TW201640582A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理裝置，係讓設置於真空容器內的旋轉台上所載置之基板公轉，並將處理氣體供給至該基板，以進行處理的基板處理裝置，以具備有容器本體、蓋體以及支柱的方式來構成裝置，該容器本體係構成包含該真空容器底部之部分；該蓋體，係為了開閉該真空容器而相對於該容器本體來構成為自由分離，且構成包含該真空容器頂部之部分；該支柱，係在將該蓋體組裝至容器本體時，以貫穿該旋轉台之旋轉中心部的方式來設置於蓋體及容器本體中之一者，而在將真空容器抽真空後，會相對於該容器本體來支撐該蓋體。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種將氣體供給至真空容器內所設置之旋轉台上的基板，以進行處理的基板處理裝置。
已知一種成膜裝置，係對半導體晶圓等的基板(以下稱為「晶圓」)進行成膜出氧化矽膜(SiO2)等的薄膜的方法之ALD(Atomic Layer Deposition)。此成膜裝置中，係有構成為在將其內部排氣而成為真空氛圍的處理容器(真空容器)內設置有旋轉台，而在該旋轉台上載置有晶圓的情況。
此旋轉台上係配置有互相分離於該旋轉台之周圍方向而供給含有薄膜原料之原料氣體的原料氣體供給部以及供給與吸附於晶圓之原料氣體反應之反應氣體的反應氣體供給部。藉由旋轉台之旋轉而讓晶圓公轉，來使得該晶圓會交互重複通過供給有原料氣體之原料氣體供給區域以及供給有反應氣體之反應氣體供給區域，以進行上述ALD。
為了防止因大氣氛圍之真空容器外部與進行抽真空時的真空容器內之壓力差，而使得真空容器頂部變形的情事，而研討出一種藉由從真空容器底部延伸之支柱來支撐該頂部的方法。以往便已知一種關於設置有該支柱之成膜裝置。但在成膜裝置中，需要以作業員來進行真空容器內劣化之構件的交換等之維護，即便在設置有支柱的情況，仍要求有作業員能容易地進行該維護之情事。由於此般成膜裝置之支柱看上去是與真空容器之蓋體及底部一體化，卻完全未顯示出如何開啟真空容器以進行維護，故針對對應於此般要求的揭露不夠充分。
本發明係提供一種基板處理裝置，係可在將氣體供給至設置於真空容器內之旋轉台上的基板，以進行處理的基板處理裝置中，防止在將真空容器內抽真空時的真空容器頂部之變形，且容易地進行真空容器內之維護。
本發明之基板處理裝置，係在真空容器內讓旋轉台上所載置之基板公轉，並對該基板供給處理氣體，以進行處理的基板處理裝置，具備有：容器本體，係構成包含該真空容器底部之部分；蓋體，係為了開閉該真空容器而相對於該容器本體來構成為自由分離，且構成包含該真空容器頂部之部分；以及支柱，係在將該蓋體裝設於該容器本體時，以貫穿該旋轉台之旋轉中心部的方式來設置於該蓋體及該容器本體中之一者，而在將該真空容器內抽真空後，會相對於該容器本體來支撐該蓋體。
1‧‧‧成膜裝置
7‧‧‧成膜裝置
7A‧‧‧成膜裝置
7B‧‧‧成膜裝置
9‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧真空容器
12‧‧‧側壁
13‧‧‧底部
14‧‧‧容器本體
15‧‧‧蓋體
16‧‧‧處理空間
17‧‧‧O型環
18‧‧‧貫穿孔
19‧‧‧升降機構
21‧‧‧旋轉台
22‧‧‧凹部
22A‧‧‧貫穿孔
23‧‧‧旋轉圓筒部
24‧‧‧圓筒體
25‧‧‧O型環
26‧‧‧皮帶
27‧‧‧旋轉機構
28‧‧‧底部形成部
31‧‧‧支柱
32‧‧‧擴徑部
33‧‧‧密封構件
34‧‧‧密封構件
35‧‧‧空間
35A‧‧‧開口部
36‧‧‧軸承
37‧‧‧軸承
