、
昇降機構４４は、図５において、符号Ｓで示すように、
被処理体１００を噴射ノズル６６に対して僅かなストロ
ークを以って上下動させるようになっている。このよう
な昇降機構４４の動作は、ある位置に被処理体用ホルダ
３０を固定した場合、噴射ノズル６６からの冷却気体の
接触が良好に行なわれなくなるのを防止するためであ
る。なお、被処理体用ホルダ３０の昇降動作の際の気密
性を確保するために、気密室と被処理体用ホルダー３０
との間には、磁性流体を用いたシール構造４６（図１参
照）あるいは図示しないベローズ構造が設けられてい
る。なお、被処理体用ホルダー３０の昇降駆動に関して
は、上述した昇降機構４４とは別に独立して上下動させ
るようにしてもよい。
【００４７】そして、被処理体３０は、熱処理時に必要
な回転数を以って回転するようになっているが、熱処理
部１０への搬入時および搬出時においても、少なくとも
１回転以上の回転を行ないながら移動する駆動制御が行
なわれる。このような搬入出時での回転は、面状発熱源
２４からの輻射熱の供給およびプロセスガスとの接触を
均一化することにより、熱処理前後での被処理体１００
の面内均一性を確保するために実行される。
【００４８】次に作用について説明する。
【００４９】被処理体１００の熱処理を行なう場合に
は、被処理体１００が被処理体搬入出部５０に搬入され
る。すなわち、この場合を第２のロードロック室５４を
対象として説明すると次のとおりである。
【００５０】まず、被処理体１００を搬入する場合、第
２のロードロック室５４内をガス導入孔５４ＤによるＮ
2 パージすることにより、予め、大気圧と同圧に設定し
ておく。外気とロードロック室５４内とを同圧にすれ
ば、ゲートバルブが開いたときに、気体の急激な流れ込
みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐことができる。次に
ゲートバルブ５４Ａを開いて被処理体１００が搬送アー
ム５４Ｃにより受渡し室５６内に搬入される。その後、
ゲートバルブ５４Ｂが閉じられ、ガス排気孔５４Ｅによ
って真空引きが実行され、ガス導入孔５４ＤによってＮ
2 パージが行なわれる。この場合には、受渡し室５６も
同様に、予め真空引き、Ｎ2 パージが行なわれているこ
とが望ましい。さらに、プロセスチューブ１２、第１、
第２のシャッター６２、６４の間の空間も真空引きし、
かつＮ2 パージすることによりロードロック室５４と同
圧にしておくことが望ましい。
【００５１】一方、ロードロック室５４内の搬送アーム
５４Ｃにより、被処理体１００が受渡し室５６に搬送さ
れると、予め、被処理体用ホルダ３０の載置部３０Ａが
搬送アーム５４Ｃの搬送経路上に位置されているので、
被処理体１００の受渡しが行なわれる。このとき、図８
に示すように、第２のシャッター６４は閉じ、そして、
第１のシャッター６２は開いている。そして、被処理体
１００の受渡しが完了すると、被処理体用ホルダー３０
が駆動機構４０により回転を開始する。被処理体用ホル
ダ３０は、熱処理部１０の所定の処理位置に到達するま
での間、例えば、２乃至３回転等のような１回転以上の
回転を行ない、所定の処理位置に達した時点で回転を停
止する。このときには、図９に示すように、第１、第２
のシャッター６２、６４がともに開いている。
【００５２】処理位置に達した被処理体用ホルダー３０
は、給気パイプ１４の予熱部１４Ａの内種面近傍に接近
した位置に位置決めされて熱処理時での回転数に切り換
えられる。そして、熱処理部１０では、給気パイプ１４
から予熱されたプロセスガスが供給される。
【００５３】プロセスガスの供給により熱処理が開始さ
れると、図１０に示すように、第１のシャッター６２は
開いたままであり、そして第２のシャッター６４は閉じ
た状態に維持される。従って、被処理体用ホルダー３０
の遮蔽部材３０Ｂが熱処理部１０の下方を覆う状態に配
置されることになるので、熱処理部１０から漏洩する輻
射熱の熱線を遮断し、しかも、熱処理部１０内では、プ
ロセスガスが密封されて熱処理環境が設定される一方、
熱処理終了時点では、図１１に示すように、被処理体用
ホルダー３０が、その載置部３０Ａを第１のシャッター
６２の下方に位置決めされる。このとき、被処理体用ホ
ルダー３０の遮蔽部材３０Ｂは、給気パイプ１４の予熱
部１４Ａとの間で気流に速度を生じさせないようにし
て、かつ、この部分でのみ対流を生じさせるようにして
下降するので、熱処理部１０から下降する被処理体１０
０には、速度を持つ気流の接触がないので、被処理体１
００の周縁部での放熱を極力生じさせない状態で移動さ
せることができる。そして、第１のシャッター６２の下
方に位置決めされた被処理体用ホルダー３０は、載置部
３０Ａ上の被処理体１００が噴射ノズル６６に対向した
位置で、例えば、６０ｒｐｍ程度の回転数に切り換えら
れて回転するとともに、上下動を繰り返すことにより、
噴射ノズル６６からの冷却気体に被処理体１００を接触
させて冷却する。また、この時被処理体１００は、上方
に位置する第１のシャッター６２からの冷気により冷却
を促進されることになる。なお、今一つの噴射ノズル６
６は、図７に示すように、遮蔽部材３０Ｂに対向して遮
蔽部材３０Ｂの冷却を行なう。
【００５４】このようにして、熱処理後の冷却を行なわ
れた被処理体１００は、図８に示した場合と同じ状態を
設定される。そして、この状態で噴射ノズル６６との対
向位置から受渡し室５６に移動させられ、搬入時と逆の
手順によって被処理体１００せることができる。
【００５５】また、本実施例によれば、プロセスチャン
バーの下端開口の下方に位置する気密室に設けられてい
るシャッターを被処理体の冷却構造として用いることが
できるので、特別な構造を要することなく、冷却時間を
短縮することができる。
【００５６】さらに本実施例によれば、均熱部材とプロ
セスチューブとの間で処理位置下方を囲繞する断熱材を
設けることにより、熱処理位置内での被処理体の表面と
裏面との間の温度勾配を適正化することができ、温度勾
配の急変による気流の発生を防止して被処理体周縁部で
の放熱を抑えることができる。
【００５７】なお、本発明は、上記実施例に限られるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施する
ことが可能である。
【００５８】例えば、本発明が対象とする被処理体は、
少なくとも面状形状の被処理体であれば良く、半導体ウ
エハ以外にも例えば、ＬＣＤ等であっても良い。さら
に、本発明が適用される熱処理装置としては、ＣＶＤ装
置以外にも、例えば、酸化、拡散、アニールに適用され
る装置を対象とすることも可能である。
【００５９】また、被処理体用ホルダーの載置部は、複
数枚の被処理体を対象として熱処理を行える構造とする
ことも可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、被処理体
用ホルダーに熱処理のための処理位置からの遮熱用、プ
ロセスガスの密封用および被処理体の移動時に発生する
気流の整流用としての遮蔽部材を設けることができる。
従って、処理位置での輻射熱が処理位置以外の領域に到
達するのを未然に防止して、熱的な障害を発生させない
ようにすることができる。しかも、処理位置内での温度
勾配を阻害しないようにすることで、気流の発生による
被処理体の面内均一性を阻害するような事態を未然に防
止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す熱処理装置の全体構成を
説明するための断面図である。
【図２】図１に示した熱処理装置に用いられる給気パイ
プの構造を示す斜視図である。
【図３】図１に示した被処理体用ホルダーの構造を示す
断面図である。
【図４】図１に示した熱処理装置に用いられる被処理体
搬入出部の構成を説明するための平面視的な模式図であ
