TW201317383A - 成膜裝置及基板處理裝置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- MSMBMPVUCWOJPY-UHFFFAOYSA-N 1-N,1-N'-ditert-butyldecane-1,1-diamine Chemical compound C(C)(C)(C)NC(NC(C)(C)C)CCCCCCCCC MSMBMPVUCWOJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
一種成膜裝置，係藉由於處理容器內讓旋轉台旋轉，來依序供應複數種類之反應氣體至該旋轉台上之基板，以層積反應生成物之層來形成薄膜，其特徵在於具備有：複數之處理區域，係相互分離地設置於該旋轉台之旋轉方向；複數之反應氣體供應機構，係用以分別供應相互不同種類之反應氣體至該等複數之處理區域；分離區域，係為了相互地分離該複數之處理區域的氛圍，而位在該旋轉方向中之該等處理區域之間，並設有供應分離氣體之分離氣體供應機構；複數之排氣口，係為了分別將該複數處理區域之氛圍加以排氣而設置於處理容器；以及排氣道形成構件，係將個別開口於該複數之處理區域之開口部、將處理區域之氛圍引導至從各開口部所對應之排氣口之排氣道以所排氣之各處理區域的氛圍彼此不會混合之方式獨立地形成各排氣區域；其中該旋轉方向中之該開口部的位置可藉由排氣道形成構件來加以變更。
Description
本發明係關於一種成膜裝置及基板處理裝置。
作為半導體製程中之成膜手法，已知有一種製程，係在真空氛圍下讓第1反應氣體吸附於為基板之半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)等之表面後，將所供應之氣體切換至第2反應氣體而藉由兩氣體之反應來形成1層或複數層之原子層或分子層，並藉由進行多數次此般循環，來層積該等之層以對基板進行成膜。此製程被稱為例如ALD(Atomic Layer Deposition)或MLD(Molecular Layer Deposition)等。進行此般處理之裝置例如記載於美國專利公報7,153,542號、日本特許3144664號公報、美國專利公報6,869,641號、日本特開2007-247066號等。
作為此般成膜方法之較佳範例，可舉出有例如用於閘極氧化膜之高界電體膜之成膜。舉出一範例，在成膜矽氧化膜(SiO2膜)的情況，係使用例如二(特丁胺基)矽烷(以下稱作「BTBAS」)氣體等作為第1反應氣體(原料氣體)，而使用臭氧氣體等作為第2反應氣體(氧化氣體)。
作為實施此般成膜方法之裝置，已檢討有使用將複數片基板配置於真空容器內之旋轉台而進行成膜處理之裝置。更具體而言，此般成膜裝置係例如在該真空容器內的旋轉台旋轉方向上於相互分離之位置供應各自不同的反應氣體而形成進行成膜處理之複數處理區域，又，該旋轉方向中之處理區
域與處理區域之間的區域則構成為具備有供應用將該等處理區域之氛圍加以分離之分離氣體之分離氣體供應機構而作為分離區域。
於成膜處理時，係由該分離氣體供應機構供應分離氣體，此分離氣體於旋轉方向兩側擴散於旋轉台上，而形成以分離區域來阻止各反應氣體彼此之混合的分離空間。然後，被供應至處理區域之反應氣體會例如與擴散至此旋轉方向兩側之分離氣體一同地從真空容器內所設置之排氣口而被排氣。如此地來分別將處理氣體供應於處理區域、將分離氣體供應於分離區域，另一方面，使該旋轉台旋轉來將此台所載置之晶圓從一處理區域朝其他處理區域、從其他區域朝一處理區域交互地重複移動，以進行ALD或MLD處理。
然而，分離區域之適當大小會因所使用之氣體種類等之處理條件而多樣。例如，在處理氣體中之分子吸附需要較長時間的處理情況，與該吸附所需要時間較短的情況相比，抑制分離區域的大小為有效的。又，在氧化需要較長時間之處理情況，將旋轉方向中從供應氧化用氣體之區域至分離區域為止的長度設定為較大為有效的。又，亦可考慮在晶圓上讓3個以上之氣體相互反應來設置處理區域，並於各處理區域間配置分離區域。此般適當的處理區域及分離區域之配置則因處理而異。
然而，此般成膜裝置由於被供應至不同處理區域之反應氣體彼此會混合而反應產生顆粒，為了防止此般混合便必須控制排氣流的形成方向。在此，若如上般地改變處理區域的
數量、分離區域的配置，便必須依該等各區域之配置來改變真空容器內之排氣流。但是，在改變處理時要於真空容器形成排氣口是費事的。上述專利文獻之成膜裝置中，並未記載有此般問題，亦非可解決該問題者。
