JP6068255B2 - 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 - Google Patents

気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6068255B2
JP6068255B2 JP2013101258A JP2013101258A JP6068255B2 JP 6068255 B2 JP6068255 B2 JP 6068255B2 JP 2013101258 A JP2013101258 A JP 2013101258A JP 2013101258 A JP2013101258 A JP 2013101258A JP 6068255 B2 JP6068255 B2 JP 6068255B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
chamber
ceiling plate
cover
raising
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013101258A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014222693A (ja
Inventor
優哉 山岡
優哉 山岡
康右 内山
康右 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Nippon Sanso Corp filed Critical Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority to JP2013101258A priority Critical patent/JP6068255B2/ja
Publication of JP2014222693A publication Critical patent/JP2014222693A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6068255B2 publication Critical patent/JP6068255B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法に関する。
気相成長法は、薄膜の原料をガス状態にして基板上に供給し、化学反応により基板表面に原料を結晶成長（堆積・成膜）させる薄膜形成法である。例えば、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオードや紫色レーザダイオードの材料となる窒化ガリウム系半導体薄膜は、原料として有機金属を用いるＭＯＣＶＤ法により製造される。
半導体薄膜を成膜する気相成長装置としては、チャンバーの中央に配置されたノズルから、半導体薄膜の材料を含むプロセスガスを全方位の外周方向に供給し、ノズルの外周に配置した複数の基板上に、一度に半導体薄膜を気相成長させる自公転型ＭＯＣＶＤ装置が知られている。
このような自公転型ＭＯＣＶＤ装置においては、半導体薄膜の生産性を向上させるためにチャンバーの大型化が進められている。それに伴い、例えば天井板、サセプタカバーおよびサセプタ等のチャンバー内の部材が大型化している。また、チャンバー内の部材は、成膜を行う度に汚染されるため、定期的に洗浄、交換する必要がある。したがって、自公転型ＭＯＣＶＤ装置における半導体薄膜の生産性向上のためには、大型部材の確実かつ効率的なハンドリングが重要である。
上記部材のハンドリングを行う搬送機構を備えた自公転型ＭＯＣＶＤ装置として、例えば特許文献１には、チャンバー本体と、チャンバー蓋と、チャンバー本体内に設置されて基板が載置されたサセプタと、サセプタに対向するように配置された対向面部材とを備えた気相成長装置であって、対向面部材の保持と保持解除が可能な保持部を有するとともに対向面部材を保持部で保持して昇降可能に構成された対向面部材昇降機構と、対向面部材昇降機構に保持された対向面部材の下方に移動して平面視でサセプタを覆うように配置される搬送板を有するとともに搬送板に対向面部材を載置して搬送する搬送装置と、を備えた気相成長装置が開示されている。
特許文献１に開示されている気相成長装置では、チャンバー外に設けられた搬送ロボットにより、部材を個別にチャンバー内外へ搬送して交換することができる。
特開２０１１−２３５１９号公報
しかしながら、特許文献１に開示されている気相成長装置において、２つ以上の部材を交換する場合は、それらの部材を個別に搬送ロボットにて搬送するため、全ての部材の搬送を完了するまでに時間がかかり、半導体薄膜の生産性が低下してしまう問題があった。
そこで本発明は、気相成長装置における天井板、サセプタカバー、サセプタ等の部材のいずれか１つ以上または全部を同時にチャンバー内外へ搬送することにより、部材の搬送を完了するまでの時間を短縮するとともに、半導体薄膜の生産性を高めることを可能とする気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明によれば、チャンバー内に設置した複数の基板上に、気相成長法により薄膜を成膜する気相成長装置であって、下部チャンバーと、下部チャンバーに対して分割自在とされて前記下部チャンバーとともに前記チャンバーを構成する上部チャンバーと、前記下部チャンバー内に設置されて前記基板が載置されるサセプタと、前記サセプタ上に設置されたサセプタカバーと、前記サセプタの上方に配置されて前記サセプタとともに前記薄膜を成膜するためのプロセスガスの流路を区画形成する天井板と、前記サセプタと前記天井板との間に昇降可能に設置され、前記天井板を昇降自在に支持するとともに、前記プロセスガスの流路にプロセスガスを供給するノズル部と、前記サセプタと前記サセプタカバーのいずれか一方または両方を昇降させるサセプタ昇降機構と、前記天井板の外周部を支持するとともに、前記下部チャンバーまたは前記上部チャンバーのいずれか一方に着脱可能とされた天井板外周支持部と、前記チャンバー外に設置され、前記天井板、前記サセプタ、前記サセプタカバーのいずれか１つ以上または全部を前記チャンバーの内外に搬送させる搬送アームと、前記天井板、前記サセプタまたは前記サセプタカバーのいずれか１つ以上または全部をこれらの外周方向から支持可能な複数のアームよりなる仮受部と、前記ノズル部、前記サセプタ昇降機構、前記天井板外周支持部、前記仮受部および前記搬送アームの動作を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする気相成長装置が提供される。
また、請求項２に係る発明によれば、請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、前記天井板外周支持部を前記下部チャンバーに装着させる第１工程と、前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、前記ノズル部を上昇させることにより前記天井板を上昇させる第３工程と、前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバー及び前記サセプタを前記天井板と前記下部チャンバーの間に位置させる第４工程と、前記天井板、前記サセプタ、前記サセプタカバーを前記仮受部によって保持する第５工程と、前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記天井板、前記サセプタ、前記サセプタカバーを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第６工程と、を有し、前記第１〜第６工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法が提供される。
また、請求項３に係る発明によれば、請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、前記天井板外周支持部を前記上部チャンバーに装着させる第１工程と、前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバー及び前記サセプタを前記上部チャンバーと前記下部チャンバーの間に位置させる第３工程と、前記サセプタカバー及び前記サセプタを前記仮受部によって保持する第４工程と、前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記サセプタカバーと前記サセプタを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第５工程と、を有し、前記第１〜第５工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法が提供される。
