JP2010212627A - 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】夫々複数の反応ガスが供給される複数の処理領域91、92と、これらの処理領域91、92の間に設けられ、分離ガスが供給される分離領域Dと、を基板が順番に位置するように、夫々複数の反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給手段31、32及び分離ガスを供給するための分離ガス供給手段41、42と、基板を載置する回転テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させて基板上に反応生成物の層を積層した後、回転テーブル上の基板を鉛直軸回りに自転させ、次いで再び基板が各領域91、92、Dを順番に位置させることによって反応生成物の層からなる薄膜を形成する。
【選択図】図2
Description
この成膜方法を実施するにあたっては、例えば特許文献1〜8に記載の装置が知られている。これらの装置について概略的に説明すると、この装置の真空容器内には、複数枚のウェハを周方向(回転方向)に並べて載置するための載置台と、この載置台に対向するように真空容器の上部に設けられ、処理ガス(反応ガス)をウェハに供給する複数のガス供給部と、が設けられている。
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられたテーブルと、
前記テーブルの上面に対向するようにかつ当該テーブルの周方向に互いに離間するように設けられ、基板の表面に複数の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、
これら複数の反応ガス供給手段から夫々反応ガスが供給される複数の処理領域同士の雰囲気を区画するために、前記テーブルの周方向においてこれらの処理領域の間に設けられ、分離ガス供給手段から分離ガスを供給するための分離領域と、
前記反応ガス供給手段及び分離ガス供給手段と、前記テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させる回転機構と、
前記回転機構の回転により前記複数の処理領域及び前記分離領域を基板が順番に位置するように、当該回転機構の回転方向に沿うように前記テーブルに形成された基板載置領域と、
前記基板載置領域に載置された基板を鉛直軸回りに自転させるための自転機構と、
前記真空容器内を真空排気する真空排気手段と、を備えたことを特徴とする。
薄膜形成処理の途中で前記回転機構による相対的回転を止め、前記自転機構により基板の向きを変えるように制御信号を出力する制御部を備えている構成。
前記テーブルの回転により前記複数の処理領域及び分離領域を基板が順番に通過するように構成され、
前記自転機構は、前記テーブルの下方側に設けられ、当該テーブル上の基板を下方側から突き上げて回転させ、基板の向きを変更する構成。
前記自転機構は、前記テーブルと外部の搬送機構との間で基板の受け渡しを行う役割を更に有している構成。
前記テーブルの回転により前記複数の処理領域及び分離領域を基板が順番に通過するように構成され、
前記自転機構は、前記テーブルの上方側に設けられ、当該テーブル上の基板を側方側から挟みこんで回転させ、基板の向きを変更する構成。
前記テーブルは上から見たときの平面形状が円形であり、
前記複数の反応ガス供給手段は、夫々前記テーブルの半径方向に亘ってライン状に反応ガスを供給する手段である構成。
前記分離領域は、前記分離ガス供給手段における前記回転機構の回転方向両側に位置し、当該分離領域から処理領域側に分離ガスが流れるための狭隘な空間を前記テーブルとの間に形成するための天井面を備えている構成。
前記複数の処理領域の雰囲気を分離するために前記真空容器内の中心部に位置し、前記テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域を備え、
前記反応ガスは、前記分離領域の両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記真空排気手段により排気される構成。
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜方法において、
真空容器内に設けられたテーブル上の基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記テーブルの上面に対向するようにかつ前記テーブルの周方向に互いに離間するように設けられた複数の反応ガス供給手段から、前記テーブル上の基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する工程と、
前記複数の反応ガス供給手段から夫々反応ガスが供給される複数の処理領域同士の雰囲気を区画するために、前記テーブルの周方向においてこれらの処理領域の間に設けられた分離領域に対して分離ガス供給手段から分離ガスを供給し、この分離領域への前記反応ガスの侵入を阻止する工程と、
次いで、前記反応ガス供給手段及び前記分離ガス供給手段と、前記テーブルと、を回転機構により鉛直軸回りに相対的に回転させて、前記複数の処理領域及び前記分離領域に基板を順番に位置させて反応生成物の層を積層して薄膜を成膜する工程と、
前記薄膜を成膜する工程の途中で、自転機構により前記基板を鉛直軸回りに自転させてその向きを変更する工程と、を含むことを特徴とする。
