JP2000021799A - 枚葉式熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シャッター室の露出部の腐食を防止する。 【解決手段】 昇降可能な基板保持部２により被処理基
板Ｗを一枚ずつ下部の炉口３から上昇搬入させて所定の
熱処理を行う熱処理炉１と、この熱処理炉１の下部に設
けられ、炉口３から降下搬出された熱処理後の被処理基
板Ｗを所定の温度に冷却するために前記炉口３を熱遮蔽
する開閉可能な遮熱シャッター４を有するシャッター室
５とを備え、前記シャッター室５内の露出面が耐食性を
有する被覆材でコーティングされている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式熱処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、被処理基板である半導体ウエハに酸化、拡散、成
膜、アニール等の処理を施すために、各種の熱処理装置
が使用されている。この熱処理装置としては、一度に多
数枚のウエハの熱処理が可能なバッチ式の熱処理装置
と、ウエハを一枚ずつ熱処理する枚葉式の熱処理装置と
が知られている。特に、枚葉式熱処理装置は、ウエハの
面内均一な熱処理および急速な昇降温を要する熱処理が
比較的容易に可能であることから、ウエハサイズの大型
化および半導体素子の微細化に伴い多く使用されるよう
になってきている。

【０００３】この枚葉式熱処理装置は、昇降可能な基板
保持部によりウエハを一枚ずつ下部の炉口から上昇搬入
させて所定の熱処理を行うための熱処理炉を備えてい
る。また、この熱処理炉の下部には、炉口から降下搬出
された熱処理後のウエハを所定の温度、例えばウエハを
搬送することが可能な温度になるまで冷却するために前
記炉口を熱遮蔽する開閉可能な遮熱シャッターを有する
シャッター室が設けられている。このシャッター室は、
金属で形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記枚
葉式熱処理装置においては、処理ガスやクリーニングガ
スとして、例えば塩素系ガス等の腐食性を有するガスを
使用した場合、シャッター室内の露出部が腐食性ガスと
接触することにより腐食されやすいという問題がある。
また、シャッター室は、ウエハを冷却するために冷却さ
れていることが好ましいが、シャッター室の内壁面に付
着した腐食性ガスが過冷却により結露して強い腐食性を
呈するようになった場合、更に腐食されやすくなる問題
がある。また、前記遮熱シャッターにあっては、その上
面の遮熱部材が処理ガスおよび輻射熱に直接さらされる
ため、交換等のメンテナンスを定期的に行う必要がある
が、シャッター室内に設けられている遮熱シャッターを
外部に取り出すためにシャッター室を分解しなければな
らず、メンテナンスが大変であるという問題もある。

【０００５】そこで、本発明は、上述した課題を解決す
るためになされたものである。本発明の目的は、シャッ
ター室の露出部の腐食を防止することができる枚葉式熱
処理装置を提供することにある。また、本発明の他の目
的は、シャッター室内の遮熱シャッターのメンテナンス
を容易に行うことができる枚葉式熱処理装置を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のうち請求項１に
係る発明は、昇降可能な基板保持部により被処理基板を
一枚ずつ下部の炉口から上昇搬入させて所定の熱処理を
行う熱処理炉と、この熱処理炉の下部に設けられ、炉口
から降下搬出された熱処理後の被処理基板を所定の温度
に冷却するために前記炉口を熱遮蔽する開閉可能な遮熱
シャッターを有するシャッター室とを備え、前記シャッ
ター室内の露出部を耐食性を有する被覆材でコーティン
グしてなることを特徴とする。これにより、シャッター
室内の露出部の腐食を防止することが可能となる。

【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の枚
葉式熱処理装置において、前記シャッター室の壁部に内
壁面を所定の温度に加熱するための加熱手段を設けたこ
とを特徴とする。これにより、シャッター室の内壁面に
付着した腐食性ガスの結露を防止して、シャッター室内
の内壁面等の腐食を防止することが可能となる。

【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１または２
記載の枚葉式熱処理装置において、前記シャッター室の
側部にメンテナンス用の開口部と、この開口部を塞ぐ蓋
とを設けたことを特徴とする。これにより、シャッター
室内の遮熱シャッターのメンテナンスを容易に行うこと
が可能となる。

