JP2009130240A - プラズマ処理装置と基板処理システムおよびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するプラズマ処理装置に関する。

従来から、シリコンウェハなどの基板を成膜処理やエッチング処理するものとして、例えばマイクロ波を用いたプラズマ処理装置が知られている（特許文献１）。また、上部電極と下部電極の間に高周波電圧を付加して処理室内にプラズマを発生させるプラズマ処理装置も知られている（特許文献２）。

特開２００６−２０３２４６号公報 特開２００１−２７４１４２号公報

ところで最近では、生産効率を向上させるために基板が大型化しており、例えば半導体基板として代表的なシリコンウェハでは、従来の２００ｍｍウェハから３００ｍｍウェハに移行してきている。このため、半導体の製造分野では被処理対象である基板は、２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハの両方が混在した状況にある。よって、プラズマ処理装置においても、２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハの両方を処理することが要求されている。

ここで、例えば処理容器内に設けられた載置台の上面の中央部に２００ｍｍウェハを載置させ、載置台の上面の周辺部を露出させた状態でプラズマ処理を行うことも考えられる。しかし、このように載置台の上面の周辺部を露出させた状態でプラズマ処理を行った場合、基板表面に対して行われるプラズマ処理と同様の処理が載置台の上面の周辺部に対しても行われることとなり、載置台の上面の周辺部がダメージを受けてしまう。これにより、載置台の劣化や、パーティクルの発生等の問題が発生する。

一方、このような載置台の上面の周辺部に起きるダメージを防止するために、２００ｍｍウェハを処理する場合は、載置台の上面の周辺部にドーナツ形状のカバー部材を載置して覆う対策が採られている。また、２００ｍｍウェハを載置させる専用の載置台と、３００ｍｍウェハを載置させる専用の載置台を別に用意し、処理するウェハの大きさに応じて載置台を交換することも行われている。

しかしながら、カバー部材の載置・除去作業や各大きさのウェハ専用の載置台に交換する作業を行うために、従来は処理容器を大気開放し、作業していた。ところが、プラズマ処理中は処理容器内は真空にされるので、カバー部材の載置・除去作業や載置台の交換作業を行う毎に、真空引きされた処理容器を大気開放しなければならず、大気圧までに復圧する時間が長くかかっていた。また、カバー部材の載置・除去作業や載置台の交換作業を行った後、プラズマ処理を行うために処理容器内を再び真空に戻さなければならないため、減圧時間も長くかかっていた。このため従来は、処理効率が良くなく、カバー部材の載置・除去作業や載置台の交換作業が生産率の向上の妨げになっていた。

本発明の目的は、処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにすることにある。

前記目的を達成するため、本発明によれば、処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記処理容器内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置であって、前記処理容器内には、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に上面に載置させる載置台が設けられ、前記載置台の上面の中央部には、前記載置台の上面の中央部に載置される比較的小型の基板の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材が設けられ、前記載置台の上面の周辺部には、前記載置台の上面の中央部に載置された比較的小型の基板の外側において昇降自在な周辺昇降部材が設けられ、前記周辺昇降部材は、前記載置台の上面に載置される比較的大型の基板の裏面を支持可能な位置に配置されていることを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。

このプラズマ処理装置において、前記中央昇降部材および前記周辺昇降部材は、例えば前記載置台の上面に突出自在な３本以上の昇降ピンである。

また、前記載置台の上面外周部には、前記載置台の上面に載置される比較的大型の基板の周囲に位置するガイド部材が設けられていても良い。この場合、前記ガイド部材は、例えばＳｉまたはＡｌＮからなる。

また、本発明によれば、上記プラズマ処理装置と、前記プラズマ処理装置に対して基板を搬入出させる搬送装置を備えた基板処理システムであって、前記搬送装置は、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に支持可能なアーム部材を有しており、前記搬送装置は、前記アーム部材に載せた相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記載置台の上方に選択的に搬送可能であることを特徴とする、基板処理システムが提供される。

この基板処理システムにおいて、前記アーム部材は、前記載置台の上方に移動した際に、上昇した前記中央昇降部材および上昇した前記周辺昇降部材と干渉しない位置にあり、前記アーム部材は、上昇した前記中央昇降部材および上昇した前記周辺昇降部材と干渉せずに、前記載置台の上方に対して進入および退出可能であっても良い。また、前記アーム部材は、相対的に小型の基板の裏面に接触可能な中央領域と、前記アーム部材に載せた相対的に小型の基板の外側において、相対的に大型の基板裏面に接触可能な外側領域を有していても良い。

