JP6398761B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、真空容器内に設けられた回転テーブル上の基板にガスを供給して処理を行う基板処理装置に関する。
半導体ウエハなどの基板（以下「ウエハ」と言う）に酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）などの薄膜を成膜する手法として、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）を行う成膜装置が知られている。この成膜装置では、その内部が排気されて真空雰囲気とされる処理容器（真空容器）内に水平な回転テーブルが設けられ、当該回転テーブル上にウエハが載置されるように構成される場合がある。
この回転テーブル上には、当該回転テーブルの周方向に互いに離れて薄膜の原料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給部と、ウエハに吸着された原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、が配置される。回転テーブルの回転によりウエハが公転することで、当該ウエハは原料ガスが供給される原料ガス供給領域、反応ガスが供給される反応ガス供給領域を交互に繰り返し通過して、上記のＡＬＤが行われる。このような成膜装置は、例えば特許文献１に記載されている。
特開２０１０−５６４７０
大気雰囲気である真空容器の外部と真空引きを行ったときの真空容器内との圧力差によって、真空容器の天井部が変形することを防ぐために、当該天井部を真空容器の底部より伸びる支柱により支持することが検討されている。特許文献１には、当該支柱が設けられた成膜装置について記載されている。ところで成膜装置においては、作業員により真空容器内の劣化した部品の交換などのメンテナンスが行われる必要があり、支柱を設けた場合であっても作業員が当該メンテナンスを容易に行えることが求められる。特許文献１の成膜装置の支柱は、真空容器の蓋体及び底部に一体化しているように見えるし、どのように真空容器が開放されてメンテナンスが行われるかについて全く示されていないため、特許文献１に記載の技術は、このような要請に応えるには不十分である。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、真空容器内に設けられた回転テーブル上の基板にガスを供給して処理を行う基板処理装置において、真空容器内を真空引きしたときの真空容器の天井部の変形を防ぐと共に、真空容器内のメンテナンスを容易に行うことができる技術を提供することである。
本発明の基板処理装置は、真空容器内にて回転テーブル上に載置した基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
前記真空容器の底部を含む部分を構成する容器本体と、
前記真空容器を開閉するために前記容器本体に対して分離自在に構成された、当該真空容器の天井部を含む部分を構成する蓋体と、
前記蓋体を容器本体に装着したときに前記回転テーブルの回転中心部を貫くように前記蓋体及び容器本体のうちの一方に設けられ、前記真空容器内を真空引きしたときに前記容器本体に対して蓋体を支持する支柱と、
を備え、
前記支柱には、前記蓋体及び容器本体のうちの他方に接する接触面を囲む環状の段差部が設けられ、
前記蓋体を前記容器本体に装着したときに前記蓋体及び容器本体のうちの他方に密着する弾性体からなるシール部材が前記段差部に設けられることを特徴とする。
本発明の他の基板処理装置は、真空容器内にて回転テーブル上に載置した基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
前記真空容器の底部を含む部分を構成する容器本体と、
前記真空容器を開閉するために前記容器本体に対して分離自在に構成された、当該真空容器の天井部を含む部分を構成する蓋体と、
前記蓋体を容器本体に装着したときに前記回転テーブルの回転中心部を貫くように前記蓋体及び容器本体のうちの一方に設けられ、前記真空容器内を真空引きしたときに前記容器本体に対して蓋体を支持する支柱と、
を備え、