【０００９】前記熱処理炉としては、酸化、拡散、成
膜、アニールの処理が可能に構成されていることが好ま
しい（請求項４）。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の実施の形態
である枚葉式熱処理装置を示す縦断面図、図２はシャッ
ター室の構成を示す斜視図、図３は同シャッター室にお
けるシャッター板の動きを示す平面図、図４は図１の枚
葉式熱処理装置の全体を概略的に示す側面図、図５は同
枚葉式熱処理装置の全体を概略的に示す平面図である。

【００１１】図１において、１は被処理基板である半導
体ウエハＷに所定の熱処理、例えば酸化処理を施すのに
適するように構成された枚葉式熱処理装置の熱処理炉で
ある。この熱処理炉１の下部には、昇降可能な基板保持
部（ウエハホルダーともいう）２により下部の炉口３か
ら熱処理炉１内に上昇搬入されて熱処理され、炉口３か
ら降下搬出された熱処理後のウエハＷを所定の温度、具
体的にはウエハＷの搬送が可能な温度例えば６００℃以
下に冷却するために、炉口３を熱遮蔽する開閉可能な遮
熱シャッター４を有するシャッター室５が設けられてい
る。

【００１２】前記熱処理炉１は、上端が閉塞され下端が
開口された石英製の円筒状の処理容器である反応管から
なっている。この熱処理炉１は、同心状に配置された外
管６と内管７の二重管構成になっていることが好まし
い。外管６の下側部には処理ガス等を外管６と内管７と
の間に導入するためのガス導入ノズル８が設けられてい
る。ガス導入ノズル８には、処理ガス等のガス源に通じ
る配管が接続される（図示省略）。外管６には、酸素
（Ｏ2）ガスをパージして後述するヒータ１４からウエ
ハＷへの重金属汚染を抑制ないし防止するためのガスパ
ージ部９が表面を覆うように一体形成されていることが
好ましい。

【００１３】内管７の上端部にはガス流入口１０が形成
されており、内管７の下側部には処理ガス等を排気する
ためのガス排気ノズル１１が外管６を貫通して設けられ
ている。ガス排気ノズル１１には、熱処理炉１内を減圧
処理、微減圧処理ないし常圧処理のために例えば５０〜
７６０Ｔｏｒｒの範囲で減圧排気が可能な真空ポンプ等
に通じる排気管が接続される（図示省略）。前記内管７
は、シャッター室５の上面部に開口形成された炉口３と
連通するように載置され、フランジ押え１２により固定
されている。前記外管６は、前記内管７のフランジ押え
１２の上面部に載置され、フランジ押え１３により固定
されている。

【００１４】前記熱処理炉１は、ウエハＷを加熱するた
めのヒータ１４を上部に有している。このヒータ１４
は、熱処理炉１の上方にウエハＷと対向するように面状
に配置された抵抗発熱体からなる主発熱体１５と、ウエ
ハＷの周囲を囲むように配置された抵抗発熱体からなる
補助発熱体１６とを備えており、これら主発熱体１５お
よび補助発熱体１６を個別に制御することによりウエハ
Ｗを面内均一に加熱できるようになっている。主発熱体
１５および補助発熱体１６は、例えば発熱量の大きい二
ケイ化モリブデンからなっていることが好ましい。

【００１５】前記ヒータ１４は、熱処理炉１に覆い被せ
られる、上部が閉塞された円筒状の断熱材１７を有し、
この断熱材１７の天井部と内周上側部に前記主発熱体１
５と補助発熱体１６が取付けられている。また、断熱材
１７の内側には、発熱体１５，１６からウエハＷへの重
金属汚染の抑制ないし防止と、均熱性を図るために、例
えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる均熱壁１８が設けら
れていることが好ましい。また、断熱材１７の外側は、
図示しない冷却ジャケットで覆われている。前記ヒータ
１４は、外管６のフランジ押え１３の上方に環状の断熱
体１９を介して支持されていると共に、内管７のフラン
ジ押え１２にボルト２０で連結されて固定されている。