依本發明之一觀點，乃提供一種成膜裝置，係藉由於處理容器內讓旋轉台旋轉，來依序供應複數種類之反應氣體至該旋轉台上之基板，以層積反應生成物之層來形成薄膜，其特徵在於具備有：複數之處理區域，係相互分離地設置於該旋轉台之旋轉方向；複數之反應氣體供應機構，係用以分別供應相互不同種類之反應氣體至該等複數之處理區域；分離區域，係為了相互地分離該複數之處理區域的氛圍，而位在該旋轉方向中之該等處理區域之間，並設有供應分離氣體之分離氣體供應機構；複數之排氣口，係為了分別將該複數處理區域之氛圍加以排氣而設置於處理容器；以及排氣道形成構件，係將個別開口於該複數之處理區域之開口部、將處理區域之氛圍引導至從各開口部所對應之排氣口之排氣道以所排氣之各處理區域的氛圍彼此不會混合之方式獨立地形成各排氣區域；其中該旋轉方向中之該開口部的位置可藉由排氣道形成構件來加以變更。
以下便就本發明之實施形態，參照圖面加以說明。
就本發明實施形態之成膜裝置1加以說明。成膜裝置1係於為基板之半導體晶圓(以下記載為晶圓)W進行ALD(Atomic Layer Deposition)及MLD(Molecular Layer Deposition)。圖1、圖2、圖3分別為成膜裝置1之縱剖側視圖、概略立體圖、橫剖俯視圖。成膜裝置1具備有概略圓形狀之扁平真空容器(處理容器)11、水平地設置於真空容器11內之圓板狀旋轉台12。真空容器11係設置於大氣氛圍，由頂板13、構成真空容器11之側壁及底部的容器本體14所構成。圖1中符號11a為用以氣密地保持真空容器11內之密封構件，符號14a為封塞容器本體14中央部之罩體。圖中符號12a為旋轉驅動機構，以將旋轉台12旋轉於周圍方向。
旋轉台12的表面係沿著該旋轉台12之旋轉方向形成有5個凹部16。圖中符號17為搬送口。圖3中符號18係將搬送口17自由開閉之擋門(圖2中則省略)。在搬送機構2A於保持晶圓W之狀態從搬送口17進入至真空容器11內時，從面對搬送口17位置之凹部16的孔16a會突出未圖示之升降銷於旋轉台12上而將晶圓W頂起，並在包部16與搬送機構2A之間收授晶圓W。晶圓W從真空容器11被搬出時，升降銷會頂起凹部16內的晶圓W，該搬送機構2A則會收取被頂起後的晶圓W並搬出至真空容器11外。
旋轉台12上係於周圍方向依序設置有分別從旋轉台12之外周朝中心延伸之棒狀第1反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23以及分離氣體噴嘴24。此等體噴嘴21~24係於下方具備有開口部，而沿著旋轉台12之直徑
分別供應氣體。第1反應氣體噴嘴21為噴出BTBAS(二(特丁胺基)矽烷)氣體，第2反應氣體噴嘴23為噴出O3(臭氧)氣體。分離氣體噴嘴22,24為噴出N2(氮)氣體。
真空容器11之頂板13係具備有朝下方突出之扇狀的2個突狀部25，突狀部25係隔有間隔而形成於周圍方向。該分離氣體噴嘴22,24係分別嵌入突狀部25，並設置為將突狀部25分割於周圍方向。該第1反應氣體噴嘴21及第2反應氣體噴嘴23係從各突狀部25遠離設置。
將第1反應氣體噴嘴21下方之氣體供應區域作為第1處理區域P1，將第2反應氣體噴嘴23下方之氣體供應區域作為第2處理區域P2。突狀部25,25下方則構成作為分離區域D,D。成膜處理時，從分離氣體噴嘴22,24供應至該分離區域D之N2氣體會於周圍方向擴散於該分離區域D，並於旋轉台12上防止BTBAS氣體與O3氣體之混合，並將多餘的BTBAS氣體及O3氣體朝後述的氣流形成構件4之開口部推壓。
又，此成膜處理時，係供應N2氣體至旋轉台12之中心部區域28。頂板13中，該N2氣體係透過環狀地朝下方突出之突出部29的下方而供應至旋轉台12之徑向外側，以防止該中心部區域之BTBAS氣體與O3氣體之混合。又，雖省略圖示，但罩體14a及旋轉台12之內面側亦供應有N2氣體，而將反應氣體吹除。真空容器11底部係設有加熱器19，而透過旋轉台12將晶圓W加熱至既定溫度。圖中符號19A為用以防止針對加熱器19之成膜的遮罩。
真空容器11之側壁係於相互不同之高度處開口有第1排氣口31及第2排氣口32。此範例在旋轉台12於俯視為順時針旋轉時，排氣口31,32係設置於該旋轉方向中處理區域P2與鄰接於其下游側之分離區域D之間的區域之徑向外側。但是，由於可藉由後述之氣流形成構件來於任意位置進行排氣，故排氣口31,32之位置並不限於此範例。