また、請求項４に係る発明によれば、請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、前記天井板外周支持部を前記下部チャンバーに装着させる第１工程と、前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、前記ノズル部を上昇させることにより前記天井板を上昇させる第３工程と、前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバーのみを前記天井板と前記下部チャンバーの間に位置させる第４工程と、前記天井板、前記サセプタカバーを前記仮受部によって保持する第５工程と、前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記天井板と前記サセプタカバーを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第６工程と、を有し、前記第１〜第６工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法が提供される。
また、請求項５に係る発明によれば、請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、前記天井板外周支持部を前記上部チャンバーに装着させる第１工程と、前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバーのみを前記上部チャンバーと前記下部チャンバーの間に位置させる第３工程と、前記サセプタカバーを前記仮受部によって保持する第４工程と、前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記サセプタカバーを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第５工程と、を有し、前記第１〜第５工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法が提供される。
また、請求項６に係る発明によれば、請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、前記天井板外周支持部を前記下部チャンバーに装着させる第１工程と、前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、前記ノズル部を上昇させることにより前記天井板を上昇させる第３工程と、前記天井板を前記仮受部によって保持する第４工程と、前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記天井板を前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第５工程と、を有し、前記第１〜第５工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法が提供される。
本発明の気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法によれば、天井板の搬送時には、天井板がノズル部により、仮受部のアームによる支持が可能な高さまで上昇する。また、サセプタ、サセプタカバーのいずれか１つまたは両方の搬送時には、天井板が天井板外周支持部に支持されて上部チャンバーとともに上昇した後に、サセプタ、サセプタカバーのいずれか１つまたは両方がサセプタ昇降機構により、仮受部のアームによる支持が可能な高さまで上昇する。さらに、所定の高さに上昇した１つまたは複数の部材は、仮受部の複数のアームにより同時に外周方向から支持される。外周方向から支持されたこれらの部材は、仮受部と搬送アームとの間で一括して受け渡されるとともに、搬送アームによりチャンバー内外に搬送される。そして、制御部により、搬送対象の部材に合わせて、ノズル部、サセプタ昇降機構、天井板外周支持部、仮受部および搬送アームの各動作が制御される。
これにより、搬送する部材の数が単数であるか複数であるかに係わらず、搬送対象の全ての部材が同時にチャンバー内外へ搬送される。
このように、本発明によれば、気相成長装置における部材の搬送時間を大幅に短縮することができる。また、気相成長装置における部材の搬送時間の短縮により、半導体薄膜の生産性を高めることができる。
さらに、本発明によれば、気相成長装置において複数の部材を同時に搬送できるため、保持装置を用いる必要がなく、気相成長装置を含むシステム全体の省スペース化が可能になる。
上記のように、本発明の気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法は、天井板、サセプタカバー、サセプタ等の部材のいずれか１つ以上または全部を同時にチャンバー内外へ搬送する機構を備えることにより、気相成長装置における部材の搬送を完了するまでの時間を短縮するとともに、半導体薄膜の生産性を高めることができる。
本発明の第１実施形態に係る気相成長装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置の要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置の別の要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置のさらに別の要部の概略構成を示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る気相成長装置を用いた部材搬送方法の一工程を示す断面図である。
以下、本発明を適用した気相成長装置について、図１〜図４を参照し、説明する。また、図１〜図４においては、同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。なお、以下の説明で用いる図面は模式的なものであり、長さ、幅、および厚みの比率等は実際のものと同一とは限らない。
（第１実施形態）
本発明を適用した気相成長装置の一例として、図１に示すＭＯＣＶＤ装置（気相成長装置）１００の構成について、説明する。
図１に示すように、本実施形態のＭＯＣＶＤ装置１００は、下部チャンバー１と、上部チャンバー２と、サセプタ３と、サセプタカバー４と、天井板５と、ノズル部６と、サセプタ昇降機構１１と、天井板外周支持部１２と、搬送アーム１３と、仮受部１４と、制御部（図示略）と、を有する。
下部チャンバー１は、ＭＯＣＶＤ装置１００の下部構成要素であり、固定して設けられている。また、下部チャンバー１は、気相成長法による半導体薄膜の成膜が行われる空間を形成する凹部を有する。
上部チャンバー２は、下部チャンバー１の上方に、下部チャンバー１に対して分割自在となるように設置されている。下部チャンバー１と上部チャンバー２との分割の際には、通常、上部チャンバー２は上下方向のみに移動するが、所定の位置まで上下方向に移動した後、水平方向かつ後述する搬送アーム１３と干渉しない方向に移動してもよい。
また、上部チャンバー２は、下部チャンバー１とともにＭＯＣＶＤ装置１００のチャンバーを構成する。チャンバーは、気相成長により基板上に半導体薄膜を成膜するための反応炉として機能する。
下部チャンバー１および上部チャンバー２の材質には、耐食性に優れたステンレスを用いることができる。また、ＭＯＣＶＤ装置１００は、窒素雰囲気に保たれたグローブボックス内に設置される場合がある。グローブボックス内では、後述するようにチャンバー内外へ搬送アーム１３によって搬送される部材の交換のみが手動で行われ、その他の動作は全て制御部で制御される。これにより、半導体薄膜の成膜作業の信頼性が向上する。
サセプタ３は、下部チャンバー１内に設置された平面状部材である。サセプタ３の材質には、例えばカーボンを用いることができる。図２に示すように、サセプタ３の中心には貫通孔３Ｃが設けられており、貫通孔３Ｃには、ノズル部６の先端部が貫通している。
また、サセプタ３には、気相成長法により薄膜を成膜する基板（図示略）が載置される。具体的には、サセプタ３の外周方向に間隔を隔てて複数の開口部が設けられている。基板は、各開口部に設置される。なお、基板の材質は、成膜する半導体薄膜の材料に合わせて選択される。
さらに、サセプタ３には、その外周部に沿って複数の貫通孔３ｐが設けられている。後に説明するように貫通孔３ｐとサセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａとの位置を合わせたときには、突き上げ棒１１Ａが貫通孔３ｐを貫通する。
さらに、サセプタ３は、下部チャンバー１内に設置された図示しない中空回転機構の上端部に支持されて回転可能に設置されている。これにより、サセプタ３は下部チャンバー１の凹部内で回転する。
サセプタカバー４は、サセプタ３上に設置されている。また、サセプタカバー４は、ノズル部６から噴出されるプロセスガスの流路に露出しており、プロセスガスによる汚染や酸化等からサセプタ３を保護する。サセプタカバー４の材質には、例えば石英が用いられる。
天井板５は、サセプタ３の上方に、サセプタ３の上面と相互に間隔をあけて対向するように設置されている。図１に示すように、天井板５の外周部５ｂは、後述する天井板外周支持部１２と嵌合して支持可能とされている。また、天井板５の内周部５ａは、次に説明するノズル部６と嵌合して支持可能とされている。
また、天井板５は、サセプタ３とともに、半導体薄膜を成膜するためのプロセスガスの流路を区画形成する。ノズル部６から噴出されるプロセスガスは、サセプタ３と天井板５との間の空間で構成されるプロセスガスの流路内を、チャンバーの中央から外周に向かって流れる。これにより、サセプタ３に設置された基板の表面上に半導体薄膜が形成される。天井板５の材質には、例えば石英を用いることができる。