【００１６】前記シャッター室５は、金属材例えばアル
ミニウム合金により形成されている。このシャッター室
５内の露出部には、腐食性ガスの接触による腐食を防止
するために耐食性を有する被覆材がコーティングされて
いる（図示省略）。例えば、シャッター室５の内壁面
（後述の補助室の内壁面を含む）には、被覆材としてテ
フロンコートが施されていることが好ましい。また、遮
熱シャッター４の回動軸が摺接する部分やシャッター室
５の嵌め合い部等の機械的精度の要求される部分には、
被覆材としてＳｉＯ_２系コート、またはＣｒＯ_３、Ａｌ
Ｏ_３、ＳｉＯ_２を主成分とするコート、すなわち硬質の
酸化クロムをベースとした複合セラミックで構成された
セラミックコート(セラミックコーティング)が施されて
いることが好ましい。

【００１７】このセラミックコートの被膜の厚みは、例
えば３０〜１００μｍの範囲で膜厚形成が可能で、この
被膜は無機質であるため、腐食性の液体や気体がシャッ
ター室の母材側に浸透して母材を腐食させたり、被膜を
剥離させるなどのトラブルを発生させない。また、高硬
度（例えばビッカーズ硬度が１２００〜２０００）であ
り、高い粒子間結合力（例えば８００Ｋｇ／ｃｍ^２以
上）、高密着力を示す。

【００１８】また、シャッター室５の壁部には、内壁面
に付着した腐食性ガスの結露を防止すべく内壁面を所定
の温度例えば１２０℃程度に加熱するための加熱手段と
して、熱媒体温度制御装置であるチラーにより所定の温
度に制御された熱媒体例えばガルデン（商品名）を循環
させるため熱媒体通路２１が設けられている。前記シャ
ッター室５は、上述したような耐食および結露防止構造
とするために、その加工性を考慮して、図２にも示すよ
うに、上部材５ａ、中央部材５ｂおよび下部材５ｃに大
きく三分割し、これらをろう付けにより結合して形成さ
れていることが好ましい。

【００１９】前記基板保持部２は、ウエハＷを水平に載
置可能な形状に例えば石英により形成されており、下部
には例えば不透明石英からなる遮熱板２２を介して例え
ば石英製の昇降軸２３が連結されている。前記シャッタ
ー室５の底部（下部材５ｃ）には、熱処理炉１内から降
下搬出された前記基板保持部２の遮熱板２２を収容する
ための補助室２４が設けられており、この補助室２４の
底部を垂直に前記昇降軸２３が昇降可能に貫通してい
る。

【００２０】補助室２４の底部には、昇降軸２３の貫通
部をシールするための例えばＮ_２等の不活性ガスシール
からなる軸シール部材２５が設けられている。この軸シ
ール部材２５は、Ｎ_２等でのパージが可能であり、例え
ば９０〜１２０℃に温度制御されている。また、シール
性を向上させるために、軸シール部材２５と昇降機構２
６の昇降アーム２７との間には昇降軸２３を覆うように
ベローズ（図示省略）が設けられていることが好まし
い。前記昇降軸２３の下端は、ボールネジおよびリニア
ガイドからなる昇降機構２６の昇降アーム２７に連結さ
れており、これにより基板保持部２の昇降が行われるよ
うになっている。

【００２１】前記遮熱シャッター４は、炉口３を非接触
で開閉すべく一端の回動軸２８を中心に水平回動可能に
シャッター室５内に設けられている。この回動軸２８
は、シャッター室５の底部を回動可能に貫通しており、
シャッター室５の底部には、前記回動軸２８の貫通部を
シールするための例えば磁性流体シールからなる軸シー
ル部材２９が設けられている。前記回動軸２８には、モ
ータ等の回動機構３０が連結されている。

【００２２】遮熱シャッター４には、これを所定の温
度、例えば１００〜１５０℃程度に冷却するために、熱
媒体を循環させるための熱媒体通路３１が遮熱シャッタ
ー４の全面に渡って設けられている。この熱媒体通路３
１を設けるには、遮熱シャッター４を厚さ方向に二分割
して、その分割面に熱媒体通路３１を加工した後、両者
をろう付けにより結合すればよい。前記シャッター室５
の熱媒体通路２１に供給される熱媒体と、前記遮熱シャ
ッター４の熱媒体通路３１に供給される熱媒体とは、例
えば個別または共通のチラーにより個別に温度制御され
るようになっている。前記遮熱シャッター４の表面に
は、耐熱性および耐食性のために、例えば前述したセラ
ミックコート等が施されている。

