JP4651955B2 - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4651955B2
JP4651955B2 JP2004058449A JP2004058449A JP4651955B2 JP 4651955 B2 JP4651955 B2 JP 4651955B2 JP 2004058449 A JP2004058449 A JP 2004058449A JP 2004058449 A JP2004058449 A JP 2004058449A JP 4651955 B2 JP4651955 B2 JP 4651955B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
film forming
gas
substrate
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004058449A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005248231A (ja
Inventor
直樹 吉井
康彦 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2004058449A priority Critical patent/JP4651955B2/ja
Priority to PCT/JP2005/003340 priority patent/WO2005085495A1/ja
Priority to KR1020067017740A priority patent/KR20060123607A/ko
Priority to CNA200580001493XA priority patent/CN1906327A/zh
Publication of JP2005248231A publication Critical patent/JP2005248231A/ja
Priority to US11/514,919 priority patent/US20070004186A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4651955B2 publication Critical patent/JP4651955B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H01L21/28562—Selective deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、金属膜および金属窒化膜等の金属を含む薄膜の成膜方法に関し、特に半導体素子で用いられる金属窒化膜および金属膜の形成プロセスに関する。
半導体集積回路における配線工程において、配線材料であるＣｕ膜が低誘電率層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）ヘ拡散するのを抑制するために、バリア膜の形成が要求されている。バリア材料として有望視されている材料にＴｉＮ膜、ＴａＮ膜、ＷＮ膜、Ｔｉ膜、Ｔａ膜、Ｗ膜等が挙げられる。
従来、このような、金属薄膜の成膜方法として、たとえば、非特許文献１に開示された技術では原料ガスにＴｉＣｌ４、還元性ガスにＨ２を用いて、励起源としてＩＣＰ（誘導結合プラズマ装置）を用いたＰＥ−ＡＬＤ（Plasma Enhanced-Atomic Layer Deposition）法によりＴｉ膜の形成を行っている。
この従来のプロセスにおいては、還元ガスを流すプロセスにおいてはプラズマを着火させてイオンおよびラジカルを生成しているが、金属種を含む原料を供給する際にはプラズマは不要と考えられおり、プラズマを着火させていない。
しかしながら、このようにして成膜する場合には、基板上へ吸着する金属原料種の数は１原子層またはそれ以下の吸着量であり、そのため、所望の金属膜の成長速度は非常に遅いという問題点がある。また、非特許文献１に示された技術では、得られる薄膜の膜質および膜厚の均一性が必ずしも十分とはいえない。
一方、特許文献１の「発明の実施の形態」には、平行平板型プラズマ装置を用い、Ｃｕ原料ガスとＨ２ガスを供給してＣｕ層を形成し、その後、マニホールドバルブでＣｕ原料ガスとＨ２ガスを交互に切り換えて原料ガスを間欠的に供給して所定の膜厚のＣｕ膜を形成する方法が開示されている。
しかしながら、このように原料ガスと還元ガスであるＨ２ガスを同時に供給してプラズマ化し、次に還元ガスを供給する方法では、原料ガスとＨ２ガスをプラズマ化した際に膜形成が行われるが、微細ホールの底部までこれらが到達しないためステップカバレージが悪いという問題がある。
特開２００３−１０９９１４号公報 S. M. Rossnagel et al, Plasma-enhancedatomic layer deposition of Ta and Ti for Interconnect diffusion barriers. J.VacSci. Technol. B 18(4), Jul/Aug 2000.
