TWI484555B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於激發所被供給的處理用氣體來處理基板的基板處理技術者，且關於例如在被組入半導體積體電路(以下稱為IC)的半導體基板(例如半導體晶圓)，沈積(deposition)氧化膜等而進行成膜等方面極為有效之基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
在製造IC電路的過程中，係使用處理用氣體，以各種方法成膜在基板表面。例如在專利文獻1所記載之CVD(Chemical Vapor Deposition)法中，係使用氣相反應，來進行膜的沈積等。為了使氣相反應實現，藉由加熱處理或電漿處理、微波或紫外光照射處理等來進行處理用氣體的激發或分解。
[專利文獻1]日本特開2004-95940號公報
在CVD法中，尤其圖求使基板的面內膜厚為均一。
本發明之目的在利用CVD法等在基板上沈積膜時，達成面內膜厚(形成在1枚基板表面的膜的厚度)之均一成膜者。
關於本說明書中所揭示之基板處理裝置的發明之中，具代表性者係如下所示。亦即，一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理載置於基板載置部的基板的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接者，將前述連接部設在前述處理室的外部。
此外，關於本說明書中所揭示之半導體裝置之製造方法的發明之中，具代表性者係如下所示。亦即，一種半導體裝置之製造方法，係具有：對載置於基板載置部的半導體基板進行成膜處理的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接者，將前述連接部設在前述處理室的外部的基板處理裝置中的半導體裝置之製造方法，其特徵係具有：將半導體基板搬入至處理室的工程；將處理用氣體供給至處理室的工程；一面在基板載置部循環冷媒，一面將基板載置部水平旋轉的工程；激發處理用氣體而將基板進行成膜處理的工程；及由處理室搬出基板的工程。
若如上所述構成半導體裝置之製造方法、或基板處理裝置時，可在基板上形成面內膜厚均一性提升的膜。
使用第1圖及第2圖，說明本發明之第1～第3實施形態之基板處理裝置。第1圖係由上面觀看基板處理裝置的圖，第2圖係由側面觀看基板處理裝置的圖。
其中，在適用本發明之基板處理裝置中，係使用FOUP(front opening unified pod。以下稱為容器)作為搬送晶圓等基板的載體。此外，在以下說明中，前後左右係以第1圖為基準。亦即，所謂前方向係指由第1搬送室110觀看，為第2搬送室120的方向。所謂後方向係由第2搬送室120觀看，為第1搬送室110的方向。所謂左方向係指由第1搬送室110觀看，為處理爐150的方向。所謂右方向係指由第1搬送室110觀看，為處理爐153的方向。
如第1圖及第2圖所示，基板處理裝置係具備有第1搬送室110。第1搬送室110係可承受真空狀態等未達大氣壓之壓力(負壓)的構造。第1搬送室110的框體111係俯視下(由上側觀看的形式)為五角形，形成為閉塞的箱形狀。在第1搬送室110係設置有第1晶圓移載機112。第1晶圓移載機112係在負壓下可同時移載2枚晶圓200。第1晶圓移載機112係在維持第1搬送室110之氣密性的狀態下，以可藉由升降機113來作升降的方式所構成。
第1搬送室之框體111的5枚側壁之中，在前側的1枚側壁係分別透過閘閥134、144而連結有負載鎖定室(Load Lock Chamber)131與141。負載鎖定室131與141係分別可承受負壓的構造。在負載鎖定室131係設置有暫時載置基板的基板暫時載置台132、133，在負載鎖定室141係設置有基板暫時載置台142、143。
在負載鎖定室131及負載鎖定室141的前側，係透過閘閥130、140連結有在大致大氣壓下所使用的第2搬送室120。在第2搬送室120係設置有第2晶圓移載機122。第2晶圓移載機122係可同時移載2枚晶圓200。第2晶圓移載機122係藉由被設置在第2搬送室120的升降機123作升降，並且藉由線性致動器124朝左右方向移動。
如第1圖所示，在第2搬送室120內的左側部分係設置有缺口對準裝置107。此外，如第2圖所示，在第2搬送室120的上部係設置有供給潔淨空氣的清淨單元106。
如第1圖及第2圖所示，在第2搬送室120的框體121設置有：用以將晶圓200對第2搬送室120搬入搬出的晶圓搬入/搬出口104、用以將晶圓搬入/搬出口104閉塞的蓋部105、及容器開具103。
容器開具103係具備有將被載置於IO載台100的容器101的帽蓋作開閉的帽蓋開閉機構102。帽蓋開閉機構102係與容器101的帽蓋一起將用以閉塞晶圓搬入/搬出口104的蓋部105作開閉。藉由打開被載置在IO載台100的容器101的帽蓋、及蓋部105，可取出放入容器101內的晶圓200。此外，容器101係藉由未圖示的工程內搬送裝置(AGV：Automatic Guided Vehicle/OHT：Overhead Hoist Transfer)被供給至IO載台100，此外，由IO載台100被排出。
如第1圖所示，在第1搬送室110之框體111的5枚側壁之中位於左右及後側的4枚側壁，係分別透過閘閥160、161、162、163而連結有在晶圓200進行所希望處理的第1處理爐150、第2處理爐151、第3處理爐152、第4處理爐153。