41‧‧‧載置面
42‧‧‧載置面
43‧‧‧O型環
44‧‧‧粒子
50‧‧‧排氣機構
51‧‧‧搬送口
52‧‧‧閘閥
53‧‧‧O型環
54‧‧‧加熱器
55‧‧‧加熱器覆蓋體
56‧‧‧排氣口
57‧‧‧排氣口
58‧‧‧排氣管
59‧‧‧排氣量調整部
60‧‧‧噴出口
61‧‧‧第1處理氣體噴嘴
61A‧‧‧氣體噴嘴
62‧‧‧分離氣體噴嘴
63‧‧‧第2處理氣體噴嘴
63A‧‧‧氣體噴嘴
64‧‧‧分離氣體噴嘴
65‧‧‧突狀部
66‧‧‧突狀部
67‧‧‧溝部
71‧‧‧排氣口
72‧‧‧排氣口
73‧‧‧流道
74‧‧‧流道
75‧‧‧分隔板
76‧‧‧流道
78‧‧‧凹部
81‧‧‧支柱
82‧‧‧圓筒體
85‧‧‧支柱
86‧‧‧支柱
100‧‧‧控制部
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
D‧‧‧分離區域
W‧‧‧晶圓
添附圖式係作為本說明書之一部分而被併入來顯示本揭露之實施形態，並與上述一般說明及後述實施形態的細節來一同地說明本揭露之概念。
圖1係本發明第1實施形態相關之成膜裝置的縱剖面圖。
圖2係圖1之A-A箭頭剖面圖。
圖3係分別顯示構成該成膜裝置之蓋體下面側以及容器本體上面側的立體圖。
圖4係顯示構成該成膜裝置之支柱上端部的縱剖面圖。
圖5係顯示該成膜裝置中之氣體流向的說明圖。
圖6係本發明第2實施形態相關之成膜裝置的縱剖面圖。
圖7係顯示該成膜裝置中之氣體流向的說明圖。
圖8係顯示支柱上端部之其他構成例的說明圖。
圖9係顯示上述成膜裝置之變形例的縱剖面圖。
圖10係顯示上述成膜裝置之其他變形例的縱剖面圖。
圖11係顯示本發明第3實施形態相關之成膜裝置的縱剖面圖。
圖12係顯示該成膜裝置中之氣體流向的說明圖。
以下，便參照圖式，就本發明之實施形態來加以說明。在下述詳細的說明中，係以可充分地理解本揭露的方式來給予較多具體的細節。然而，即便無此般詳細的說明，所屬技術領域中具有通常知識者仍可完成本揭露係屬自明事項。其他範例中，係為了避免難以了解各種實施形態，關於習知之方法、順序、系統或構成要素便不詳細地表示。
(第1實施形態)
參照圖1之縱剖面圖以及圖2之橫切俯視圖，就為本發明之基板處理裝置一實施形態，例如對基板之晶圓W進行ALD，以形成SiO2(氧化矽)膜之成膜裝置1來加以說明。圖2係圖1之A-A箭頭剖面圖。成膜裝置1係具備略圓形的扁平真空容器(處理容器)11，真空容器11係藉由例如鋁等金屬所構成，且具備有形成該真空容器11之側壁12及周緣部側之底部13的容器本體14以及構成真空容器11頂部之略圓形的蓋體15。
真空容器11係設置於大氣氛圍，真空容器11內部係以從後述排氣口來加以排氣的方式來形成有成為真空氛圍的處理空間16。圖1中之17係設置於側壁12上端之O型環，並會沿著該側壁12來加以設置，且密封該側壁12與蓋體15之間，以將處理空間16保持為氣密。蓋體15係連接於真空容器11外側所設置之升降機構19，藉由升降機構19，蓋體15便會相對於容器本體14來加以升降，而開閉真空容器11。亦即，蓋體15會相對於容器本體14而構成為自由分離，圖1中，關於蓋體15係分別以實線、鏈線來表示被裝設於容器本體14的狀態以及從容器本體14分離的狀態。
圖3係顯示容器本體14內部之立體圖，之後亦會參照此圖3來加以說明。真空容器11內部係設置有圓形環狀之水平旋轉台21，此旋轉台21表面(一面側)係沿著該旋轉台21之周圍方向來形成有5個圓形凹部22。晶圓W會被收納至此凹部22內。亦即，凹部22底部係構成為晶圓W載置區域。又，各凹部22係設置有貫穿該凹部22底部之3個貫穿孔22A。