【００２３】前記遮熱シャッター４は、炉口３を覆う遮
熱体３２を上面部に有している。遮熱シャッター４およ
び遮熱体３２は、炉口３からウエハＷに入射する輻射熱
を遮断するために炉口３の口径よりも大きく形成されて
いることが好ましい。この遮熱体３２は、耐熱性および
耐食性に優れ、しかも輻射熱を通さない材料、例えば内
部に多数の気泡を有する不透明石英からなる厚さの薄い
複数枚の遮熱板３３と、これら遮熱板３３を上下方向に
適宜間隔で積層した状態に支持するスペーサ部材３４と
から構成されている。前記遮熱体３２は、洗浄や交換等
のメンテナンスのために遮熱シャッター４の上面部に着
脱可能に取付けられている。

【００２４】前記シャッター室５の側部（一側部）に
は、メンテナンス用の開口部３５と、この開口部３５を
塞ぐ蓋３６とが設けられている。前記遮熱シャッター４
は、図３に仮想線で示すように、メンテナンス時に開口
部３５から外部へ突出可能になっており、遮熱体３２の
交換等のメンテナンスが容易にできるようになってい
る。すなわち、遮熱シャッター４は、回動軸２８により
炉口３直下の閉位置Ａと炉口３から側方へ退避した開位
置Ｂとの間で開閉操作される他に、閉位置Ａから更に外
側に回動して開口部３５から突出したメンテナンス位置
Ｃまで回動操作されるように構成されている。前記蓋３
６は、メンテナンス時に容易に取外せるように、ネジ止
め等により着脱可能に取付けられている。

【００２５】また、前記シャッター室５の側部（他側
部）には、基板保持部２をシャッター室５内に降下さ
せ、遮熱シャッター４を閉じた状態で、側方から基板保
持部２に対するウエハＷの移載を行うための搬出入口３
７が設けられ、この搬出入口３７にはウエハＷの搬送を
行う多関節アームからなる搬送アーム機構３８を内部に
具備した搬送室３９がゲートバルブ４０を介して連結さ
れている（図４ないし図５参照）。搬送室３９には、複
数枚例えば２５枚程度のウエハＷを収納したカセット
（図示省略）を気密に収容してセットするためのカセッ
ト室４１と、シャッター室５で搬送可能な温度まで冷却
された処理済みのウエハＷを更にカセットに収納可能な
温度例えば１００℃程度に冷却するための基板冷却室４
２とが連結されている。

【００２６】カセット室４１は、外部からカセットを搬
入搬出する扉付カセット出入口、搬送室３９との間を開
閉するゲートバルブ、カセットの昇降機構等を備えてい
る（図示省略）。基板冷却室４２は、ウエハＷを収容し
て密閉した状態で窒素（Ｎ2）ガス等の不活性冷却ガス
によりウエハＷを強制的に冷却する冷却機構、搬送室３
９との間を開閉するゲートバルブ等を備えている（図示
省略）。

【００２７】前記シャッター室５、基板冷却室４２およ
びカセット室４１は、搬送室３９を中心としてその周囲
に配置されており、ウエハＷを効率よく搬送できるよう
に構成されている。そして、前記搬送室３９の搬送アー
ム機構３８は、処理済みのウエハＷをシャッター室５内
の基板保持部２上から搬出し、冷却室４２を介してカセ
ット室４１のカセット内に戻し、基板冷却室４２でウエ
ハＷを冷却している間にカセット室４１のカセット内か
ら未処理のウエハＷを取り出してカセット室５内の基板
保持部２上に移載するようになっている。

【００２８】なお、図５において、４３は、シャッター
室５のメンテナンス用の開口部３５に臨んで設けられた
メンテナンスエリアである。従来の熱処理装置では後方
および側方の多方向をメンテナンスエリアとして確保し
ておかなければならなかったが、本発明の熱処理装置に
おいては一方向のみで容易にメンテナンスが可能であ
る。このメンテナンスエリア４３を囲むように処理ガス
等の供給を行うガスユニット、制御ボックス、チラー等
を含む熱媒体制御分配ユニット等が配設されている（図
示省略）。図１において、４７はシャッター室５の熱媒
体通路２１に熱媒体を供給・排出する熱媒体給排口部、
４８は遮熱シャッター４の熱媒体通路３１に熱媒体を供
給・排出する熱媒体給排口部である。