真空容器11外側係設有連接部33,34，透過該等連接部33,34而於排氣口31,32分別連接有排氣管35。真空容器11底面的周緣部係設有環狀之凹部40。然後，旋轉台12與真空容器11之側壁的內周面11A之間係設置有將環體略半分割形狀之排氣道形成構件4，排氣道形成構件4之下方側係埋入該凹部40般地加以設置。此範例之排氣道形成構件4係從第2處理區域P2下游側沿著旋轉台12之旋轉方向而朝第1處理區域P1下游側延伸。
圖4、圖5係分別顯示排氣道形成構件4之正面側(朝旋轉台12之一側)、背面側(朝真空容器11之內周面11A之一側)。又，圖6、圖7、圖8係分別顯示圖3之A-A、B-B、C-C之箭頭方向剖面。一邊參照該等圖式，一邊就排氣道形成構件4加以說明。排氣道形成構件4係具備有朝向旋轉台12之內周板41、設置於內周板41上之上板42、構成該旋轉方向兩端部之立板43,43，而設置有藉由該等各板所圍繞之空間。亦即，排氣道形成構件4係構成為背面側及底面側被加以開放之箱體。
然後，設有將該各板所圍繞之空間分割為2個之分割板
44。此分割板44係從較內周板41之上端要下方的高度朝旋轉台12之徑向外側延伸後，朝下方彎曲90°，而其前端再朝旋轉台12之徑向外側彎曲90°。
此排氣道形成構件4係藉由該凹部40之底面11B及真空容器11之內周面11A，連同分割板44來形成相互區隔之2個排氣道。將分割板44上方側之排氣道作為第1排氣道45，將下方側之排氣道作為第2排氣道46。內周板41係設有連接於第1排氣道45之第1開口部47，與連接於第2排氣道46之第2開口部48。此範例之第1開口部47係位於第1處理區域P1之旋轉方向下游側。第2開口部48係開口於較第1處理區域P1之旋轉方向上游側的分離區域D要更上游側位置。排氣道形成構件4之開口部47,48之位置可藉由排氣道形成構件來改變。
此處，所謂藉由排氣道形成構件改變開口部位置，係包含有為了改變開口部的位置，而藉由相對於排氣口之開口部的旋轉方向中進行交換開口位置相互不同之排氣道形成構件彼此，來構成為將排氣道形成構件相對於真空容器(處理容器)為自由裝卸乙事；藉由複數分割片來構成排氣道形成構件，藉由將依分割片的位置相對其他分割片之位置進行改變來改變開口部位置乙事；以及，為了藉由開口位置相異之一分割片彼此相對於其他分割片進行交換來改變開口部位置，而將一分割片構成為對其他分割片能自由裝卸乙事。此範例中之排氣道形成構件4係構成為對真空容器11能自由裝卸。
分割板44及內周板41係形成有讓氣體噴嘴21,24貫穿
之貫通孔49A,49B。如圖6及圖7所示，第1排氣道45係連接至該第1排氣口31，如圖8所示，第2排氣道46係連接至該第2排氣口32的方式，該分割板44來分割各排氣道45,46。亦即，第1處理區域P1之氛圍係透過第1開口部47及第1排氣道45而從第1排氣口31被排氣，第2處理區域P2之氛圍係透過第2開口部48及第2排氣道46而從第2排氣口34被排氣。
接著，就此成膜裝置1之作用加以說明。從外部藉由般送機構2A透過搬送口17將晶圓W依序收授至旋轉台2之凹部16。將晶圓W載置於各凹部16時，藉由分別連接至第排氣口31及第2排氣口32之真空幫浦進行排氣，透過排氣道形成構件4而從連接至該等第1排氣口31及第2排氣口32之第1開口部47及第2開口部48來將真空容器11內排氣，使得真空容器11內成為真空氛圍。然後，旋轉台12會旋轉並藉由加熱器19透過旋轉台12將晶圓W加熱至例如350℃。
接著，從各氣體噴嘴21~24供應氣體，晶圓W會交互地通過第1反應氣體噴嘴21下方之第1處理區域P1及第2反應氣體噴嘴23下方之第2處理區域P2，BTBAS氣體會吸附於晶圓W，接著吸附O3氣體來氧化BTBAS氣體而形成1層或複數層之氧化矽的分子層。如此一來，氧化矽的分子層便會依序層積而成膜出既定膜厚之矽氧化膜。
圖9係以箭頭顯示真空容器11內之氣體流動方式，藉由第1開口部47所排氣之氣體之流動方式係以實線的箭頭，藉
由第2開口部48所排氣之氣體之流動方式係以虛線的箭頭分別表示。圖中符號30之箭頭係顯示旋轉台12的旋轉方向。亦參照此圖9並繼續說明，上述成膜處理時從分離氣體噴嘴22,24供應至該分離區域D之N2氣體會於周圍方向擴散於該分離區域D，以防止旋轉台12上BTBAS氣體與O3氣體的混合。又，此成膜處理時，N2氣體會供應至旋轉台12之中心部區域28上的空間。於頂板13中，透過環狀地突出於下方之突出部29的下方，此N2氣體會被供應至旋轉台12之徑向外側，以防止該中心部區域28處之BTBAS氣體與O3氣體的混合。又，雖圖示加以省略，但罩體14a及旋轉台12內面側亦供應有N2氣體，來吹淨反應氣體。