旋轉台21內周側緣部會延伸於下方，而構成垂直的旋轉圓筒部23(參照圖1)。旋轉圓筒部23下端側會透過設置於容器本體14之底部13的中心部之貫穿孔18，來朝向該底部13下方伸出。貫穿孔18下方側係以圍繞旋轉圓筒部23的方式來設置有圓筒體24，圓筒體24上端會透過O型環25 來連接於貫穿孔18緣部，而相對於容器本體14來加以固定。
上述旋轉圓筒部23下端部會較圓筒體24要朝下方延伸，該下端部係繞掛有皮帶26。皮帶26會藉由具備有馬達之旋轉機構27來加以驅動，並藉由此驅動來使得旋轉圓筒部23繞軸旋轉，以使得旋轉台21旋轉於其周圍方向。藉此，便能使得收納於凹部22內之晶圓W以旋轉圓筒部23之旋轉軸為中心，而例如在俯視下順時針地公轉。
容器本體14之底部13下方係以圍繞旋轉圓筒部23下部、圓筒體24、皮帶26以及旋轉機構27的方式來設置有上側有開口之杯狀底部形成部28。該底部形成部28上端會相接於容器本體14之底部13下側，上述貫穿孔18會藉由該底部形成部28來被加以阻塞。亦即，此底部形成部28係形成容器本體14之中心部的底部。圓柱狀支柱31會在旋轉圓筒部23內從底部形成部28朝旋轉台21上方垂直地延伸，支柱31上端會相接於蓋體15的下面中心部，而支撐該蓋體15。從而，支柱31會以上下貫穿旋轉台21之旋轉中心部的方式來加以設置。支柱31係藉由例如鋁等金屬所構成。
支柱31下部側係構成相較於上部側要擴徑之擴徑部32。分別將密封構件33、34設置於此擴徑部32外周面與旋轉圓筒部23內周面之間的間隙以及旋轉圓筒部23外周面與圓筒體24內周面之間的間隙。密封構件33、34係藉由磁性流體密封體所構成，並以旋轉圓筒部23可如上述般旋轉的方式來加以設置，藉由該等密封構件33、34，便可在底部形成部28內形成有相對於處理空間16而被區劃出之空間35。又，此空間35中，軸承36及軸承37會分別設置於支柱31與旋轉圓筒部23之間以及旋轉圓筒部23與圓筒體24之間。藉由軸承36、37，而相對於支柱31及圓筒體24來支撐旋轉圓筒部23，且構成為如上述般可旋轉。
除了軸承36、37以外，上述皮帶26及旋轉機構亦設置於空間35，此空間35會透過設置於底部形成部28之開口部35A來連通於真空容器11之外部空間。從而，空間35為大氣氛圍。開口部35A係為了進行皮帶26或旋轉機構27之維護，或抑制因真空容器11內之溫度變化而改變空間35內之壓力而設置。
又，密封構件33、34在此範例中會設置於較容器本體14周緣部側之底部13要靠下方。藉此，來自後述底部13上所設置之加熱器54的熱便會 藉由底部13而被吸收，來抑制對密封構件33、34放出輻射。結果便可抑制密封構件33、34因溫度上升所導致的劣化。
接著，便參照圖4就支柱31上端部來加以說明。圖4上段係顯示從容器本體14取下蓋體15，而使得容器本體14與蓋體15為互相分離的狀態。支柱31上端部係形成有圓形的水平載置面41。又，支柱31上端部係以圍繞載置面41之方式來形成環狀段差部，藉由此段差部來形成有較載置面41要低之水平環狀載置面42。載置面42係載置有沿著該載置面42所形成的例如由橡膠等的彈性體所構成之密封構件的O型環43。亦即，O型環43會設置於載置面41與載置面42所構成之段差部。如圖4所示，在容器本體14從蓋體15分離的狀態下，載置於載置面42之O型環43上端會較載置面41要高。
為了將蓋體15裝設於容器本體14，在藉由上述升降機構19而讓蓋體15從圖4上段所示之狀態來下降時，O型環43會被蓋體15擠壓而變形。然後，藉由該O型環43所具有之恢復力來使得O型環43密合於蓋體15及載置面42。進一步地讓蓋體15下降時，蓋體15之下面中心部便會相接於載置面41，而將蓋體15載置於載置面41。亦即，載置面41會構成為接觸於蓋體15之接觸面。