前記支柱には、前記真空容器内を排気するための排気口が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、真空容器の天井部を構成する蓋体及び真空容器の底部を構成する容器本体が分離自在であり、容器本体に対して蓋体を支持する支柱が、これら蓋体及び容器本体のうちの一方に設けられる。従って、真空容器内を真空引きしたときの真空容器の天井部の変形が抑えられ、且つ真空容器の開閉が容易であるので当該真空容器の内部のメンテナンスを容易に行うことができる。
本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の縦断面側図である。 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 前記成膜装置を構成する蓋体の下面側と、容器本体の上面側とを夫々示す斜視図である。 前記成膜装置を構成する支柱の上端部を示す縦断側面図である。 前記成膜装置におけるガスの流れを示す説明図である。 本発明における第２の実施形態に係る成膜装置の縦断側面図である。 前記成膜装置におけるガスの流れを示す説明図である。 支柱の上端部の他の構成例を示す説明図である。 上記の成膜装置の変形例を示す縦断側面図である。 上記の成膜装置の他の変形例を示す縦断側面図である。 本発明における第３の実施形態に係る成膜装置の縦断側面図である。 前記成膜装置におけるガスの流れを示す説明図である。
（第１の実施形態）
本発明の基板処理装置の一実施形態であり、例えば基板であるウエハＷにＡＬＤを行い、ＳｉＯ２（酸化シリコン）膜を形成する成膜装置１について、図１の縦断側面図と、図２の横断平面図とを参照しながら説明する。図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図である。成膜装置１は、概ね円形状の扁平な真空容器（処理容器）１１を備えており、真空容器１１は例えばアルミニウムなどの金属により構成され、当該真空容器１１の側壁１２及び周縁部側の底部１３を形成する容器本体１４と、真空容器１１の天井部を構成する概ね円形の蓋体１５と、を備えている。
真空容器１１は大気雰囲気に設けられており、真空容器１１の内部には後述の排気口から排気されることで、真空雰囲気とされる処理空間１６が形成されている。図１中１７は側壁１２の上端に設けられるＯリングであり、当該側壁１２に沿って設けられ、当該側壁１２と蓋体１５との間をシールし、処理空間１６を気密に保つ。蓋体１５は真空容器１１の外側に設けられる昇降機構１９に接続されており、昇降機構１９により蓋体１５は、容器本体１４に対して昇降し、真空容器１１が開閉される。即ち、蓋体１５は、容器本体１４に対して分離自在な構成とされており、図１では蓋体１５について、容器本体１４に装着された状態、容器本体１４から分離した状態を、夫々実線、鎖線で示している。
図３は、容器本体１４の内部を示す斜視図であり、これ以降、この図３も参照して説明する。真空容器１１の内部には、円形のリング状の水平な回転テーブル２１が設けられており、この回転テーブル２１の表面（一面側）には、当該回転テーブル２の周方向に沿って５つの円形の凹部２２が形成されている。この凹部２２内に、ウエハＷが収納される。つまり、凹部２２の底部はウエハＷの載置領域として構成される。また、各凹部２２には、当該凹部２２の底部を貫通する３つの貫通孔２２Ａが設けられている。
回転テーブル２１内周側の縁部は下方に延伸され、垂直な回転円筒部２３を構成している（図１参照）。回転円筒部２３の下端側は、容器本体１４の底部１３の中心部に設けられた貫通孔１８を介して、当該底部１３の下方へ向けて伸び出している。貫通孔１８の下方側には、回転円筒部２３を囲むように円筒体２４が設けられており、円筒体２４の上端はＯリング２５を介して貫通孔１８の縁部に接続され、容器本体１４に対して固定されている。
上記の回転円筒部２３の下端部は、円筒体２４よりも下方に延出されており、当該下端部にはベルト２６が巻き掛けられている。ベルト２６はモータを備えた回転機構２７により駆動され、この駆動によって回転円筒部２３が軸周りに回転し、回転テーブル２１がその周方向に回転する。それによって、凹部２２内に収納されたウエハＷが回転円筒部２３の回転軸を中心に、例えば平面視時計回りに公転する。