【００２９】次に、以上の構成からなる枚葉式熱処理装
置の作用を説明する。先ず、搬送室３９の搬送アーム機
構３８がカセット室４１のカセット内から未処理のウエ
ハＷを取り出し、ゲートバルブ４０を介して搬出入口３
７からシャッター室５内に搬入し、シャッター室５内で
待機している基板保持部２上に移載する。次に、ゲート
バルブ４０を閉じてシャッター室５内を密閉すると共
に、遮熱シャッター４が閉位置Ａから開位置Ｂに水平に
回動して炉口３を開き、昇降機構２６が基板保持部２を
上昇させて、基板保持部２上に載置されているウエハＷ
を炉口３から熱処理炉１内の所定のプロセスエリアに上
昇搬入させて所定の熱処理、例えば酸化処理を行う。処
理ガスとしては、例えば酸素（Ｏ2）ガス、Ｈ2Ｏガス、
ＨＣｌとＨ2Ｏの混合ガス、あるいはこれらのガスにＮ
Ｈ3を加えたガス等が用いられる。熱処理炉１内のクリ
ーニングガスとしては、例えばＨＣｌガスが用いられ
る。

【００３０】熱処理炉１内のプロセスエリアは、ヒータ
ー１４の主発熱体１５および補助発熱体１６により所定
のプロセス温度例えば１０５０℃程度に予め加熱されて
おり、ガス導入ノズル８から所定の処理ガスを導入する
と共にガス排気ノズル１１から所定の圧力で減圧排気し
ながらウエハＷに所定時間例えば６０秒程度熱処理を施
す。熱処理が終了したなら、昇降機構２６によりウエハ
Ｗを熱処理炉１内からシャッター室５内に降下搬出し、
遮熱シャッター４を閉位置Ａに回動させて炉口３を閉
じ、ウエハＷを搬送可能な温度になるまで所定時間例え
ば６０秒程度冷却する。この間、熱処理炉１内は不活性
ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスで置換されつつ減圧排気さ
れている。

【００３１】ウエハＷの冷却が終了したなら、ゲートバ
ルブ４０を開け、搬送アーム機構３８により処理済みの
ウエハＷをシャッター室５内の基板保持部２上から搬出
して基板冷却室４２に搬入し、ウエハＷをカセットに収
納可能な温度になるまで所定時間例えば６０秒程度強制
的に冷却する。ウエハＷをシャッター室５内から搬送室
３９内に搬出したり、搬送室３９からシャッター室５内
に搬入するときには、搬送室３９内は、図示しない減圧
排気装置により熱処理炉１内と同じ圧力に制御されてい
ることが好ましい。

【００３２】前記基板冷却室４２で処理済みのウエハＷ
を冷却している間に、搬送アーム機構３８がカセット室
４１のカセット内から未処理のウエハＷを取り出して前
述と同様にシャッター室５内に搬入し、更にウエハＷを
熱処理炉１内に上昇搬入して熱処理を開始する。基板冷
却室４２でのウエハＷの冷却が終了したなら、搬送アー
ム機構３８がそのウエハＷを基板冷却室４２から搬出し
てカセット室４１のカセット内に戻し、以下同様のサイ
クルでウエハＷの熱処理が一枚ずつ連続的に行われるこ
とになる。

【００３３】ところで、前記シャッター室５内は、炉口
３を遮熱シャッター４で閉じたとしても非接触で閉じて
いるため、熱処理炉１内と連通した状態にあり、熱処理
炉１内をガス排気ノズル１１から減圧排気しているとい
えども、処理ガスの一部がシャッター室５内の露出部に
接触する場合がある。この場合、処理ガスが腐食性を有
していると、シャッター室５内の露出部が腐食するおそ
れがある。