108係控制基板處理裝置的控制部，用以控制帽蓋開閉機構102、缺口對準裝置107、第1晶圓移載機112等構成基板處理裝置之各構成部者。
各處理爐150、151、152、153可為進行同一種類之基板處理的處理爐，而且亦可按照裝置的目的，形成為分別進行不同種類之基板處理的處理爐。
在本實施例中，以同一處理爐而言，說明如下。此外，容後詳述處理爐。
以下說明使用具有前述構成的基板處理裝置的基板處理工程。在該基板處理工程中，係由控制部108控制基板處理裝置之各構成部者。
首先，收納有未處理的晶圓25枚的容器101被工程內搬送裝置搬送至基板處理裝置。如第1圖及第2圖所示，被搬送而來的容器101係由工程內搬送裝置被收付而載置在IO載台100之上。將容器101的帽蓋及晶圓搬入/搬出口104閉塞的蓋部105被帽蓋開閉機構102所卸除，而使容器101的晶圓取出放入口開放。
容器101藉由容器開具103而被開放時，被設置在第2搬送室120的第2晶圓移載機122係從容器101拾取1枚晶圓200，且載置在缺口對準裝置107。
缺口對準裝置107係將所被載置的晶圓200朝水平的縱橫方向(X方向、Y方向)及圓周方向移動，來調整晶圓200的缺口位置等。
利用缺口對準裝置107，在第1枚晶圓200的位置調整實施中，第2晶圓移載機122係由容器101拾取第2枚晶圓200，搬出至第2搬送室120內，且在第2搬送室120內待機。
藉由缺口對準裝置107而結束前述第1枚晶圓200的位置調整之後，第2晶圓移載機122係拾取缺口對準裝置107上的前述第1枚晶圓200。第2晶圓移載機122係將此時第2晶圓移載機122所保持的前述第2枚晶圓200載置至缺口對準裝置107。之後，對前述第2枚晶圓200進行缺口對準。
接著，閘閥130被打開，第2晶圓移載機122係將前述第1枚晶圓200搬入至第1負載鎖定室131，而移載在基板暫時載置台133上。在該移載作業中，第1搬送室110側的閘閥134係被關閉，維持第1搬送室110內的負壓。
若前述第1枚晶圓200對基板暫時載置台133的移載結束，閘閥130即被關閉，第1負載鎖定室131內藉由排氣裝置(未圖示)以成為負壓的方式予以排氣。
與第1負載鎖定室131內的雰圍氣的排氣並行，第2晶圓移載機122係從缺口對準裝置107拾取前述第2枚晶圓200。接著，若閘閥140被打開，第2晶圓移載機122係將前述第2枚晶圓200搬入至第2負載鎖定室141，且移載至基板暫時載置台143。接著，閘閥140被關閉，第2負載鎖定室141內藉由排氣裝置(未圖示)，以成為負壓的方式被排氣。
以下，第2晶圓移載機122係反覆以上動作。此時，第1負載鎖定室131及第2負載鎖定室141為負壓狀態時，第2晶圓移載機122並未執行對第1負載鎖定室131及第2負載鎖定室141搬入晶圓200，而在第1負載鎖定室131或第2負載鎖定室141的瞬前位置停止而待機。
負載鎖定室131若被減壓至預先設定的壓力值時，閘閥134即被打開。接著，第1搬送室110的第1晶圓移載機112係從基板暫時載置台133拾取前述第1枚晶圓200。
第1晶圓移載機112從基板暫時載置台133拾取前述第1枚晶圓200之後，閘閥134被關閉，基板負載鎖定室131內恢復成大氣壓，進行用以將下一個晶圓搬入至負載鎖定室131的準備。
與此並行，第1處理爐150的閘閥160被打開，晶圓移載機112將前述第1枚晶圓200搬入至第1處理爐150。接著在第1處理爐150內由氣體供給裝置(未圖示)被供給處理用氣體，對前述第1枚晶圓200施行所希望處理。
接著，若第2負載鎖定室141被減壓成預先設定的壓力值，閘閥144即被打開。接著，第1搬送室110的第1晶圓移載機112係由基板暫時載置台143拾取前述第2枚晶圓200。
在第1晶圓移載機112拾取前述第2枚晶圓200之後，閘閥144被關閉，第2負載鎖定室141內恢復成大氣壓，進行用以在第2負載鎖定室141搬入接下來的晶圓的準備。
與此並行，第2處理爐151的閘閥161被打開，晶圓移載機112將前述第2枚晶圓200搬入至第2處理爐151。接著在第2處理爐151內由氣體供給裝置(未圖示)被供給處理氣體，對前述第2枚晶圓200施行所希望處理。
以下同樣地在第3處理爐152、第4處理爐153搬入接下來的晶圓200，且施行所希望處理。
在第1處理爐150中，所希望處理一結束，第1晶圓移載機112係將由處理爐150所搬出的晶圓200搬入至第1負載鎖定室131，且載置在基板暫時載置台132上。
此時，若在第1負載鎖定室131內的基板暫時載置台133上存在未處理的晶圓時，第1晶圓移載機112係將前述未處理晶圓由第1負載鎖定室131搬出至第1搬送室110。
接著，閘閥134被關閉，在第1負載鎖定室131內開始處理完畢晶圓200的冷卻，同時由連接於第1負載鎖定室131的惰性氣體供給裝置(未圖示)被導入惰性氣體，使第1負載鎖定室131內的壓力恢復成大氣壓。
在第1負載鎖定室131中，經過預先設定的冷卻時間，而且第1負載鎖定室131內的壓力恢復成大氣壓時，閘閥130即被打開。接著，第2搬送室120的第2晶圓移載機122由基板暫時載置台132拾取處理完畢的晶圓200而搬出至第2搬送室120之後，閘閥130即被關閉。
之後，第2晶圓移載機122係透過第2搬送室120的晶圓搬入/搬出口104，將處理完畢的晶圓200收納在容器101。
藉由前述工程，對容器101內的所有晶圓進行所希望處理，處理完畢的25枚晶圓的全部若被收納在容器101時，將容器101的帽蓋與晶圓搬入/搬出口104閉塞的蓋部105藉由容器開具103予以關閉。被關閉的容器101係藉由工程內搬送裝置從IO載台100之上被搬送至下一個工程。