容器本体１４の底部１３の下方には、回転円筒部２３の下部、円筒体２４、ベルト２６及び回転機構２７を囲むように、上側が開口したカップ状の底部形成部２８が設けられている。この底部形成部２８の上端は、容器本体１４の底部１３の下側に接し、上記の貫通孔１８は当該底部形成部２８により塞がれている。つまり、この底部形成部２８は、容器本体１４の中心部における底部を形成している。底部形成部２８から円柱状の支柱３１が回転円筒部２３内を、回転テーブル２１の上方へ向かって垂直に伸びており、支柱３１の上端は蓋体１５の下面の中心部に接し、当該蓋体１５を支持している。従って、支柱３１は回転テーブル２１の回転中心部を上下に貫くように設けられている。支柱３１は、例えばアルミニウムなどの金属により構成されている。
支柱３１の下部側は、上部側に比べて拡径された拡径部３２を構成している。この拡径部３２の外周面と回転円筒部２３の内周面との間の隙間、回転円筒部２３の外周面と円筒体２４の内周面との間の隙間を夫々塞ぐシール部材３３、３４が設けられている。シール部材３３、３４は磁性流体シールにより構成され、回転円筒部２３が上記のように回転できるように設けられており、これらシール部材３３、３４により、底部形成部２８内に処理空間１６に対して区画された空間３５が形成される。また、この空間３５において、支柱３１と回転円筒部２３との間に軸受け３６が、支柱３１と円筒体２４との間に軸受け３７が夫々設けられている。軸受け３６、３７により、回転円筒部２３が支柱３１及び円筒体２４に対して支持され、且つ上記のように回転可能に構成される。
軸受け３６、３７の他に、上記のベルト２６及び回転機構２７も空間３５に設けられており、この空間３５は、底部形成部２８に設けられた開口部３５Ａを介して真空容器１１の外部空間と連通している。従って、空間３５は大気雰囲気である。開口部３５Ａはベルト２６や回転機構２７のメンテナンスを行ったり、真空容器１１内の温度変化による空間３５の圧力変化を抑えるために設けられている。
また、シール部材３３、３４は、この例では容器本体１４の周縁部側の底部１３よりも下方に設けられている。それによって、後述の底部１３上に設けられるヒーター５４からの熱は、底部１３により吸収されることで、シール部材３３、３４に輻射されることが抑えられる。結果としてシール部材３３、３４の温度上昇による劣化を抑えることができる。
続いて、支柱３１の上端部について、図４を参照しながら説明する。図４の上段は、容器本体１４から蓋体１５が取り外され、容器本体１４と蓋体１５とが互いに離れた状態を示している。支柱３１の上端部には円形の水平な載置面４１が形成されている。また、支柱３１の上端部には載置面４１を囲むように環状の段差部が形成されており、この段差部によって載置面４１よりも低い水平なリング状の載置面４２が形成されている。載置面４２には、当該載置面４２に沿って形成された、例えばゴムなどの弾性体により構成されたシール部材であるＯリング４３が載置されている。つまり、載置面４１と載置面４２とがなす段差部にＯリング４３が設けられている。図４に示すように、容器本体１４が蓋体１５から離れた状態では、載置面４２に載置されたＯリング４３の上端は、載置面４１よりも高い。
蓋体１５を容器本体１４に装着するために、上記の昇降機構１９によって蓋体１５を図４の上段に示す状態から下降させると、Ｏリング４３が蓋体１５に押し潰されて変形する。そして、当該Ｏリング４３が持つ復元力によって、Ｏリング４３は、蓋体１５及び載置面４２に密着する。さらに蓋体１５が下降すると、載置面４１に蓋体１５の下面の中心部が当接し、蓋体１５が載置面４１に載置される。つまり、載置面４１は、蓋体１５に接触する接触面として構成されている。
図４の中段は、このように蓋体１５が載置面４２に載置された状態を示しており、点線で囲んだ領域にＯリング４３の内側付近を拡大して示している。蓋体１５と載置面４２とが当接することによってパーティクル４４が発生しても、Ｏリング４３が蓋体１５に密着しているため、この図４中段に示すように、当該パーティクル４４の処理空間１６への飛散が防がれる。また、Ｏリング４３は支柱３１と蓋体１５との隙間をシールし、当該隙間において後述のＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとの接触を防ぐ役割も有する。蓋体１５の中心部が載置面４２に載置された状態では、蓋体１５の周縁部が容器本体１４の側壁１２の上端に載置された状態となり、図１中に示したように蓋体１５が容器本体１４に装着された状態となる。この状態で、処理空間１６が真空引きされる。
