JP2002155366A - 枚葉式熱処理方法および枚葉式熱処理装置 - Google Patents

枚葉式熱処理方法および枚葉式熱処理装置

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JP2002155366A JP2000348573A JP2000348573A JP2002155366A JP 2002155366 A JP2002155366 A JP 2002155366A JP 2000348573 A JP2000348573 A JP 2000348573A JP 2000348573 A JP2000348573 A JP 2000348573A JP 2002155366 A JP2002155366 A JP 2002155366A
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wafer
heat treatment
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Takeshi Sakuma
健 佐久間
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Tokyo Electron Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体上のガス濃度を均一にして被処理体
を面内均一に処理する。 【解決手段】 減圧可能な処理室２内の載置板３上に被
処理体ｗを載置して加熱し、この被処理体ｗ上にシャワ
ーヘッド２７により処理ガスを供給すると共に、前記載
置板３の裏面および／または被処理体ｗの側面にパージ
ガスを流して被処理体ｗに所定の処理を施す枚葉式熱処
理方法において、前記シャワーヘッド２７を同心円状の
複数の領域Ａ，Ｂに分割し、パージガス等による被処理
体ｗ上のガス濃度低下を補うべく領域毎に異なる濃度ま
たは流量の処理ガスを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式熱処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、ＣＶＤ、アニ
ール等の処理を施すために、各種の熱処理装置が用いら
れている。この熱処理装置としては、ウエハを一枚ずつ
処理する枚葉式熱処理装置が知られている。この枚葉式
熱処理装置は、ウエハの面内均一な熱処理および急速な
昇降温を要する熱処理が比較的容易に可能であることか
ら、ウエハサイズの大型化および半導体素子の微細化に
伴い多く使用されようになっている。
【０００３】この枚葉式熱処理装置は、減圧可能な処理
室内の載置板上にウエハを載置して加熱し、このウエハ
上にシャワーヘッドにより処理ガスを供給すると共に、
前記載置板の裏面やウエハの側面にパージガスを流して
ウエハに所定の処理例えばＣＶＤ処理を施すように構成
されている。前記載置板の裏面やウエハの側面にパージ
ガスを流すのは、これらへの処理ガスの付着を防止する
ためである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記構
造の枚葉式熱処理装置においては、前記パージガスがウ
エハ上に外周から回り込むように拡散するため、図３に
実線で示すように処理ガスのガス濃度がウエハの外周側
（周縁付近）で低下し、デポレート（反応速度）の低下
や処理例えば成膜の面内均一性の低下を招く問題があっ
た。また、載置板は、ウエハよりも５〜５０℃程度高温
であるため、載置板がウエハの外周よりも大きい場合、
ウエハの周縁部より露出した載置板上部での反応が多く
進み、その結果、ウエハの周縁付近でのガス濃度低下が
生じ、デポレートの低下を招いている。なお、この問題
を解決するために、例えば加熱温度をウエハの面内で温
度勾配をつけて制御する方法が考えられているが、この
方法は面内温度差によりウエハの結晶性やカバレッジが
損なわれる恐れがあって好ましくない。
【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、被処理体上のガス濃度を均一にして被処理体を面