圖4之中段係顯示如此般將蓋體15載置於載置面42的狀態，且於以虛線所圍繞的區域中擴大顯示O型環43之內側附近。即便因蓋體15與載置面42相接而產生粒子44，由於O型環43會密合於蓋體15，故可如圖4中段所示，防止該粒子44朝處理空間16飛散。又，O型環43亦具有將支柱31與蓋體15的間隙密封，而在該間隙中防止後述BTBAS氣體與O3氣體接觸的功能。在蓋體15之下面中心部會載置於載置面42的狀態下，蓋體15周緣部會成為載置於容器本體14之側壁12上端的狀態，而如圖1所示，成為蓋體15會裝設於容器本體14的狀態。在此狀態下，來將處理空間16抽真空。
此成膜裝置1中，在未設置有支柱31的情況，便會有於將處理空間16抽真空時，因真空容器11周圍的大氣壓，而使得蓋體15會以其中心部朝向下方下壓的方式來接受應力而變形之虞，在產生此般變形時，便會有無法於晶圓W形成具有所希望之膜厚的膜，或是使得晶圓W面內膜厚的差異 變大之虞。雖有考慮過藉由加大蓋體15厚度，以提高蓋體15強度，來防止此般變形，但如此一來便會增加蓋體15的重量。其結果，便會使得升降機構19的負荷變大，而有導致升降裝置19的大型化甚至成膜裝置1的大型化之虞。然而，由於成膜裝置1係藉由支柱31來支撐蓋體15中心部，故可抑制蓋體15厚度變大，且抑制蓋體15變形。
回到圖1~圖3繼續說明。真空容器11之側壁12係開設有晶圓W搬送口51，並藉由閘閥52來自由開閉，未圖示之晶圓W的搬送機構可透過搬送口51來在真空容器11外部與真空容器11內的處理空間16之間移動。圖1中之53係圍繞搬送口51的O型環，且會密封閘閥52與真空容器11之側壁12的間隙。
又，真空容器11之底部13係設置有未圖示之3根升降銷，藉由未圖示之升降機構來使得該升降銷之前端會透過設置於旋轉台21之凹部22的貫穿孔22A，來在旋轉台21下方側與旋轉台21上方側之間構成為自由升降。藉此，來在上述晶圓W之搬送機構與凹部22之間進行晶圓W的收授。
容器本體14之底部13係設置有複數環狀的加熱器54。各加熱器54係以旋轉台21之旋轉中心為中心來配置為同心圓狀。藉由加熱器54來加熱旋轉台21上之晶圓W。圖中之55係加熱器覆蓋體，並以覆蓋加熱器54之方式來加以設置。
容器本體14之底部13中，係於加熱器覆蓋體55外側開設有排氣口56、57。排氣口56係連接有排氣管58的一端(參照圖1)，排氣管58之另端會透過含有閥之排氣量調整部59，來連接於真空泵所構成之排氣機構50。雖然省略圖示，但關於排氣口57亦連接有介設有排氣量調整部59的排氣管58之一端，連接於該排氣口57之排氣管58的另端會連接於排氣機構50。
如圖3所示，旋轉台21上係於周圍方向依序配設有分別從旋轉台21外周朝向中心來延伸之棒狀第1處理氣體噴嘴61、分離氣體噴嘴62、第2處理氣體噴嘴63及分離氣體噴嘴64。該等氣體噴嘴61~64係具備有沿著旋轉台2之半徑來設置的多數噴出口60，而從各噴出孔60朝下方噴出氣體。第1處理氣體供給部之第1處理氣體噴嘴61會噴出BTBAS(二(特丁胺基)矽烷)氣體，第2處理氣體供給部之第2處理氣體噴嘴63會噴出O3(臭氧)氣體。BTBAS氣體係SiO2膜之原料的原料氣體，O3氣體係氧化原料氣體 之反應氣體。分離氣體噴嘴62、64會噴出用以分離氛圍之分離氣體的N2(氮氣)氣體。