前記向きを変更する工程は、前記薄膜を成膜する工程の途中で前記回転機構による相対的回転を止め、次いで前記自転機構により基板の向きを変える工程。
前記反応ガスの侵入を阻止する工程は、前記分離ガス供給手段における前記回転機構の回転方向両側において真空容器の天井面と前記テーブルとの間に狭隘な空間を形成して、前記分離領域からこの狭隘な空間を介して処理領域側に分離ガスを流す工程。
前記反応ガスの侵入を阻止する工程は、前記複数の処理領域の雰囲気を分離するために、前記真空容器内の中心部に位置する中心部領域から、前記テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出して、前記分離領域の両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスを排気する工程。
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、上記に記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明の第1の実施の形態である成膜装置は、図1〜図3に示すように平面形状が概ね円形である扁平な真空容器1と、この真空容器1内に設けられ、当該真空容器1の中心に回転中心を有する回転テーブル2と、を備えている。真空容器1は、この回転テーブル2を収納する概略カップ型の容器本体12と、この容器本体12の上面の開口部を気密に塞ぐように円板状に形成された天板11と、を備えている。この天板11は、容器本体12の上面の周縁部にリング状に設けられたシール部材例えばOリング13を介して容器本体12側に気密に接続されており、図示しない開閉機構により昇降して開閉されるように構成されている。
尚、溝部43は、本実施形態では凸状部4を二等分するように形成されているが、他の実施形態においては、例えば溝部43から見て凸状部4における回転テーブル2の回転方向上流側が前記回転方向下流側よりも広くなるように溝部43を形成してもよい。
即ち、分離ガスノズル41を例にとると、回転テーブル2の回転方向上流側からO3ガスが侵入することを阻止し、また回転方向下流側からBTBASガスが侵入することを阻止する。「ガスの侵入を阻止する」とは、分離ガスノズル41から吐出した分離ガスであるN2ガスが第1の天井面44と回転テーブル2の表面との間に拡散して、この例では当該第1の天井面44に隣接する第2の天井面45の下方側空間に吹き出し、これにより当該隣接空間からのガスが侵入できなくなることを意味する。そして「ガスが侵入できなくなる」とは、隣接空間から凸状部4の下方側空間に全く入り込むことができない場合のみを意味するのではなく、多少侵入はするが、両側から夫々侵入したO3ガス及びBTBASガスが凸状部4内で交じり合わない状態が確保される場合も意味し、このような作用が得られる限り、分離領域Dの役割である第1の処理領域91の雰囲気と第2の処理領域92の雰囲気との分離作用が発揮できる。従って狭隘な空間における狭隘の程度は、狭隘な空間(凸状部4の下方空間)と当該空間に隣接した領域(この例では第2の天井面45の下方空間)との圧力差が「ガスが侵入できなくなる」作用を確保できる程度の大きさになるように設定され、その具体的な寸法は凸状部4の面積などにより異なるといえる。またウェハWに吸着したガスについては当然に分離領域D内を通過することができ、ガスの侵入阻止は、気相中のガスを意味している。
また図4(a)に示すように凸状部4の下面即ち天井面44における回転テーブル2の表面までの高さhは、例えば0.5mmから10mmであってもよく、約4mmであると好適である。この場合、回転テーブル2の回転数は例えば1rpm〜500rpmに設定されている。そのため分離領域Dの分離機能を確保するためには、回転テーブル2の回転数の使用範囲などに応じて、凸状部4の大きさや凸状部4の下面(第1の天井面44)と回転テーブル2の表面との高さhを例えば実験などに基づいて設定することになる。なお分離ガスとしては、窒素(N2)ガスに限られずアルゴン(Ar)ガスなどの不活性ガスなどを用いることができるが、このようなガスに限らず水素(H2)ガスなどであってもよく、成膜処理に影響を与えないガスであれば、ガスの種類に関しては特に限定されるものではない。
真空容器1の天板11の下面、つまり回転テーブル2のウェハ載置領域(凹部24)から見た天井面は既述のように第1の天井面44とこの天井面44よりも高い第2の天井面45とが周方向に存在するが、図1では、高い天井面45が設けられている領域についての縦断面を示しており、図6では、低い天井面44が設けられている領域についての縦断面を示している。扇型の凸状部4の周縁部(真空容器1の外縁側の部位)は図2及び図6に示されているように回転テーブル2の外端面に対向するようにL字型に屈曲して屈曲部46を形成している。扇型の凸状部4は天板11側に設けられていて、容器本体12から取り外せるようになっていることから、前記屈曲部46の外周面と容器本体12との間には僅かに隙間がある。この屈曲部46も凸状部4と同様に両側から反応ガスが侵入することを防止して、両反応ガスの混合を防止する目的で設けられており、屈曲部46の内周面と回転テーブル2の外端面との隙間、及び屈曲部46の外周面と容器本体12との隙間は、回転テーブル2の表面に対する天井面44の高さhと同様の寸法に設定されている。この例においては、回転テーブル2の表面側領域からは、屈曲部46の内周面が真空容器1の内周壁を構成していると見ることができる。