また、本発明によれば、処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記処理容器内において選択的に処理可能なプラズマ処理方法であって、前記処理容器内には、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に上面に載置させる載置台が設けられ、前記処理容器内において、相対的に小型の基板を処理する際には、前記載置台の上面の中央部に比較的小型の基板が載置され、前記載置台の上面の周辺部には、相対的に大型の基板と外縁の形状が同じで、内方に比較的小型の基板を挿入できる空間部を有するカバー部材が載置されることを特徴とする、プラズマ処理方法が提供される。

このプラズマ処理方法において、前記載置台の上面に、相対的に小型の基板とカバー部材が同時に載置されても良い。また、前記載置台の上面から、相対的に小型の基板とカバー部材が同時に搬出されても良い。また、前記カバー部材は、例えばＳｉまたはＡｌＮからなる。

本発明にあっては、載置台の上面の周辺部にカバー部材を載置させる場合は、搬送装置のアーム部材にカバー部材を載せられて処理容器内へ搬入する。そして、アーム部材を載置台の上方に移動させた後、周辺昇降部材が上昇することにより、カバー部材がアーム部材から周辺昇降部材に受け取られる。そして、アーム部材が載置台の上方から退出した後、周辺昇降部材が下降することによって、載置台の上面の周辺部にカバー部材が載置される。なお、このように載置台の上面の周辺部にカバー部材を載置させる工程は、載置台の上面の中央部に相対的に小型の基板を載置させる工程と同時に行っても良い。

また、載置台の上面の周辺部からカバー部材を除去する場合は、周辺昇降部材が上昇することによって、今まで載置台の上面の周辺部に載置されていたカバー部材が載置台の上方に持ち上げられる。そして、このようにカバー部材が載置台の上方に持ち上げられた後、搬送装置のアーム部材が処理容器内に搬入され、アーム部材が載置台の上方に移動させられる。その後、周辺昇降部材が下降することによって、カバー部材がアーム部材に受け渡される。そして、カバー部材はアーム部材に載せられて処理容器外へ搬出させられる。なお、このように載置台の上面の周辺部に載置されていたカバー部材を搬出する工程は、載置台の上面の中央部に載置されていた相対的に小型の基板を搬出させる工程と同時に行っても良い。

このように、本発明によれば、処理容器内の真空状態を維持したまま、アーム部材によって、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようになる。その結果、プラズマ処理効率が向上し、生産率の向上が図れる。また、相対的に小型の基板をプラズマ処理する場合、載置台の上面の周辺部をカバー部材で覆うことによって、載置台の上面の周辺部がプラズマ処理に伴うダメージを受ける事態を回避できる。これにより、載置台の劣化や、パーティクルの発生も防止できる。

以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図１に示すように、本発明の実施の形態にかかる基板処理システム１は、基板としてのウェハを基板処理システム１に対して搬入出させる搬入出部２、搬入出部２に隣接させて設けられた２つのロードロック室３、各ロードロック室３にそれぞれ隣接させて設けられた搬送室４、搬送室４の周りに配置された複数のプラズマ処理装置５で構成されている。

搬送室４には、ロードロック室３と各プラズマ処理装置５との間で基板を搬入出させる搬送装置１０が設けられている。搬送装置１０はウェハを支持するための一対のアーム部材１１を有している。搬送室４の内部は真空引き可能になっている。即ち、搬送室４内を真空状態にすることで、ロードロック室３から取り出したウェハを各プラズマ処理装置５に搬送でき、各プラズマ処理装置５から搬出したウェハをロードロック室３に戻すことができる。このため、各プラズマ処理装置５内を真空に維持したまま、ウェハの搬入・搬出を行うことができる。

この基板処理システム１は、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板といった大きさの異なる２種類の基板を処理することが可能である。図２は、この基板処理システム１によって処理される大きさの異なる２種類のウェハＷ１、Ｗ２とカバー部材Ｃの説明図である。図２（ａ）に示すように、相対的に大型のウェハＷ１は、例えば３００ｍｍウェハ（１２ｉｎウェハ）であり、このウェハＷ１は、直径Ｄ１が３００ｍｍの円板形状である。一方、図２（ｂ）に示すように、相対的に小型のウェハＷ２は、例えば２００ｍｍウェハ（８ｉｎウェハ）であり、このウェハＷ２は、直径Ｄ２が２００ｍｍの円板形状である。

また、図２（ｃ）に示すように、カバー部材Ｃは、大型のウェハＷ１と外縁の形状が同じであり、カバー部材Ｃの外縁は、直径Ｄ１＝３００ｍｍの円形状である。このカバー部材Ｃの内方には、直径Ｄ２＝２００〜２０２ｍｍの円形状の空間部Ｃ’が設けられている。