ノズル部６は、サセプタ３と天井板５との間に昇降可能に設置されている。また、ノズル部６は、天井板５を昇降自在に支持するとともに、プロセスガスの流路にプロセスガスを供給する。
具体的には、図１に示すように、ノズル部６は、突き上げノズル６Ａと、管状の固定ノズル６Ｂ，６Ｃ，６Ｄとを、順次中央から外周に間隔をあけて配置した構成となっている。成膜する半導体薄膜が窒化ガリウムである場合には、気相成長における原料として、有機金属とアンモニアを用いる。したがって、突き上げノズル６Ａと、固定ノズル６Ｂ，６Ｃ，６Ｄの各空隙からなるガス流路Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３には、図示略のプロセスガス供給部からそれぞれ、有機金属ガスと、アンモニアガスと、パージガスが供給される。ガス流路Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に供給された有機金属ガスと、アンモニアガスと、パージガスは、ノズル部６から噴出された後、サセプタ３と天井板５との間のプロセスガスの流路で混合される。
ノズル部６の突き上げノズル６Ａは、昇降可能に設けられており、固定ノズル６Ｂ，６Ｃ，６Ｄは、下部チャンバー１に固定されている。また、天井板５の内周部５ａは、突き上げノズル６Ａにより支持可能とされている。後に説明するように、天井板外周支持部１２が下部チャンバー１に装着され、天井板５と天井板外周支持部１２との嵌合が解除された際には、突き上げノズル６Ａの昇降に連動して、天井板５が昇降する。
なお、プロセスガスの材料は、成膜する半導体薄膜の種類等に合わせて選択される。したがって、ノズル部６は、図１に示す構成に限定されるものではなく、天井板５を昇降自在に支持可能であるとともに、プロセスガスの流路にプロセスガスを供給可能な構成であればよい。
サセプタ昇降機構１１は、サセプタ３とサセプタカバー４のいずれか一方または両方を昇降させる。具体的には、サセプタ昇降機構１１は、図１に示す複数の突き上げ棒１１Ａと、各突き上げ棒を昇降させる図示略の駆動部と、からなる。
突き上げ棒１１Ａは、サセプタ３の下からサセプタ３を支持して、サセプタ３と、その上に設置されているサセプタカバー４を昇降可能としている。また、図２に示すように、サセプタ３に設けられた複数の貫通孔３ｐと複数の突き上げ棒１１Ａの配置は、相対的に平面視で一致している。サセプタ３は、前述のように中空回転機構により回転自在とされているため、突き上げ棒１１Ａと貫通孔３ｐとの位置を合わせたときには、突き上げ棒１１Ａを上昇させる際に、貫通孔３ｐを貫通させることにより、サセプタ３はその位置（高さ）を保持したまま、サセプタカバー４のみを突き上げ棒１１Ａで上昇させることができる。
突き上げ棒１１Ａおよび貫通孔３ｐは、サセプタ３の外周方向に等間隔かつ３箇所以上設置されることが好ましい。これにより、上記のようにサセプタカバー４のみを上昇させる際に、安定してサセプタカバー４が支持される。
天井板外周支持部１２は、図１に示すように、天井板５の外周部５ｂを嵌合して支持するとともに、下部チャンバー１または上部チャンバー２のいずれか一方に着脱可能に設置されている。天井板外周支持部１２が下部チャンバー１に装着されると、天井板外周支持部１２と天井板５の外周部５ｂとの嵌合が解除され、天井板５の内周部５ａがノズル部６の突き上げノズル６Ａで支持されることにより、天井板５が昇降自在になる。一方、天井板外周支持部１２が上部チャンバー２に装着されると、天井板外周支持部１２と天井板５の外周部５ｂとの嵌合が保持され、チャンバーの開放時に、上部チャンバー２の昇降と連動して、天井板外周支持部１２および天井板５が昇降する。したがって、後に気相成長装置の部材搬送方法で説明するように、天井板外周支持部１２は、天井板５を搬送する時には下部チャンバー１に装着され、薄膜の成膜時および天井板５を搬送しない時には上部チャンバー２に装着される。
搬送アーム１３は、チャンバー外に設置され、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５のいずれか１つ以上または全部をチャンバーの内外に搬送する。図１および図３に示すように、搬送アーム１３は、板状の上段部１３Ａと、板状の下段部１３Ｂと、上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂを連結する連結部１３Ｃと、連結部１３Ｃに接続されたアーム部１３Ｄと、から構成されている。上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂの面積は、搬送対象の部材であるサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５の大きさを勘案して設定される。上段部１３Ａと下段部１３Ｂの間隔、すなわち連結部１３Ｃの高さは、ノズル部６の突き上げノズル６Ａの稼動範囲、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａの稼動範囲、および次に説明する仮受部１４の複数のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの形状を勘案して、搬送アームの上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂと、仮受部１４の上段支持部１４ａおよび下段支持部１４ｂとの間で搬送対象の部材の受け渡しが円滑に行われるように設定される。
また、上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂは、平面視したときに、図３に示すように、基端部１３Ｘと、基端部１３Ｘから突出した一対の支持アーム部１３Ｙと、から形成されている。言い換えると、上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂは、平面視円形状の板２０に、一対の測端切欠部１８と、一対の測端切欠部１８の間に設けられた中央切欠部１９を設けた形状となっている。一対の測端切欠部１８と中央切欠部１９との間に、支持アーム部１３Ｙが位置する関係になっている。
測端切欠部１８および中央切欠部１９の長さおよび幅は、搬送アーム１３がチャンバー内に搬入された状態で平面視したときに、上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂが、突き上げノズル６Ａおよび突き上げ棒１１Ａと干渉せず、さらにサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５のいずれか１つ以上または全部を支持する仮受部１４の複数のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃとも干渉しないように設定される。
仮受部１４は、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５のいずれか１つ以上または全部をこれらの外周方向から支持可能な複数のアームから、構成されている。図１には、一例として、３つのアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃからなる仮受部１４の構成を示しているが、搬送対象の部材を安定して支持できればよく、アームの形状、配置および数は特に限定されない。複数のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは、チャンバーが開放されていない時、すなわち下部チャンバー１に上部チャンバー２が密着している時には、チャンバー外に退避している。
仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは、搬送アーム１３との搬送対象の部材の受け渡しを行う際に、下部チャンバー１と上昇した上部チャンバー２の中空で、図４（ａ），（ｂ）に示すように、部材を外周方向から支持する。アーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ、上段支持部１４ａと下段支持部１４ｂとを有する。上段支持部１４ａと下段支持部１４ｂの間隔は、搬送アーム１３の上段部１３Ａおよび下段部１３Ｂの高さを勘案して設定される。部材を支持する際には、上段支持部１４ａで天井板５を、下段支持部１４ｂでサセプタ３、サセプタカバー４のいずれか一方または両方を、図示略の部材押さえで外周から中心に向かって等しく押さえることにより支持する。なお、図４（ａ），（ｂ）には、天井板５の外径がサセプタ３及びサセプタカバー４の外径より大きい場合のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの形状を例示しているが、アーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは複数の部材を同時に支持できればよく、この形状に限定されない。