この成膜装置１において、支柱３１が設けられないとした場合、処理空間１６を真空引きしたときに真空容器１１の周囲の大気圧によって、蓋体１５はその中心部が下方へ押し下げられるように応力を受けて変形するおそれがあり、そのような変形が起きると、ウエハＷに所望の膜厚を有する膜を形成できなくなったり、ウエハＷの面内の膜厚のばらつきが大きくなってしまうおそれがある。蓋体１５の厚さを大きくして蓋体１５の強度を高めることで、そのような変形を防ぐことが考えられるが、そうなると蓋体１５の重量が増加する。その結果として、昇降機構１９の負荷が大きくなってしまい、昇降機構１９の大型化ひいては成膜装置１の大型化を招いてしまうおそれがある。しかし、成膜装置１では支柱３１により蓋体１５の中心部が支持されるため、蓋体１５の厚さが大きくなることを抑えながら、蓋体１５の変形を抑えることができる。
図１〜図３に戻って説明を続ける。真空容器１１の側壁１２にはウエハＷの搬送口５１が開口しており、ゲートバルブ５２により開閉自在とされ、図示しないウエハＷの搬送機構が搬送口５１を介して真空容器１１の外部と真空容器１１内の処理空間１６との間で移動することができる。図１中５３は搬送口５１を囲むＯリングであり、ゲートバルブ５２と真空容器１１の側壁１２との隙間をシールする。
また、真空容器１１の底部１３には図示しない３本の昇降ピンが設けられ、図示しない昇降機構によって当該昇降ピンの先端が、回転テーブル２１の凹部２２に設けられる貫通孔２２Ａを介して、回転テーブル２１の下方側と回転テーブル２１の上方側との間で昇降自在に構成される。それによって、上記のウエハＷの搬送機構と凹部２２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
容器本体１４の底部１３には、複数のリング状のヒーター５４が設けられている。各ヒーター５４は、回転テーブル２１の回転中心を中心とした同心円状に配置されている。ヒーター５４によって、回転テーブル２１上のウエハＷが加熱される。図中５５はヒーターカバーであり、ヒーター５４を覆うように設けられる。
容器本体１４の底部１３においては、ヒーターカバー５５の外側に排気口５６、５７が開口している。排気口５６には排気管５８の一端が接続され（図１参照）、排気管５８の他端は、バルブを含む排気量調整部５９を介して真空ポンプにより構成される排気機構５０に接続される。図示は省略しているが、排気口５７についても排気量調整部５９が介設された排気管５８の一端が接続され、当該排気口５７に接続される排気管５８の他端は、排気機構５０に接続されている。
図３に示すように、回転テーブル２１上には、夫々回転テーブル２１の外周から中心へ向かって伸びる棒状の第１の処理ガスノズル６１、分離ガスノズル６２、第２の処理ガスノズル６３及び分離ガスノズル６４が、この順で周方向に配設されている。これらのガスノズル６１〜６４は、回転テーブル２の径に沿って設けられた多数の吐出口６０を備え、各吐出口６０から下方にガスが吐出される。第１の処理ガス供給部である第１の処理ガスノズル６１は、ＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガスを吐出し、第２の処理ガス供給部である第２の処理ガスノズル６３はＯ3（オゾン）ガスを吐出する。ＢＴＢＡＳガスは、ＳｉＯ２膜の原料となる原料ガスであり、Ｏ３ガスは、原料ガスを酸化する反応ガスである。分離ガスノズル６２、６４は雰囲気を分離するための分離ガスであるＮ2（窒素）ガスを吐出する。