このように、カバー部材Ｃには、小型のウェハＷ２の外縁と形状が同じ空間部Ｃ’（直径Ｄ２＝２００〜２０２ｍｍの円形状の空間部Ｃ’）を内方に有するリング形状となっている。このため、図２（ｄ）に示すように、カバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’には、小型のウェハＷ２を挿入することができる。そして、このようにカバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’に小型のウェハＷ２を挿入することにより、カバー部材Ｃと小型のウェハＷ２との組み合わせによって、図２（ａ）に示した大型のウェハＷ１とほぼ同様の直径Ｄ１＝３００ｍｍの円板形状を得ることができる。

搬入出部２には、カセット１５が隣接して置かれており、このカセット１５から搬入出部２によって取り出されたウェハＷ１、Ｗ２が、ロードロック室３に受け渡される。また、ロードロック室３から搬入出部２によって取り出されたウェハＷ１、Ｗ２が、カセット１５に戻される。

搬入出部２の側方には、ウェハＷ１、Ｗ２およびカバー部材Ｃの位置決めを行うアライメント機構２０が設けられている。図３は、アライメント機構２０の説明図である。図３（ａ）は、アライメント機構２０によって大型のウェハＷ１を位置合わせする状態を示し、図３（ｂ）は、アライメント機構２０によって小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃを一緒に位置合わせする状態を示している。

このアライメント機構２０は、上端に中央支持面２１が形成された支柱部材２２の下端に、ステッピングモータ２３を取り付けた構成である。支柱部材２２の側面には、支柱部材２２を中心にして外側に伸びるように配置された３本の回転アーム２５が、中心角１２０°の角度間隔で取り付けられている。各回転アーム２５の先端には、上方に突出した周辺支持面２６がそれぞれ設けられている。３つの周辺支持面２６は同一平面内にあり、支柱部材２２上端の中央支持面２１の高さは、回転アーム２５先端の３つの周辺支持面２６の高さよりも僅かに高くなっている。

アライメント機構２０で位置合わせするに際し、大型のウェハＷ１を位置合わせする場合は、図３（ａ）に示すように、ウェハＷ１の中央が中央支持面２１に載せられる。このように、大型のウェハＷ１を位置合わせする場合は、ウェハＷ１は中央支持面２１で支持される。そして、この状態でステッピングモータ２３が回転することにより、ウェハＷ１の位置合わせが行われる。なお、支柱部材２２上端の中央支持面２１の高さは、回転アーム２５先端の３つの周辺支持面２６の高さよりも僅かに低くなっていても良い。その場合は、大型のウェハＷ１の周辺が３つの周辺支持面２６によって支持されることになる。

一方、アライメント機構２０では、小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃの位置合わせが同時に行われる。このように小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃが位置合わせされる場合は、図３（ｂ）に示すように、ウェハＷ２の中央が中央支持面２１に載せられる。また、カバー部材Ｃが３つの周辺支持面２６に載せられる。このように、小型のウェハＷ２カバー部材Ｃが位置合わせされる場合は、ウェハＷ２が中央支持面２１で支持され、カバー部材Ｃが３つの周辺支持面２６で支持されることにより、カバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’に小型のウェハＷ２を挿入した状態で、カバー部材ＣとウェハＷ２がアライメント機構２０に載置させられる。そして、この状態でステッピングモータ２３が回転することにより、カバー部材ＣとウェハＷ２の位置合わせが同時に行われる。

支柱部材２２上端の中央支持面２１は、大型のウェハＷ１の中央および小型のウェハＷ２の中央を支持できるように、小型のウェハＷ２よりも相当に小さい面積を有している。一方、３つの周辺支持面２６は、中央支持面２１に支持された大型のウェハＷ１よりも内側の位置において、カバー部材Ｃあるいは大型のウェハＷ１の周辺を支持できる位置に配置されている。

搬送装置１０が備えるアーム部材１１は、大型のウェハＷ１、小型のウェハＷ２およびカバー部材Ｃのいずれも支持できる機能を有している。図４は、アーム部材１１の平面図である。図５（ａ）は、アーム部材１１によって大型のウェハＷ１を支持した状態の説明図であり、図５（ｂ）は、アーム部材１１によって小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃを一緒に支持した状態の説明図である。