又，該真空容器11之蓋體15係具備有朝下方突出而俯視為扇狀的突狀部65、66，突狀部65、66係隔有間隔而形成於真空容器11之周圍方向。在將蓋體15裝設於容器本體14時，突狀部65、66係相接於支柱31，並以隨著從該支柱31朝向旋轉台21外側，而於旋轉台21之周圍方向變寬的方式來加以形成。突狀部65、66係分別具備有溝部67。溝部67係以於周圍方向將突狀部65、66分割為二的方式來加以形成，並將分離氣體供給部之分離氣體噴嘴62、64收納於各溝部67。第1處理氣體噴嘴61下方之氣體供給區域為第1處理區域P1，第2處理氣體噴嘴63下方之氣體供給區域為第2處理區域P2。突狀部65、66下方係構成為供給有來自分離氣體噴嘴62、64之N2氣體的分離區域D、D。
就上述排氣口56、57之配置來補充說明，如圖2所示，排氣口56、57係設置於旋轉台21外側，從真空容器11之周圍方向順時針來觀察時，排氣口56會在突狀部66、突狀部65之間形成開口，排氣口57會在突狀部65、突狀部66之間形成開口。藉由如此般形成開口，排氣口56便可一同地將N2氣體與供給至第1處理區域P1的BTBAS氣體排氣，排氣口57便可一同地將分離氣體與供給至第2處理區域P2的O3氣體排氣。
如圖1所示，此成膜裝置1係設置有由用以進行裝置整體動作之控制的電腦所構成的控制部100。此控制部100如後述，係儲存有對晶圓W實行成膜處理的程式。該程式會將控制訊號傳送至成膜裝置1之各部，以控制各部動作。
具體而言，係控制從未圖示之氣體供給源的各氣體噴嘴61~64之氣體供給、旋轉機構27之旋轉台21的旋轉速度控制、排氣量調整部59之來自各排氣口56、57的排氣量調整、升降銷之升降、蓋體15之升降、對加熱器54之電力供給等的各動作。該程式中，係以控制該等動作，而實行後述各處理之方式來組成有步驟群。該程式會從硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟碟等的記憶媒體來安裝於控制部100內。
接著，便就成膜裝置1之成膜處理來加以說明。在蓋體15裝設於容器本體14的狀態下，開啟閘閥52，並藉由晶圓W搬送機構，來依序將晶圓 W搬送至真空容器11內，而收授至凹部22。接著，關閉閘閥52，而真空容器11內會以成為既定壓力之真空氛圍的方式來被加以排氣，並旋轉旋轉台21。從分離氣體噴嘴62、64來噴出N2氣體，並從第1處理氣體噴嘴61、第2處理氣體噴嘴63來分別噴出BTBAS氣體、O3氣體。
晶圓W會交互通過第1處理氣體噴嘴61下方之第1處理區域P1以及第2處理氣體噴嘴63下方之第2處理區域P2，而於晶圓W吸附有BTBAS氣體，接著藉由O3氣體來氧化所吸附之BTBAS氣體，以形成1層或複數層氧化矽分子層。持續旋轉旋轉台21，來讓晶圓W反覆通過第1處理區域P1及第2處理區域P2，而依序積層上述氧化矽分子層，以形成SiO2膜。
圖5係藉由箭頭來表示真空容器11內之氣體流向。從分離氣體噴嘴62、64來供給至該分離區域D的N2氣體會在該分離區域D擴散於周圍方向，以防止分別於周圍方向流通於旋轉台21上的BTBAS氣體與O3氣體接觸。又，如圖4下段所示，在旋轉台21之中心部中會藉由支柱31來防止BTBAS氣體與O3氣體接觸。
在以既定次數，來旋轉旋轉台21而形成有既定膜厚之矽氧化膜時，便停止來自第1及第2處理氣體噴嘴61、63之處理氣體的供給以及來自分離氣體噴嘴62、64之N2氣體的供給。接著，停止旋轉旋轉台21，而開啟閘閥52，並藉由未圖示之搬送機構及升降銷來依序將晶圓W從真空容器11搬出，而結束成膜處理。
在進行真空容器11內之維護的情況，係在上述成膜處理後，藉由升降機構19來使得蓋體15上升，而從容器本體14卸下。在結束維護後，便如圖4之上段、中段所說明般，讓蓋體15下降，而裝設於容器本體14，在裝設後，將後續之晶圓W搬送至真空容器11內，以進行成膜處理。