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ＡＬＤ法によって金属を含む薄膜を形成する際に、成膜速度を上昇させることができ、得られる薄膜の膜質および膜厚の均一性が高く、かつ微細ホール内であってもステップカバレージが良好な成膜を行うことができる成膜方法を提供することを目的とする。
本発明の第１の観点では、金属を含む成膜原料と、還元性ガスを基板に交互供給することで前記基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜方法であって、
前記成膜原料のみ、または前記成膜原料と不活性ガスのみを供給し、前記成膜原料の少なくとも一部をプラズマにより気相中において解離または分解させて基板上へ供給することを特徴とする成膜方法を提供する。
本発明の第２の観点では、処理容器内に基板を配置し、
（ａ）金属を含む成膜原料を基板に供給する工程、
（ｂ）前記成膜原料の供給停止後、前記処理容器内の残留ガスを除去する工程、
（ｃ）還元性ガスを前記基板に供給する工程、
（ｄ）前記還元性ガスの供給停止後、前記処理容器内の残留ガスを除去する工程の（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返すことで前記基板上に前記金属を含む薄膜を形成する成膜方法であって、
前記（ａ）の工程では、前記成膜原料のみ、または前記成膜原料と不活性ガスのみを前記処理容器内に供給し、前記成膜原料の少なくとも一部をプラズマにより気相中において解離または分解させて基板上へ供給することを特徴とする成膜方法を提供する。
従来のＡＬＤ成膜では、所望の金属を含む成膜原料を供給する際には、プラズマを生成していないため、成膜原料は分解されることなく基板上へ輸送されることとなる。したがって、成膜原料が基板に到達した際には、成膜原料が全く分解されていないために、大きな成膜原料分子によって吸着サイトが阻害され、基板に対する膜成分の吸着量が減少してしまう。また、成膜原料は分解しないで吸着しているので、次に還元ガスが供給されて吸着原料と反応し、成膜原料が解離されて成膜される際に、解離した化学種が膜中に不純物として取り込まれ膜質が不十分となるおそれがある。また、成膜原料と還元ガスとを同時にプラズマ化して成膜する場合には、これらの両者が吸着サイトに同時に到達するため、微細ホールの底部に到達し難い。
これに対して、本発明では、プラズマにより成膜原料の少なくとも一部を気相中で解離または分解するので、成膜原料が大きな分子のままではなく、成膜原料から解離または分解されて生成した成膜金属前駆体となって基板に到達するので、基板に対して吸着する成膜金属の割合をより多くすることが可能となり、脱離も生じ難くなる。すなわち、成膜原料が有機物である場合にはそれを構成する分子から例えば−ＣＨ３基等が脱離し、成膜原料が無機物である場合には例えばＣｌ−やＦ−が脱離して、立体的により小さな成膜金属前駆体となって基板に到達するから、基板上に吸着する成膜金属の割合が高くなり、脱離も生じ難くなる。この結果、成膜速度を大きくすることができ、成膜工程のスループットの向上が可能となる。
また、プラズマによって成膜原料の少なくとも一部を気相中にて解離または分解させるので、基板上で解離または分解した化学種が膜中にとりこまれることが抑制され、膜中の不純物が減少する。そして、プラズマにより解離または分解して生成された立体的により小さい成膜金属前駆体の状態で基板に吸着されるので、基板に対する成膜金属の均一性が向上する。したがって、金属を含む薄膜の膜質および膜厚の均一性が向上する。
さらに、成膜原料をプラズマで解離または分解した立体的により小さな成膜金属前駆体のみを還元ガスとは別に供給して基板に吸着させるので、還元ガスを同時に供給する場合よりも微細ホールの底部まで到達しやすく、微細ホール内でのステップカバレージが向上する。
上記第１および第２の観点において、前記還元性ガスを基板に供給する際に、前記還元性ガスをプラズマ化することが好ましい。また、前記成膜原料の一部を解離または分解させるプラズマとしては、不活性ガスのプラズマを用いることができる。
また、第１の観点において、前記成膜原料を前記基板に供給した後、および前記還元性ガスを前記基板に供給した後に、余剰の前記成膜原料および前記還元性ガスを前記基板上から排除することが好ましい。
さらに、第２の観点において、前記（ｂ）の工程および前記（ｄ）の工程は、前記処理容器内の雰囲気を不活性ガスで置換するか、または前記処理容器内を真空排気することにより実施することができる。
本発明によれば、成膜原料と還元ガスとを交互に供給するＡＬＤ法により金属を含む薄膜を成膜する際に、成膜原料をプラズマにより分解または解離させて、分子サイズがより小さい成膜金属前駆体を基板に到達させるので、より多くの成膜金属を効率よく吸着させることができ、成膜速度を向上させることが可能となる。また、プラズマによって成膜原料の少なくとも一部を気相中にて分解または解離させるので、膜中における不純物が減少するとともに、基板上に対する成膜金属の均一性が向上し、金属を含む薄膜の膜質および膜厚の均一性も向上する。すなわち、不純物が少なく低抵抗の膜を微細かつコンフォーマルに形成することができる。さらに、成膜原料のみをプラズマで分解または解離させるので微細ホール内に到達しやすく、微細ホール内でのステップカバレージを向上させることができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施する成膜装置の概略構成図であり、図２は、本発明の成膜方法の工程の一例を示す線図である。