る。
【図５】図１に示した熱処理装置における冷却構造を示
す模式図である。
【図６】図１に示した熱処理装置のシャッターの一例を
示す模式図であり、（Ａ）は、開いた状態を、（Ｂ）は
閉じた状態をそれぞれ示している。
【図７】図１に示した熱処理装置の一態様を説明するた
めの断面図である。
【図８】図１に示した熱処理装置の動作の一例を示す模
式図である。
【図９】図１に示した熱処理装置の動作の他の例を示す
模式図である。
【図１０】図１に示した熱処理装置の動作の別の例を示
す模式図である。
【図１１】図１に示した熱処理装置の動作のさらに他の
例を示す模式図である。
【符号の簡単な説明】
１０ 処理位置 １２ プロセスチューブ １４ ガス供給手段をなす給気パイプ １４Ａ 予熱部 ３０ 被処理体用ホルダー ３０Ａ 載置部 ３０Ｂ 遮蔽部材 ３０Ｃ 遮熱部材 ５０ 気密室で構成された被処理体搬入出部 ６０ シャッター駆動部 ６２ 第１のシャッター ６４ 第２のシャッター ６６ 噴射ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−25642（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−233888（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299369（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291158（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217919（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217918（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−47691（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29237（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−162419（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−288426（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−102818（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−145806（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−46921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−217612（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−2330（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−38316（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/324 H01L 21/31

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体の搬入出用の下端開口を有し、
    処理位置に配置される被処理体を加熱する熱源を備えて
    いる縦型プロセスチューブと、 水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記
    プロセスチューブ内に搬入し、所定の処理位置に設定す
    る被処理体用ホルダーと、 上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供
    給するガス供給手段とを有し、 上記被処理体用ホルダーは、上記被処理体が所定の処理
    位置に設定された時に上記処理位置の下方を覆う遮蔽部
    材を備え、 上記気密室には、被処理体用ホルダーが上記所定の処理
    位置から退避した時に対向して被処理体の冷却を行う冷
    却部が設けられている ことを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の熱処理装置において、 上記被処理体用ホルダーを１回転以上回転させる回転機
    構を有することを特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の熱処理装置において、 上記ガス供給手段は、処理位置に達する途中に予熱部が
    設けられ、この予熱部には、上記被処理体が所定の処理
    位置に設定された時の上記被処理体用ホルダーの遮蔽手
    段が対向して配置されることを特徴とする熱処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の熱処理装置において、 上記プロセスチューブの下端開口の下方には気密室が設
    けられ、かつ、上記下端開口と対向する領域には、縦軸
    方向に沿って複数の遮熱用シャッターが開閉可能に設け
    られるとともに、上記被処理体用ホルダーには、上記遮
    蔽手段とは別に遮熱手段が設けられ、この遮熱手段が、
    上記被処理体用ホルダーが所定の処理位置にあるとき
    に、上記遮熱用シャッターのうち、上記下端開口側のも
    のの上方に配置されることを特徴とする熱処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の熱処理装置において、 上記冷却部は、気密室内壁に設けられて冷却用気体を噴
    射するノズルによって構成されていることを特徴とする
    熱処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の熱処理装置において、 上記冷却部は、上記被処理体の面と対向する遮熱用シャ
    ッターの内部に設けられた水冷ジャケットによる雰囲気
    冷却構造とされていることを特徴とする熱処理装置。
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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US6093252A (en) 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
JPH09237789A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Toshiba Corp 遮蔽体および熱処理装置および熱処理方法
US6133550A (en) * 1996-03-22 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates
US5709772A (en) * 1996-03-29 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Non-plasma halogenated gas flow to prevent metal residues
US5863843A (en) * 1996-07-31 1999-01-26 Lucent Technologies Inc. Wafer holder for thermal processing apparatus
US6198074B1 (en) 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