根據此成膜裝置1，係於容器本體14設置有支撐蓋體15之下面中心部的支柱31，且蓋體15會相對於該支柱31及容器本體14之側壁12而構成為自由分離。從而，便可抑制因真空容器11內與真空容器11外之壓力差而使得蓋體15變形。又，可藉由蓋體15相對於容器本體14之裝卸來自由開閉真空容器11內，而容易地進行該真空容器11內之維護。然而，由於在此成膜裝置1中，係在旋轉台21上於橫向並排配置有複數晶圓W，故從俯視看來，蓋體15面積會較大，而使得上述大氣壓與處理空間16的壓力 差會較容易將較大應力施加至蓋體15之中心部，故為了抑制蓋體15變形而設置上述支柱31的方式是特別有效的。
又，藉由在成膜裝置1設置有支柱31，便可如上述般，防止BTBAS氣體與O3氣體會旋轉21之中心部中接觸，其結果，便可抑制粒子產生。雖亦有考量過，不設置支柱31，而是在旋轉台21中心部供給有沖淨氣體，以抑制BTBAS氣體與O3氣體接觸，但在成膜裝置1中，相較於此般構成，由於BTBAS氣體及O3氣體不會因沖淨氣體而被稀釋，故有可抑制BTBAS氣體及O3氣體之使用量的優點。
(第2實施形態)
參照圖6、圖7，以與第1實施形態相關之成膜裝置1的差異點為中心，就第2實施形態相關之成膜裝置7來加以說明。圖6係成膜裝置7之縱剖面圖，圖7係成膜裝置7之概略橫切俯視圖。此圖7與圖5同樣，係以箭頭來表示成膜處理時之各氣體的流向。
成膜裝置7中，係以在支柱31側面形成有排氣口71、72，來取代於容器本體14之底部13設置有排氣口56、57。於真空容器11之周圍方向以順時針來觀察時，排氣口71係形成於突狀部66、突狀部65之間，排氣口72係形成於突狀部65、突狀部66之間。支柱31內係形成有分別連通於排氣口71、72之流道73、74，流道73、74會藉由在支柱31內設置於垂直方向的分隔板75來互相區劃。流道73、74會沿著支柱31之長度方向來加以形成，並在支柱31內於朝向下方的途中合流，而形成流道76。流道76係以進一步地朝向支柱31下方側的方式來加以形成。
底部形成部28係以於流道76形成有開口的方式來連接有排氣管58之一端，排氣管58之另端係透過排氣量調整部59來連接於排氣機構50。藉由此般構成，便可與N2氣體一同地從排氣口71來將供給至第1處理區域P1的BTBAS氣體排氣，與N2氣體一同地從排氣口72來將供給至第2處理區域P2的O3氣體排氣。亦即，排氣口71會在BTBAS氣體及O3氣體中限定BTBAS氣體排氣，排氣口72會在在BTBAS氣體及O3氣體中限定O3氣體排氣。上述分隔板75係為了在進行此般排氣時，防止在排氣口71、72附近BTBAS氣體與O3氣體會接觸成為粒子，朝向處理空間16飛散，而加以設置。
關於此成膜裝置7亦可得到與成膜裝置1相同的效果。進一步地，根據此成膜裝置7，由於藉由將排氣口71、72設置於支柱31，便無需於容器本體14設置排氣口，故可達成裝置小型化。
然而，亦可如圖8所示，亦可在上述支柱31中，於載置面41周圍形成環狀凹部78，而將O型環43設置於該凹部78內。凹部78底面會構成上述載置面42。然後，支柱31中以該環狀凹部78之內側側壁來設置之上端面會藉由載置蓋體15之載置面41來加以構成，以外側側壁來設置之上端面會構成為較載置面41要低地形成，且不相接於蓋體15。
雖上述各成膜裝置1、7中，係構成為藉由相對於容器本體14來升降蓋體15，而進行蓋體15相對於容器本體14之裝卸，但亦可藉由相對於蓋體15來升降容器本體14，而進行此裝卸。