アーム部材１１の上面には、小型のウェハＷ２の裏面に接触可能な中央領域１１ａと、アーム部材１１の載せた小型のウェハＷ２の外側において、大型のウェハＷ１の裏面に接触可能な外側領域１１ｂを有している。図５（ａ）に示すように、大型のウェハＷ１がアーム部材１１に載せられた状態では、中央領域１１ａと外側領域１１ｂの両方によって大型のウェハＷ１が支持される。一方、図５（ｂ）に示すように、小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃが一緒にアーム部材１１に載せられた状態では、中央領域１１ａによって小型のウェハＷ２が支持され、外側領域１１ｂによってカバー部材Ｃが支持される。

搬送装置１０は、このようにアーム部材１１に載せた状態で、大型のウェハＷ１をロードロック室３と各プラズマ処理装置５の間で搬送すると共に、小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃを一緒にロードロック室３と各プラズマ処理装置５の間で搬送するようになっている。

図６は、プラズマ処理装置５の概略的な構成を示す縦断面図である。図７は、このプラズマ装置１が備える中央昇降機構６５と周辺昇降機構６６の説明図である。

図６に示すように、このプラズマ処理装置５は例えばアルミニウムからなる、上部が開口した有底円筒形状の処理容器３０を備えている。後述するように、この処理容器３０の内部において、大型のウェハＷ１と小型のウェハＷ２が選択的にプラズマ処理される。処理容器３０の内壁面には、例えばアルミナなどの保護膜が被覆されている。処理容器３０は電気的に接地されている。

処理容器３０内の底部には、大型のウェハＷ１と小型のウェハＷ２を選択的に上面に載置させる円筒形状の載置台（サセプタ）３１が設けられている。なお、大型のウェハＷ１と小型のウェハＷ２は、いずれも各ウェハＷ１、Ｗ２の中心を載置台３１の上面に一致させた状態で載置台３１上に載置される。また、小型のウェハＷ２が載置台３１上に載置される場合は、図２（ｄ）に示したように、カバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’に小型のウェハＷ２を挿入した状態で、小型のウェハＷ２とカバー部材Ｃが一緒に載置台３１上に載置される。

載置台３１は例えばアルミニウムからなり、その内部には、ヒータ等の温度調節機構が設けられている。これによって、載置台３１上のウェハＷを所定温度に温度調節することが可能である。処理容器３０の底部には、真空ポンプなどの排気装置３２によって処理容器３０内の雰囲気を排気するための排気管３３が接続されている。

処理容器３０の上部開口には、気密性を確保するためのＯリング等を介して、たとえば誘電体の石英部材からなる透過窓３５が設けられている。透過窓３５は略円盤形状である。石英部材に代えて、他の誘電体材料、たとえばＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ等のセラミックスを使用してもよい。

透過窓３５の上方には、平面状のアンテナ部材、例えば円板状のラジアルラインスロットアンテナ３６が設けられている。ラジアルラインスロットアンテナ３６は、導電性を有する材質、たとえばＡｇ、Ａｕ等でメッキやコーティングされた銅の薄い円板からなる。ラジアルラインスロットアンテナ３６には、マイクロ波を透過させる多数のスリットが、例えば渦巻状や同心円状に整列して形成されている。

ラジアルラインスロットアンテナ３６の上面にはマイクロ波の波長を短縮するための遅波板３７が配置されている。遅波板３７は導電性のカバー３８によって覆われている。カバー３８には円環状の熱媒流路３９が設けられ、この熱媒流路３９を流れる熱媒によって、カバー３８と透過窓３５を所定温度に維持するようになっている。

カバー３８の中央には同軸導波管４０が接続されている。この同軸導波管４０は、内側導体４１と外管４２とによって構成されている。内側導体４１は、上述のラジアルラインスロットアンテナ３６と接続されている。内側導体４１のラジアルラインスロットアンテナ３６側は円錐形に形成されて、ラジアルラインスロットアンテナ３６に対してマイクロ波を効率よく伝播するようになっている。

マイクロ波供給装置４５で発生させられた例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が、矩形導波管４６、モード変換器４７、同軸導波管４０、遅波板３７、ラジアルラインスロットアンテナ３６を介して、透過窓３５に放射される。そして、その際のマイクロ波エネルギーによって透過窓３５の下面に電界が形成され、処理容器３０内にプラズマが生成される。

処理容器３０内には、ガス供給機構としての上シャワープレート５０と下シャワープレート５１が、載置台３１の上部に設けられている。これら上シャワープレート５０と下シャワープレート５１は、例えば石英管などからなる中空の管材で構成されている。図示はしないが、上シャワープレート５０と下シャワープレート５１には、載置台３１上のウェハＷ１、Ｗ２に対してガスを供給する複数の開口部が分布して設けられている。

