JP5287592B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
真空容器内のテーブル上の基板載置領域に基板を載置し、少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給し、かつこの供給サイクルを複数回実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記基板に第1の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段と、
前記基板に第2の反応ガスを供給するための第2の反応ガス供給手段と、
放電ガスと、この放電ガスよりも電子親和力の大きい添加ガスと、を含む処理ガスを活性化して得たプラズマを、前記基板載置領域における前記テーブルの中心側の内縁と前記テーブルの外周側の外縁との間に亘って生成させ、前記基板上の反応生成物の改質処理を行うための活性化ガスインジェクターと、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記活性化ガスインジェクターと前記テーブルとを相対的に回転させるための回転機構と、を備え、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記活性化ガスインジェクターは、前記相対的な回転時にこの順に基板が位置するように配置され、
前記活性化ガスインジェクターは、前記基板載置領域の内縁から外縁に亘って伸びる一対の平行電極と、この平行電極間に前記処理ガスを供給するガス供給部と、を備えたことを特徴とする。
前記放電ガスは、アルゴンガス、ヘリウムガス、アンモニアガス、水素ガス、ネオンガス、クリプトンガス、キセノンガス及び窒素ガスから選択されたガスであり、
前記添加ガスは、酸素ガス、オゾンガス、水素ガス及びH2O(純水)ガスから選択されたガスであることが好ましい。
また凸状部4の下面即ち天井面44における回転テーブル2の表面までの高さは、例えば0.5mmから10mmであってもよく、約4mmであると好適である。この場合、回転テーブル2の回転数は例えば1rpm〜500rpmに設定されている。そのため分離領域Dの分離機能を確保するためには、回転テーブル2の回転数の使用範囲などに応じて、凸状部4の大きさや凸状部4の下面(第1の天井面44)と回転テーブル2の表面との高さを例えば実験などに基づいて設定することになる。なお分離ガスとしては、窒素(N2)ガスに限られずアルゴン(Ar)ガスなどの不活性ガスなどを用いることができるが、このようなガスに限らず水素(H2)ガスなどであってもよく、成膜処理に影響を与えないガスであれば、ガスの種類に関しては特に限定されるものではない。
また、既述のように回転テーブル2が導電性の炭素により構成され、シース管35a、35bと回転テーブル2との間の距離が短いため、シース管35a、35bと回転テーブル2との間において放電が生じやすいと考えられる。そのため、活性化ガスインジェクター220の長さ方向において、あるいは回転テーブル2の回転によって、窪み202や凹部24の影響によりシース管35a、35bと回転テーブル2との間の距離が変化すると、放電の状態が変化してプラズマの発生が乱れてしまう場合もある。また、カバー体221の気流規制面部222と回転テーブル2との間の隙間tについても既述のように極めて狭いので、当該隙間tにおいて局部的なプラズマが発生する場合もある。特に、上記のArガスなどの希ガスは、狭いギャップ部において集中して局所的なプラズマが発生しやすい傾向がある。
そこで、この実施の形態では、プラズマ化しやすい上記のArガスと共に、Arガスのプラズマ化の連鎖を抑制する作用を持つO2ガスを用いることによって、Arガスによる局所的な放電(プラズマ化)を抑えるようにしている。
なお、回転テーブル2の下方側をN2ガスによりパージしているため、排気領域Eに流入したガスが回転テーブル2の下方側を潜り抜けて、例えばBTBASガスがO3ガスの供給領域に流れ込むといったおそれは全くない。
また、上記のように成膜温度が650℃以下といった低温でシリコン酸化膜を成膜する場合には、改質処理前においては膜中に不純物が残りやすく、高温で成膜した場合よりも改質処理による収縮量が大きいため、プラズマの局所的な発生を抑えることによって、上記の面内及び面間における膜質及び膜厚の均一性を大きく改善することができる。また、シリコン酸化膜を成膜するにあたり、プラズマ発生用のArガスに添加するガスとしては既述のようにO2ガスを用いているので、薄膜に不純物が取り込まれたり副生成物が生成したりする悪影響を抑えることができる。