又，支柱並不限於設置於容器本體14，亦可設置於蓋體15。圖9係顯示具備有以從蓋體15之下面中心部朝下方延伸的方式來形成的支柱81之成膜裝置7A的變形例。此圖9之成膜裝置7A係將密封構件33及軸承36設置於以立於旋轉圓筒部23內側的方式來設置的圓筒體82與旋轉圓筒部23之間的間隙，來取代設置於支柱31與旋轉圓筒部23之間隙，旋轉圓筒部23係以該圓筒體82來取代支柱31，而被加以支撐。
在將蓋體15裝設於容器本體14時，會藉由讓蓋體15下降，來使得支柱81下端部會從圓筒體82上方進入至該圓筒體82內。進一步地讓蓋體15下降，而使得支柱81下端相接於底部形成部28，並透過支柱81來於底部形成部28支撐蓋體15，且於容器本體14之側壁12支撐蓋體15，以將蓋體15裝設於容器本體14。
圖10係顯示其他變形例相關之成膜裝置7B。此圖10係將支柱85設置於蓋體15，而於容器本體14設置有支柱86，在將蓋體15裝設於容器本體14時，支柱85下端與支柱86上端會相接，而形成與支柱31相同構成之支柱。亦即，此範例中係將支柱二分為上下，而將所分之支柱分別設置於蓋體15及容器本體14。
(第3實施形態)
接著，便分別參照為縱剖面圖之圖11以及概略橫切剖面圖之圖12，以與第2實施形態之成膜裝置7的差異點為中心，就第3實施形態相關之成 膜裝置9來加以說明。圖12與圖7同樣，係藉由箭頭來表示成膜處理時之各氣體流向。關於此成膜裝置9係在關於氣體噴嘴61A、63A的構成上與成膜裝置7相異。
此成膜裝置9中亦將氣體噴嘴61A、63A構成為棒狀。然後，成膜裝置9中之氣體噴嘴61A、63A的基端會在底部形成部28下方位於配管58外側。此氣體噴嘴61A之前端會在朝向排氣管58內而朝水平方向延伸，並在排氣管58內彎曲而使得流道76、73朝向上方後，進一步地彎曲，而從排氣口71朝向旋轉台21周緣部來水平地延伸。又，氣體噴嘴63A之前端會在朝向排氣管58內而朝水平方向延伸，並在排氣管58內彎曲而使得流道76、74朝向上方後，進一步地彎曲，而從排氣口72朝向旋轉台21周緣部來水平地延伸。分別從排氣口71、72所突出之氣體噴嘴61A、63A之各前端部係在氣體噴嘴61A、63A之延伸方向形成有多數噴出口60，並與成膜裝置1、7同樣，可將BTBAS氣體與O3氣體供給至公轉之晶圓W表面整體。
如此般成膜裝置9中，係於支柱31互向區劃形成有排氣路徑、BTBAS氣體供給路徑、O3氣體供給路徑。關於此般成膜裝置9與成膜裝置7同樣地亦可抑制裝置的大小。然後，上述裝置之各範例的構成係可互相組合。例如，關於成膜裝置9亦可與成膜裝置1同樣在真空容器14之底部13設置有排氣口56、57而從該排氣口56、57進行排氣來取代從排氣口71、72進行排氣。
又，本發明並不限於適用於對晶圓W進行ALD之成膜裝置，而可適用於對晶圓W供給處理氣體而加以處理之各式各樣的處理裝置。例如，可在上述成膜裝置1中係構成為不設置有分離區域D及第2處理氣體噴嘴63，而成為從第1處理氣體噴嘴61來供給處理氣體，並對晶圓W進行CVD(Chemical Vapor Deposition)的成膜之裝置。又，在如此般構成為未設置有分離區域D及第2處理氣體噴嘴63的裝置之情況，便可藉由從第1處理氣體噴嘴61供給非活性氣體，來成為對晶圓W所形成之膜進行退火處理的裝置。
根據本發明，構成真空容器頂部的蓋體與構成真空容器底部的容器本體為自由分離，而相對於容器本體來支撐蓋體的支柱會設置於該等蓋體及 容器本體中之一者。從而，由於可抑制在將真空容器內抽真空時之真空容器頂部的變形，且易於開閉真空容器，故易於進行該真空容器內部之維護。
本次所揭露之實施形態的所有要點乃為例示而不應為限制。實際上，上述實施形態可以多樣之形態來加以實現。又，上述實施形態只要不脫離添附之申請專利範圍及其主旨，亦可以各種形態來加以省略、置換、變更。本發明之範圍企圖包含有與添附之申請專利範圍相同意義及範圍內的所有變更。