上シャワープレート５０には、処理容器３０の外部に配置されたプラズマ生成ガス供給源５５が、配管５６を介して接続されている。プラズマ生成ガス供給源５５には、プラズマ生成用のガスとして例えば窒素、Ａｒ、酸素などが貯留されている。このプラズマ生成ガス供給源５５から、配管５６を通じて、上シャワープレート５０内にプラズマ生成ガスが導入され、処理容器３０内に均一に分散された状態で、プラズマ生成ガスが供給される。

下シャワープレート５１には、処理容器３０の外部に配置された処理ガス供給源６０が、配管６１を介して接続されている。処理ガス供給源６０には、処理ガスとして例えばＴＥＯＳなどが貯留されている。この処理ガス供給源６０から、配管６１を通じて、下シャワープレート５１内に処理ガスが導入され、処理容器３０内に均一に分散された状態で、処理ガスが供給される。

載置台３１の下方には、載置台３１上に置かれた大型のウェハＷ１、小型のウェハＷ２およびカバー部材Ｃを適宜昇降させる中央昇降機構６５と周辺昇降機構６６が設けられている。

中央昇降機構６５は、載置台３１の上面に突出自在な３本の昇降ピン７０を、プレート７１の上面に垂直に取り付けた構成を有している。中央昇降機構６５のプレート７１は、処理容器３０の底部を貫通する支柱部７２の上端に支持されている。支柱部７２の下端には、処理容器３０の外部に配置された昇降装置７３が取り付けられている。この昇降装置７３の稼動により、載置台３１を貫通している３本の昇降ピン７０が昇降し、昇降ピン７０の上端が載置台３１の上面から上方に突出した状態と、昇降ピン７０の上端が載置台３１の内部に引き込まれた状態とに切り替えられる。

同様に、周辺昇降機構６６は、載置台３１の上面に突出自在な３本の昇降ピン７５を、プレート７６の上面に垂直に取り付けた構成を有している。周辺昇降機構６６のプレート７６は、処理容器３０の底部を貫通する支柱部７７の上端に支持されている。支柱部７７の下端には、処理容器３０の外部に配置された昇降装置７８が取り付けられている。この昇降装置７８の稼動により、載置台３１を貫通している３本の昇降ピン７５が昇降し、昇降ピン７５の上端が載置台３１の上面から上方に突出した状態と、昇降ピン７５の上端が載置台３１の内部に引き込まれた状態とに切り替えられる。

中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０は、載置台３１上面の中央部３１’の範囲内に配置されている。この実施の形態では、載置台３１上面の中央部３１’は、載置台３１の上面において中心から半径１００ｍｍの円の内側の部分である。この中央部３１’は、載置台３１上に載置された小型のウェハＷ２の裏面全体と一致する範囲である。

一方、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５は、載置台３１上面の周辺部３１”に配置されている。この実施の形態では、載置台３１上面の周辺部３１”は、載置台３１の上面において中心から半径１００ｍｍの円の外側であって、中心から半径１５０ｍｍの円の内側の部分である。この周辺部３１”は、載置台３１上に載置された、カバー部材Ｃの裏面全体と一致する範囲である。なお、載置台３１上に大型のウェハＷ１が載置された場合は、中央部３１’および周辺部３１”が、大型のウェハＷ１の裏面全体と一致する。

中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０と周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５がこのような位置関係になっていることにより、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０は、昇降装置７３の稼動によって、載置台３１上に載置された小型のウェハＷ２と大型のウェハＷ１の両方を突き上げることができるが、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０は、載置台３１上に載置されたカバー部材Ｃは突き上げることができない。このため、中央昇降機構６５は、載置台３１上において、小型のウェハＷ２と大型のウェハＷ１の昇降動作を行うことができる。一方、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５は、昇降装置７８の稼動によって、載置台３１上に載置された大型のウェハＷ１とカバー部材Ｃの両方を突き上げることができるが、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５は、載置台３１上に載置された小型のウェハＷ２は突き上げることができない。このため、周辺昇降機構６６は、載置台３１上において、大型のウェハＷ１とカバー部材Ｃの昇降動作を行うことができる。

大型のウェハＷ１と小型のウェハＷ２およびカバー部材Ｃは、いずれも上述した搬送装置１０のアーム部材１１に載せられて、各プラズマ処理装置５の処理容器３０内に搬入され、載置台３１の上方に移動させられる。このように載置台３１の上方に移動したアーム部材１１は、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０と周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５のいずれとも干渉しない位置になっている。即ち、アーム部材１１を載置台３１の上方に移動させた状態で、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０および周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５を昇降させることができ。中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０および周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５を上昇させた状態で、アーム部材１１を載置台３１の上方に移動させ、アーム部材１１を載置台３１の上方から退出させることが可能である。