また、前記真空容器１１の蓋体１５は、下方に突出する平面視扇状の突状部６５、６６を備えており、突状部６５、６６は真空容器１１の周方向に間隔をおいて形成されている。蓋体１５を容器本体１４に装着したときには、突状部６５、６６は支柱３１に接すると共に、当該支柱３１から回転テーブル２１の外側に向かうにつれて、回転テーブル２１の周方向に広がるように形成される。突状部６５、６６は、各々溝６７を備えている。溝６７は、突状部６５、６６を周方向に二分割するように形成されており、各溝６７に分離ガス供給部である分離ガスノズル６２、６４が収められる。第１の処理ガスノズル６１の下方のガス供給領域を第１の処理領域Ｐ１、第２の処理ガスノズル６３の下方のガス供給領域を第２の処理領域Ｐ２とする。突状部６５、６７の下方は、分離ガスノズル６２、６４からのＮ2ガスが供給される分離領域Ｄ、Ｄとして構成されている。
上記の排気口５６、５７の配置について補足して説明しておくと、図２に示すように排気口５６、５７は、回転テーブル２１の外側に設けられており、真空容器１１の周方向に時計回りに見て、排気口５６は突状部６６、突状部６５間に開口しており、排気口５７は突状部６５、突状部６６間に開口している。このように開口することで、排気口５６はＮ２ガスと共に第１の処理領域Ｐ１に供給されたＢＴＢＡＳガスを排気することができ、排気口５７は分離ガスと共に第２の処理領域Ｐ２に供給されたＯ３ガスを排気することができる。
図１に示すように、この成膜装置１には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１００が設けられている。この制御部１００には、後述のように、ウエハＷへの成膜処理を実行するプログラムが格納されている。前記プログラムは、成膜装置１の各部に制御信号を送信して、各部の動作を制御する。
具体的には、図示しないガス供給源から各ガスノズル６１〜６４、回転機構２７による回転テーブル２の回転速度の制御、排気量調整部５９による各排気口５６、５７からの排気量の調整、昇降ピンの昇降、蓋体１５の昇降、ヒーター５４への電力供給などの各動作が制御される。前記プログラムにおいては、これらの動作を制御して、後述の各処理が実行されるようにステップ群が組まれている。当該プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部１００内にインストールされる。
続いて、成膜装置１による成膜処理について説明する。蓋体１５が容器本体１４に装着された状態で、ゲートバルブ５２が開放され、ウエハＷの搬送機構により、真空容器１１内にウエハＷが順次搬送され、凹部２２に受け渡される。続いて、ゲートバルブ５２が閉じられ、真空容器１１内が、所定の圧力の真空雰囲気になるように排気され、回転テーブル２１が回転する。分離ガスノズル６２、６４からＮ２ガスが吐出されると共に、第１の処理ガスノズル６１からＢＴＢＡＳガスが、第２の処理ガスノズル６３からＯ３ガスが夫々吐出される。
ウエハＷは第１の処理ガスノズル６１の下方の第１の処理領域Ｐ１と第２の処理ガスノズル６３の下方の第２の処理領域Ｐ２とを交互に通過し、ウエハＷにＢＴＢＡＳガスが吸着され、次いでＯ３ガスにより吸着されたＢＴＢＡＳガスが酸化されて、酸化シリコンの分子層が１層あるいは複数層形成される。回転テーブル２１の回転が続けられ、第１の処理領域Ｐ１及び第２の処理領域Ｐ２を繰り返しウエハＷが通過し、上記の酸化シリコンの分子層が順次積層されて、ＳｉＯ２膜が形成される。
図５では矢印により、真空容器１１内のガスの流れを示している。分離ガスノズル６２、６４から前記分離領域Ｄに供給されたＮ２ガスが、当該分離領域Ｄを周方向に広がり、回転テーブル２１上を夫々周方向に流れるＢＴＢＡＳガスとＯ3ガスとが接触することを防ぐ。また、図４の下段に示すように回転テーブル２１の中心部においては、支柱３１によりＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとの接触が防がれる。
所定の回数、回転テーブル２１が回転して所定の膜厚のシリコン酸化膜が形成されると、処理ガスノズル６１、６３から処理ガスの供給及び分離ガスノズル６２、６４からのＮ2ガスの供給が停止する。続いて、回転テーブル２１の回転が停止し、ゲートバルブ５２が開放されて、図示しない搬送機構及び昇降ピンにより、ウエハＷが順次真空容器１１から搬出され、成膜処理が終了する。
真空容器１１内のメンテナンスを行う場合は、上記の成膜処理後に昇降機構１９により、蓋体１５を上昇させ、容器本体１７から取り外す。メンテナンス終了後は、図４の上段、中段で説明したように蓋体１５を下降させて、容器本体１４に装着し、装着後は、後続のウエハＷが真空容器１１内に搬送され、成膜処理が行われる。