すなわち、本実施の形態の成膜装置は、気密に構成された略円筒状のチャンバー１を有しており、その中には被処理体であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ２が円筒状の支持部材３により支持された状態で配置されている。サセプタ２の外縁部にはウエハＷをガイドするためのガイドリング４が設けられている。また、サセプタ２にはヒーター５が埋め込まれており、このヒーター５はヒーター電源６に接続されており、ウエハＷを所定の温度に加熱する。また、サセプタ２には接地された下部電極７が埋設されている。
チャンバー１の天壁１ａには、絶縁部材９を介してシャワーヘッド１０が設けられている。このシャワーヘッド１０は、上段ブロック体１０ａ、中段ブロック体１０ｂ、下段ブロック体１０ｃで構成されている。そして、下段ブロック体１０ｃにはガスを吐出する吐出孔１７と１８とが交互に形成されている。上段ブロック体１０ａの上面には、第１のガス導入口１１と、第２のガス導入口１２とが形成されている。上段ブロック体１０ａの中では、第１のガス導入口１１から多数のガス通路１３が分岐している。中段ブロック体１０ｂにはガス通路１５が形成されており、上記ガス通路１３がこれらガス通路１５に連通している。さらにこのガス通路１５が下段ブロック体１０ｃの吐出孔１７に連通している。また、上段ブロック体１０ａの中では、第２のガス導入口１２から多数のガス通路１４が分岐している。中段ブロック体１０ｂにはガス通路１６が形成されており、上記ガス通路１４がこれらガス通路１６に連通している。さらにこのガス通路１６が下段ブロック体１０ｃの吐出孔１８に連通している。そして、上記第１および第２のガス導入口１１，１２は、ガス供給機構２０のガスラインに接続されている。
ガス供給機構２０は、たとえば、Ｔｉ含有ガスであるＴｉＣｌ４等の原料を供給する成膜原料供給源２２、キャリアガスとしてＡｒ等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２３、Ｈ２ガス等の還元性ガスを供給する還元性ガス供給源２４を有している。そして、成膜原料供給源２２にはガスライン２６が、不活性ガス供給源２３にはガスライン２７が、還元性ガス供給源２４にはガスライン２８がそれぞれ接続されている。そして、各ガスラインにはマスフローコントローラ３０およびマスフローコントローラ３０を挟んで２つのバルブ２９が設けられている。前記第１のガス導入口１１には成膜原料供給源２２から延びるガスライン２６が接続されており、このガスライン２６には不活性ガス供給源２３から延びるガスライン２７が接続されている。また、前記第２のガス導入口１２には還元性ガス供給源２４から延びるガスライン２８が接続されている。
したがって、成膜原料供給源２２からのＴｉＣｌ４等の成膜原料がＡｒ等の不活性ガスにキャリアされてガスライン２６を介してシャワーヘッド１０の第１のガス導入口１１からシャワーヘッド１０内に至り、ガス通路１３，１５を経て吐出孔１７からチャンバー１内へ均一に吐出される。
一方、還元性ガス供給源２４からのＨ２ガス等の還元性ガスがガスライン２８を介してシャワーヘッド１０の第２のガス導入口１２からシャワーヘッド１０内に至り、ガス通路１４，１６を経て吐出孔１８からチャンバー１内へ均一に吐出される。すなわち、シャワーヘッド１０は、ＴｉＣｌ４等の成膜原料とＨ２ガス等の還元性ガスとが全く独立してチャンバー１内に供給されるポストミックスタイプとなっている。
シャワーヘッド１０には、整合器３２を介して高周波電源３３が接続されており、この高周波電源３３からシャワーヘッド１０と、接地された下部電極７との間に高周波電力が供給されることにより、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に供給された成膜原料のキャリアガスとしての不活性ガスや、還元性ガスがプラズマ化される。
チャンバー１の底壁１ｂの中央部には円形の穴３５が形成されており、底壁１ｂにはこの穴３５を覆うように下方に向けて突出する排気室３６が設けられている。排気室３６の側面には排気管３７が接続されており、この排気管３７には排気装置３８が接続されている。そしてこの排気装置３８を作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。また、チャンバー１の側壁にはゲートバルブ３９が設けられており、このゲートバルブ３９を開にした状態でウエハＷが外部との間で搬入出されるようになっている。
次に、以上のような成膜装置を用いた、本実施形態に係る成膜方法について説明する。以下の説明においては、一例として、成膜原料としてＴｉＣｌ４を用い、キャリアガスとしてＡｒガスを用い、還元性ガスとしてＨ２ガスを用いて、ウエハＷ上にＴｉ膜を成膜する場合について説明する。
まず、ヒーター５によりサセプタ２を１５０〜６００℃、望ましくは４００℃以下の温度に加熱しながら排気装置３８によりチャンバー１内を排気してチャンバー１内を１３〜１３３０Ｐａ、好ましくは６５０Ｐａに維持した状態で、ゲートバルブ３９を開け、ウエハＷを外部からチャンバー１へ装入する。
そして、まず、キャリアガスとしてのＡｒを１０〜５０００ｍＬ／ｍｉｎ、望ましくは５０ｍＬ／ｍｉｎの条件でチャンバー１内に供給しつつ、高周波電源３３からシャワーヘッド１０に５０〜５０００Ｗ、例えば１００Ｗ程度のプラズマ生成用の高周波電力を印加して、キャリアガスであるＡｒガスのプラズマを形成するとともに、成膜原料としてのＴｉＣｌ４を、１〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、望ましくは５ｍＬ／ｍｉｎの条件でチャンバー１内に供給してウエハＷの全面に成膜金属前駆体であるＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）を均一に吸着させる（成膜原料供給工程Ｓ１）。この際の成膜原料供給時間ｔ１は０．１〜５秒間、例えば３秒間とする。所定時間成膜原料を供給した後、その供給を停止する。