なお、回転テーブル2の下方側をN2ガスによりパージしているため、排気領域Eに流入したガスが回転テーブル2の下方側を潜り抜けて、例えばBTBASガスがO3ガスの供給領域に流れ込むといったおそれは全くない。
ここで処理パラメータの一例について記載しておくと、回転テーブル2の回転数は、300mm径のウェハWを被処理基板とする場合は例えば1rpm〜500rpm、真空容器1の中心部の分離ガス供給管51からのN2ガスの流量は例えば5000sccmである。
また、ウェハWを自転させるにあたり、真空容器1の内部で行っていることから、例えば真空容器1の外部にて自転させる場合よりも自転に要する時間を短くすることができ、そのためスループットの低下を抑えて面内均一性を向上させることができる。
上記の例では、ウェハWを自転させるにあたって、昇降機構18に自転機構を兼用させたが、第2の実施の形態として、この自転機構を別途設けるようにしても良い。具体的には、例えば図15(a)に示すように、昇降ピン16の上方位置における天板11に貫通孔210を形成し、この貫通孔210を介して天板11の上方位置から真空容器1内に垂直に伸びる昇降軸211を配置する。そして、例えば天板11上に、この昇降軸211を昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に保持する自転機構212を配置する。また、この昇降軸211の下面に昇降板213を接続すると共に、この昇降板213の下面側に、ウェハWを側方側から挟み込んで裏面にて支持するための内側が矩形に窪む保持機構214、214を、ウェハWの直径方向に離間させて相対向するように水平移動自在に配置する。尚、この図15中、既述の例と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。また、同図(b)は、この昇降板213をウェハW側(下側)から見たときの平面図である。
また、上記の各実施の形態の成膜装置としては、ノズル31、32、41、42に対して回転テーブル2を鉛直軸回りに回転させる構成としたが、ノズル31、32、41、42が回転テーブル2に対して鉛直軸回りに回転する構成としても良い。このような具体的な装置構成について、本発明の第3の実施の形態として、図16〜図20を参照して説明する。尚、既述の成膜装置と同じ部位については、同じ符号を付して説明を省略する。
天板11の上方位置における回転筒303の外周面側には、当該外周面の周方向の全面に亘って形成された環状流路であるガス拡散路が上下方向に間隔をおいて配置されている。本例においては上段位置に分離ガス(N2ガス)を拡散させるための分離ガス拡散路309が配置され、中段位置にBTBASガスを拡散させるための第1の反応ガス拡散路310、下段位置にO3ガスを拡散させるための第2の反応ガス拡散路311が配置されている。図中、312は回転筒303の蓋部であり、313は当該蓋部312と回転筒303とを密着させるOリングである。
図16に示すように排気管302の上端部は回転筒303の蓋部312を貫通し、真空排気手段である例えば真空ポンプ343に接続されている。なお図16中、344は下流側の配管に対して排気管302を回転可能に接続するロータリージョイントである。
例えば第1の実施の形態の成膜装置では、前記分離領域Dの天井面44において、前記分離ガスノズル41、42に対して回転テーブル2の回転方向の上流側部位は、外縁に位置する部位ほど前記回転方向の幅が大きいことが好ましい。その理由は回転テーブル2の回転によって上流側から分離領域Dに向かうガスの流れが外縁に寄るほど速いためである。この観点からすれば、上述のように凸状部4を扇型に構成することは得策である。
そして、前記分離ガスノズル41(42)の両側に各々位置する狭隘な空間を形成する前記第1の天井面44は、例えば第1の実施の形態の成膜装置を例に挙げて説明すると、図21(a)、(b)に前記分離ガスノズル41を代表して示すように例えば300mm径のウェハWを被処理基板とする場合、ウェハWの中心WOが通過する部位において回転テーブル2の回転方向に沿った幅寸法Lが50mm以上であることが好ましい。凸状部4の両側から当該凸状部4の下方(狭隘な空間)に反応ガスが侵入することを有効に阻止するためには、前記幅寸法Lが短い場合にはそれに応じて第1の天井面44と回転テーブル2との間の距離hも小さくする必要がある。更に第1の天井面44と回転テーブル2との間の距離hをある寸法に設定したとすると、回転テーブル2の回転中心から離れる程、回転テーブル2の速度が速くなってくるので、反応ガスの侵入阻止効果を得るために要求される幅寸法Lは回転中心から離れる程長くなってくる。このような観点から考察すると、ウェハWの中心WOが通過する部位における前記幅寸法Lが50mmよりも小さいと、第1の天井面44と回転テーブル2との距離hをかなり小さくする必要があるため、回転テーブル2を回転したときに回転テーブル2あるいはウェハWと天井面44との衝突を防止するために、回転テーブル2の振れを極力抑える工夫が要求される。更にまた回転テーブル2の回転数が高い程、凸状部4の上流側から当該凸状部4の下方側に反応ガスが侵入しやすくなるので、前記幅寸法Lを50mmよりも小さくすると、回転テーブル2の回転数を低くしなければならず、スループットの点で得策ではない。従って幅寸法Lが50mm以上であることが好ましいが、50mm以下であっても本発明の効果が得られないというものではない。即ち、前記幅寸法LがウェハWの直径の1/10〜1/1であることが好ましく、約1/6以上であることがより好ましい。