由於係藉由第1處理區域P1所開口之第1開口部47來加以排氣，因而被供應至第1處理區域P1之剩餘的BTBAS氣體、從中心部區域28朝第1處理區域P1所噴出之N2氣體、以及從分離區域D朝第1處理區域P1所擴散之N2氣體便會流入此第1開口部47。又，由於係藉由第2處理區域P2所開口之第2開口部48來加以排氣，因而被供應至第2處理區域P2之剩餘的O3氣體、從中心部區域28朝第2處理區域P2所噴出之N2氣體、以及從分離區域D朝第2處理區域P2所擴散之N2氣體便會流入此第2開口部48。
流入至第1開口部47之氣體會透過排氣道形成構件4之第1排氣道45而從第1排氣口31被加以排氣，流入至第2開口部48之氣體會透過排氣道形成構件4之第2排氣道46而從第2排氣口32被加以排氣。由於係藉由如此般被加以區
隔之排氣道45,46來將BTBAS氣體及O3氣體分別加以排氣，故能防止該等氣體之混合所導致之顆粒的發生。旋轉台12以既定的次數旋轉而形成既定膜厚之矽氧化膜時，便停止各氣體的供應，並降低加熱器19的溫度。然後，藉由搬送機構2A將晶圓W朝真空容器11外側搬出。
藉由此成膜裝置1，藉由排氣道形成構件4之第1開口部47來將處理區域P1之氛圍，透過從用以將處理區域P2之氛圍加以排氣之第2排氣道46所加以區隔並沿旋轉台12之旋轉方向所設置之第1排氣道45，而朝與第1開口部47位在旋轉台12的旋轉方向之錯開位置的第1排氣口31排氣。藉由具備有此般的排氣道形成構件4，便不須依賴排氣口31、排氣口32的位置而能控制將旋轉台12上之氛圍加以排氣的位置。此範例之第1排氣口31雖未於第1處理區域P1處開口，但由於沒必要將此第1排氣口31如是般地在處理區域P1處開口，故能抑制裝置之製造所需要的工作。
圖10係顯示成膜裝置1之其他構成例。此範例中，係依序將第1反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23、分離氣體噴嘴24、第1反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23、分離氣體噴嘴24順時針地配置於旋轉台12上，而構成為旋轉台12的一次旋轉便會進行2次的BTBAS氣體的分子吸附及該分子的氧化。然後，各反應氣體噴嘴間係以突狀部25形成有分離區域D，以防止旋轉台12上之反應氣體的混合。另外，圖10中係省略了旋
轉台12上之晶圓W的記載。
此成膜裝置1所設置之排氣道形成構件5係圍繞旋轉台12般地而購成為環狀，第1排氣道45及第2排氣道46亦形成為環狀。然後，以可吸引各處理區域P1之氛圍的方式設置有2個第1開口部47，以可吸引各處理區域P2之氛圍的方式設置有2個第2開口部48。除了此般差異點外，排氣道形成構件5係與排氣道形成構件4為相同的結構，第1開口部47係於第1排氣道，第2開口部48係於第2排氣道46分別開口。然後，與第1例同樣地如箭頭所示般，BTBAS氣體與N2氣體係從第1開口部47，O3氣體及N2氣體係從第2開口部48分別被吸引，在第1排氣道45、第2排氣道46流動而不會相互混合地從排氣口31,32被加以排氣。
藉由排氣口31,32之真空容器內的排氣位置會因排氣道形成構件之開口部47,48之位置而被加以特定。因此，如此般在第1例與第2例之間改變分離區域D及處理區域P之數量及配置的情況，藉由相互地替換排氣道形成構件4,5，來改變開口部47,48之旋轉方向中的位置及數量即可，無須改變排氣口31,32的配置。因此，藉由此般處理的改變，便可抑制裝置結構改變所需要的工作。
又，排氣道形成構件之形狀不限於此例，例如可為不需依賴真空容器11內周面11A及真空容器11之凹部20的底面11B來構成第1排氣道、第2排氣道者，圖11係顯示此般排氣道形成構件6。以和排氣道形成構件4之差異點為中心
作說明，此排氣道形成構件6係被內周板41、上板42、立板43,43、底板61及該真空容器11之內周面11A所設置之外周板62所圍繞而形成箱狀，此箱內空間係藉由上下延伸之分割板44而分割為內周側、外周側來形成有第1排氣道45、第2排氣道46。圖11中之D-D、E-E、F-F之箭頭方向剖視係分別顯示於圖12、圖13、圖14。
