JP5765154B2 - 基板処理装置及び成膜装置 - Google Patents
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Description
前記複数の処理領域の少なくとも一つに設けられ、前記載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、
前記処理容器内を排気するための排気口と、
前記ガスノズルに対して前記回転テーブルの回転方向上流側及び回転方向下流側に各々設けられる側壁部と、ガスノズルの上側に設けられ、前記回転方向上流側から流れる分離ガスを、その上方領域にて下流側へと通流させる上壁部と、を含み、前記各側壁部及び上壁部によりガスノズルを囲むように設けられ、当該ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、
を備え、
前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするためのガイド面が設けられ、
ガスノズルと回転方向上流側の側壁部との間隔は8mm以上であることを特徴とする。
(1)前記カバー部材は、前記ガスノズルが位置する第1の領域と、当該第1の領域の回転方向上流側に位置し、第1の領域よりも天井の高さが低く形成された第2の領域と、を形成するように前記ガスノズルの周囲に設けられる。
(2)ガイド面は、回転方向上流側に向かって下る傾斜面として形成される。
(3)回転方向上流側の側壁部は、回転方向上流側に向かって張り出した整流板を備え、当該整流板の表面が前記ガイド面を構成する。
(4)前記傾斜面は、前記カバー部材における回転方向上流側の側壁部の表面を構成する。
(5)ガスノズルと上壁部との間には反応ガスが流通するための空間が設けられる。
本発明の成膜装置は、処理容器内にて回転テーブルの上面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより、当該回転テーブル上の基板に各々反応ガスを供給する複数の処理領域を順次通過させ、反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記複数の処理領域の少なくとも一つに設けられ、前記載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、
前記処理容器内を排気するための排気口と、
前記ガスノズルに対して前記回転テーブルの回転方向上流側及び回転方向下流側に各々設けられる側壁部と、ガスノズルの上側に設けられ、前記回転方向上流側から流れる分離ガスを、その上方領域にて下流側へと通流させる上壁部と、を含み、前記各側壁部及び上壁部によりガスノズルを囲むように設けられ、当該ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、
を備え、
前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするためのガイド面が設けられ、
ガスノズルと回転方向上流側の側壁部との間隔は8mm以上であることを特徴とする。
本発明に関連して行った評価試験について説明する。シミュレーションにより上記の滞留空間形成部材5を備えた成膜装置1において、分離ガスノズル32、34からのN2ガスの流量を変化させ、滞留空間51内の処理領域P2における所定の位置の抵抗値ohm/sq(square)を測定した。この抵抗値が大きいほどN2ガスの滞留空間51内への進入量が多いことを示す。前記N2ガスの流量は5000sccm、8000sccm、10000sccmに各々設定した。この実験を評価試験1−1とする。また、シミュレーションにより滞留空間形成部材5が設けられないことを除いて、評価試験1−1と同様の条件で抵抗値を測定した。この実験を評価試験1−2とする。
シミュレーションにより、既述の第2の反応ガスノズル33の周囲に滞留空間形成部材5を設けた成膜装置1を設定し、処理領域P2におけるウエハWの抵抗値を測定した。この抵抗値の測定箇所はウエハWの面内に間隔をおいて多数設定した。これを評価試験2−1とする。また、シミュレーションにより、滞留空間形成部材5を設けない他は評価試験2−1と同様の条件でウエハWの面内の抵抗値を測定する試験を行った。これを評価試験2−2とする。
D 分離領域
P1、P2 処理領域
1 成膜装置
11 真空容器
2 回転テーブル
21 凹部
22 テーブル本体
31、33 反応ガスノズル
32、34 分離ガスノズル
41 ヒータ
5 滞留空間形成部材
51 滞留空間
Claims (7)
- 処理容器内にて回転テーブルの上面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより、反応ガスを夫々供給するための複数の処理領域を順次通過させ、基板にガス処理を行う基板処理装置において、
前記複数の処理領域の少なくとも一つに設けられ、前記載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、
前記処理容器内を排気するための排気口と、
前記ガスノズルに対して前記回転テーブルの回転方向上流側及び回転方向下流側に各々設けられる側壁部と、ガスノズルの上側に設けられ、前記回転方向上流側から流れる分離ガスを、その上方領域にて下流側へと通流させる上壁部と、を含み、前記各側壁部及び上壁部によりガスノズルを囲むように設けられ、当該ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、
を備え、
前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするためのガイド面が設けられ、
ガスノズルと回転方向上流側の側壁部との間隔は8mm以上であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記カバー部材は、前記ガスノズルが位置する第1の領域と、
当該第1の領域の回転方向上流側に位置し、第1の領域よりも天井の高さが低く形成された第2の領域と、を形成するように前記ガスノズルの周囲に設けられることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記ガイド面は、回転方向上流側に向かって下る傾斜面として形成されることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記傾斜面は、前記カバー部材における回転方向上流側の側壁部の表面を構成することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 回転方向上流側の側壁部は、回転方向上流側に向かって張り出した整流板を備え、当該整流板の表面が前記ガイド面を構成することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- ガスノズルと上壁部との間には反応ガスが流通するための空間が設けられることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 処理容器内にて回転テーブルの上面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより、当該回転テーブル上の基板に各々反応ガスを供給する複数の処理領域を順次通過させ、反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記複数の処理領域の少なくとも一つに設けられ、前記載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、
前記処理容器内を排気するための排気口と、
前記ガスノズルに対して前記回転テーブルの回転方向上流側及び回転方向下流側に各々設けられる側壁部と、ガスノズルの上側に設けられ、前記回転方向上流側から流れる分離ガスを、その上方領域にて下流側へと通流させる上壁部と、を含み、前記各側壁部及び上壁部によりガスノズルを囲むように設けられ、当該ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、
を備え、
前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするためのガイド面が設けられ、
ガスノズルと回転方向上流側の側壁部との間隔は8mm以上であることを特徴とする成膜装置。
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