内均一に処理することができる枚葉式熱処理装置を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、減圧可能な処理室内の載置板上に被処理体を
載置して加熱し、この被処理体上にシャワーヘッドによ
り処理ガスを供給すると共に、前記載置板の裏面および
／または被処理体の側面にパージガスを流して被処理体
に所定の処理を施す枚葉式熱処理方法において、前記シ
ャワーヘッドを同心円状の複数の領域に分割し、パージ
ガス等による被処理体上のガス濃度低下を補うべく異な
る濃度または流量の処理ガスを供給するようにしたこと
を特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、減圧可能な処理室内の
載置板上に被処理体を載置して加熱し、この被処理体上
にシャワーヘッドにより処理ガスを供給すると共に、前
記載置板の裏面および／または被処理体の側面にパージ
ガスを流して被処理体に所定の処理を施す枚葉式熱処理
装置において、前記シャワーヘッドにこれを同心円状の
複数の領域に分割する仕切板を設け、パージガス等によ
る被処理体上のガス濃度低下を補うべく領域毎に異なる
濃度または流量の処理ガスを供給する処理ガス供給部を
設けたことを特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、減圧可能な処理室内の
載置板上に被処理体を載置して加熱し、この被処理体上
にシャワーヘッドにより処理ガスを供給すると共に、前
記載置板の裏面および／または被処理体の側面にパージ
ガスを流して被処理体に所定の処理を施す枚葉式熱処理
装置において、前記シャワーヘッドを同心円状の複数の
領域に分け、パージガス等による被処理体上のガス濃度
低下を補うべく領域毎に異なる流量の処理ガスを供給す
るために、前記シャワーヘッドに形成されたガス吹出孔
の孔径および／または単位面積当たりの孔密度を領域毎
に異ならせたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の第１の実施の
形態を示す枚葉式熱処理装置の概略的縦断面図、図２は
リフタピンおよびクランプリングの動きを示す図、図３
はウエハの位置とガス濃度の関係を示すグラフ図であ
る。
【００１０】図１において、１は被処理体例えば半導体
ウエハｗを１枚ずつ収容して所定の処理例えばＣＶＤ処
理を施す枚葉式熱処理装置で、減圧可能な気密構造の箱
状の処理室（チャンバ）２を備えている。この処理室２
は、耐熱性、耐食性およびウエハｗに対して非汚染性を
有する材料例えばアルミニウムにより形成されている。
この処理室２内には、ウエハｗを載置する載置板（サセ
プタ）３と、この載置板３の周縁部を支持すると共に下
方の空間４ａ，４ｂを処理ガスから遮蔽するための環状
の金属製例えばアルミニウム製の遮蔽体（シールドリン
グ）５とが設けられている。遮蔽体５は、石英であって
もよい。
【００１１】前記載置板３は、ウエハｗと同等もしくは
ウエハｗよりも大きい円板状に例えば窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）またはカーボン材によ
り形成されている。前記遮蔽体５は、同心円状に配した
内筒部５ａおよび外筒部５ｂと、これら内筒部５ａおよ
び外筒部５ｂの上端部間を覆うように設けられた環状の
平板部５ｃとを有している。平板部５ｃの内周には鍔部
６が設けられ、この鍔部６の内側に隙間７を介して載置
板３が配置されている。鍔部６または内筒部５ａには、
載置板３の周縁部下面を支持する支持腕部８が設けられ
ている。
【００１２】内筒部５ａには、ウエハｗの移載時に載置
板３上からウエハｗを突き上げ下げする昇降機構９の複
数例えば３本のＬ字状のリフタピン１０の移動を許容す
る開口部１１が周方向に適宜間隔例えば等間隔で複数例
えば３箇所形成されている。また、平板部５ｃには、昇
降機構９の調整ないしメンテナンスを行うための開口部
１２が周方向に適宜間隔例えば等間隔で複数例えば３つ
形成されていると共に、各開口部１２を上方から覆う蓋
１３がネジ止めにより着脱可能に取付けられている。
【００１３】前記載置板３には、前記リフタピン１０の
起立した先端部が上下方向に貫通可能な貫通孔１４が形
成されている。リフタピン１０の基端部は、内筒部５ａ
と外筒部５ｂの間の環状空間４ｂに配された環状の共通