制御部は、ノズル部６、サセプタ昇降機構１１、天井板外周支持部１２、搬送アーム１３、仮受部１４の動作を制御する。具体的には、搬送対象の部材に合わせて、ノズル部６の突き上げノズル６Ａの昇降、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａを昇降させるための駆動部の動作、天井板外周支持部１２の下部チャンバー１または上部チャンバー２への装着及び上部チャンバー２の昇降、搬送アーム１３のチャンバー内外への搬送、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの移動及び部材の支持及び支持解除の動作を制御する。なお、制御部の設置場所は、ノズル部６、サセプタ昇降機構１１、天井板外周支持部１２、搬送アーム１３、仮受部１４の動作の制御が可能であれば、特に限定されない。
本実施形態のＭＯＣＶＤ装置１００においては、天井板５はノズル部６の突き上げノズル６Ａにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａによる支持が可能な位置まで上昇する。また、サセプタ３、サセプタカバー４のいずれか１つまたは両方は、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの下段支持部１４ｂによる支持が可能な位置まで上昇する。そして、搬送対象の部材に合わせて、制御部によりノズル部６の突き上げノズル６Ａの昇降と、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａを昇降させるための駆動部の動作と、天井板外周支持部１２の下部チャンバー１または上部チャンバー２への装着、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの移動及び部材支持の動作が制御される。
さらに、搬送対象の部材は、ノズル部６の突き上げノズル６Ａ及びサセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａと、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａ及び下段支持部１４ｂとの間で一括して受け渡しがなされるとともに、仮受部１４の上段支持部１４ａ及び下段支持部１４ｂと、搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂとの間で一括して受け渡され、搬送アーム１３によりチャンバー内外に搬送される。そして、制御部により、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの部材の支持及び支持解除、搬送アーム１３のチャンバー内外への搬送等の動作が制御される。これにより、搬送する部材の数が単数であるか複数であるかに係わらず、搬送対象の全ての部材が同時にチャンバー内外へ搬送される。
上記のように、本実施形態のＭＯＣＶＤ装置１００には、天井板５、サセプタカバー４、サセプタ３のいずれか１つ以上または全部を同時にチャンバー内外へ搬送する機構が設けられている。その結果、気相成長装置における部材の交換を完了するまでの時間が短縮されるとともに、半導体薄膜の生産性が向上する。
次いで、ＭＯＣＶＤ装置１００を用いた部材搬送方法について、図５〜図１９を参照しながら説明する。
ＭＯＣＶＤ装置１００の搬送対象の部材の組み合わせとしては、（１）サセプタ３とサセプタカバー４と天井板５、（２）サセプタ３とサセプタカバー４、（３）サセプタカバー４と天井板５、（４）サセプタカバー４、（５）天井板５、の５通りが挙げられる。なお、サセプタ３のみを交換する、あるいはサセプタカバー４を交換せずにサセプタ３と天井板５を交換する場合については、サセプタ３よりもプロセスガスの流路に露出しているサセプタカバー４の方が汚染され易い、あるいは損傷し易く、サセプタ３よりもサセプタカバー４の交換頻度が高い点、及び構造上、サセプタ３のみを昇降させることは困難である点から、想定され難いため、ＭＯＣＶＤ装置１００の搬送対象の部材の組み合わせからは除外する。
＜（１）サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５の搬送方法＞
始めに、（１）サセプタ３とサセプタカバー４と天井板５の搬送を行う方法について説明する。図１に示すＭＯＣＶＤ装置１００の部材の位置を、各部材の初期位置とする。なお、各部材の初期位置は、後述する（２）〜（５）の部材搬送方法においても同一とする。また、各工程におけるＭＯＣＶＤ装置１００の構成要素の動作は、制御部により制御する。
初期位置において、上部チャンバー２は、下部チャンバー１に接している。すなわち、チャンバーは閉じた状態になっている。サセプタ３及びサセプタカバー４は、中空回転機構（図示略）に支持されている。天井板５は、内周部５ａが突き上げノズル６Ａに支持されるとともに、外周部５ｂが天井板外周支持部１２に嵌合して支持されている。サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａは、先端部がサセプタ３の底面よりも下方に位置している。天井板外周支持部１２は、上部チャンバー２の外周に装着されている。さらに、搬送アーム１３及び仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはチャンバー外に退避している。
次に、以下に説明する第１〜第６工程を順次行う。
（第１工程）
先ず、天井板外周支持部１２を下部チャンバー１に装着する。
（第２工程）
次に、上部チャンバー２を初期位置から搬送アーム１３の上段部１３Ａよりも高い位置（以降、「開放位置」と記載する）まで上昇させ、チャンバーを開放する。第１工程において、天井板外周支持部１２は下部チャンバー１に装着されているため、本工程では、天井板５は初期位置に留まっている。
（第３工程）
次に、天井板５の内周部５ａをノズル部６の突き上げノズル６Ａにより支持したままの状態で、突き上げノズル６Ａを初期位置から搬送アーム１３の上段部１３Ａの位置（以降、「第１上昇位置」と記載する）まで上昇させる。これにより、天井板５が初期位置から第１上昇位置まで上昇する。
第３工程完了時に、突き上げ棒１１Ａが初期位置から上昇するとサセプタ３の貫通孔３ｐを貫通する位置にある場合は、第３工程と次に説明する第４工程との間で、中空回転機構を用いて、突き上げ棒１１Ａが貫通孔３ｐを貫通しない位置に、サセプタ３を回転させる。
（第４工程）
次に、サセプタ昇降機構１１の駆動部により、突き上げ棒１１Ａを初期位置からサセプタ３の貫通孔３ｐを貫通させずに、天井板５の第１上昇位置と下部チャンバー１の初期位置との間、具体的には搬送アーム１３の上段部１３Ａの位置（以降、「第２上昇位置」と記載する）まで上昇させる。これにより、サセプタ３とサセプタカバー４が初期位置から第２上昇位置まで上昇する（図５参照）。
（第５工程）
次に、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを初期位置から、第１及び第２の上昇位置に向かって移動させ、第１上昇位置に支持されている天井板５と、第２上昇位置に支持されているサセプタ３及びサセプタカバー４をそれぞれ、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａと下段支持部１４ｂで外周方向から支持する。このときの仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの位置を「支持位置」とする。
上記により、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５が下部チャンバー１の初期位置と上部チャンバー２の開放位置との間の中空で支持される。その後、突き上げノズル６Ａ及び突き上げ棒１１Ａをそれぞれ、第１上昇位置及び第２上昇位置から下降させる。前述のように、平面視で突き上げノズル６Ａ及び突き上げ棒１１Ａと、搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂとは、干渉しないため、突き上げノズル６Ａ及び突き上げ棒１１Ａの下降完了時の位置（以降、「下降位置」と記載する）は、初期位置と一致しなくてもよい。
（第６工程）
次に、仮受部１４によって３方から支持されたサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５に対して、搬送アーム１３を水平方向（図１に示すＸ方向）からチャンバー内の所定の位置（以降、「所定位置」と記載する）に挿入する。搬送アーム１３が挿入されたときに、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃが搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂの測端切欠部１８または中央切欠部１９に位置するようになるため、搬送アーム１３と仮受部１４は干渉しない。
搬送アーム１３の挿入後に、仮受部１４を下降させて、アーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによるサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５の支持を解除する。これにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃから搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂに、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５を同時に受け渡させる（図６参照）。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを支持位置から初期位置まで退避させる。また、搬送アーム１３を水平方向に引き出し、チャンバー外の初期位置に退避させる（図７参照）。これにより、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５が一括してチャンバー外へ搬出される。