如圖12所示，分割板44中係與第1開口部47重疊般地設有開口部63，更設置有連接該等開口部47,63之筒狀體64。藉由此般結構，從第1開口部47所流入之氣體便不會漏洩至第2排氣道46而導入至第1排氣道45。又，如圖13所示之外周板62係於與第1排氣口31重疊之位置具備有開口部65，藉此便能將第1排氣道45加以排氣。又，如圖14所示，分割板44及外周板62處與第2排氣口32重疊之位置係設有開口部66,67，並設有將該等開口部66,67相互連接之筒狀體68。藉由此般結構，從第2開口部48流入至第2排氣道46之氣體便不會漏洩至第1排氣道45而被加以排氣。
進一步地，排氣道形成構件亦可為如圖15所示之結構。此範例所示之排氣道形成構件7係構成為分割成用以形成排氣道45,46之本體部71，及用以形成開口部之罩體(開口部形成構件)72。本體部71係與第3例所示之排氣道形成構件6為略相同之結構，差異點為係與排氣道形成構件5同樣地形成為環狀，內周板41係設有橫長之狹縫73,74。該等狹縫73,74係分別連接至第1排氣道45、第2排氣道46。亦即，狹縫
73、74係相當於分別橫向擴張之排氣道形成構件6的第1開口部47、第2開口部48。
罩體72係構成為環狀的立板，能相對於本體部71自由裝卸且能於旋轉台12之旋轉方向中自由改變相對於本體部71之組裝位置。罩體72係設有第1開口部47、第2開口部48。如圖16所示，狹縫73與第1開口部47之重疊區域、狹縫74與第2開口部48之重疊區域係分別進行排氣。亦即，藉由罩體72之開口部47、48之位置來決定排氣位置。藉由將罩體72相對於本體部71於該旋轉方向錯開來組裝，而可將該開口部47,48錯開，故能從所期望之位置來進行排氣。又，亦可準備複數個於旋轉方向分別不同之位置設有開口部47,48之罩體72，而藉由對應於分離區域D及處理區域P之配置來選擇並組裝該等罩體72來變更開口部47,48的位置。
此第4例中亦與其他各例同樣地，由於無需對應於處理位置來錯開排氣口位置，故可抑制排氣流之改變所需要的工作。其他各例中亦可設置此般罩體72來控制排氣的位置。又，圖17係顯示罩體75與本體部71所構成之排氣道形成構件70之範例。罩體75係構成為可自由裝卸於本體部71之內周板41的任意位置。藉由此罩體75，便可阻塞狹縫73,74的部分，來將罩體73所未覆罩體之區域作為第1開口部47、第2開口部48。
如各例所說明般，由於可從排氣道形成構件之開口部來將各處理區域之氛圍加以排氣，故各排氣口之位置便不限於所述範例，可設置於處理區域之徑向外側位置，亦可設置於
分離區域之徑向外側位置，設置於真空容器11之底面。又，成膜用氣體亦可取代如上述般從各氣體噴嘴向下方噴出，而從旋轉台12之旋轉中心側向該旋轉台12之外側噴出。又，上述範例中，雖係將排氣道形成構件適用於在第1及第2處理區域分別供應成膜用氣體之成膜裝置，但亦可為在一邊的處理區域將反應氣體供應至晶圓W來進行成膜於晶圓W，在另一邊的處理區域則供應非活性氣體來對晶圓W所形成之膜進行退火處理。又，亦可在一邊的處理區域進行此般的成膜，在另一邊的處理區域供應氧化用氣體並將此氧化用氣體電漿化來進行膜的氧化。電漿處理不限於氧化處理，亦可進行氮化處理。又，於各處理區域，藉由供應相互不同的氣體至晶圓W，亦可進行晶圓W所形成之膜的蝕刻處理。再者，藉由不同氣體來進行處理之處理區域可在裝置處設置3處以上，並於該等各處理區域間藉由分離區域D來加以區隔。
依本揭示，便不用改變排氣口的位置，而能將複數處理區域之氛圍相互不混合般地從各自對應的排氣口加以排氣。
依本揭示，處理容器所設置之排氣道形成構件係具備有於複數處理區域各自開口的開口部、從各開口部所對應之排氣口將各處理區域之氛圍相互獨立地加以引導之排氣道，旋轉台之旋轉方向中的該開口部之位置係構成為可藉由排氣道形成構件加以改變。藉此便能從任意位置來進行排氣，而將被供應至各處理區域之反應氣體相互不混合般地朝排氣口加以排氣。因此，要進行處理區域或分離區域之位置改變時，便無需改變排氣口的位置而可抑制裝置結構改變所需的工
作。
以上，已藉由實施例來說明成膜裝置及基板處理裝置，本發明未被限制於上述實施例，在不脫離本發明之範圍下，上述實施例可附加各種變形、改良及置換。
本申請案係基於2011年7月21日所申請之日本國優先權申請2011-160211，於此處構成本說明出之一部分而援用同優先權申請案之內容。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧真空容器
11A‧‧‧內周面
11a‧‧‧密封構件
11B‧‧‧底面