藉由反覆以上動作，依次處理晶圓各25枚。
接著，使用第3圖至第7圖，說明本發明之第1實施形態之處理爐。
第3圖係由側面觀看本發明之第1實施形態之基板處理裝置所使用的處理爐的剖面圖。第4圖係由側面觀看本發明之第1實施形態之處理爐所使用之基板載置部、基板載置部支持機構的剖面圖。第5圖係顯示本發明之第1實施形態之處理爐中氣體供給與排氣的態樣圖。
在第3圖中，300係處理基板的處理室，相當於前述處理爐150至153者。處理室300主要由後述激發部、腔室上壁306、基板載置部311、腔室側壁312、腔室底壁313所構成。
301係處理基板的處理區域。處理區域301係被夾在後述激發部與基板載置部311的空間，為內含基板處理面的空間。
302係控制晶圓200(基板)上之氣體流動的氣體流動控制環302。
303係在處理區域301內供給處理用氣體的氣體供給孔，如第5圖所示，以半環狀排列設置複數個。第5圖係氣體供給孔303為6個之例。303a～303f係表示各氣體供給孔。
氣體供給孔303係與作為暫時儲放處理用氣體的緩衝空間的供給氣體用緩衝室309相鄰接。如第5圖所示，供給氣體用緩衝室309係在腔室側壁312內部形成半環狀通路。如第3圖所示，在供給氣體用緩衝室309係連接有氣體導入管324。氣體導入管324係透過第1氣體供給管319而與作為材料氣體的第1氣體供給源316相連接，而且透過第2氣體供給管323而與供給惰性氣體的第2氣體供給源320相連接。透過供給氣體用緩衝室309，由氣體供給孔303供給處理用氣體(材料氣體與惰性氣體的混合氣體)，因此可在基板上均一供給處理用氣體。
在第1氣體供給管319係由第1氣體供給源316朝向供給氣體用緩衝室309配設有控制氣體流量的質流控制器317、開閉閥318。將第1氣體供給管319、第1氣體供給源316、質流控制器317、開閉閥318稱為第1氣體供給部。
此外，在第2氣體供給管323係由第2氣體供給源320朝向供給氣體用緩衝室309配設有控制氣體流量的質流控制器(MFC)321、開閉閥322。將第2氣體供給管323、第2氣體供給源320、質流控制器321、開閉閥322稱為第2氣體供給部。
此外，將第1氣體供給部、第2氣體供給部、氣體導入管324彙整稱為氣體供給部。
304係由處理區域301內將處理用氣體進行排氣的氣體排氣孔，如第5圖所示，以半環狀排列設置複數個。第5圖係氣體排氣孔304為6個之例。304a～304f係表示各氣體排氣孔。
排氣孔304係與作為緩衝空間的排氣緩衝室310相連接。如第5圖所示，排氣緩衝室310係在腔室側壁312的內部形成半環狀通路者。
在排氣緩衝室310係連接有氣體排氣管325。在氣體排氣管325係連接有真空泵327及APC閥326。真空泵327係將處理室內的雰圍氣作排氣。APC閥326係調整排氣流量，以調整處理室內的壓力。
將氣體排氣管325、真空泵、APC閥326稱為氣體排氣部。
如第5圖所示，氣體供給部的供給孔303與氣體排氣部的排氣孔304係以在基板載置部311之基板載置面的周圍相向的方式所構成。亦即，以各自的氣體供給孔303a～303f與各自的氣體排氣孔304a～304f相向的方式所構成。例如，在第5圖中，以供給孔303a與排氣孔304a相向的方式所構成，以供給孔303f與排氣孔304f相向的方式所構成。
如上所示，可在基板表面均一供給氣體。
此外，基板載置面係構成為收納在將氣體供給部的供給孔303的一端(303a)和與其相對向的氣體排氣部的排氣孔304的一端(304a)相連結的線、及將前述供給部的供給孔的另一端(303f)和與其相對向的前述排氣孔的另一端(304f)相連結的線之間。如上所示，可在基板上確實形成氣體流。
305係將晶圓200(基板)搬入至處理室300，或由處理室300搬出的基板搬入/搬出口。在搬入/搬出晶圓200時，基板載置部支持機構314會下降，基板載置部311的基板載置面與基板搬入出口305會形成為相同程度的高度。
當將晶圓200搬入至處理室時，係藉由第1晶圓移載機112，在基板載置部311的基板載置面載置晶圓200。當將晶圓200由處理室搬出時，相反地，藉由第1晶圓移載機112，由基板載置部311的基板載置面拾取晶圓200。
307係照射波長200nm以下之真空紫外光(Vacuum Ultra Violet Light)的燈，被固接在腔室上壁306，設在與晶圓200的處理面相對向的面。308係透過由燈307所照射的真空紫外光的石英製窗。窗308係位於燈307與處理區域301之間，亦可為用以透過真空紫外光，並且不會將處理區域301的雰圍氣曝露在燈307的分隔。
將燈307、窗308稱為激發處理用氣體的激發部。
311係載置晶圓200(基板)的基板載置部，以基板的處理面與激發部相對向的方式載置基板。314係支持基板載置部311的基板載置部支持機構。315為波紋管(Bellows)，具有蛇腹之可伸縮氣密密封部。
藉由基板載置部支持機構314作升降，使基板載置部311作升降。在第3圖中，基板載置部311係呈上升的狀態。基板處理時，如第3圖所示，使基板載置部311上升至預定的位置來處理基板。
關於基板載置部311，容後詳細說明。
激發部(具體而言為燈307)與基板載置部311的距離係按基板處理(製程)的每個種類來作變更為佳。
以下說明其理由。
由激發部所被照射的能量(本例中為真空紫外光)量係被發現會依所被供給的氣體與激發部的距離而變。亦即，遠離激發部的部位，照射能量較少，接近激發部的部位則照射能量較多。