US6189482B1 (en) 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
USD423463S (en) * 1997-01-31 2000-04-25 Tokyo Electron Limited Quartz process tube
USD424024S (en) * 1997-01-31 2000-05-02 Tokyo Electron Limited Quartz process tube
US5994678A (en) * 1997-02-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for ceramic pedestal and metal shaft assembly
US6073366A (en) 1997-07-11 2000-06-13 Asm America, Inc. Substrate cooling system and method
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
US6300600B1 (en) * 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6462310B1 (en) * 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
US6900413B2 (en) * 1998-08-12 2005-05-31 Aviza Technology, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6957690B1 (en) 1998-09-10 2005-10-25 Asm America, Inc. Apparatus for thermal treatment of substrates
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
JP4625183B2 (ja) * 1998-11-20 2011-02-02 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
US6319569B1 (en) 1998-11-30 2001-11-20 Howmet Research Corporation Method of controlling vapor deposition substrate temperature
US6499777B1 (en) 1999-05-11 2002-12-31 Matrix Integrated Systems, Inc. End-effector with integrated cooling mechanism
WO2000074117A1 (en) 1999-05-27 2000-12-07 Matrix Integrated Systems, Inc. Rapid heating and cooling of workpiece chucks
JP2003507881A (ja) * 1999-08-12 2003-02-25 エイエスエムエル ユーエス インコーポレイテッド 高温壁迅速熱処理機
JP2001085346A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US6342691B1 (en) 1999-11-12 2002-01-29 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates
US6259062B1 (en) 1999-12-03 2001-07-10 Asm America, Inc. Process chamber cooling
US7018504B1 (en) * 2000-09-11 2006-03-28 Asm America, Inc. Loadlock with integrated pre-clean chamber
US6609869B2 (en) 2001-01-04 2003-08-26 Asm America Transfer chamber with integral loadlock and staging station
US6547876B2 (en) 2001-02-07 2003-04-15 Emcore Corporation Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition
JP4133333B2 (ja) * 2001-02-15 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理方法及びその処理装置
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
JP3554297B2 (ja) * 2001-07-26 2004-08-18 株式会社エフティーエル 半導体基板熱処理装置及び半導体素子の製造方法
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
KR100481008B1 (ko) * 2002-06-03 2005-04-07 주성엔지니어링(주) 화학기상증착공정용 기체 가열장치 및 이를 이용한반도체소자 제조방법
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
JP2005538566A (ja) * 2002-09-10 2005-12-15 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 温度固定されたチャックを用いた温度可変プロセスにおける基板の加熱方法
TW589396B (en) * 2003-01-07 2004-06-01 Arima Optoelectronics Corp Chemical vapor deposition reactor
JP2004260174A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Samsung Electronics Co Ltd 半導体素子製造装置
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP4074224B2 (ja) * 2003-06-26 2008-04-09 住友重機械工業株式会社 真空装置及び電子ビーム近接露光装置
US7045746B2 (en) 2003-11-12 2006-05-16 Mattson Technology, Inc. Shadow-free shutter arrangement and method
KR100527671B1 (ko) * 2004-02-19 2005-11-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 상에 막을 형성하는 방법
KR100609065B1 (ko) * 2004-08-04 2006-08-10 삼성전자주식회사 산화막 형성 장치 및 방법
US7918938B2 (en) * 2006-01-19 2011-04-05 Asm America, Inc. High temperature ALD inlet manifold
JP4994724B2 (ja) * 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP2008227264A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5128874B2 (ja) * 2007-08-16 2013-01-23 株式会社リコー 縦型熱処理装置