ウェハWを加熱するための加熱手段としては抵抗発熱体を用いたヒータに限られずランプ加熱装置であってもよく、回転テーブル2の下方側に設ける代わりに回転テーブル2の上方側に設けてもよいし、上下両方に設けてもよい。また、上記の反応ガスによる反応が低温例えば常温において起こる場合には、このような加熱手段を設けなくとも良い。
上述の実施の形態では、前記第1の処理領域91及び第2の処理領域92は、その天井面が前記分離領域Dの天井面よりも高い領域に相当するものであったが、本発明は、第1の処理領域91及び第2の処理領域92の少なくとも一方は、分離領域Dと同様に反応ガス供給手段の前記回転方向両側にて前記回転テーブル2に対向して設けられ、当該回転テーブル2との間にガスの侵入を阻止するための空間を形成するようにかつ前記分離領域Dの前記回転方向両側の天井面(第2の天井面45)よりも低い天井面例えば分離領域Dにおける第1の天井面44と同じ高さの天井面を備えている構成としてもよい。
また、同様に第1の実施の形態の成膜装置を例として図23に示すように、各ノズル31、32、41、42の取り付け位置を変更しても良く、例えばこの成膜装置では搬送口15よりも回転テーブル2の回転方向上流側の貫通孔100にノズル32を取り付けている。この成膜装置においても、同様に各々の反応ガスが混じり合わないように排気されながら、ウェハWの表面にBTBASが吸着し、その後O3ガスによりBTBASガスが酸化されるサイクルが多数回繰り返されて薄膜が形成される。
次に、上記の成膜装置を備えた基板処理装置の全体構成について図24に示しておく。図24中、111は例えば25枚のウェハWを収納するフープと呼ばれる密閉型の搬送容器、112は搬送アーム113が配置された大気搬送室、114、115は大気雰囲気と真空雰囲気との間で雰囲気が切り替え可能なロードロック室(予備真空室)、116は2基の搬送アーム117、117(既述の搬送アーム10)が配置された真空搬送室、118、119は本発明の成膜装置である。
上記の例では、ウェハWを成膜装置内にて自転させるようにしたが、成膜装置の外部で自転させても良い。そのような例について、図25を参照して説明する。上記の基板処理装置の真空搬送室116内において、2基の真空搬送アーム117、117が各々アクセスできる位置例えば2基の真空搬送アーム117、117の中間位置における成膜装置118、119に近接する位置には、図26にも示すように、真空搬送アーム117上に保持されたウェハWを裏面側から突き上げて鉛直軸回りに回転させるための昇降軸130と、この昇降軸130を下側から鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に保持する駆動部131と、からなる自転機構132が設けられている。この自転機構132は、成膜装置118、119にて成膜途中のウェハWに対してその向きを変更し、成膜を続行するためのものである。尚、図26では1基の搬送アーム117のみを描画している。
回転テーブル2の回転数:120rpm、240rpm
目標膜厚T:約155nm
ウェハの自転回数:なし(比較対象)、1回(自転角度:180°)、8回(自転角度:45°)、4回(自転角度:90°)
尚、ウェハWを自転させる場合には、夫々の条件において同じ角度ずつ自転させることとした。また、膜厚の測定(計算)は各々のウェハWにおいて周方向に49点ずつ行った。また、ウェハWの自転回数が8回及び4回のシミュレーションについては、ウェハWの半径方向において夫々8箇所ずつ及び4箇所ずつ膜厚を測定し、その平均値を用いた。
その結果、図28に示すように、ウェハWを1回自転させただけでも面内均一性が改善し、更に自転回数を増やす程均一性が向上していくことが分かった。そして、ウェハWを8回自転させると、回転テーブル2の回転数が240rpmの条件では均一性が1%以下に大きく改善されることが分かった。
2 回転テーブル
4 凸状部
C 中心部領域
D 分離領域
E 排気領域
W ウェハ
16 昇降ピン
31、32 ノズル
41、42 分離ガスノズル
61、62 排気口
91、92 処理領域
200 昇降板
Claims (13)
- 真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられたテーブルと、
前記テーブルの上面に対向するようにかつ当該テーブルの周方向に互いに離間するように設けられ、基板の表面に複数の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、
これら複数の反応ガス供給手段から夫々反応ガスが供給される複数の処理領域同士の雰囲気を区画するために、前記テーブルの周方向においてこれらの処理領域の間に設けられ、分離ガス供給手段から分離ガスを供給するための分離領域と、
前記反応ガス供給手段及び分離ガス供給手段と、前記テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させる回転機構と、
前記回転機構の回転により前記複数の処理領域及び前記分離領域を基板が順番に位置するように、当該回転機構の回転方向に沿うように前記テーブルに形成された基板載置領域と、