因此，在圖求大量對處理用氣體的照射能量量的製程，亦即圖求提高氣體的能量水準的製程中，係在接近激發部的位置使基板載置部311上升較佳。相反地，在圖求少量照射能量量的製程，亦即圖求降低氣體的能量水準的製程中，係在離激發部較遠(遠離)的位置，上升基板載置部311來進行基板處理即可。
如上所示，藉由改變基板處理時之基板載置部支持機構314的高度位置，可對應各種製程。
接著，使用第4圖及第5圖，說明基板載置部311及其周邊構造。第4圖係由側面觀看本發明之第1實施形態之處理爐所使用的基板載置部、基板載置部支持機構的剖面圖。第5圖係顯示本發明之第1實施形態之處理爐中氣體供給與排氣之態樣圖。
如第5圖所示，基板載置部311係由上面觀看的形式為圓形，為鋁製。如第4圖所示，在基板載置部311設有冷媒循環通路401。冷媒循環通路401係佈滿在基板載置部311全體，可均一冷卻基板。以冷媒而言，係使用例如GALDEN(註冊商標)HT200。
如第4圖所示，在基板載置部311的圓周端部(圓周部分的端部)406設有凹部(柱坑)。形成為在該凹部由上方被嵌入有氣體流動控制環302之內周端部(內周部分的端部)的構造。氣體流動控制環302為鋁製。
氣體流動控制環302係當位於基板載置部支持機構314下降的位置時，被載置在氣體排氣孔304上來待機。在基板載置部支持機構314上升至基板處理時的位置的過程中，在圓周端部406的柱坑被嵌入氣體流動控制環302的內周端，基板載置部支持機構314與氣體流動控制環302一起上升。
基板載置部支持機構314上升至預定位置之後，氣體流動控制環302係在氣體排氣孔304的上方，在與氣體排氣孔304空出預定間隔的狀態下停止。此時，氣體流動控制環302的外周端(外周部分的端部)係與供給用氣體緩衝室309的壁部空出預定的距離。其中，基板載置部支持機構314係包含第4圖中的軸402、旋轉驅動部404、連接部、冷媒供給/排出部417者。關於該等容後敘述。
其中，在基板處理時，氣體流動控制環302的表面高度與晶圓200的表面高度較佳為相同。如上所示，氣體流動控制環302附近的氣體的流速係與基板中央部的氣體的流速相同。亦即，基板的周邊部與中央部的氣體的流速為相同。因此，基板面內的成膜速度為相同，膜厚均一性會提升。
由氣體供給孔303所被供給的氣體係在曝露在晶圓200上之後，由氣體流動控制環302的表面，經由供給用緩衝室309與氣體流動控制環302之間的空間，由位於氣體流動控制環302之背面的排氣孔304予以排氣。
藉由氣體流動控制環302，處理用氣體係被妨礙從晶圓200的外周端流入至基板載置部支持機構314側，而由晶圓200的外周端朝水平方向流動且排氣。因此，與不具氣體流動控制環302的情形相比，可使氣體排氣成為均一，因此可均一處理基板表面。此外，藉由氣體流動控制環302，可抑制無謂耗費處理用氣體，氣體流動的重現性亦提升。
此外，藉由設置氣體流動控制環302，即使改變基板載置部311的高度，亦可使氣體流動均一。因此，為了對應各種不同製程，即使改變基板載置部311的高度，亦可使氣體流動均一，而較為容易對應不同的製程。
接著，使用第4圖至第7圖，針對構成基板載置部支持機構314的軸402或旋轉驅動部404等加以說明。
軸402係支持基板載置部311的支持部。軸402係包含有冷媒(冷卻材)流路，該冷媒流路係流通供給至基板載置部311之冷媒循環通路401的冷媒，且流通由冷媒循環通路401所被排出的冷媒。軸402的材質為鋁。軸402的水平剖面為圓形。以軸402所包含的冷媒流路而言，配設有將冷媒由冷媒供給/排出部417供給至冷媒循環通路401的第1冷媒供給路408、及流通由冷媒循環通路401所被排出的冷媒的第1冷媒排出路409。第1冷媒供給路408、第2冷媒排出路409係如第4圖所示，以在軸402內部彼此平行且分離的方式而設。
404係使軸402水平旋轉的旋轉驅動部，為SUS製(不銹鋼)。軸402的側面係由中空軸423所覆蓋。中空軸423係夾持軸402，連同軸402一起作水平旋轉者，用以保護軸402受到旋轉時的摩擦等。中空軸423的材質為SUS。軸402與中空軸423之間設有O型環405。藉由O型環405，防止軸402的不穩，並且防止由處理區域301漏洩氣體。在旋轉驅動部404，係在與中空軸423相接之側具備有作為真空密封件的磁性流體密封件420、軸承421、馬達422。馬達422的旋轉運動係被傳達至中空軸423而使軸402作水平旋轉。
在設在旋轉驅動部404之外殼的凸緣404a，用以固定波紋管315的波紋管下部固定具415係藉由螺絲等固定具403予以固定而設。O型環407係防止由處理區域301漏洩氣體者。
414係以上部固定波紋管315的波紋管上部固定具。波紋管上部固定具414係被固定在腔室底壁313。
接著，使用第6圖及第7圖，針對設在軸402之下部前端的連接部、及連接部的下方的冷媒供給/排出部417加以說明。第6圖係第4圖所示之連接部、冷媒供給/排出部417的放大圖。第7圖係顯示第6圖所示之連接部、冷媒供給/排出部417之構造圖。
如第6圖所示，軸402的下部前端係被插入在軸承部411。在軸承部411的上側設有固定環416，在固定環416的上側設有按壓環410。如第7圖所示，在軸402的下部的前端內部係被安裝有流路轉換區塊431。軸承部411、固定環416、按壓環410、流路轉換區塊431均為SUS製。軸承部411、固定環416、按壓環410、流路轉換區塊431係構成將軸402與冷媒供給/排出部417相連接的連接部，與軸402一起作水平旋轉。