次に、以上のように構成された基板処理システム１の作用について説明する。なお、プラズマ処理の一例として、プラズマ生成ガスとしてＡｒ、酸素を用い、処理ガスとしてＴＥＯＳを使用して、絶縁膜（ＳｉＯ_２膜）を成膜する例を説明する。

この基板処理システム１は、大型のウェハＷ１と小型のウェハＷ２を選択的に処理することが可能である。そこで先ず、基板処理システム１において大型のウェハＷ１を処理する場合を説明する。

先ず、搬入出部２において、カセット１５から取り出された大型のウェハＷ１が、アライメント機構２０で位置合わせされた後、ロードロック室３に受け渡される。そして、ロードロック室３内および搬送室４内が真空に維持された状態で、搬送装置１０のアーム部材１１によってロードロック室３内から大型のウェハＷ１が取り出され、大型のウェハＷ１が所望のプラズマ処理装置５に搬入される。

ここで、プラズマ処理装置５への大型のウェハＷ１の搬入は次のように行われる。先ず、図８（ａ）に示すように、アーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１が載置台３１の上方に移動させられる。なお、このようにアーム部材１１によって大型のウェハＷ１を載置台３１の上方に移動させる場合は、中央昇降機構６５の昇降ピン７０と周辺昇降機構６６の昇降ピン７５は、いずれも下降させられている。

こうしてアーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１が載置台３１の上方に移動させられると、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が上昇し、アーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１を突き上げて、アーム部材１１の上方に持ち上げる。これにより、図８（ｂ）に示すように、大型のウェハＷ１は、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５の上端によって支持された状態となる。こうして、大型のウェハＷ１が周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５に受け渡された後、アーム部材１１が載置台３１の上方から退出し、アーム部材１１は、搬送室４内に戻される。

そして、アーム部材１１の退出後、図８（ｃ）に示すように、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が下降させられる。これにより、大型のウェハＷ１は、載置台３１の上面に載置される。

なお、大型のウェハＷ１を載置台３１の上面に載置させる工程は、中央昇降機構６５の昇降ピン７０によっても同様に行うことができる。即ち、中央昇降機構６５の昇降ピン７０によって大型のウェハＷ１を載置台３１の上面に載置させる場合は、アーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１が載置台３１の上方に移動させられた後、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が上昇し、アーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１を突き上げて、アーム部材１１の上方に持ち上げる。これにより、大型のウェハＷ１は、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０の上端によって支持された状態となる。そして、アーム部材１１の退出後、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が下降させられる。これにより、大型のウェハＷ１は、同様に載置台３１の上面に載置される。

こうして、大型のウェハＷ１が載置台３１上に載置されると、処理容器３０内が密閉された状態となり、排気管３３から排気が行われて処理容器３０内が減圧される。更に、上シャワープレート５０からはプラズマ生成ガス（Ａｒ、酸素）が処理容器３０内に供給され、下シャワープレート５１からはプラズマ成膜用の処理ガス（ＴＥＯＳ）が処理容器３０内に供給される。そして、マイクロ波供給装置３１の作動により、透過窓３５の下面に電界が発生し、前記プラズマ生成ガスがプラズマ化され、更に、処理ガスがプラズマ化されて、その際に発生した活性種によって、大型のウェハＷ１上に成膜処理がなされる。そして、所定時間成膜処理が行われた後、マイクロ波供給装置３１の作動と、処理容器３０内への処理ガスの供給が停止される。その後、大型のウェハＷ１が処理容器３０内から搬出される。

ここで、プラズマ処理装置５からの大型のウェハＷ１の搬出は次のように行われる。成膜処理が終了すると、先ず、図８（ｂ）に示すように、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が上昇し、載置台３１の上面に載置されていた大型のウェハＷ１が、載置台３１の上方に持ち上げられる。その後、搬送装置１０のアーム部材１１が処理容器３０内へ搬入され、アーム部材１１が載置台３１の上方に進入させられる。

そして、アーム部材１１が載置台３１の上方に進入した後、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が下降する。これにより、図８（ａ）に示すように、大型のウェハＷ１が、アーム部材１１に載せられた状態となる。そして、アーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１がプラズマ処理装置５から搬出され、ロードロック室３に戻される。

なお、大型のウェハＷ１をプラズマ処理装置５から搬出させる工程は、中央昇降機構６５の昇降ピン７０によっても同様に行うことができる。即ち、中央昇降機構６５の昇降ピン７０を用いて大型のウェハＷ１をプラズマ処理装置５から搬出させる場合は、成膜処理が終了後、先ず、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が上昇し、載置台３１の上面に載置されていた大型のウェハＷ１が、載置台３１の上方に持ち上げられる。その後、搬送装置１０のアーム部材１１が処理容器３０内へ搬入され、アーム部材１１が載置台３１の上方に進入させられる。