US7967912B2 (en) * 2007-11-29 2011-06-28 Nuflare Technology, Inc. Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
US8512472B2 (en) * 2008-11-13 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to enhance process gas temperature in a CVD reactor
US8440048B2 (en) 2009-01-28 2013-05-14 Asm America, Inc. Load lock having secondary isolation chamber
DE102010038385B4 (de) * 2010-07-23 2012-07-12 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anordnung zur Belüftung einer Ausgangsschleuse in einer Vakuumbehandlungsanlage
JP5805461B2 (ja) * 2010-10-29 2015-11-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5604289B2 (ja) * 2010-12-22 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5243519B2 (ja) 2010-12-22 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8597429B2 (en) 2011-01-18 2013-12-03 Nuflare Technology, Inc. Manufacturing apparatus and method for semiconductor device
US9574268B1 (en) 2011-10-28 2017-02-21 Asm America, Inc. Pulsed valve manifold for atomic layer deposition
US9388492B2 (en) 2011-12-27 2016-07-12 Asm America, Inc. Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition
DE102012200820A1 (de) 2012-01-20 2013-07-25 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anordnung zur Belüftung einer Eingangsschleuse in einer Vakuumbehandlungsanlage
JP2015072937A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社東芝 半導体製造装置、半導体製造方法及びプロセスチューブ
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
US11532461B2 (en) * 2018-10-23 2022-12-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US4902531A (en) * 1986-10-30 1990-02-20 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Vacuum processing method and apparatus
JPH0693439B2 (ja) * 1987-03-20 1994-11-16 株式会社日立製作所 半導体ウエハの熱処理装置
EP0306967B1 (en) * 1987-09-11 1997-04-16 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing heat treatment on semiconductor wafers
US4857689A (en) * 1988-03-23 1989-08-15 High Temperature Engineering Corporation Rapid thermal furnace for semiconductor processing
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
JP2654996B2 (ja) * 1988-08-17 1997-09-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2728488B2 (ja) * 1989-02-17 1998-03-18 株式会社日立製作所 半導体ウエハの熱処理装置
US5127365A (en) * 1990-02-27 1992-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
US5146869A (en) * 1990-06-11 1992-09-15 National Semiconductor Corporation Tube and injector for preheating gases in a chemical vapor deposition reactor
US5148714A (en) * 1990-10-24 1992-09-22 Ag Processing Technology, Inc. Rotary/linear actuator for closed chamber, and reaction chamber utilizing same
JP3115015B2 (ja) * 1991-02-19 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 縦型バッチ処理装置
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
US5387265A (en) * 1991-10-29 1995-02-07 Kokusai Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer reaction furnace with wafer transfer means
US5303671A (en) * 1992-02-07 1994-04-19 Tokyo Electron Limited System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer
JP3230836B2 (ja) * 1992-04-09 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5227579A (en) * 1992-06-10 1993-07-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Manifold separation device

Also Published As

Publication number Publication date
US5520742A (en) 1996-05-28
KR100286284B1 (ko) 2001-04-16
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