如第6圖所示，在軸承部411的下側設有冷媒供給/排出部417。冷媒供給/排出部417係在軸402作水平旋轉時，不作水平旋轉而保持靜止狀態。如第7圖所示，在軸承部411與冷媒供給/排出部417之間設有襯套(緩衝材)433。襯套433並不作水平旋轉。襯套433係例如鐵氟龍(註冊商標)等氟樹脂。
冷媒供給/排出部417為SUS製。冷媒供給/排出部417係在其外殼內部組入轉子，透過連接部而對軸402不會漏洩冷媒地供給冷媒，此外，透過連接部而由軸402不會漏洩冷媒地排出冷媒。在冷媒供給/排出部417設有第2冷媒供給路418與第2冷媒排出路419。第2冷媒排出路419係以包圍第2冷媒供給路418的方式與第2冷媒供給路418被配置在同心圓上。亦即，第2冷媒供給路418為內軸，第2冷媒排出路419係以包圍內軸的方式而設的外軸。如上所示，第2冷媒供給路418與第2冷媒排出路419係構成2重軸。由第7圖可理解，軸承部411係以該2重軸為中心來作水平旋轉，因此在旋轉中，亦可由內軸供給冷媒，由外軸排出冷媒。
如第7圖所示，藉由將軸402的前端402a抵接於O型環412，來防止冷媒漏洩。被安裝在軸402之下部的前端內部的流路轉換區塊431係將軸402的冷媒流路與冷媒供給/排出部417的冷媒流路相連接。亦即，透過流路轉換區塊431，將軸402的第1冷媒供給路408、與冷媒供給/排出部417的第2冷媒供給路418相連接，且將軸402的第1冷媒排出路409、與冷媒供給/排出部417的第2冷媒排出路419相連接。
如第7圖所示，軸402的第1冷媒供給路408與第1冷媒排出路409係以彼此平行且分離的方式作配置。另一方面，在冷媒供給/排出部417中，第2冷媒排出路419係以包圍第2冷媒供給路418的方式，與第2冷媒供給路418配置在同心圓上。如上所示，使軸402內的冷媒流路未形成為2重軸構造，藉由形成為彼此平行且分離的構造，使得軸402的製作更為容易。
如第7圖所示，流路轉換區塊431的第3冷媒供給路438係在流路轉換區塊431的下端，透過襯套(緩衝材)432而與冷媒供給/排出部417的第2冷媒供給路418相連接。襯套432並不作水平旋轉。襯套432係例如鐵氟龍(註冊商標)等氟樹脂。流路轉換區塊431的第3冷媒排出路439係在流路轉換區塊431的下端與冷媒供給/排出部417的第2冷媒排出路419相連接。
此外，流路轉換區塊431的第3冷媒供給路438係在流路轉換區塊431的上端，與軸402的第1冷媒供給路408相連接。流路轉換區塊431的第3冷媒排出路439係在流路轉換區塊431的上端，與軸402的第1冷媒排出路409相連接。如上所示，在流路轉換區塊431中，軸402的彼此平行的冷媒流路被轉換成冷媒供給/排出部417的2重軸的冷媒流路。
如第6圖所示，在軸承部411的上面設有固定環416。固定環416係在上下方向有厚度的環狀(甜甜圈狀)，以形成為大致左右對稱的方式，沿著上下方向作2分割的構造。作2分割的固定環416係由側面方向被嵌入在軸402的前端部側面。在固定環416設有屬於凸部的凸緣416a。在凸緣416a嵌合在軸402的前端部側面的凹陷處的狀態下，藉由水平方向的螺絲(未圖示)來結合固定作2分割的固定環416，在軸402固定固定環416。此外，軸承部411係藉由螺絲等(未圖示)而被固定在固定環416。藉由形成為如上所示之構造，軸承部411係與軸402共同旋轉。
按壓環410係藉由螺絲等固定具413，由下面側(固定環416側)朝中空軸423抵接而予以固定。藉由按壓環410，軸402的垂直方向的位置成為一定。
此外，由於為軸402的前端402a被嵌入在軸承部411的構造，因此藉由固定環416，使軸402的水平方向的位置成為一定。因此，軸402連同包含軸承部411的連接部一起旋轉時，防止軸402在水平方向不穩，並且防止軸402朝垂直方向上浮。
如上所示，由於基板載置部311與激發部的距離經常為一定，因此可進行基板面內的膜厚成為均一的穩定成膜處理。
此外，在卸除連接部(按壓環410、固定環416、軸承部411、流路轉換區塊431)的狀態下，軸402係僅被插入在中空軸423。因此，軸402係可以由上側抽出的方式由中空軸423卸除。其中，O型環405係嵌入在軸402被挖掘的溝槽，因此不會形成為軸402的裝卸的障礙。
接著，說明使用本實施形態之處理爐的基板處理動作。其中，以下各構成部的動作係受到控制部108所控制者。
首先，以基板載置部311成為與基板搬入出口305為相同程度高度的方式，基板載置部支持機構314作升降而作位置調整。
接著，藉由第1晶圓移載機112，晶圓200(基板)被搬入至處理室，在基板載置部311的基板載置面載置晶圓200。
在晶圓200被載置在基板載置部311的基板載置面之後，基板載置部支持機構314(軸402、旋轉驅動部404、連接部、冷媒供給/排出部417)會上升至預定位置。在該上升途中，在基座圓周端部406的凹部(柱坑)被嵌入氣體流動控制環302的內周端，基板載置部311與氣體流動控制環302會一起上升。
在基板支持機構314、亦即基板載置部311上升至預定位置的狀態下，呈靜止的冷媒供給/排氣機構417與進行旋轉的軸402的連接部，以不會成為比腔室底壁313更為上方的方式，亦即，以連接部不會進入至處理室內的方式，配置有連接部。
如上所示，藉由形成為連接部不會進入至處理室內的構造，即使冷媒由連接部漏洩，亦可防止在處理室內漏洩冷媒。
基板載置部311上升至預定高度，在開始水平旋轉之後，由氣體供給部供給材料氣體。亦可在材料氣體供給時，由第1氣體供給部供給材料氣體，並且由第2氣體供給部供給惰性氣體等載體氣體。