【００３４】しかしながら、前記シャッター室５内の露
出部には、耐食性を有する被覆材でコーティングされて
いるため、処理ガスとして腐食性ガスを使用したとして
も、シャッター室５内の露出部の腐食を防止することが
でき、耐久性の向上が図れる。また、前記シャッター室
５の壁部には、内壁面を所定の温度に加熱するための加
熱手段である熱媒体通路２１が設けられているため、シ
ャッター室５の内壁面に付着した腐食性ガスの結露を防
止して、シャッター室５の内壁面等の腐食を防止するこ
とができ、耐久性の向上が図れる。

【００３５】また、前記シャッター室５の側部にはメン
テナンス用の開口部３５およびこの開口部３５を塞ぐ蓋
３６が設けられているため、蓋３６を取外すことにより
開口部３５からシャッター室５内の遮熱シャッター４の
メンテナンスを容易に行うことができる。この場合、遮
熱シャッター４が回動軸２８の回動により開口部３５か
ら外部のメンテナンス位置Ｃまで突出可能になっている
ため、遮熱体３２の交換等の遮熱シャッター４のメンテ
ナンスを極めて容易に行うことができる。

【００３６】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、被処理基板として
は、半導体ウエハに限定されず、例えばガラス基板、Ｌ
ＣＤ基板等であってもよい。また、酸化処理は、ドライ
ＨＣｌプロセス、ウエットＨＣｌプロセス、常圧プロセ
スおよび減圧プロセスに適用可能である。更に、本発明
を構成する熱処理炉は、酸化、窒化、ＣＶＤ等の成膜、
拡散、アニールの処理のうちの少なくとも一つの処理が
可能に構成されていればよい。熱処理炉を構成する反応
管としては、二重管構成のものが好ましいが、単管構成
のものでもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３８】（１）請求項１記載の枚葉式熱処理装置に
よれば、シャッター室内の露出部を耐食性を有する被覆
材でコーティングしてなるため、腐食性ガスを使用した
としても、シャッター室内の露出部の腐食を防止するこ
とができ、耐久性の向上が図れる。

【００３９】（２）請求項２記載の枚葉式熱処理装置に
よれば、前記シャッター室の壁部に内壁面を所定の温度
に加熱するための加熱手段を設けているため、シャッタ
ー室の内壁面に付着した腐食性ガスの結露を防止して、
シャッター室の内壁面等の腐食を防止することができ、
耐久性の向上が図れる。

【００４０】（３）請求項３記載の枚葉式熱処理装置に
よれば、前記シャッター室の側部にメンテナンス用の開
口部を設けているため、シャッター室内の遮熱シャッタ
ーのメンテナンスを容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である枚葉式熱処理装置を
示す縦断面図である。

【図２】シャッター室の構成を示す斜視図である。

【図３】同シャッター室におけるシャッター板の動きを
示す平面図である。

【図４】図１の枚葉式熱処理装置の全体を概略的に示す
側面図である。

【図５】同枚葉式熱処理装置の全体を概略的に示す平面
図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 熱処理炉 ２ 基板保持部 ３ 炉口 ４ 遮熱シャッター ５ シャッター室 ２１ 熱媒体通路（加熱手段） ３５ 開口部 ３６ 蓋

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AC15 AE23 AE25 DP04 DP19 EB09 EJ03 EJ04 EJ09 EJ10 EM10 EN04 EN05 HA23

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 昇降可能な基板保持部により被処理基板
   を一枚ずつ下部の炉口から上昇搬入させて所定の熱処理
   を行う熱処理炉と、この熱処理炉の下部に設けられ、炉
   口から降下搬出された熱処理後の被処理基板を所定の温
   度に冷却するために前記炉口を熱遮蔽する開閉可能な遮
   熱シャッターを有するシャッター室とを備え、前記シャ
   ッター室内の露出面を耐食性を有する被覆材でコーティ
   ングしてなることを特徴とする枚葉式熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記シャッター室の壁部に内壁面を所定
   の温度に加熱するための加熱手段を設けたことを特徴と
   する請求項１記載の枚葉式熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記シャッター室の側部にメンテナンス
   用の開口部と、この開口部を塞ぐ蓋とを設けたことを特
   徴とする請求項１または２記載の枚葉式熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記熱処理炉が酸化、拡散、成膜、アニ
   ールの処理が可能に構成されていることを特徴とする請
   求項１記載の枚葉式熱処理装置。