次いで、成膜原料の供給を停止し、不活性ガスであるＡｒガスのみを１００〜５０００ｍＬ／ｍｉｎ、例えば２０００ｍＬ／ｍｉｎでチャンバー１内に供給してチャンバー１内をパージし、チャンバー１内に残存する成膜原料を排除する（成膜原料供給停止・残留ガス排除工程Ｓ２）。この際のパージ時間ｔ２は、０．１〜５秒間、例えば３秒間とする。なお、パージの代わりに真空排気のみを行ってもよい。
その後、還元性ガスとしてのＨ２ガスを、１００〜５０００ｍＬ／ｍｉｎ、望ましくは１５００ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒガスを０〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ、の条件でチャンバー１内に供給しつつ、高周波電源３３からシャワーヘッド１０に１００〜１０００Ｗ、例えば３５０Ｗのプラズマ生成用の高周波電力を印加して、還元性ガスとしてのＨ２をプラズマ化し、ウエハＷに吸着したＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）等の成膜金属前駆体を還元する（還元性ガス供給工程Ｓ３）。この際の還元性ガス供給時間ｔ３は、０．１〜１０秒間、例えば１０秒間とする。
次いで、還元性ガスの供給を停止し、キャリアガスであるＡｒガスのみを１００〜５０００ｍＬ／ｍｉｎ、例えば２０００ｍＬ／ｍｉｎでチャンバー１内に供給してチャンバー１内をパージし、チャンバー１内に残存する還元性ガスを排除する（還元性ガス供給停止・残留ガス排除工程Ｓ４）。この際のパージ時間ｔ４は、０〜５秒間、例えば３秒間とする。なお、パージの代わりに真空排気のみを行ってもよい。
この工程Ｓ１〜Ｓ４の処理を、ウエハＷに形成されるＴｉ膜が目的の膜厚になるまで繰り返す。
以上のような本実施の形態の方法においては、成膜原料供給工程Ｓ１において、チャンバー１内に不活性ガスであるＡｒガスのプラズマを形成して、成膜原料であるＴｉＣｌ４の少なくとも一部を気相中において解離または分解するので、分子サイズの大きなＴｉＣｌ４のままではなく、ＴｉＣｌ４から解離または分解して生成した成膜金属前駆体であるＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）の状態でウエハＷ上へ到達するので、ウエハＷ上において吸着サイトが阻害されることがなく、ウエハＷに吸着する物質中のＴｉの割合をより多くすることが可能となり、プラズマにより生成したＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）の脱離も生じ難くなる。この結果、成膜速度を大きくすることができ、成膜処理のスループットの向上が可能となる。また、プラズマによってＴｉＣｌ４の少なくとも一部を気相中にて分解または脱離させるので、ウエハＷで解離または分解したＣｌ−等が膜中にとりこまれることが抑制され、膜中におけるＣｌ等の不純物が減少する。そして、プラズマにより解離または分解して生成された立体的により小さい成膜金属前駆体であるＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）の状態でウエハＷに吸着されるので、ウエハＷに対する成膜金属の均一性が向上する。したがって、Ｔｉ膜の膜質および膜厚の均一性が向上する。すなわち、不純物が少なく低抵抗のＴｉ膜を微細かつコンフォーマルに形成することができる。また、ＴｉＣｌ４の少なくとも一部をプラズマで解離または分解した立体的により小さなＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）のみを還元ガスとは別に供給してウエハＷに吸着させるので、微細ホール内に到達しやすく、微細ホール内でのステップカバレージを向上させることができる。
すなわち、従来の成膜方法においては、成膜原料であるＴｉＣｌ４を供給する工程においてはプラズマを着火させることなくウエハＷ上へＴｉＣｌ４を供給していたため、ＴｉＣｌ４は分解されることなくウエハＷ上へ輸送され、ウエハＷ上に到達した際には、立体的に大きな化学種によって吸着サイトが阻害され、ウエハＷに対するＴｉＣｌ４の吸着量が減少してしまうが、本実施の形態のように不活性ガスであるＡｒガスのプラズマを着火させてＴｉＣｌ４の一部を解離または分解させることにより、ウエハＷ上にＴｉＣｌｘ（ｘ＝１〜３）を吸着させるため、このような不都合が生じず、成膜処理のスループットが向上し、かつ膜質および膜厚の均一性も向上する。また、ＴｉＣｌ４と還元ガスとを同時にプラズマ化して供給する場合よりも微細ホールでのステップカバレージが良好となる。
また、ＴｉＣｌ４を熱エネルギーで解離させる場合は、例えば５００℃以上の高温でなければＴｉＣｌ４は解離しないので、それよりも低温ではＣｌ等の不純物濃度が高く、高抵抗となるばかりでなく、配線材料、例えばＡｌ、Ｃｕを腐食してしまうため、低温成膜は困難であるが、本実施の形態のようにプラズマで解離する場合は、より低温で解離するため、低温成膜が可能であり、配線材料や素子への熱影響（サーマルバシェット）なく低抵抗で高品質の膜を形成することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、成膜原料供給工程Ｓ１における成膜原料を供給するタイミングとしては、Ａｒ等の不活性ガスによるプラズマを着火する前、プラズマの着火と同時、プラズマの着火後、の何れでもよい。さらに、Ａｒ等の不活性ガスのガス流量、プラズマパワーは成膜原料の種類によって様々な組み合わせが可能である。
また、上記実施の形態では、一例として、ＴｉＣｌ４とＨ２とを用いてＴｉ膜を形成する例を示したが、ガスの組み合わせはこれに限るものではなく、また、Ｔｉ膜の他、ＴｉＮ膜、Ｗ膜、ＷＮ膜、ＴａＮ膜、ＴａＣＮ膜にも適用可能である。
Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜の成膜に際しては、Ｔｉ含有成膜原料として、ＴｉＣｌ４，ＴｉＦ４，ＴｉＢｒ４，ＴｉＩ４，Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５ＣＨ３）］４（ＴＥＭＡＴ），Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４（ＴＤＭＡＴ），Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４（ＴＤＥＡＴ）の少なくとも一つを含むものを用いることができ、還元ガスとして、Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２，Ｎ２Ｈ３ＣＨ３，Ｎ２の少なくとも一つを含むものを用いることができる。
Ｗ膜、ＷＮ膜の成膜に際しては、Ｗ含有成膜原料として、ＷＦ６、Ｗ（ＣＯ）６を用いることができ、還元性ガスとしては、Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２，Ｎ２Ｈ３ＣＨ３，Ｎ２の少なくとも一つを含むものを用いることができる。
Ｔａ，ＴａＮ、ＴａＣＮ膜の成膜に際しては、Ｔａ含有成膜原料として、ＴａＣｌ５，ＴａＦ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５，Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）３）（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３（ＴＢＴＤＥＴ），Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５）（Ｎ（ＣＨ３）２）３の少なくとも一つを含むものを用いることができ、還元性ガスとしては、Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２，Ｎ２Ｈ３ＣＨ３の少なくとも一つを含むものを用いることができる。
これらの還元性ガスを供給する際において、多種類の還元性ガスを組み合わせて流すことも可能である。
さらに、本実施の形態では、プラズマ発生源として高周波の平行平板型の容量結合タイプのものを用いたが、これに限らず、例えば誘導結合型のプラズマ発生装置（ＩＣＰ）を用いてもよいし、ＥＣＲ発生装置、ＲＬＳＡマイクロ波発生装置を用いたものであってもよい。
本発明の実施に用いられる成膜装置の構成の一例を示す概略構成図。 本発明の一実施形態の成膜方法を実施する際のガス供給等のタイミングを示すタイミングチャート。
符号の説明
１…チャンバー
２…サセプタ
５…ヒーター
７…下部電極
１０…シャワーヘッド
２０…ガス供給機構
２２…成膜原料供給源
２３…不活性ガス供給源
２４…還元性ガス供給源
３３…高周波電源
３８…排気装置
Ｓ１…成膜原料供給工程
Ｓ２…成膜原料供給停止・残留ガス除去工程
Ｓ３…還元性ガス供給工程
Ｓ４…還元性ガス供給停止・残留ガス除去工程
Ｗ…ウエハ

Claims (11)

  1. 金属を含む成膜原料と、還元性ガスを基板に交互供給することで前記基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜方法であって、
    前記成膜原料のみ、または前記成膜原料と不活性ガスのみを供給し、前記成膜原料の少なくとも一部をプラズマにより気相中において解離または分解させて基板上へ供給することを特徴とする成膜方法。
  2. 前記還元性ガスを基板に供給する際に、前記還元性ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
  3. 前記成膜原料の少なくとも一部を解離または分解させるプラズマは、不活性ガスのプラズマであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の成膜方法。
  4. 前記成膜原料を前記基板に供給した後、および前記還元性ガスを前記基板に供給した後に、余剰の前記成膜原料および前記還元性ガスを前記基板上から排除することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の成膜方法。
  5. 処理容器内に基板を配置し、
    （ａ）金属を含む成膜原料を基板に供給する工程、
    （ｂ）前記成膜原料の供給停止後、前記処理容器内の残留ガスを除去する工程、
    （ｃ）還元性ガスを前記基板に供給する工程、
    （ｄ）前記還元性ガスの供給停止後、前記処理容器内の残留ガスを除去する工程の（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返すことで前記基板上に前記金属を含む薄膜を形成する成膜方法であって、
    前記（ａ）の工程では、前記成膜原料のみ、または前記成膜原料と不活性ガスのみを前記処理容器内に供給し、前記成膜原料の少なくとも一部をプラズマにより気相中において解離または分解させて基板上へ供給することを特徴とする成膜方法。
  6. 前記（ｃ）の工程では、還元性ガスを基板に供給する際に、前記還元性ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項５に記載の成膜方法。
  7. 前記（ａ）の工程において、前記成膜原料の少なくとも一部を解離または分解させるプラズマは、不活性ガスのプラズマであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の成膜方法。