藉由一面供給材料氣體，一面由氣體排氣部將氣體排氣，使處理室內維持在預定的壓力。此時，所被供給的氣體係由晶圓200表面，通過氣體流動控制環302表面，經由排氣孔304而予以排氣。
與材料氣體供給開始一起從燈307照射真空紫外光。藉此所被激發的氣體係被吸附在晶圓200上而進行成膜。藉由一面使基板載置部311旋轉，一面由供給孔303對排氣孔304形成氣體流，可使膜厚均一性提升。
若所希望的基板處理結束，第1氣體供給部係停止材料氣體的供給，基板載置部311係停止旋轉。由第2氣體供給部係被供給惰性氣體，與此同時，排氣部係將處理室內的雰圍氣進行排氣。如上所示，將處理室內的雰圍氣更換為惰性雰圍氣。
在更換處理室內的雰圍氣之後，或更換處理之期間，基板載置部支持機構314係下降，以基板載置部311與基板搬入出口305成為相同程度高度的方式，控制基板載置部311的位置。在基板載置部311下降後，第1搬送室110與處理室300之間的閘閥160被開放，藉由第1晶圓移載機112，由處理室300搬出處理完畢的晶圓200。
接著，針對本發明之處理爐的維護，說明如下。
在進行CVD處理等成膜處理時，在處理室300內的窗308或基板載置部311等亦成膜，結果在窗308或基板載置部311等會附著微粒。若在微粒附著的情形下直接持續處理，會有微粒剝落而附著在基板的情形。為了防止該情形，必須從處理爐卸除窗308或基板載置部311等各構成部，來進行洗淨處理等之維護。
包含腔室上壁306、燈307、窗308的激發部係藉由未圖示之維護用上升機構形成為一體而上升，從處理室300被卸除。
在第1圖或第2圖中所說明之所謂叢集(cluster)類型的裝置中，由於相鄰接的處理室位於非常近的位置，因此不易將所卸除的處理室的上蓋等朝橫方向錯開卸除。因此，如前所述，藉由維護用上升機構，使其暫時上升且卸除。
針對基板載置部311及軸402的卸除加以說明。
最初，在使冷媒供給/排出部417朝下方移動之後，從固定環416卸除軸承411。之後，由下方卸除固定具413，接著，卸除固定環416。接著，卸除流路轉換區塊431。接著，卸除按壓環410。藉由以上，軸承411、固定環416、流路轉換區塊431、按壓環410從軸402被卸除，結果，對軸402的垂直方向的固定會脫落。
軸402係呈被插入在中空軸423的狀態，因此使軸402上升，從中空軸423卸除。此時，氣體流動控制環302係被卸除者。
如上所示，軸402係形成為僅固定垂直方向位置的簡單構成，因此可抽出而從處理爐300卸除。因此，可在短時間內卸除基板載置部311及軸402。
本發明係如以上所示，但是亦可將激發部置換成如下所示。
例如，如第8圖之記載所示，亦可將激發部置換成微波照射部501。藉由微波照射部501，對所被供給的氣體照射微波，而使氣體激發。
此外，如第9圖之記載所示，亦可使用線圈601來作為激發部。
所被供給的氣體係藉由線圈601而被激發，而處理基板。
如以上說明所示，藉由本發明，可提升基板面內的膜厚均一性。
其中，氣體供給孔303係如上所述，亦可在氣體導入管324側以半環狀排列複數而供給材料，但是並非侷限於此，亦可遍及基板載置部的全周圍，以環狀排列複數個。此外，隨此，供給氣體用緩衝室309係與氣體供給孔303同樣地，並非為半環狀，而在與氣體供給孔303相對應的位置，遍及基板載置部的全周圍而設即可。
在上述實施例中，係由基板側面供給氣體，但是並非侷限於此，亦可使用淋洗頭，而從基板上面供給氣體。此時，為了使得由燈307所照射的真空紫外光透過，將淋洗頭形成為例如石英製。由於被設在淋洗頭的氣體供給孔的影響，在透過淋洗頭的紫外光的能量，雖然會發生依場所的不同所致的不均，但是藉由使用淋洗頭，與由基板側面供給氣體的情形相比，可在基板上均一供給氣體。
另一方面，如上述實施例所示由基板側面供給氣體時，由於在紫外光透過窗與基板之間沒有障礙物，因此與由淋洗頭供給氣體的情形相比，可照射均一的真空紫外光能量。
氣體排氣孔304係如上所述，以隔著基板載置部311的基板載置面而與氣體供給孔303相對向的方式，即使以半環狀排列在氣體排氣管325側亦可，但是並非侷限於此，亦可遍及基板載置部的全周圍以環狀排列。此外，亦可取代氣體排氣孔，而例如設置開縫，而由開縫進行排氣。
在本說明書中至少包含以下發明。亦即，第1發明係一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理載置於基板載置部的基板的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接者，將前述連接部設在前述處理室的外部。
若如上所示構成基板處理裝置時，即使冷媒漏洩，亦可防止漏洩的冷媒進入至真空狀態的處理室。
第2發明係在前述第1發明之基板處理裝置中，前述激發部係以與前述基板載置部的基板載置面相對向的方式而設，前述供給部的供給孔與前述排氣部的排氣孔係在前述基板載置面的周圍，以相向的方式所構成。
若如上所示構成基板處理裝置時，可對基板表面均一供給氣體。
第3發明係在前述第2發明之基板處理裝置中，在將前述供給部的供給孔的一端和與其相對向的前述排氣孔的一端相連結的線、與將前述供給部的供給孔的另一端和與其相對向的前述排氣孔的另一端相連結的線之間配置前述基板載置面。
若如上所示構成基板處理裝置時，可在基板上確實形成氣體流。
第4發明係在前述第2發明或第3發明之基板處理裝置中，前述供給部係具有與前述供給孔相鄰接的緩衝空間。
若如上所示構成基板處理裝置時，藉由設置緩衝空間，可調整供給氣體的流速。