そして、アーム部材１１が載置台３１の上方に進入した後、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が下降する。これにより、大型のウェハＷ１が、アーム部材１１に載せられた状態となる。そして、アーム部材１１に載せられた大型のウェハＷ１がプラズマ処理装置５から搬出され、ロードロック室３に戻される。

こうしてロードロック室３に戻された大型のウェハＷ１は、搬入出部２を介してカセット１５に戻される。

次に、この基板処理システム１において小型のウェハＷ２を処理する場合を説明する。

先ず、搬入出部２において、カセット１５から取り出された小型のウェハＷ２が、カバー部材Ｃと共にアライメント機構２０に搬入される。そして、アライメント機構２０において、カバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’に小型のウェハＷ２が挿入された状態で、カバー部材ＣとウェハＷ２の位置合わせが同時に行われる。そして、位置合わせ後、カバー部材ＣとウェハＷ２はロードロック室３に受け渡される。そして、ロードロック室３内および搬送室４内が真空に維持された状態で、搬送装置１０のアーム部材１１によってロードロック室３内からカバー部材ＣとウェハＷ２が取り出され、カバー部材ＣとウェハＷ２が所望のプラズマ処理装置５に搬入される。

ここで、プラズマ処理装置５へのカバー部材ＣとウェハＷ２の搬入は次のように行われる。先ず、図９（ａ）に示すように、アーム部材１１に載せられたカバー部材ＣとウェハＷ２が載置台３１の上方に移動させられる。なお、このようにアーム部材１１によってカバー部材ＣとウェハＷ２を載置台３１の上方に移動させる場合は、中央昇降機構６５の昇降ピン７０と周辺昇降機構６６の昇降ピン７５は、いずれも下降させられている。

こうしてアーム部材１１に載せられたカバー部材ＣとウェハＷ２が載置台３１の上方に移動させられると、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が上昇すると共に、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が上昇する。これにより、アーム部材１１に載せられたカバー部材ＣとウェハＷ２が、昇降ピン７５および昇降ピン７０によって同時に突き上げられて、アーム部材１１の上方に持ち上げられる。これにより、図９（ｂ）に示すように、カバー部材ＣとウェハＷ２１は、昇降ピン７５の上端と昇降ピン７０の上端によって支持された状態となる。こうして、カバー部材ＣとウェハＷ２が昇降ピン７５と昇降ピン７０に受け渡された後、アーム部材１１が載置台３１の上方から退出し、アーム部材１１は、搬送室４内に戻される。

そして、アーム部材１１の退出後、図９（ｃ）に示すように、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が下降すると共に、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が下降する。これにより、カバー部材ＣとウェハＷ２は、載置台３１の上面に一緒に載置される。

こうして、カバー部材ＣとウェハＷ２が載置台３１上に載置されると、処理容器３０内が密閉された状態となり、排気管３３から排気が行われて処理容器３０内が減圧される。更に、上シャワープレート５０からはプラズマ生成ガス（Ａｒ、酸素）が処理容器３０内に供給され、下シャワープレート５１からはプラズマ成膜用の処理ガス（ＴＥＯＳ）が処理容器３０内に供給される。そして、マイクロ波供給装置３１の作動により、透過窓３５の下面に電界が発生し、前記プラズマ生成ガスがプラズマ化され、更に、処理ガスがプラズマ化されて、その際に発生した活性種によって、ウェハＷ２上に成膜処理がなされる。

なお、ウェハＷ２上に対する成膜処理中は、載置台３１上面の周辺部３１”がカバー部材Ｃによって覆われている。このため、載置台３１の上面の周辺部３１”がプラズマ処理に伴うダメージを受ける事態を回避できる。これにより、載置台３１の劣化や、パーティクルの発生も防止できる。

そして、所定時間成膜処理が行われた後、マイクロ波供給装置３１の作動と、処理容器３０内への処理ガスの供給が停止される。その後、カバー部材ＣとウェハＷ２が処理容器３０内から一緒に搬出される。

ここで、プラズマ処理装置５からのカバー部材ＣとウェハＷ２の搬出は次のように行われる。成膜処理が終了すると、先ず、図９（ｂ）に示すように、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が上昇すると共に、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が上昇する。これにより、載置台３１の上面に載置されていたカバー部材ＣとウェハＷ２が、載置台３１の上方に持ち上げられる。その後、搬送装置１０のアーム部材１１が処理容器３０内へ搬入され、アーム部材１１が載置台３１の上方に進入させられる。