の昇降枠１５にそれぞれ固定され、この昇降枠１５に
は、処理室２の底部を貫通した昇降軸１６を介して前記
昇降機構９の駆動部（アクチュエータ）１７が連結され
ている。処理室２内を気密状態に保持するために、処理
室２と昇降機構９の駆動部１７との間にはベローズ１８
が設けられていることが好ましい。
【００１４】前記鍔部６の上方には、載置板３上に載置
されたウエハｗの周縁部を斜め上方から押さえる例えば
ＡｌＮ製のクランプリング（環状保持板）１９が昇降可
能に配置されている。このクランプリング１９は、図２
にも示すように、前記リフタピン１０に分岐形成されて
前記鍔部６を垂直に貫通した操作軸２０の上端部に取付
けられており、リフタピン１０と連動して昇降されるよ
うになっている。載置板３の上方へ上昇されたリフタピ
ン１０とクランプリング１９の間をウエハｗが図示しな
い搬送アーム機構により側方からリフタピン１０上に移
載されるようになっている。
【００１５】前記クランプリング１９の内周縁部には、
ウエハｗの周縁部を斜め上方から押さえるためにテーパ
（傾斜面）１９ａが形成され、後述のパージガスをウエ
ハｗの外周の隙間から前記テーパ１９ａに沿ってウエハ
ｗの側面に吹き付けることにより、ウエハｗの側面に処
理ガスが付着するのを抑制ないし防止するように構成さ
れている。前記リフタピン１０および操作軸２０は、熱
線透過材料例えば石英により形成されていることが好ま
しい。
【００１６】前記載置板３の下方には、この載置板３を
介してウエハｗを加熱するための加熱手段として、複数
の加熱ランプ２１が処理室２の底部に設けられた熱線透
過材料例えば石英からなる透過窓２２を介して設けられ
ている。この透過窓２２は、処理室２の底部中央すなわ
ち前記遮蔽体５の内筒部５ａで区画された中央空間４ａ
を介して前記載置板３と対向する位置に気密に設けられ
ている。処理室２の外底部には、前記透過窓２２を囲む
ように箱状の加熱室２３が設けられ、この加熱室２３内
に前記加熱ランプ２１が配置されている。
【００１７】この場合、ウエハｗの面内均一な加熱を行
うために、加熱ランプ２１は、反射鏡を兼ねた回転板２
４上に取付けられ、加熱室２３の底部に設けられたモー
タ２５によって回転可能に構成されていることが好まし
い。この加熱ランプ２１の点灯により加熱ランプ２１か
ら透過窓２２を介して載置板３の下面（裏面）に熱線が
照射され、これにより加熱された載置板３を介してウエ
ハｗを面内均一に加熱し得るようになっている。また、
処理室２の底部には、前記載置板３の下方の中央空間４
ａ内に不活性ガス例えば窒素ガスＮ2またはアルゴンガ
スＡｒからなるパージガスを導入するパージガス導入部
２６が設けられており、載置板３の裏面およびウエハｗ
の側面にパージガスを流すことにより、これらへの処理
ガスの付着を抑制ないし防止している。
【００１８】前記処理室２内に処理ガスを導入する手段
として、処理室２の天上部には、前記載置板３と対向す
る位置に、ウエハｗの上面（被処理面）に処理ガスを供
給するシャワーヘッド２７が設けられている。このシャ
ワーヘッド２７の内部には、これを同心円状の２以上の
複数の領域例えば図示例の如く中央領域Ａと外周領域
（周縁領域）Ｂの２領域に分割する仕切板２８が設けら
れ、パージガス等によるウエハｗ上のガス濃度低下を補
うべく領域Ａ，Ｂ毎に異なる濃度の処理ガスをシャワヘ
ッド２７内に供給（導入）する処理ガス供給部２９ａ，
２９ｂが設けられている。
【００１９】シャワーヘッド２７の下面部には、多数の
ガス吹出孔３０が形成されている。本実施の形態では、
ガス吹出孔３０の孔径は領域Ａ，Ｂに関らず全て同じ孔
径とされている。また、シャワヘッド２７内には、濃度
の異なる処理ガスを各領域Ａ，Ｂ毎に均一に分散させる
ために多孔板からなる分散板３１が設けられていること
が好ましい。前記ガス供給部２９ａ，２９ｂの配管は、
流量制御装置（MassFlow Controller）および開閉弁を
介してガス源に接続され、シャワーヘッド２７には、中
央領域Ａ用の処理ガスとして、ガスＡがガス供給部２９
ａより供給され、外周領域Ｂ用の処理ガスとして、ガス
Ｂがガス供給部２９ｂより供給されようになっている。
【００２０】ガスＡは、例えばＷＦ6が６ＳＣＣＭ、Ｓ
ｉＨ4が５０ＳＣＣＭおよびキャリアガス例えばＡｒが