第5發明係在前述第2發明至第4發明之基板處理裝置中，前述激發部係照射真空紫外光的燈。
氣體係受到真空紫外光的量愈多，成為活性種(Radical)的量愈多。因此，在基板上流通的氣體為層流，而且在照射真空紫外光時，氣體的下游成為活性種的量會變多。因此，在使用真空紫外光燈時，使基板載置部旋轉，而將氣體形成為層流狀態，藉此使所形成的膜的面內均一性提升。
第6發明係在前述第1發明至第4發明之基板處理裝置中，在前述基板載置部的基板載置面的圓周端設有被嵌入氣體流動控制環的凹部。
若如上所示構成基板處理裝置時，藉由氣體流動控制環，處理用氣體係被妨礙從基板的外周端流入至基板載置部支持機構側，而由基板的外周端朝水平方向流通而被排氣。因此，與不具氣體流動控制環的情形相比，可使氣體排氣均一，因此可將基板表面均一處理。
第7發明係在前述第1發明至第6發明之基板處理裝置中，前述支持部的第1冷媒供給路與第1冷媒排出路係形成彼此分離且平行的流路，前述冷媒供給/排出部的第2冷媒供給路與第2冷媒排出路係形成2重軸狀的流路，前述連接部係將前述支持部之彼此分離且平行的流路轉換成前述冷媒供給/排出部的2重軸狀的流路者。
若如上所示構成基板處理裝置時，可將作水平旋轉的支持部與呈靜止的冷媒供給/排出部輕易連接。
第8發明係一種半導體製造裝置，其特徵係具有：對載置於基板載置部的半導體基板進行成膜處理的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接者，將前述連接部設在前述處理室的外部。
若如上所示構成半導體製造裝置，即使冷媒漏洩，亦可防止漏洩的冷媒進入至真空狀態的處理室。
第9發明係一種基板處理方法，係具有：處理載置於基板載置部的基板的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接者，將前述連接部設在前述處理室的外部的基板處理裝置中的基板處理方法，其特徵係具有：將基板搬入至處理室的工程；將處理用氣體供給至處理室的工程；一面在基板載置部循環冷媒，一面將基板載置部水平旋轉的工程；激發處理用氣體而將基板進行處理的工程；及由處理室搬出基板的工程。
若如上所示構成基板處理方法，即使冷媒漏洩，亦可防止漏洩的冷媒進入至真空狀態的處理室。
第10發明係一種半導體裝置之製造方法，係具有：對載置於基板載置部的半導體基板進行成膜處理的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接者，將前述連接部設在前述處理室的外部的基板處理裝置中的半導體裝置之製造方法，其特徵係具有：將半導體基板搬入至處理室的工程；將處理用氣體供給至處理室的工程；一面在基板載置部循環冷媒，一面將基板載置部水平旋轉的工程；激發處理用氣體而將基板進行成膜處理的工程；及由處理室搬出基板的工程。
若如上所示構成半導體裝置之製造方法，即使冷媒漏洩，亦可防止漏洩的冷媒進入至真空狀態的處理室。
100．．．I/O載台
101．．．容器
102．．．帽蓋開閉機構
103．．．容器開具
104．．．晶圓搬入搬出口
105．．．蓋部
106．．．清淨單元
107．．．缺口對準裝置
108．．．控制部
110．．．第1搬送室
111．．．第1搬送框體
112．．．第1晶圓移載機
113．．．升降機
120．．．第2搬送室
121．．．第2搬送室框體
122．．．第2晶圓移載機
123．．．升降機
124．．．線性致動器
130．．．閘閥
131．．．負載鎖定室
132．．．基板置放台
133．．．基板置放台
134．．．閘閥
140．．．閘閥
141．．．負載鎖定室
142．．．基板置放台
143．．．基板置放台
144．．．閘閥
150．．．第1處理室
151．．．第2處理室
152．．．第3處理室
153．．．第4處理室
160．．．閘閥
161．．．閘閥
162．．．閘閥
163．．．閘閥
200．．．晶圓
300．．．處理室
301．．．處理區域
302．．．氣體流動控制環
303．．．氣體供給孔
303a～303f．．．氣體供給孔
304．．．氣體排氣孔
304a～304f．．．氣體排氣孔
305．．．基板搬入出口
306．．．腔室上壁
307．．．燈
308．．．窗
309．．．供給用緩衝
310．．．排氣用緩衝
311．．．基板載置部
312．．．腔室側壁
313．．．腔室底壁
314．．．基板載置部支持機構
315．．．波紋管
316．．．第1氣體供給源
317．．．MFC
318．．．開閉閥
319．．．第1氣體供給管
320．．．第2氣體供給源
321．．．MFC
322．．．閥
323．．．氣體供給管
324．．．氣體導入管
325．．．氣體排氣管
326．．．APC閥
327．．．真空泵
401．．．冷媒循環通路
402．．．軸
402a．．．前端
403．．．固定具
404．．．旋轉驅動部
404a．．．凸緣
405．．．O型環
406．．．基座圓周端部
407．．．O型環
408．．．第1冷媒供給路
409．．．第1冷媒排出路
410．．．按壓環
411．．．軸承部
412．．．O型環
413．．．固定具
414．．．波紋管上部固定具
415．．．波紋管下部固定具
416．．．固定環
416a．．．凸緣
417．．．冷媒供給/排出部
418．．．第2冷媒供給路
419．．．第2冷媒排出路
420．．．真空密封件
421．．．軸承
422．．．馬達
423．．．中空軸
431．．．流路轉換區塊
432．．．襯套
433．．．襯套