  8. 前記（ｂ）の工程および前記（ｄ）の工程は、前記処理容器内の雰囲気を不活性ガスで置換するか、または前記処理容器内を真空排気することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の成膜方法。
  9. 前記成膜原料は、ＴｉＣｌ４，ＴｉＦ４，ＴｉＢｒ４，ＴｉＩ４，Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５ＣＨ３）］４（ＴＥＭＡＴ），Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４（ＴＤＭＡＴ），Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４（ＴＤＥＡＴ）の少なくとも一つを含み、前記還元性ガスは、Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２，Ｎ２Ｈ３ＣＨ３，Ｎ２の少なくとも一つを含み、基板上にＴｉ膜またはＴｉＮ膜を成膜することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の成膜方法。
  10. 前記成膜原料は、ＷＦ６またはＷ（ＣＯ）６を含み、前記還元性ガスは、Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２，Ｎ２Ｈ３ＣＨ３，Ｎ２の少なくとも一つを含み、基板上にＷ膜またはＷＮ膜を成膜することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の成膜方法。
  11. 前記成膜原料は、ＴａＣｌ５，ＴａＦ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５，Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）３）（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３（ＴＢＴＤＥＴ），Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５）（Ｎ（ＣＨ３）２）３の少なくとも一つを含み、前記還元性ガスは、Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２，Ｎ２Ｈ３ＣＨ３の少なくとも一つを含み、基板上にＴａ膜、ＴａＮ膜、ＴａＣＮ膜のいずれかを成膜することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の成膜方法。
JP2004058449A 2004-03-03 2004-03-03 成膜方法 Expired - Fee Related JP4651955B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004058449A JP4651955B2 (ja) 2004-03-03 2004-03-03 成膜方法
PCT/JP2005/003340 WO2005085495A1 (ja) 2004-03-03 2005-02-28 成膜方法
KR1020067017740A KR20060123607A (ko) 2004-03-03 2005-02-28 성막 방법
CNA200580001493XA CN1906327A (zh) 2004-03-03 2005-02-28 成膜方法
US11/514,919 US20070004186A1 (en) 2004-03-03 2006-09-05 Film forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004058449A JP4651955B2 (ja) 2004-03-03 2004-03-03 成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005248231A JP2005248231A (ja) 2005-09-15
JP4651955B2 true JP4651955B2 (ja) 2011-03-16

Family

ID=34917935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004058449A Expired - Fee Related JP4651955B2 (ja) 2004-03-03 2004-03-03 成膜方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070004186A1 (ja)
JP (1) JP4651955B2 (ja)
KR (1) KR20060123607A (ja)
CN (1) CN1906327A (ja)
WO (1) WO2005085495A1 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
CN101527263B (zh) * 2005-02-17 2013-03-20 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法
JP5109299B2 (ja) * 2005-07-07 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US7473637B2 (en) 2005-07-20 2009-01-06 Micron Technology, Inc. ALD formed titanium nitride films