以上、第１〜第６工程を順次行うことにより、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５を同時にチャンバー内からチャンバー外へ搬出する。この後、搬出した複数の部材を、チャンバー外で洗浄及び交換することができる。
サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に搬入する場合は、先ず、初期位置の搬送アームの上段部１３Ａに天井板５を置き、下段部１３Ｂにサセプタ３、サセプタカバー４を置く。続いて、これらの部材の搬出時と逆の手順で、第６〜第１工程を順次行う。
また、第５工程において、天井板５とサセプタ３とサセプタカバー４とを、仮受部１４で保持する際には、これらの部材の中心位置とチャンバー（特に、下部チャンバー１）の中心位置とを一致させるように、各部材の外周部を中心に向かって、軽く押圧して保持することで、各部材をチャンバー内の正確な位置に確実に設置するように搬入することができる。
上記（１）サセプタ３とサセプタカバー４と天井板５の搬送方法によれば、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５の全ての部材をチャンバー内外へ搬送する際に、ノズル部６の突き出しノズル６Ａにより、天井板５を初期位置と第１上昇位置との間で昇降させる。また、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａにより、サセプタ３及びサセプタカバー４を初期位置と第２上昇位置との間で昇降させる。その後、第１上昇位置の天井板５と、第２上昇位置のサセプタ３及びサセプタカバー４を、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａ及び下段支持部１４ｂとの間で同時に受け渡させる。また、仮受部１４の上段支持部１４ａ及び下段支持部１４ｂにより支持された天井板５及びサセプタ３、サセプタカバー４を、搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂとの間で同時に受け渡させる。これにより、従来は個別に搬送していたサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５の３つの部材を、同時にチャンバー内外へ搬送することができる。
また、第５工程は省略してもよい。この場合、ノズル部６の突き出しノズル６Ａにより初期位置と第１昇降位置との間で昇降させた天井板５と、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａにより初期位置と第２昇降位置との間で昇降させたサセプタ３及びサセプタカバー４とは、仮受部１４で支持されない。また、天井板５及びサセプタ３、サセプタカバー４を、搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂとの間で同時に受け渡させることとなる。
特に、搬出の第５工程を省略することで、搬出対象となるサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に残したまま、搬入対象となるサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に搬入することもできる。
具体的には、第一工程前に搬出するサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に残したまま、搬入するサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５を初期位置の搬送アーム１３に設置する。続いて、第１工程から第４工程を行う。
搬送アーム１３には搬入する各部材が置かれていない状態であるから、この状態から本方法で搬出すべき各部材が搬出可能となる。そこで、第４工程を経て第５工程を省略し搬出する各部材を搬送アーム１３に設置する。次いで、第６工程を経て搬出する各部材をチャンバー外へ搬出することができる。
上記の結果、サセプタ３、サセプタカバー４、天井板５の３つの部材を搬送する時間を大幅に短縮することができる。例えば、従来のＭＯＣＶＤ装置では３つの部材の搬入に約１７分かかっていたのに対して、本実施形態のＭＯＣＶＤ装置１００では同じ３つの部材の搬送を約８分で行うことができる。結果として、ＭＯＣＶＤ装置における部材の搬送時間の短縮により、半導体薄膜の生産性を高めることができる。
また、個別に部材を搬送する従来のＭＯＣＶＤ装置においては、搬送アームによりチャンバー外へ搬出した部材を一旦保持する保持装置を用いていた。しかしながら、本実施形態のＭＯＣＶＤ装置１００では、同時に複数の部材を搬送できるため、保持装置を用いる必要がなく、ＭＯＣＶＤ装置を含むシステム全体の省スペース化が可能になる。省スペース化の効果は、以下で説明する（２）〜（５）の部材搬送方法においても同様に得られる。
＜（２）サセプタ３、サセプタカバー４の搬送方法＞
次いで、（２）サセプタ３とサセプタカバー４の搬送を行う方法について説明する。
以下に説明する第１〜第５工程を順次行う。
（第１工程）
先ず、天井板外周支持部１２を上部チャンバー２に装着する。
（第２工程）
次に、上部チャンバー２を初期位置から開放位置まで上昇させ、チャンバーを開放する。第１工程において、天井板外周支持部１２は上部チャンバー２に装着されているため、本工程では、天井板５の外周部５ｂが天井板外周支持部１２と嵌合しており、天井板５は開放位置まで上昇する。
第２工程完了時に、突き上げ棒１１Ａが、初期位置から上昇するとサセプタ３の貫通孔３ｐを貫通する位置にある場合は、第２工程と次に説明する第３工程との間で、中空回転機構を用いて、突き上げ棒１１Ａが貫通孔３ｐを貫通しない位置に、サセプタ３を回転させる。
（第３工程）
次に、（１）の部材搬送方法の第４工程と同じ工程を行う。これにより、サセプタ３とサセプタカバー４が初期位置から第２上昇位置まで上昇する（図８参照）。
（第４工程）
次に、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを初期位置から支持位置まで移動させる。これにより、サセプタ３、サセプタカバー４が、仮受部１４の下段支持部１４ｂにより下部チャンバー１の初期位置と上部チャンバー２の開放位置との間の中空に支持される。その後、突き上げノズル６Ａ及び突き上げ棒１１Ａをそれぞれ、第１上昇位置及び第２上昇位置から下降位置まで下降させる。
（第５工程）
次に、搬送アーム１３を初期位置から所定位置に搬送する。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによるサセプタ３、サセプタカバー４の支持を解除する。これにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの下段支持部１４ｂから搬送アーム１３の下段部１３Ｂに、サセプタ３、サセプタカバー４を同時に受け渡させる（図９参照）。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを支持位置から初期位置まで退避させる。また、搬送アーム１３を初期位置のチャンバー外まで退避させる（図１０参照）。
以上、第１〜第５工程を順次行うことにより、サセプタ３とサセプタカバー４を同時にチャンバー外へ搬出できる。この後、搬出した複数の部材を、チャンバー外で洗浄及び交換することができる。（１）の部材搬送方法と同様に、サセプタ３、サセプタカバー４をチャンバー内に搬入する場合は、先ず、初期位置の搬送アームの下段部１３Ｂにサセプタ３とサセプタカバー４を置き、その後、これらの部材の搬出時と逆の手順で、第５〜第１工程を順次行う。
また、第５工程において、天井板５とサセプタ３とサセプタカバー４とを、仮受部１４で保持する際には、これらの部材の中心位置とチャンバー（特に、下部チャンバー１）の中心位置とを一致させるように、各部材の外周部を中心に向かって、軽く押圧して保持することで、各部材をチャンバー内の正確な位置に確実に設置するように搬入できる。
上記（２）サセプタ３とサセプタカバー４の搬送方法によれば、サセプタ３、サセプタカバー４の全ての部材をチャンバー内外へ搬送する際に、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａにより、サセプタ３及びサセプタカバー４を初期位置と第２上昇位置との間で昇降させる。その後、第２上昇位置のサセプタ３及びサセプタカバー４を、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの下段支持部１４ｂとの間で同時に受け渡させる。また、仮受部１４の下段支持部１４ｂにより支持されたサセプタ３、サセプタカバー４を、搬送アーム１３の下段部１３Ｂとの間で同時に受け渡させる。これにより、従来は個別に搬送していたサセプタ３、サセプタカバー４の２つの部材を、同時にチャンバー内外へ搬送することができる。これにより、サセプタ３、サセプタカバー４のチャンバー内外への搬送にかかる時間を短縮できる。