第1圖係由上面觀看本發明之實施形態之基板處理裝置的剖面圖。
第2圖係由側面觀看本發明之實施形態之基板處理裝置的剖面圖。
第3圖係由側面觀看本發明之第1實施形態之基板處理裝置所使用的處理爐的剖面圖。
第4圖係由側面觀看本發明之第1實施形態之處理爐所使用的基板載置部、基板載置部支持機構的剖面圖。
第5圖係顯示本發明之第1實施形態之處理爐中氣體供給與排氣之態樣圖。
第6圖係第4圖所示之連接部、冷媒供給/排出部的放大圖。
第7圖係顯示第6圖所示之連接部、冷媒供給/排出部的構造圖。
第8圖係由側面觀看本發明之第2實施形態之基板處理裝置所使用的處理爐的剖面圖。
第9圖係由側面觀看本發明之第3實施形態之基板處理裝置所使用的處理爐的剖面圖。
302．．．氣體流動控制環
304．．．氣體排氣孔
310．．．排氣用緩衝
311．．．基板載置部
313．．．腔室底壁
315．．．波紋管
401．．．冷媒循環通路
402．．．軸
403．．．固定具
404．．．旋轉驅動部
404a．．．凸緣
405．．．O型環
406．．．基座圓周端部
407．．．O型環
408．．．第1冷媒供給路
409．．．第1冷媒排出路
410．．．按壓環
411．．．軸承部
413．．．固定具
414．．．波紋管上部固定具
415．．．波紋管下部固定具
416．．．固定環
416a．．．凸緣
417．．．冷媒供給/排出部
418．．．第2冷媒供給路
420．．．真空密封件
421．．．軸承
422．．．馬達
423．．．中空軸
Claims (11)
- 一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理載置於基板載置部的基板的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述支持部的第1冷媒供給路與第1冷媒排出路係形成彼此分離且平行的流路，前述冷媒供給/排出部的第2冷媒供給路與第2冷媒排出路係形成2重軸狀的流路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接，將前述支持部之彼此分離且平行的流路轉換成前述冷媒供給/排出部的2重軸狀的流路者，將前述連接部設在前述處理室的外部。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述激發部係以與前述基板載置部的基板載置面相對向的方式而設，前述供給部的供給孔與前述排氣部的排氣孔係在前述基板載置面的周圍，以相向的方式所構成。
- 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，在將前述供給部的供給孔的一端和與其相對向的前述排氣孔的一端相連結的線、與將前述供給部的供給孔的另一端和與其相對向的前述排氣孔的另一端相連結的線之間配置前述基板載置面。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述供給部係具有與前述供給孔相鄰接的緩衝空間。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，前述激發部係照射真空紫外光的燈。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述激發部係照射真空紫外光的燈。
- 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述激發部係照射真空紫外光的燈。
- 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述供給部係具有與前述供給孔相鄰接的緩衝空間。
- 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，前述激發部係照射真空紫外光的燈。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述激發部係照射真空紫外光的燈。
- 一種半導體裝置之製造方法，係具有：對載置於基板載置部的半導體基板進行成膜處理的處理室；將處理用氣體供給至前述處理室的供給部；激發所被供給的處理用氣體的激發部；將前述處理室內的雰圍氣進行排氣的排氣部；支持前述基板載置部的支持部；使前述支持部水平旋轉的旋轉驅動部；及透過連接部而與前述支持部的下端相連接且不作水平旋轉的冷媒供給/排出部，前述基板載置部係在其內部具有冷媒循環通路，前述支持部係具有：對前述冷媒循環通路供給冷媒的第1冷媒供給路、及由前述冷媒循環通路排出冷媒的第1冷媒排出路，前述冷媒供給/排出部係具有第2冷媒供給路與第2冷媒排出路，前述支持部的第1冷媒供給路與第1冷媒排出路係形成彼此分離且平行的流路，前述冷媒供給/排出部的第2冷媒供給路與第2冷媒排出路係形成2重軸狀的流路，前述連接部係將前述第1冷媒供給路與第2冷媒供給路相連接，將前述第1冷媒排出路與第2冷媒排出路相連接，將前述支持部之彼此分離且平行的流路轉換成前述冷媒供給/排出部的2重軸狀的流路者，將前述連接部設在前述處理室的外部的基板處理裝置中的半導體裝置之製造方法，其特徵係具有：將半導體基板搬入至處理室的工程；將處理用氣體供給至處理室的工程；一面在基板載置部循環冷媒，一面將基板載置部水平旋轉的工程；激發處理用氣體而將基板進行成膜處理的工程；及由處理室搬出基板的工程。
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