３００ＳＣＣＭとされているのに対して、ガスＢは、Ｗ
Ｆ6が６ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4が５０ＳＣＣＭおよびキャリ
アガスＡｒが１００ＳＣＣＭとされている。すなわち、
外周領域Ｂがパージガスで希釈されるので、シャワヘッ
ドにより、中央領域ＡにはガスＡを供給し、外周領域Ｂ
にはキャリアガスを減らして濃度を濃くしたガスＢを供
給するようにして、ウエハ面上のガス濃度を均一にして
いる。
【００２１】処理室２の側壁部には図示しない搬送アー
ム機構によりウエハｗを搬入搬出するための出入口３２
が形成されていると共に、この出入口３２を開閉するゲ
ートバルブ３３が設けられている。また、前記遮蔽体５
の上端の外周側には、多数の整流孔３４を有する環状の
整流板３５が、処理室２の内側との間を覆うように設け
られている。処理室２における整流板３５よりも下方の
側壁部には、処理室２内を減圧排気可能な排気部３６が
設けられ、この排気部３６には処理室２内を所定の圧力
ないし真空度に減圧制御可能な減圧ポンプや圧力制御機
構を備えた排気系が接続されている（図示省略）。
【００２２】次に、以上のように構成された枚葉式熱処
理装置１の作用を述べる。先ず、処理室２の出入口３２
のゲートバルブ３３を開けて搬送アーム機構により処理
室２内にウエハｗを搬入し、リフタピン１０を上昇させ
ることによりウエハｗを搬送アーム機構からリフタピン
１０に受け渡す。次いで、リフタピン１０を降下させて
ウエハｗを載置板３上に載置すると共にウエハｗを載置
板３上にクランプリング１９で保持し、前記ゲートバル
ブ２４を閉める。
【００２３】次に、処理室２内を排気部３６から排気系
により吸引排気して所定の真空度に制御し、処理室２内
の載置板３の下方にパージガス導入部２６からパージガ
ス例えばＡｒを導入して載置板３の下面（裏面）やウエ
ハｗの側面に流すと共に、ガス供給部２９ａ，１９ｂか
らシャワーヘッド２７を介して処理ガスを処理室２内に
前記所定流量で導入し、加熱ランプ２１を点灯させて載
置板３を介してウエハｗを加熱昇温させ、ウエハｗの被
処理面に所定の処理例えばＣＶＤ処理を開始する。加熱
ランプ２１の点灯により、加熱ランプ２１から透過窓２
２を介して載置板３の裏面に熱線が照射され、載置板３
が加熱されるが、この加熱板３の厚さが数ｍｍ程度と薄
いことから迅速に加熱され、この載置板３上に載置され
たウエハｗを所定の温度に迅速に加熱昇温させることが
できる。
【００２４】特に、本実施の形態の枚葉式熱処理装置１
によれば、前記シャワーヘッド２７にこれを同心円状の
複数の領域例えば中央領域Ａと外周領域Ｂに分割する仕
切板２８を設け、パージガス等によるウエハｗ上のガス
濃度低下を補うべく領域Ａ，Ｂ毎に異なる濃度の処理ガ
スを供給する、すなわち中央領域ＡにガスＡを、パージ
ガスによりガス濃度の低下した外周領域Ｂにキャリアガ
スを減らすことで濃度を濃くしたガスＢを供給する処理
ガス供給部２９ａ，２９ｂを設けているため、図３の一
点鎖線で示すようにウエハｗ上の外周領域（周縁領域）
のガス濃度低下を補うことができ、ウエハｗ上のガス濃
度ないしガス濃度分布を面内方向で均一にすることがで
き、面内均一な処理処理例えばＣＶＤ処理ないし成膜処
理が可能となる。
【００２５】また、枚葉式熱処理方法によれば、前記シ
ャワーヘッド２７を同心円状の複数の領域例えば中央領
域Ａと外周領域Ｂに分割し、パージガス等によるウエハ
ｗ上のガス濃度低下を補うべく異なる濃度の処理ガスを
供給する、すなわち中央領域ＢにガスＡを、パージガス
によりガス濃度の低下した外周領域Ｂにキャリアガスを
減らすことで濃度を濃くしたガスＢを供給するようにし
たので、ウエハｗ上（被処理面上）のガス濃度を均一に
することができ、面内均一な処理例えばＣＶＤ処理が可
能となる。
【００２６】前記実施の形態では、前記シャワーヘッド
２７を同心円状の複数の領域に分割し、パージガス等に
よるウエハｗ上のガス濃度低下を補うべく異なる濃度の
処理ガスを供給するように構成しているが、本発明は、
処理ガスの濃度を変える代りに処理ガスの流量ないし流
速を変えるようにしてもよい。ガスの拡散量と流れのガ
ス流速の関係では、ガス流速が速くなるほど拡散が起こ
り難くなるからである。この場合においても前記実施の