また、第５工程は省略してもよい。この場合、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａにより初期位置と第２昇降位置との間で昇降させたサセプタ３及びサセプタカバー４とは、仮受部１４で支持されず、サセプタ３、サセプタカバー４を、搬送アーム１３の下段部１３Ｂとの間で同時に受け渡させる。
特に、搬出の第５工程を省略することで、搬出対象となるサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に残したまま、搬入対象となるサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に搬入することもできる。
具体的には、第一工程前に搬出するサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に残したまま、搬入するサセプタ３、サセプタカバー４、天井板５を初期位置の搬送アーム１３に設置する。続いて、第１工程から第４工程を行う。
搬送アーム１３には搬入する各部材が置かれていない状態であるから、この状態から本方法で搬出すべき各部材が搬出可能となる。そこで、第４工程を経て第５工程を省略し搬出する各部材を搬送アーム１３に設置する。次いで、第６工程を経て搬出する各部材をチャンバー外へ搬出することができる。
＜（３）サセプタカバー４、天井板５の搬送方法＞
次いで、（３）サセプタカバー４と天井板５の搬送を行う方法について説明する。この方法では、（１）の部材搬送方法の第１〜第３工程を順次同様に行う。
第３工程完了時に、突き上げ棒１１Ａが、初期位置から上昇するとサセプタ３の貫通孔３ｐを貫通する位置からずれている場合は、第３工程と第４工程との間で、中空回転機構を用いて、突き上げ棒１１Ａが貫通孔３ｐを貫通する位置に、サセプタ３を回転させる。
（第４工程）
次に、サセプタ昇降機構１１の駆動部により、突き上げ棒１１Ａを初期位置からサセプタ３の貫通孔３ｐを貫通させて、初期位置から第２上昇位置まで上昇させる（図１１参照）。これにより、サセプタカバー４のみが初期位置から第２上昇位置まで上昇する。また、サセプタ３は、初期位置に留まる。
（第５工程）
次に、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを初期位置から支持位置に移動させ、第１上昇位置に支持されている天井板５と、第２上昇位置に支持されているサセプタカバー４をそれぞれ、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａと下段支持部１４ｂで外周方向から支持する。これにより、サセプタカバー４と天井板５が下部チャンバー１の初期位置と上部チャンバー２の開放位置との間の中空で支持される。その後、突き上げノズル６Ａ及び突き上げ棒１１Ａをそれぞれ、第１上昇位置及び第２上昇位置から下降位置まで下降させる。
（第６工程）
次に、搬送アーム１３を初期位置から所定位置に移動させる。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによるサセプタカバー４、天井板５の支持を解除する。これにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃから搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂに、サセプタカバー４、天井板５を同時に受け渡させる（図１２参照）。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを支持位置から初期位置まで退避させる。また、搬送アーム１３を初期位置のチャンバー外まで退避させる（図１３参照）。
以上、第１〜第６工程を順次行うことにより、サセプタカバー４、天井板５を同時にチャンバー外へ搬出できる。この後、搬出した複数の部材を、チャンバー外で洗浄及び交換することができる。（１）の部材搬送方法と同様に、サセプタカバー４、天井板５をチャンバー内に搬入する場合は、先ず、初期位置の搬送アームの上段部１３Ａに天井板５を置き、下段部１３Ｂにサセプタカバー４を置く。続いて、これらの部材の搬出時と逆の手順で、第６〜第１工程を順次行う。
上記（３）サセプタカバー４と天井板５の搬送方法によれば、サセプタカバー４、天井板５の全ての部材をチャンバー内外へ搬送する際に、ノズル部６の突き出しノズル６Ａにより、天井板５を初期位置と第１上昇位置との間で昇降させる。また、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａをサセプタ３の貫通孔３ｐに貫通させて、サセプタカバー４のみを初期位置と第２上昇位置との間で昇降させる。その後、第１上昇位置の天井板５と、第２上昇位置のサセプタカバー４を、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａ及び下段支持部１４ｂとの間で同時に受け渡させる。また、仮受部１４の上段支持部１４ａ及び下段支持部１４ｂにより支持された天井板５及びサセプタカバー４を、搬送アーム１３の上段部１３Ａ及び下段部１３Ｂとの間で同時に受け渡させる。これにより、従来は個別に搬送していたサセプタカバー４、天井板５の２つの部材を、同時にチャンバー内外へ搬送することができる。
上記により、サセプタカバー４、天井板５のチャンバー内外への搬送にかかる時間を短縮できる。特に、サセプタカバー４と天井板５は、プロセスガスの流路に露出しているため、汚染または損傷し易い部材であり、チャンバー内外への搬送頻度が高い。したがって、これらの部材の搬送時間の短縮により、ＭＯＣＶＤ装置１００における半導体薄膜の生産性を極めて高めることができる。
＜（４）サセプタカバー４の搬送方法＞
次いで、（４）サセプタカバー４の搬送を行う方法について説明する。この方法では、（２）の部材搬送方法の第１，第２工程を順次同様に行う。
第２工程完了時に、突き上げ棒１１Ａが、初期位置から上昇するとサセプタ３の貫通孔３ｐを貫通する位置からずれている場合には、第３工程と第４工程との間で、中空回転機構を用いて、突き上げ棒１１Ａが貫通孔３ｐを貫通する位置に、サセプタ３を回転させる。
（第３工程）
次に、（３）の部材搬送方法における第４工程と同様の工程を行う（図１４参照）。
（第４工程）
次に、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを初期位置から支持位置に移動させ、第２上昇位置に支持されているサセプタカバー４を、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの下段支持部１４ｂで外周方向から支持する。これにより、サセプタカバー４が下部チャンバー１の初期位置と上部チャンバー２の開放位置との間の中空で支持される。その後、突き上げ棒１１Ａをそれぞれ、第１上昇位置及び第２上昇位置から下降位置まで下降させる。
（第５工程）
次に、搬送アーム１３を初期位置から所定位置に移動させる。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによるサセプタカバー４の支持を解除する。これにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃから搬送アーム１３の下段部１３Ｂに、サセプタカバー４を受け渡させる（図１５参照）。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを支持位置から初期位置まで退避させる。また、搬送アーム１３を初期位置のチャンバー外まで退避させる（図１６参照）。
以上、第１〜第５工程を順次行うことにより、サセプタカバー４を同時にチャンバー外へ搬出できる。この後、搬出したサセプタカバー４を、チャンバー外で洗浄及び交換することができる。（１）の部材搬送方法と同様に、サセプタカバー４をチャンバー内に搬入する場合は、先ず、初期位置の搬送アームの下段部１３Ｂにサセプタカバー４を設置する。続いて、サセプタカバー４の搬出時と逆の手順で、第５〜第１工程を順次行う。
＜（５）天井板５の搬送方法＞
引き続き、（５）天井板５の搬送を行う方法について説明する。この方法では、（１）の部材搬送方法の第１〜第３工程を順次同様に行う（図１７参照）。
（第４工程）
次に、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを初期位置から支持位置に移動させ、第１上昇位置に支持されている天井板５を、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａで外周方向から支持する。これにより、天井板５が下部チャンバー１の初期位置と上部チャンバー２の開放位置との間の中空で支持される。その後、突き上げノズル６Ａを第１上昇位置から下降位置まで下降させる。
（第５工程）