本揭露係基於2015年2月4日所提出之日本特許出願第2015-020536號的優先權之利益，而將該日本申請案之所有內容作為參照文獻而引用至此。
1‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧真空容器
12‧‧‧側壁
13‧‧‧底部
14‧‧‧容器本體
15‧‧‧蓋體
16‧‧‧處理空間
17‧‧‧O型環
18‧‧‧貫穿孔
19‧‧‧升降機構
21‧‧‧旋轉台
22‧‧‧凹部
23‧‧‧旋轉圓筒部
24‧‧‧圓筒體
25‧‧‧O型環
26‧‧‧皮帶
27‧‧‧旋轉機構
28‧‧‧底部形成部
31‧‧‧支柱
32‧‧‧擴徑部
33‧‧‧密封構件
34‧‧‧密封構件
35‧‧‧空間
35A‧‧‧開口部
36‧‧‧軸承
37‧‧‧軸承
41‧‧‧載置面
42‧‧‧載置面
43‧‧‧O型環
50‧‧‧排氣機構
51‧‧‧搬送口
52‧‧‧閘閥
53‧‧‧O型環
54‧‧‧加熱器
55‧‧‧加熱器覆蓋體
56‧‧‧排氣口
58‧‧‧排氣管
59‧‧‧排氣量調整部
60‧‧‧噴出口
61‧‧‧第1處理氣體噴嘴
100‧‧‧控制部
P1‧‧‧第1處理區域
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，係在真空容器內讓旋轉台上所載置之基板公轉，並對該基板供給處理氣體，以進行處理的基板處理裝置，具備有：容器本體，係構成包含該真空容器底部之部分；蓋體，係為了開閉該真空容器而相對於該容器本體來構成為自由分離，且構成包含該真空容器頂部之部分；以及支柱，係在將該蓋體裝設於該容器本體時，以貫穿該旋轉台之旋轉中心部的方式來設置於該蓋體及該容器本體中之一者，而在將該真空容器內抽真空後，會相對於該容器本體來支撐該蓋體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該支柱係設置有圍繞相接於該蓋體及該容器本體中之另一者的接觸面之環狀段差部；於該段差部設置有由在將該蓋體裝設於該容器本體時，會密合於該蓋體與該容器本體中之另一者的彈性體所構成之密封構件。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該支柱係形成有用以將該真空容器內排氣之排氣口。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其係進一步地具備有：第1處理氣體供給部及第2處理氣體供給部，係設置為互相分離於該旋轉台之旋轉方向，且用以將第1處理氣體及第2處理氣體分別供給至該基板；以及分離區域，係為了分離供給有該第1處理氣體之第1處理區域與供給有該第2處理氣體之第2處理區域的氛圍，而在該旋轉方向中設置於該第1處理區域與該第2處理區域之間，並用以從分離氣體供給部來供給分離氣體；該排氣口係藉由互相區劃的第1排氣口及第2排氣口所構成；該第1排氣口係限制該第1處理氣體及該第2處理氣體中之一者排氣，該第2排氣口係限制該第1處理氣體及該第2處理氣體中之另一者排氣。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該支柱係設置於該容器本體。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該支柱係形成有用以供給該處理氣體之供給路徑。
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