更に、真空容器1の内部において成膜サイクルを行う度に改質処理を行っており、いわば回転テーブル2の周方向においてウエハWが各処理領域P1、P2を通過する経路の途中において成膜処理に干渉しないように改質処理を行っているので、例えば薄膜の成膜が完了した後で改質処理を行うよりも短時間で改質処理を行うことができる。
各供給管305〜308、401は、コア部301の回転中心近傍、詳細には後述の排気管302の周囲にてL字に屈曲されて上方に向けて伸び、コア部301の天井面を貫通して、垂直上方へ向けて円筒状の回転筒303内を延伸されている。また、高周波電源224からシース管35a、35bに高周波電力を給電する給電線500についても、コア部301の天井面を貫通して、垂直上方へ向けて回転筒303内を延伸されている。
天板11の上方位置における回転筒303の外周面側には、当該外周面の周方向の全面に亘って形成された環状流路であるガス拡散路が上下方向に間隔をおいて配置されている。本例においては、上段側から順番に分離ガス(N2ガス)を拡散させるための分離ガス拡散路309、BTBASガスを拡散させるための第1の反応ガス拡散路310、O3ガスを拡散させるための第2の反応ガス拡散路311、プラズマ発生用の処理ガスを拡散させるための第3の反応ガス拡散路402が配置されている。図中、312は回転筒303の蓋部であり、313は当該蓋部312と回転筒303とを密着させるOリングである。
図14に示すように排気管302の上端部は回転筒303の蓋部312を貫通し、真空排気手段である例えば真空ポンプ343に接続されている。なお図14中、344は下流側の配管に対して排気管302を回転可能に接続するロータリージョイントである。また、図示を省略するが、既述の給電線500についても、この排気管302と同様に、ロータリージョイント344の周囲にリング状に形成された給電路により回転時においても高周波電源224から給電できるように構成されている。
そして、成膜装置に対してシリコン酸化膜の成膜処理を行う時には、回転筒303を反時計回りに回転させる。すると、図17に示すように回転筒303に設けられた各ガス拡散路309〜311、402は回転筒303の回転に伴って回転するが、これらのガス拡散路309〜311、402に設けられたスリット320〜322、403の一部が各々対応するガス供給ポート323〜325、404の開口部へ向けて常時開口していることにより、ガス拡散路309〜311、402には各種のガスが連続的に供給される。
従って、サセプタ300上で停止している各々のウエハWから見ると、各処理領域P1、P2及び活性化ガスインジェクター220が順番に通過することになり、既述のようにBTBASガスの吸着、O3ガスによる酸化処理及び改質処理がこの順番で行われる。
この実施の形態においても、同様にウエハWの面内及び面間において膜厚及び膜質が均一となるように改質処理が行われて、同様の効果が得られる。
また、上記の例では、BTBASガスなどとO3ガスとを用いてシリコン酸化膜を成膜する例について説明したが、例えば第1の反応ガス及び第2の反応ガスとして夫々TiCl2(塩化チタン)ガスなどとNH3(アンモニア)ガスとを用いて窒化シリコン膜を成膜する場合に改質処理を行うようにしても良い。この場合には、プラズマを発生させるためのプラズマ生成ガスとしては、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどが用いられ、プラズマの発生を抑制するためのプラズマ抑制ガスとしては、NH3ガス、N2H4(窒化水素)ガス及びアミン系ガスなどが用いられる。この場合においても、上記の例と同様に改質処理により面内に亘って膜厚及び膜質が均一な薄膜が得られる。
成膜サイクル(回転テーブル2の回転)毎にシリコン酸化膜の改質処理を行うにあたり、プラズマ発生用の処理ガスとしてArガスと共にO2ガスを用いることにより、ウェットエッチングに対する耐性がウエハWの面内においてどの程度均一となるか確認する実験を行った。この実験では、改質処理によりシリコン酸化膜中から不純物が排出されてシリコン酸化膜の純度が向上し、ウェットエッチングに対する耐性が向上することから、ウェットエッチングレートを測定することにより、改質処理がどの程度行われたかを確認した。
以下の成膜条件でシリコン酸化膜を成膜した後、ウエハWを沸酸水溶液に浸漬し、その後シリコン酸化膜の膜厚を測定してウェットエッチングレートを計算した。この時、シリコン酸化膜の膜厚を測定するにあたり、回転テーブル2にウエハWが載置されていた時に当該回転テーブル2の中心側から外周側に向かう方向に対応するように、ウエハWの一端側から他端側に向かって直線的に複数箇所において測定した。また、活性化ガスインジェクター220の長さ方向と直交する方向(回転テーブル2の周縁の接線方向)においても、このウェットエッチングレートを同様に計算した。