この成膜装置１によれば、容器本体１４に蓋体１５の中心部を支持する支柱３１が設けられると共に、蓋体１５は当該支柱３１及び容器本体１４の側壁１２に対して分離自在に構成されている。従って、真空容器１１内と真空容器１１外との圧力差による蓋体１５の変形を抑えることができる。また、蓋体１５の容器本体１４に対する着脱により真空容器１１内を開閉自在とし、当該真空容器１１内のメンテナンスを容易に行うことができる。ところで、この成膜装置１においては、回転テーブル２１上にウエハＷを横方向に並べて複数配置するので、平面で見た蓋体１５の面積が比較的大きくなり、上記の大気圧と処理空間１６との圧力差により蓋体１５の中心部に比較的大きな応力が加わりやすいことから、蓋体１５の変形を抑えるために上記の支柱３１を設けることが特に有効である。
また、成膜装置１では支柱３１が設けられることで、上記のように回転テーブル２１の中心部においてＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとが接触することを防ぎ、その結果としてパーティクルの発生を抑制することができる。支柱３１を設けずに、回転テーブル２１の中心部にパージガスを供給し、ＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとの接触を抑制することも考えられるが、成膜装置１ではそのような構成に比べて、パージガスによりＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスが希釈されることがないため、ＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスの使用量を抑えることができる利点がある。
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る成膜装置７について、図６、図７を参照しながら成膜装置１との差異点を中心に説明する。図６は成膜装置７の縦断側面図であり、図７は成膜装置７の概略横断平面図である。この図７では、図５と同様に、矢印によって成膜処理時の各ガスの流れを示している。
成膜装置７においては、容器本体１４の底部１３に排気口５６、５７が設けられる代わりに、排気口７１、７２が支柱３１の側面に開口している。真空容器１１の周方向に時計回りに見て、排気口７１は突状部６６、突状部６５間に開口しており、排気口７２は突状部６５、突状部６６間に開口している。支柱３１内には、排気口７１、７２に夫々連通する流路７３、７４が形成されており、流路７３、７４は支柱３１内を垂直方向に設けられる仕切り板７５によって互いに区画されている。流路７３、７４は支柱３１の長さ方向に沿って形成され、支柱３１内を下方へ向かう途中で合流して、流路７６を形成する。流路７６は支柱３１をさらに下方側に向かうように形成される。
底部形成部２８には、排気管５８の一端が流路７６に開口するように接続されており、排気管５８の他端は排気量調整部５９を介して排気機構５０に接続されている。このような構成によって、排気口７１から第１の処理領域Ｐ１に供給されたＢＴＢＡＳガスをＮ２ガスと共に排気し、排気口７２から第２の処理領域Ｐ２に供給されたＯ３ガスをＮ２ガスと共に排気することができる。つまり、排気口７１は、ＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスのうちＢＴＢＡＳガスを限定的に排気し、排気口７２はＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスのうちＯ３ガスを限定的に排気する。上記の仕切り板７５は、このように排気が行われる際に、排気口７１、７２付近でＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとが接触してパーティクルとなり、処理空間１６に飛散してしまうことを防ぐために設けられている。
この成膜装置７についても成膜装置１と同様の効果が得られる。さらにこの成膜装置７によれば、排気口７１、７２を支柱３１に設けることで、容器本体１４に排気口を設ける必要が無くなるため、装置の小型化を図ることができる。