JP2007048926A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Tokyo Electron Ltd Ｗ系膜の成膜方法、ゲート電極の形成方法、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5046506B2 (ja) * 2005-10-19 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
US7897217B2 (en) 2005-11-18 2011-03-01 Tokyo Electron Limited Method and system for performing plasma enhanced atomic layer deposition
JP5020230B2 (ja) * 2006-02-24 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体
JP2008013848A (ja) * 2006-06-08 2008-01-24 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
KR100956210B1 (ko) * 2007-06-19 2010-05-04 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법
JP4933399B2 (ja) * 2007-10-25 2012-05-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造方法および半導体製造装置
JP5287592B2 (ja) * 2009-08-11 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8628618B2 (en) * 2009-09-29 2014-01-14 Novellus Systems Inc. Precursor vapor generation and delivery system with filters and filter monitoring system
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
JP2012193445A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Tokyo Electron Ltd 窒化チタン膜の形成方法、窒化チタン膜の形成装置及びプログラム
US8785310B2 (en) 2012-01-27 2014-07-22 Tokyo Electron Limited Method of forming conformal metal silicide films
JP6204570B2 (ja) * 2014-03-28 2017-09-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
US10643925B2 (en) * 2014-04-17 2020-05-05 Asm Ip Holding B.V. Fluorine-containing conductive films
JP6391355B2 (ja) * 2014-08-11 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法
US9478438B2 (en) * 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9941425B2 (en) * 2015-10-16 2018-04-10 Asm Ip Holdings B.V. Photoactive devices and materials
US10607841B2 (en) 2017-12-17 2020-03-31 Applied Materials, Inc. Silicide films through selective deposition
JP6955260B2 (ja) * 2017-12-28 2021-10-27 株式会社エー・シー・イー 気体供給装置
US20200263297A1 (en) * 2019-02-14 2020-08-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxides and nitrides
JP7175224B2 (ja) 2019-03-13 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2021161067A1 (en) 2020-02-12 2021-08-19 Nova Rotors Srl Positive displacement pump
CN114807893A (zh) * 2021-01-19 2022-07-29 圆益Ips股份有限公司 薄膜形成方法
JP2022122171A (ja) 2021-02-09 2022-08-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6184375A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Toho Kinzoku Kk 化学蒸着法
JPH1064851A (ja) * 1996-04-04 1998-03-06 Texas Instr Inc <Ti> アルミニウムフィルムの化学蒸着法
JP2002146544A (ja) * 1995-01-31 2002-05-22 Horiba Ltd Ｃｖｄ装置