(成膜条件)
次に、上記の実施例と同様にプラズマ発生用の処理ガスとしてArガスと共にO2ガスを用いることにより、ウエハWの面内において成膜速度がどの程度均一化するか確認する実験を行った。つまり、改質処理によりシリコン酸化膜中の不純物などが排出され、シリコン酸化膜が収縮することから、この成膜速度を測定することにより、上記のウェットエッチングレートと同様に、改質処理の均一性を確認した。実験は、以下の条件において成膜したシリコン酸化膜について、回転テーブル2の中心部側から外側に向かって膜厚を測定して成膜速度を計算した。
(実験条件)
尚、この実験においては、第1の反応ガスとして既述のBTBASガスよりも蒸気圧が高く、分子が小さく、分子中の有機物がシリコン原子から脱離しやすいジイソプロピルアミノシランガスを用いた。また、第2の反応ガスであるO3ガスについては、濃度及び流量を夫々300g/Nm3及び10slm(O2ガスとしての流量)とした。
次に、上記の実施例2と同様の実験を行い、成膜速度について面内において得られた平均値からのばらつきを計算した。この時、第1の反応ガスの流量、成膜温度、処理圧力及び回転テーブル2の回転数は、夫々275sccm、350℃、1.07kPa(8Torr)及び240rpmとした。この実験における他の処理条件や成膜速度の測定位置については、上記の実施例2と同様とした。
その結果、図22に示すように、実施例2と同様に、プラズマ発生用の処理ガスとしてArガスと共にO2ガスを用いることによって成膜速度のばらつきが小さくなっていた。
この実施例では、シリコン酸化膜を成膜した後、窒素ガス雰囲気中で850℃のアニール処理を行った時に、改質処理時にArガスに添加するO2ガスによってシリコン酸化膜の収縮量がウエハW全体ではどのように変化するか確認する実験を行った。以下に示す以外の成膜条件は、実施例2と同様とした。
(成膜条件)
また、第1の反応ガスとしては、比較例4ではBTBASガスを用い、その他の実験では既述のジイソプロピルアミノシランガスを用いた。
1 真空容器
2 回転テーブル
4 凸状部
31 第1の反応ガスノズル
32 第2の反応ガスノズル
34 ガス導入ノズル
35a、35b シース管
41、42 分離ガスノズル
220 活性化ガスインジェクター
Claims (3)
- 真空容器内のテーブル上の基板載置領域に基板を載置し、少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給し、かつこの供給サイクルを複数回実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記基板に第1の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段と、
前記基板に第2の反応ガスを供給するための第2の反応ガス供給手段と、
放電ガスと、この放電ガスよりも電子親和力の大きい添加ガスと、を含む処理ガスを活性化して得たプラズマを、前記基板載置領域における前記テーブルの中心側の内縁と前記テーブルの外周側の外縁との間に亘って生成させ、前記基板上の反応生成物の改質処理を行うための活性化ガスインジェクターと、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記活性化ガスインジェクターと前記テーブルとを相対的に回転させるための回転機構と、を備え、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記活性化ガスインジェクターは、前記相対的な回転時にこの順に基板が位置するように配置され、
前記活性化ガスインジェクターは、前記基板載置領域の内縁から外縁に亘って伸びる一対の平行電極と、この平行電極間に前記処理ガスを供給するガス供給部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記活性化ガスインジェクターは、前記平行電極及び前記ガス供給部を覆うと共に下部が開口するカバー体と、このカバー体の長手方向に伸びる側面の下縁部を外方側にフランジ状に屈曲させて形成したガス流の規制部と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記放電ガスは、アルゴンガス、ヘリウムガス、アンモニアガス、水素ガス、ネオンガス、クリプトンガス、キセノンガス及び窒素ガスから選択されたガスであり、
前記添加ガスは、酸素ガス、オゾンガス、水素ガス及びH2Oガスから選択されたガスであることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
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