形態と同様の効果が得られる。
【００２７】この場合、シャワヘッド２７に供給する全
ガス流量を増やしてもよいが、効率が悪いので、シャワ
ーヘッド２７の内部を複数例えば中央領域Ａと外周領域
Ｂの２領域に例えば仕切板２８により分割し、中央領域
ＡへのガスＡよりも外周領域ＢのガスＢの流量を増大さ
せる。例えば、ガスＡは、ＷＦ6が６ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4
が５０ＳＣＣＭおよびキャリアガス例えばＡｒが３００
ＳＣＣＭとするのに対して、ガスＢは、ＷＦ6が６ＳＣ
ＣＭ、ＳｉＨ4が１００ＳＣＣＭおよびキャリアガスＡ
ｒが６００ＳＣＣＭとすればよい。
【００２８】図４は、本発明の第２の実施の形態を示す
枚葉式熱処理装置の概略的縦断面図である。本実施の形
態において、前記実施の形態と同一部分は、同一参照符
号を付して説明を省略する。図４の実施の形態において
は、シャワーヘッド２７を同心円状の複数の領域例えば
中央領域Ａと外周領域Ｂの２領域に分けて、パージガス
等によるウエハｗ上のガス濃度低下を補うべく領域Ａ，
Ｂ毎に異なる流量の処理ガスを供給するために、前記シ
ャワーヘッド２７に形成されたガス吹出孔３０の孔径ｄ
を領域Ａ，Ｂ毎に異ならせている。具体的には、ガス吹
出孔３０の孔径ｄは、中央領域Ａのガス吹出孔の孔径が
例えば２ｍｍであるのに対して、外周側領域Ｂのガス吹
出孔の孔径が例えば４ｍｍと大きく形成されている。
【００２９】このようにガス吹出孔３０の孔径ｄを変え
ることにより、領域Ａ，Ｂ毎にガス流量ないしガス流速
を変えることができるので、シャワヘッド２７にはこれ
を複数の領域に分割するための仕切板２８が不要であ
り、ガス供給部２９も一つでよい。本実施の形態の枚葉
式熱処理装置においても、シャワーヘッド２７を同心円
状の複数の領域に分けて、パージガス等によるウエハｗ
上のガス濃度低下を補うべく領域Ａ，Ｂ毎に異なる流量
の処理ガスを供給するために、前記シャワーヘッド２７
に形成されたガス吹出孔３０の孔径ｄを領域Ａ，Ｂ毎に
異ならせている、具体的にはパージガスにより拡散を受
け易い外周領域Ｂの処理ガス流速を多くすべくガス吹出
孔３０の孔径ｄを中央領域Ａのそれよりも大きくしてい
るので、ウエハｗ上のガス濃度をウエハｗの面内方向で
均一にすることができ、面内均一な処理が可能となる。
【００３０】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、載置板の裏面およびウエハの側面にパージガスを流
すように構成されているが、載置板の裏面またはウエハ
の側面にパージガスを流すように構成されていてもよ
い。また、前記実施の形態では、シャワーヘッドを２領
域に分割した例が示されているが、更に複数領域に細分
割すれば、より大きな効果が得られる。更に、第２の実
施の形態では、シャワーヘッドに形成されたガス吹出孔
の孔径を領域毎に異ならせた例が示されているが、ガス
吹出孔の孔径および／または単位面積当たりの孔密度を
領域毎に異ならせてもよい。被処理体としては、半導体
ウエハに限定されず、例えばガラス基板、ＬＣＤ基板等
が適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
【００３２】（１）請求項１の発明によれば、減圧可能
な処理室内の載置板上に被処理体載置して加熱し、この
被処理体上にシャワーヘッドにより処理ガスを供給する
と共に、前記載置板の裏面および／または被処理体の側
面にパージガスを流して被処理体に所定の処理を施す枚
葉式熱処理方法において、前記シャワーヘッドを同心円
状の複数の領域に分割し、パージガス等による被処理体
上のガス濃度低下を補うべく異なる濃度または流量の処
理ガスを供給するようにしたので、被処理体上のガス濃
度を均一にすることができ、面内均一な処理が可能とな
る。
【００３３】（２）請求項２の発明によれば、減圧可能
な処理室内の載置板上に被処理体を載置して加熱し、こ
の被処理体上にシャワーヘッドにより処理ガスを供給す
ると共に、前記載置板の裏面および／または被処理体の
側面にパージガスを流して被処理体に所定の処理を施す
枚葉式熱処理装置において、前記シャワーヘッドにこれ
を同心円状の複数の領域に分割する仕切板を設け、パー