ところで、図８に示すように、上記の支柱３１において載置面４１の周囲に環状の凹部７８を形成し、当該凹部７８内にＯリング４３が設けられるようにしていてもよい。凹部７８の底面が上記の載置面４２を構成する。そして、当該環状の凹部７８における内側の側壁の上端面は、蓋体１５を載置する載置面４１により構成されており、外側の側壁の上端面は載置面４１よりも低く形成され、蓋体１５に当接しないように構成されている。
上記の各成膜装置においては、容器本体１４に対して蓋体１５が昇降することで、容器本体１４に対する蓋体１５の着脱が行われるように構成されているが、蓋体１５に対して容器本体１４が昇降することで、この着脱が行われてもよい。
また、支柱は容器本体１４に設けられることに限られず、蓋体１５に設けてもよい。図９は、蓋体１５の中心部から下方に伸びるように形成された支柱８１を備えた成膜装置１の変形例を示している。この図９の成膜装置１では、シール部材３３及び軸受け３６が、支柱３１と回転円筒部２３との隙間に設けられる代わりに、回転円筒部２３の内側に起立するように設けられた円筒体８２と回転円筒部２３との隙間に設けられており、回転円筒部２３は支柱３１の代わりに当該円筒体８２により支持されている。
蓋体１５が容器本体１４に装着される際には、蓋体１５が下降することで、支柱８１の下端部が円筒体８２の上方から、当該円筒体８２内に進入する。さらに蓋体１５が下降して、支柱８１の下端が底部形成部２８に当接し、支柱８１を介して底部形成部２８に蓋体１５が支持されると共に、容器本体１４の側壁１２に蓋体１５が支持されて、蓋体１５が容器本体１４に装着される。
図１０には、成膜装置１の他の変形例を示している。この図１０は、蓋体１５に支柱８５が設けられ、蓋体１５には支柱８６が設けられており、蓋体１５が容器本体１４に装着される際には、支柱８５の下端と支柱８６の上端とが接し、支柱３１と同様の構成の支柱が形成される。つまり、この例では支柱が上下に２分割され、分割された支柱が蓋体１５及び容器本体１４に夫々設けられている。
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態に係る成膜装置９について、縦断側面図である図１１、概略横断平面図である図１２を夫々参照しながら、第２の実施形態の成膜装置７との差異点を中心に説明する。図１２では、図７と同様に、矢印によって成膜処理時の各ガスの流れを示している。この成膜装置９に関しては、ガスノズル６１、６３の構成について成膜装置７と異なっている。
この成膜装置９においてもガスノズル６１、６３は棒状に構成されている。そして、成膜装置９におけるガスノズル６１、６３の基端は、底部形成部２８の下方にて配管５８の外側に位置している。このガスノズル６１の先端は、排気管５８内に向けて水平方向に伸び、排気管５８内にて屈曲して流路７６、７３を上方へ向かった後、さらに屈曲して、排気口７１から回転テーブル２１の周縁部へ向けて水平に伸びている。また、ガスノズル６３の先端は、排気管５８内に向けて水平方向に伸び、排気管５８内にて屈曲して流路７６、７４を上方へ向かった後、さらに屈曲して、排気口７２から回転テーブル２１の周縁部へ向けて水平に伸びている。夫々排気口７１、７２から突出したガスノズル６１、６３の各先端部には、吐出口６０がガスノズル６１、６３の伸長方向に多数形成されており、成膜装置１、７と同様に、公転するウエハＷの表面全体にＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスを供給することができる。
このように成膜装置９においては、支柱３１に排気路と、ＢＴＢＡＳガスの供給路と、Ｏ３ガスの供給路とが互いに区画されて形成されている。このような成膜装置９についても成膜装置７と同様に装置の大きさを抑えることができる。ところで既述の装置の各例の構成は、互いに組み合わせることができる。例えば、成膜装置９について、排気口７１、７４から排気を行う代わりに、成膜装置１と同様に真空容器１４の底部１３に排気口５６、５７を設けて、当該排気口５６、５７から排気を行うようにしてもよい。