前記基板載置領域に載置された基板を鉛直軸回りに自転させるための自転機構と、
前記真空容器内を真空排気する真空排気手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 薄膜形成処理の途中で前記回転機構による相対的回転を止め、前記自転機構により基板の向きを変えるように制御信号を出力する制御部を備えていることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記テーブルの回転により前記複数の処理領域及び分離領域を基板が順番に通過するように構成され、
前記自転機構は、前記テーブルの下方側に設けられ、当該テーブル上の基板を下方側から突き上げて回転させ、基板の向きを変更するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記自転機構は、前記テーブルと外部の搬送機構との間で基板の受け渡しを行う役割を更に有していることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記テーブルの回転により前記複数の処理領域及び分離領域を基板が順番に通過するように構成され、
前記自転機構は、前記テーブルの上方側に設けられ、当該テーブル上の基板を側方側から挟みこんで回転させ、基板の向きを変更するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記テーブルは上から見たときの平面形状が円形であり、
前記複数の反応ガス供給手段は、夫々前記テーブルの半径方向に亘ってライン状に反応ガスを供給する手段であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 前記分離領域は、前記分離ガス供給手段における前記回転機構の回転方向両側に位置し、当該分離領域から処理領域側に分離ガスが流れるための狭隘な空間を前記テーブルとの間に形成するための天井面を備えていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記複数の処理領域の雰囲気を分離するために前記真空容器内の中心部に位置し、前記テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域を備え、
前記反応ガスは、前記分離領域の両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記真空排気手段により排気されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つの成膜装置。 - 真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜方法において、
真空容器内に設けられたテーブル上の基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記テーブルの上面に対向するようにかつ前記テーブルの周方向に互いに離間するように設けられた複数の反応ガス供給手段から、前記テーブル上の基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する工程と、
前記複数の反応ガス供給手段から夫々反応ガスが供給される複数の処理領域同士の雰囲気を区画するために、前記テーブルの周方向においてこれらの処理領域の間に設けられた分離領域に対して分離ガス供給手段から分離ガスを供給し、この分離領域への前記反応ガスの侵入を阻止する工程と、
次いで、前記反応ガス供給手段及び前記分離ガス供給手段と、前記テーブルと、を回転機構により鉛直軸回りに相対的に回転させて、前記複数の処理領域及び前記分離領域に基板を順番に位置させて反応生成物の層を積層して薄膜を成膜する工程と、
前記薄膜を成膜する工程の途中で、自転機構により前記基板を鉛直軸回りに自転させてその向きを変更する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記向きを変更する工程は、前記薄膜を成膜する工程の途中で前記回転機構による相対的回転を止め、次いで前記自転機構により基板の向きを変える工程であることを特徴とする請求項9に記載の成膜方法。
- 前記反応ガスの侵入を阻止する工程は、前記分離ガス供給手段における前記回転機構の回転方向両側において真空容器の天井面と前記テーブルとの間に狭隘な空間を形成して、前記分離領域からこの狭隘な空間を介して処理領域側に分離ガスを流す工程であることを特徴とする請求項9または10に記載の成膜方法。
- 前記反応ガスの侵入を阻止する工程は、前記複数の処理領域の雰囲気を分離するために、前記真空容器内の中心部に位置する中心部領域から、前記テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出して、前記分離領域の両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスを排気する工程である請求項9ないし11のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項9ないし12のいずれか一つに記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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