次に、搬送アーム１３を初期位置から所定位置に移動させる。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによる天井板５の支持を解除する。これにより、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃから搬送アーム１３の上段部１３Ａに、天井板５を受け渡させる（図１８参照）。その後、仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを支持位置から初期位置まで退避させる。また、搬送アーム１３を初期位置のチャンバー外まで退避させる（図１９参照）。
以上、第１〜第５工程を順次行うことにより、天井板５をチャンバー外へ搬出できる。この後、搬出した天井板５を、チャンバー外で洗浄及び交換する。（１）の部材搬送方法と同様に、天井板５をチャンバー内に搬入する場合は、先ず、初期位置の搬送アームの上段部１３Ａに天井板５を設置する。続いて、これらの部材の搬出時と逆の手順で、第５〜第１工程を順次行う。
上記（４）サセプタカバー４、あるいは（５）天井板５の搬送方法によれば、サセプタ昇降機構１１の突き上げ棒１１Ａをサセプタ３の貫通孔３ｐに貫通させて、サセプタカバー４を初期位置と第２上昇位置との間で昇降させる。また、ノズル部６の突き出しノズル６Ａにより、天井板５を初期位置と第１上昇位置との間で昇降させる。さらに、第１上昇位置の天井板５、あるいは第２上昇位置のサセプタカバー４を、それぞれ仮受部１４のアーム１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの上段支持部１４ａ、あるいは下段支持部１４ｂとの間で受け渡させる。また、仮受部１４の上段支持部１４ａにより支持された天井板５、あるいは下段支持部１４ｂにより支持されたサセプタカバー４を、搬送アーム１３の上段部１３Ａ、あるいは下段部１３Ｂとの間で受け渡させる。これにより、従来と同様にサセプタカバー４、あるいは天井板５を、個別にチャンバー内外へ搬送することもできる。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１…下部チャンバー、２…上部チャンバー、３…サセプタ、３Ｃ，３ｐ…貫通孔、４…サセプタカバー、５…天井板、５ａ…内周部、５ｂ，６ｂ…外周部、６…ノズル部、６Ａ…突き上げノズル、６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ…固定ノズル、１１…サセプタ昇降機構、１１Ａ…突き上げ棒、１２…天井板外周支持部、１３…搬送アーム、１３Ａ…上段部、１３Ｂ…下段部、１３Ｃ…連結部、１３Ｄ…アーム部、１４…仮受部、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…アーム、１４ａ…上段支持部、１４ｂ…下段支持部、１５…制御部、１８…側端切欠部、１９…中央切欠部、１００…ＭＯＣＶＤ装置（気相成長装置）

Claims (6)

  1. チャンバー内に設置した複数の基板上に、気相成長法により薄膜を成膜する気相成長装置であって、
    下部チャンバーと、下部チャンバーに対して分割自在とされて前記下部チャンバーとともに前記チャンバーを構成する上部チャンバーと、
    前記下部チャンバー内に設置されて前記基板が載置されるサセプタと、
    前記サセプタ上に設置されたサセプタカバーと、
    前記サセプタの上方に配置されて前記サセプタとともに前記薄膜を成膜するためのプロセスガスの流路を区画形成する天井板と、
    前記サセプタと前記天井板との間に昇降可能に設置され、前記天井板を昇降自在に支持するとともに、前記プロセスガスの流路にプロセスガスを供給するノズル部と、
    前記サセプタと前記サセプタカバーのいずれか一方または両方を昇降させるサセプタ昇降機構と、
    前記天井板の外周部を支持するとともに、前記下部チャンバーまたは前記上部チャンバーのいずれか一方に着脱可能とされた天井板外周支持部と、
    前記チャンバー外に設置され、前記天井板、前記サセプタ、前記サセプタカバーのいずれか１つ以上または全部を前記チャンバーの内外に搬送させる搬送アームと、
    前記天井板、前記サセプタまたは前記サセプタカバーのいずれか１つ以上または全部をこれらの外周方向から支持可能な複数のアームよりなる仮受部と、
    前記ノズル部、前記サセプタ昇降機構、前記天井板外周支持部、前記仮受部及び前記搬送アームの動作を制御する制御部と、
    を備えたことを特徴とする気相成長装置。
  2. 請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、
    前記天井板外周支持部を前記下部チャンバーに装着させる第１工程と、
    前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、
    前記ノズル部を上昇させることにより前記天井板を上昇させる第３工程と、
    前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバー及び前記サセプタを前記天井板と前記下部チャンバーの間に位置させる第４工程と、
    前記天井板、前記サセプタ、前記サセプタカバーを前記仮受部によって保持する第５工程と、
    前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記天井板、前記サセプタ、前記サセプタカバーを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第６工程と、
    を有し、前記第１〜第６工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法。
  3. 請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、
    前記天井板外周支持部を前記上部チャンバーに装着させる第１工程と、
    前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、
    前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバー及び前記サセプタを前記上部チャンバーと前記下部チャンバーの間に位置させる第３工程と、
    前記サセプタカバー及び前記サセプタを前記仮受部によって保持する第４工程と、
    前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記サセプタカバーと前記サセプタを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第５工程と、
    を有し、前記第１〜第５工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法。
  4. 請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、
    前記天井板外周支持部を前記下部チャンバーに装着させる第１工程と、
    前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、
    前記ノズル部を上昇させることにより前記天井板を上昇させる第３工程と、
    前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバーのみを前記天井板と前記下部チャンバーの間に位置させる第４工程と、
    前記天井板、前記サセプタカバーを前記仮受部によって保持する第５工程と、
    前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記天井板と前記サセプタカバーを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第６工程と、
    を有し、前記第１〜第６工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法。
  5. 請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、
    前記天井板外周支持部を前記上部チャンバーに装着させる第１工程と、
    前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、
    前記サセプタ昇降機構を上昇させることにより前記サセプタカバーのみを前記上部チャンバーと前記下部チャンバーの間に位置させる第３工程と、
    前記サセプタカバーを前記仮受部によって保持する第４工程と、
    前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記サセプタカバーを前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第５工程と、
    を有し、前記第１〜第５工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法。
  6. 請求項１に記載の気相成長装置を用いた部材搬送方法であって、
    前記天井板外周支持部を前記下部チャンバーに装着させる第１工程と、
    前記上部チャンバーを上昇させて前記チャンバーを開放する第２工程と、
    前記ノズル部を上昇させることにより前記天井板を上昇させる第３工程と、