12‧‧‧旋轉台
12a‧‧‧旋轉驅動機構
13‧‧‧頂板
14‧‧‧容器本體
14a‧‧‧罩體
16‧‧‧凹部
19‧‧‧加熱器
19A‧‧‧遮罩
28‧‧‧中心部區域
29‧‧‧突出部
32‧‧‧第2排氣口
34‧‧‧連接部
35‧‧‧排氣管
4‧‧‧氣流形成構件
40‧‧‧凹部
41‧‧‧內周板
42‧‧‧上板
44‧‧‧分割板
45‧‧‧第1排氣道
46‧‧‧第2排氣道
圖1係本發明成膜裝置之縱剖視圖。
圖2係顯示上述成膜裝置內部概略結構之立體圖。
圖3係上述成膜裝置之俯視圖。
圖4係該成膜裝置所設置之氣流形成構件之正面側立體圖。
圖5係前述氣流形成構件之背面側立體圖。
圖6係圖3之前述氣流形成構件之A-A箭頭方向縱剖立體圖。
圖7係圖3之前述氣流形成構件之B-B箭頭方向縱剖立體圖。
圖8係圖3之前述氣流形成構件之C-C箭頭方向縱剖立體圖。
圖9係前述成膜裝置所形成之氣流說明圖。
圖10係顯示成膜裝置之其他結構之俯視圖。
圖11係顯示其他氣流形成構件之橫剖俯視圖。
圖12係圖11之前述氣流形成構件之D-D箭頭方向縱剖
立體圖。
圖13係圖11之前述氣流形成構件之E-E箭頭方向縱剖立體圖。
圖14係圖11之前述氣流形成構件之F-F箭頭方向縱剖立體圖。
圖15係顯示再一其他氣流形成構件之立體圖。
圖16係顯示前述氣流形成構件之立體圖。
圖17係顯示再一其他氣流形成構件之立體圖。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧真空容器
11A‧‧‧內周面
11a‧‧‧密封構件
11B‧‧‧底面
12‧‧‧旋轉台
12a‧‧‧旋轉驅動機構
13‧‧‧頂板
14‧‧‧容器本體
14a‧‧‧罩體
16‧‧‧凹部
19‧‧‧加熱器
19A‧‧‧遮罩
28‧‧‧中心部區域
29‧‧‧突出部
32‧‧‧第2排氣口
34‧‧‧連接部
35‧‧‧排氣管
4‧‧‧氣流形成構件
40‧‧‧凹部
41‧‧‧內周板
42‧‧‧上板
44‧‧‧分割板
45‧‧‧第1排氣道
46‧‧‧第2排氣道
Claims (6)
- 一種成膜裝置，係藉由於處理容器內讓旋轉台旋轉，來依序供應複數種類之反應氣體至該旋轉台上之基板，以層積反應生成物之層來形成薄膜，其特徵在於具備有：複數之處理區域，係相互分離地設置於該旋轉台之旋轉方向；複數之反應氣體供應機構，係用以分別供應相互不同種類之反應氣體至該等複數之處理區域；分離區域，係為了相互地分離該複數之處理區域的氛圍，而位在該旋轉方向中之該等處理區域之間，並設有供應分離氣體之分離氣體供應機構；複數之排氣口，係為了分別將該複數處理區域之氛圍加以排氣而設置於處理容器；以及排氣道形成構件，係將個別開口於該複數之處理區域之開口部、將處理區域之氛圍引導至從各開口部所對應之排氣口之排氣道以所排氣之各處理區域的氛圍彼此不會混合之方式獨立地形成各排氣區域；其中該旋轉方向中之該開口部的位置可藉由排氣道形成構件來加以變更。
- 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中連接於該排氣道形成構件之一開口部的一排氣道，與連接於其他開口部之其他排氣道係相互並行而沿著旋轉台之旋轉方向來形成。
- 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中排氣道形成構件係為了變更該開口部在該旋轉方向中之位置而構成為可對處理容器自由裝卸。
- 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中排氣道形成構件係藉由用以形成各排氣道之本體部與用以構成各開口部之開口部形成構件所構成，而構成為相對於該本體部之開口部形成構件之該旋轉方向之位置能自由變更。
- 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中因該排氣口之真空容器內的排氣位置係藉由排氣道形成構件之該開口部位置所加以特定，藉由變更該開口部位置便可進行該排氣位置之變更。