JP2003109914A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Fujitsu Ltd 金属層の形成方法、半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3415207B2 (ja) * 1992-07-24 2003-06-09 東京エレクトロン株式会社 化学気相成長による金属薄膜形成方法
US5306666A (en) * 1992-07-24 1994-04-26 Nippon Steel Corporation Process for forming a thin metal film by chemical vapor deposition
US6214714B1 (en) * 1999-06-25 2001-04-10 Applied Materials, Inc. Method of titanium/titanium nitride integration
JP4168676B2 (ja) * 2002-02-15 2008-10-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 製膜方法
US6838125B2 (en) * 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6184375A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Toho Kinzoku Kk 化学蒸着法
JP2002146544A (ja) * 1995-01-31 2002-05-22 Horiba Ltd Ｃｖｄ装置
JPH1064851A (ja) * 1996-04-04 1998-03-06 Texas Instr Inc <Ti> アルミニウムフィルムの化学蒸着法
JP2003109914A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Fujitsu Ltd 金属層の形成方法、半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005085495A1 (ja) 2005-09-15
JP2005248231A (ja) 2005-09-15
CN1906327A (zh) 2007-01-31
KR20060123607A (ko) 2006-12-01
US20070004186A1 (en) 2007-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4651955B2 (ja) 成膜方法
US7763115B2 (en) Vacuum film-forming apparatus
US7717061B2 (en) Gas switching mechanism for plasma processing apparatus
US8435905B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device, and substrate processing apparatus
CN108735577B (zh) 选择性沉积用于互连的wcn阻挡/粘附层
US20090250004A1 (en) Gas Head and Thin-Film Manufacturing Apparatus
CN110959186A (zh) 在互连金属化中沉积钌层
KR20100132779A (ko) 박막 형성 방법 및 이의 제조 장치
KR100966928B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
US8211500B2 (en) Copper film deposition method
KR101759769B1 (ko) Ｔｉ막의 성막 방법
KR100942684B1 (ko) 탄탈 질화물막의 형성 방법
WO2004008513A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2006299407A (ja) 成膜方法、成膜装置およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
TW202124761A (zh) 成膜方法及成膜裝置
US20060008595A1 (en) Film-forming method
KR20140038328A (ko) 금속막의 성막 방법
JP4515191B2 (ja) 成膜方法
WO2021261289A1 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2007266185A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2008205325A (ja) 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
JP2006052426A (ja) 窒化タンタル膜の形成方法
KR20180061472A (ko) 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 박막 증착 방법
JP2009130108A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20130095033A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101215

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees