JP2013026460A - 成膜装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。
【選択図】図7
Description
前記回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられた複数の処理領域と、
これら複数の処理領域に互いに異なる種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、
前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、
前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、
を備え、
前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できることを特徴とする。
(1)前記排気路形成部材の一の開口部に接続される一の排気路と、他の開口部に接続される他の排気路とは互いに並行して、回転テーブルの回転方向に沿って形成される。
(2)排気路形成部材は、前記開口部の位置を変更するために処理容器に対して着脱自在に構成される。
(3)排気路形成部材は、各排気路を形成するための本体部と、各開口部を構成するための開口部形成部材とにより構成され、前記本体部に対する開口部形成部材の前記回転方向の位置が変更自在に構成されることを特徴とする。
本発明の基板処理装置は、処理容器内にて回転テーブルを回転させることにより、当該回転テーブル上の基板に複数種類の反応ガスを順番に供給し、ガス処理を行う基板処理装置において、
前記回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられた複数の処理領域と、
これら複数の処理領域に互いに異なる種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、
前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、
前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、
を備え、
前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できることを特徴とする。
本発明の実施形態である成膜装置1について説明する。成膜装置1は、基板である半導体ウエハ(以下ウエハと記載する)WにALD(Atomic Layer Deposition)及びMLD(Molecular Layer Deposition)を行う。図1、図2、図3は夫々成膜装置1の縦断側面図、概略斜視図、横断平面図である。成膜装置1は、概ね円形状の扁平な真空容器(処理容器)11と、真空容器11内に水平に設けられた円板状の回転テーブル12と、を備えている。真空容器11は大気雰囲気に設けられ、天板13と、真空容器11の側壁及び底部をなす容器本体14とにより構成されている。図1中11aは、真空容器11内を気密に保つためのシール部材であり、14aは容器本体14の中央部を塞ぐカバーである。図中12aは回転駆動機構であり、回転テーブル12を周方向に回転させる。
図10には、成膜装置1の他の構成例を示している。この例では回転テーブル12上に時計回りに第1の反応ガスノズル21、分離ガスノズル22、第2の反応ガスノズル23、分離ガスノズル24、第1の反応ガスノズル21、分離ガスノズル22、第2の反応ガスノズル23、分離ガスノズル24、をこの順に配置しており、回転テーブル12の一回の回転でBTBASガスの分子の吸着及び前記分子の酸化が2回行えるように構成されている。そして、各反応ガスノズル間には突状部25による分離領域Dが形成されており、回転テーブル12上での反応ガスの混合が防がれるようになっている。なお、図10では回転テーブル12上のウエハWの記載は省略している。
また、排気路形成部材の形状としてはこの例に限られず、例えば真空容器11の内周面11Aと真空容器11の凹部20の底面11Bによらずに第1の排気路、第2の排気路を構成するものであってもよく、図11はそのような排気路形成部材6を示している。排気路形成部材4との差異点を中心に説明すると、この排気路形成部材6は内周板41、上板42、立て板43、43、底板61及び前記真空容器11の内周面11A側に設けられた外周板62に囲まれる箱状に形成されており、この箱内の空間が上下に伸びる仕切り板44により外周側、内周側に仕切られて第1の排気路45、第2の排気路46が形成されている。図11中のD−D、E−E、F−Fの矢視断面を夫々図12、図13、図14に示している。
さらに排気路形成部材としては図15に示すように構成してもよい。この例で示す排気路形成部材7は、排気路45、46を形成するための本体部71と、開口部を形成するためのカバー(開口部形成部材)72とにより分割されるように構成されている。本体部71は、第3の例として示した排気路形成部材6と略同様に構成されており、差異点としては排気路形成部材5と同様にリング状に形成され、内周板41には、横長のスリット73、74が設けられている。これらのスリット73、74は、夫々第1の排気路45、第2の排気路46に接続されている。即ち、スリット73、74は排気路形成部材6の第1の開口部47、第2の開口部48を夫々横に広く形成したものに相当する。
D 分離領域
P1、P2 処理領域
1 成膜装置
12 回転テーブル
14 容器本体
21、23 反応ガスノズル
22、24 分離ガスノズル
31 第1の排気口
32 第2の排気口
45 第1の排気路
46 第2の排気路
47 第1の開口部
48 第2の開口部
Claims (6)
- 処理容器内にて回転テーブルを回転させることにより、当該回転テーブル上の基板に複数種類の反応ガスを順番に供給し、反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられた複数の処理領域と、
これら複数の処理領域に互いに異なる種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、
前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、
前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、
を備え、
前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できることを特徴とする成膜装置。 - 前記排気路形成部材の一の開口部に接続される一の排気路と、他の開口部に接続される他の排気路とは互いに並行して、回転テーブルの回転方向に沿って形成されることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 排気路形成部材は、前記開口部の前記回転方向における位置を変更するために処理容器に対して着脱自在に構成されることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。
- 排気路形成部材は、各排気路を形成するための本体部と、各開口部を構成するための開口部形成部材とにより構成され、前記本体部に対する開口部形成部材の前記回転方向の位置が変更自在に構成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記排気口による真空容器内の排気位置は、排気路形成部材の前記開口部の位置により特定され、前記開口部の位置を変更することで前記排気位置の変更を行うことができることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 処理容器内にて回転テーブルを回転させることにより、当該回転テーブル上の基板に複数種類の反応ガスを順番に供給し、ガス処理を行う基板処理装置において、
前記回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられた複数の処理領域と、
これら複数の処理領域に互いに異なる種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、
前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、
前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、
前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、
を備え、
前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できることを特徴とする基板処理装置。
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