また、本発明はウエハＷにＡＬＤを行う成膜装置に適用されることには限られず、ウエハＷに処理ガスを供給して処理する様々な処理装置に適用することができる。例えば、上記の成膜装置１において、分離領域Ｄ及び第２の処理ガスノズル６３が設けられない構成とし、第１の処理ガスノズル６１からは処理ガスを供給してウエハＷにＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)による成膜が行われる装置とすることができる。また、そのように分離領域Ｄ及び第２の処理ガスノズル６３を設けない装置構成とした場合、第１の処理ガスノズル６１からは不活性ガスを供給することで、ウエハＷに形成された膜がアニール処理される装置とすることができる。
Ｗ ウエハ
Ｄ 分離領域
Ｐ１、Ｐ２ 処理領域
１ 成膜装置
１１ 真空容器
２１ 回転テーブル
２８ 底部形成部
３１ 支柱
４１ 載置面
４２ 載置面
６１ 第１の処理ガスノズル
６２、６４ 分離ガスノズル
６３ 第２の処理ガスノズル

Claims (5)

  1. 真空容器内にて回転テーブル上に載置した基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
    前記真空容器の底部を含む部分を構成する容器本体と、
    前記真空容器を開閉するために前記容器本体に対して分離自在に構成された、当該真空容器の天井部を含む部分を構成する蓋体と、
    前記蓋体を容器本体に装着したときに前記回転テーブルの回転中心部を貫くように前記蓋体及び容器本体のうちの一方に設けられ、前記真空容器内を真空引きしたときに前記容器本体に対して蓋体を支持する支柱と、
    を備え、
    前記支柱には、前記蓋体及び容器本体のうちの他方に接する接触面を囲む環状の段差部が設けられ、
    前記蓋体を前記容器本体に装着したときに前記蓋体及び容器本体のうちの他方に密着する弾性体からなるシール部材が前記段差部に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  2. 真空容器内にて回転テーブル上に載置した基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
    前記真空容器の底部を含む部分を構成する容器本体と、
    前記真空容器を開閉するために前記容器本体に対して分離自在に構成された、当該真空容器の天井部を含む部分を構成する蓋体と、
    前記蓋体を容器本体に装着したときに前記回転テーブルの回転中心部を貫くように前記蓋体及び容器本体のうちの一方に設けられ、前記真空容器内を真空引きしたときに前記容器本体に対して蓋体を支持する支柱と、
    を備え、
    前記支柱には、前記真空容器内を排気するための排気口が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 前記回転テーブルの回転方向に互いに離れて設けられ、前記基板に夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給するための第１の処理ガス供給部及び第２の処理ガス供給部と、
    前記第１の処理ガスが供給される第１の処理領域と第２の処理ガスが供給される第２の処理領域との雰囲気を分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に設けられ、分離ガス供給部から分離ガスを供給するための分離領域と、を備え、
    前記排気口は互いに区画された第１の排気口と第２の排気口とにより構成され、
    前記第１の排気口は、第１の処理ガス及び第２の処理ガスのうちの一方を限定的に排気し、第２の排気口は第１の処理ガス及び第２の処理ガスのうちの他方を限定的に排気することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記支柱は、前記容器本体に設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記支柱には、前記処理ガスを供給するための供給路が形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
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