    前記天井板を前記仮受部によって保持する第４工程と、
    前記搬送アームを前記チャンバー内に搬送して、前記天井板を前記仮受部から前記搬送アームに受け渡させた後、前記搬送アームを前記チャンバー外に搬送する第５工程と、
    を有し、前記第１〜第５工程を順次行うことを特徴とする気相成長装置の部材搬送方法。

JP2013101258A 2013-05-13 2013-05-13 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 Active JP6068255B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013101258A JP6068255B2 (ja) 2013-05-13 2013-05-13 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013101258A JP6068255B2 (ja) 2013-05-13 2013-05-13 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014222693A JP2014222693A (ja) 2014-11-27
JP6068255B2 true JP6068255B2 (ja) 2017-01-25

Family

ID=52122094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013101258A Active JP6068255B2 (ja) 2013-05-13 2013-05-13 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6068255B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022079954A1 (ja) 2020-10-12 2022-04-21 エピクルー株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
KR20230075393A (ko) 2020-09-28 2023-05-31 에피크루 가부시키가이샤 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법

Families Citing this family (221)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6398761B2 (ja) * 2015-02-04 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
JP6668206B2 (ja) * 2016-09-14 2020-03-18 株式会社東芝 成膜装置、および成膜方法
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) * 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN114026675A (zh) 2019-07-25 2022-02-08 爱必克股份有限公司 外延生长装置的工艺腔室
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN112779507B (zh) * 2019-11-11 2024-02-09 株式会社新柯隆 成膜装置
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3909608B2 (ja) * 1994-09-30 2007-04-25 株式会社アルバック 真空処理装置
JPH10223722A (ja) * 1997-02-05 1998-08-21 Hitachi Ltd 半導体処理装置
JP3470557B2 (ja) * 1997-06-27 2003-11-25 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP2001267254A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2009130240A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置と基板処理システムおよびプラズマ処理方法
JP5260375B2 (ja) * 2009-03-26 2013-08-14 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP5317278B2 (ja) * 2009-04-28 2013-10-16 大陽日酸株式会社 気相成長装置、気相成長装置における対向面部材またはサセプタ上面カバー取外し方法
JP2011258859A (ja) * 2010-06-11 2011-12-22 Toshiba Corp 薄膜形成装置
JP5791329B2 (ja) * 2011-03-31 2015-10-07 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP6059940B2 (ja) * 2012-10-04 2017-01-11 大陽日酸株式会社 気相成長装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230075393A (ko) 2020-09-28 2023-05-31 에피크루 가부시키가이샤 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
WO2022079954A1 (ja) 2020-10-12 2022-04-21 エピクルー株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
KR20230085132A (ko) 2020-10-12 2023-06-13 에피크루 가부시키가이샤 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014222693A (ja) 2014-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6068255B2 (ja) 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法
US20130291798A1 (en) Thin film deposition apparatus and substrate treatment system including the same
JP5042950B2 (ja) 縦型熱処理装置及び基板支持具
JP4966800B2 (ja) 熱処理装置
CN105934837A (zh) 允许低压工具替换的原子层沉积处理腔室
US20140273505A1 (en) Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
JP4971089B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP6618876B2 (ja) 基板処理装置、搬送方法およびサセプタ
JP2006261377A (ja) 基板搬送ロボット及びこれを備えた基板搬送システム
TW202236493A (zh) 收納容器及處理系統
JP6059940B2 (ja) 気相成長装置
WO2014054501A1 (ja) 気相成長装置
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
JP6013122B2 (ja) 気相成長装置
JP3571310B2 (ja) 半導体ウェーハ剥し装置および半導体ウェーハの製造方法
JP5613083B2 (ja) サセプタカバー、該サセプタカバーを備えた気相成長装置
JP6013121B2 (ja) 気相成長装置
TWI521085B (zh) 氣相成長方法
JP2005223142A (ja) 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置
JP4668323B2 (ja) シャワー型気相成長装置及びその気相成長方法
JP7257916B2 (ja) 気相成長装置の基板搬送機構
JP2008235810A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法
JP7257920B2 (ja) 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法
JP2011238962A (ja) 載置プレート、基板移載装置および基板処理装置
JP2012104831A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160210

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6068255

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350