- 一種基板處理裝置，係藉由於處理容器內讓旋轉台旋轉，來依序供應複數種類之反應氣體至該旋轉台上之基板，以進行氣體處理，其特徵在於具備有：複數之處理區域，係相互分離地設置於該旋轉台之旋轉方向；複數之反應氣體供應機構，係用以分別供應相互不同種類之反應氣體至該等複數之處理區域；分離區域，係為了相互地分離該複數之處理區域的氛圍，而位在該旋轉方向中之該等處理區域之間，並設有供應分離氣 體之分離氣體供應機構；複數之排氣口，係為了分別將該複數處理區域之氛圍加以排氣而設置於處理容器；以及排氣道形成構件，係將個別開口於該複數之處理區域之開口部、將處理區域之氛圍引導至從各開口部所對應之排氣口之排氣道以所排氣之各處理區域的氛圍彼此不會混合之方式獨立地形成各排氣區域；其中該旋轉方向中之該開口部的位置可藉由排氣道形成構件來加以變更。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011160211A JP5630393B2 (ja) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | 成膜装置及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201317383A true TW201317383A (zh) | 2013-05-01 |
| TWI531676B TWI531676B (zh) | 2016-05-01 |
Family
ID=47532272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101126132A TWI531676B (zh) | 2011-07-21 | 2012-07-20 | 成膜裝置及基板處理裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9039837B2 (zh) |
| JP (1) | JP5630393B2 (zh) |
| KR (1) | KR101472179B1 (zh) |
| CN (1) | CN102888595B (zh) |
| TW (1) | TWI531676B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI643976B (zh) * | 2015-08-13 | 2018-12-11 | Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 | 沉積裝置及具有該沉積裝置的沉積系統 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5107185B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| JP5131240B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP5800957B1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
| US20160033070A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping member |
| KR102297567B1 (ko) * | 2014-09-01 | 2021-09-02 | 삼성전자주식회사 | 가스 주입 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장비 |
| JP6767844B2 (ja) * | 2016-11-11 | 2020-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US10559451B2 (en) * | 2017-02-15 | 2020-02-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes |
| JP6906439B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2021-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| US20220084845A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
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| JP2762367B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1998-06-04 | アネルバ株式会社 | Ｃｖｄ方法 |
| JPH03144664A (ja) | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Mita Ind Co Ltd | 自動原稿送り装置 |
| JP3144664B2 (ja) | 1992-08-29 | 2001-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP4809562B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2011-11-09 | アイクストロン、アーゲー | 化学気相成膜反応室 |
| US6869641B2 (en) | 2002-07-03 | 2005-03-22 | Unaxis Balzers Ltd. | Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor |
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| US20070218702A1 (en) | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor |
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| JP2009299121A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Fujitsu Ltd | 成膜装置 |
| JP5195174B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US9416448B2 (en) | 2008-08-29 | 2016-08-16 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method |
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| JP2011124348A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Ulvac Japan Ltd | 基板ホルダー及び基板搬送装置 |
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2011
- 2011-07-21 JP JP2011160211A patent/JP5630393B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-17 US US13/550,902 patent/US9039837B2/en active Active
- 2012-07-19 CN CN201210251657.6A patent/CN102888595B/zh active Active
- 2012-07-20 TW TW101126132A patent/TWI531676B/zh active
- 2012-07-20 KR KR1020120079383A patent/KR101472179B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102888595B (zh) | 2015-09-16 |
| US20130019801A1 (en) | 2013-01-24 |
| TWI531676B (zh) | 2016-05-01 |
| JP2013026460A (ja) | 2013-02-04 |
| KR101472179B1 (ko) | 2014-12-12 |
| JP5630393B2 (ja) | 2014-11-26 |
| US9039837B2 (en) | 2015-05-26 |
| CN102888595A (zh) | 2013-01-23 |
| KR20130011985A (ko) | 2013-01-30 |
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