ジガス等による被処理体上のガス濃度低下を補うべく領
域毎に異なる濃度または流量の処理ガスを供給する処理
ガス供給部を設けたので、被処理体上のガス濃度を均一
にすることができ、面内均一な処理が可能となる。
【００３４】（３）請求項３の発明によれば、減圧可能
な処理室内の載置板上に被処理体を載置して加熱し、こ
の被処理体上にシャワーヘッドにより処理ガスを供給す
ると共に、前記載置板の裏面および／または被処理体の
側面にパージガスを流して被処理体に所定の処理を施す
枚葉式熱処理装置において、前記シャワーヘッドを同心
円状の複数の領域に分けて、パージガス等による被処理
体上のガス濃度低下を補うべく領域毎に異なる流量の処
理ガスを供給するために、前記シャワーヘッドに形成さ
れたガス吹出孔の孔径および／または単位面積当たりの
孔密度を領域毎に異ならせたので、被処理体上のガス濃
度を均一にすることができ、面内均一な処理が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す枚葉式熱処理
装置の概略的縦断面図である。
【図２】リフタピンおよびクランプリングの動きを示す
図である。
【図３】ウエハの位置とガス濃度の関係を示すグラフ図
である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す枚葉式熱処理
装置の概略的縦断面図である。
【符号の説明】
ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 枚葉式熱処理装置 ２ 処理室 ３ 載置板 ２７ シャワヘッド ２８ 仕切板 Ａ，Ｂ 領域 ３０ ガス吹出孔 ｄ ガス吹出孔の孔径
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA06 AA16 BA20 BA29 BA48 CA04 EA05 FA10 KA08 KA45 LA15 5F045 AA06 AB30 BB02 DP03 EE01 EE12 EE20 EF05 EF07 EK13 EM07

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 減圧可能な処理室内の載置板上に被処理
    体を載置して加熱し、この被処理体上にシャワーヘッド
    により処理ガスを供給すると共に、前記載置板の裏面お
    よび／または被処理体の側面にパージガスを流して被処
    理体に所定の処理を施す枚葉式熱処理方法において、前
    記シャワーヘッドを同心円状の複数の領域に分割し、パ
    ージガス等による被処理体上のガス濃度低下を補うべく
    領域毎に異なる濃度または流量の処理ガスを供給するよ
    うにしたことを特徴とする枚葉式熱処理方法。
  2. 【請求項２】 減圧可能な処理室内の載置板上に被処理
    体を載置して加熱し、この被処理体上にシャワーヘッド
    により処理ガスを供給すると共に、前記載置板の裏面お
    よび／または被処理体の側面にパージガスを流して被処
    理体に所定の処理を施す枚葉式熱処理装置において、前
    記シャワーヘッドにこれを同心円状の複数の領域に分割
    する仕切板を設け、パージガス等による被処理体上のガ
    ス濃度低下を補うべく領域毎に異なる濃度または流量の
    処理ガスを供給する処理ガス供給部を設けたことを特徴
    とする枚葉式熱処理装置。
  3. 【請求項３】 減圧可能な処理室内の載置板上に被処理
    体を載置して加熱し、この被処理体上にシャワーヘッド
    により処理ガスを供給すると共に、前記載置板の裏面お
    よび／または被処理体の側面にパージガスを流して被処
    理体に所定の処理を施す枚葉式熱処理装置において、前
    記シャワーヘッドを同心円状の複数の領域に分け、パー
    ジガス等による被処理体上のガス濃度低下を補うべく領
    域毎に異なる流量の処理ガスを供給するために、前記シ
    ャワーヘッドに形成されたガス吹出孔の孔径および／ま
    たは単位面積当たりの孔密度を領域毎に異ならせたこと
    を特徴とする枚葉式熱処理装置。
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