そして、アーム部材１１が載置台３１の上方に進入した後、中央昇降機構６５の昇降装置７３の稼動により、中央昇降機構６５の３本の昇降ピン７０が下降すると共に、周辺昇降機構６６の昇降装置７８の稼動により、周辺昇降機構６６の３本の昇降ピン７５が下降する。これにより、図９（ａ）に示すように、カバー部材ＣとウェハＷ２が、アーム部材１１に載せられた状態となる。そして、アーム部材１１に載せられたカバー部材ＣとウェハＷ２がプラズマ処理装置５から搬出され、ロードロック室３に戻される。

こうしてロードロック室３に戻されたカバー部材ＣとウェハＷ２はロードロック室３から搬入出部２に搬出され、更に、ウェハＷ２は、搬入出部２を介してカセット１５に戻される。

この基板処理システム１によれば、処理容器３０内の真空状態を維持したまま、載置台３１の上面の周辺部３１”に対してカバー部材Ｃを載置・除去できる。その結果、プラズマ処理効率が向上し、生産率の向上が図れる。また、小型のウェハＷ２をプラズマ処理する場合、載置台３１の上面の周辺部３１”をカバー部材Ｃで覆うことによって、載置台３１の上面の周辺部３１”がプラズマ処理に伴うダメージを受ける事態を回避できる。

以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが、本発明はここに例示した形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば、基板処理システム１において小型のウェハＷ２を処理する場合、カバー部材ＣとウェハＷ２を載置台３１の上面に同時に載置させる例を説明したが、載置台３１の上面の中央部３１’に小型のウェハＷ２が載置された後、載置台３１の上面の周辺部３１”にカバー部材Ｃが載置されても良い。また逆に、載置台３１の上面の周辺部３１”にカバー部材Ｃが載置された後、載置台３１の上面の中央部３１’に小型のウェハＷ２が載置されても良い。

また、カバー部材ＣとウェハＷ２を載置台３１の上面から同時に搬出する例を説明したが、載置台３１の上面の中央部３１’から小型のウェハＷ２を搬出した後、載置台３１の上面の周辺部３１”からカバー部材Ｃを搬出しても良い。また逆に、載置台３１の上面の周辺部３１”からカバー部材Ｃを搬出した後、載置台３１の上面の中央部３１’から小型のウェハＷ２を搬出しても良い。

また、例えば図１０（ａ）に示すように、カバー部材Ｃの内周面Ｃ”を、上に行くほど内方に突出するテーパー形状とすることにより、載置台３１の上面およびアーム部材１１の上面において、カバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’に挿入した小型のウェハＷ２を上方から抑えることができるといった利点がある。また逆に、例えば図１０（ｂ）に示すように、カバー部材Ｃの内周面Ｃ”を、下に行くほど内方に突出するテーパー形状とすることも考えられる。この図１０（ｂ）に示す例によれば、カバー部材Ｃの内方の空間部Ｃ’に小型のウェハＷ２を上から挿入する場合に、カバー部材ＣとウェハＷ２の位置合わせができるようになる。

なお、カバー部材Ｃの厚さは、小型のウェハＷ２と同程度であることが望ましい。

また、例えば図１１、１２に示すように、載置台３１の上面外周部には、載置台３１の上面に載置された大型のウェハＷ１の周囲に位置するガイド部材８０が設けられていても良い。このように、載置台３１の上面に載置された大型のウェハＷ１の周囲にガイド部材８０を設けることによって、載置台３１の上面において大型のウェハＷ１の位置合わせを行うこともできるようになる。また、プラズマ処理中は、ガイド部材８０により大型のウェハＷ１の周面が押さえられ、ウェハＷ１の横ずれが防止される。

なお、図１１、１２に示したガイド部材８０によれば、大型のウェハＷ１の場合と同様に、カバー部材Ｃに対しても、位置合わせや横ずれ防止が行われる。このため、カバー部材Ｃを介して、小型のウェハＷ２に対しても、位置合わせや横ずれ防止ができるようになる。

また、このように載置台３１の上面にガイド部材８０を設ける場合、ガイド部材８０の材質として、ＳｉまたはＡｌＮを選択することによって、大型のウェハＷ１の表面全体に対するプラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。即ち、従来一般に利用されているフォーカスリングはＳｉＯで構成されているが、プラズマ処理中、かかるフォーカスリングがウェハＷ１の周囲に存在していると、特にＣＶＤ成膜処理について、ウェハＷ１の中心部で膜厚が厚くなる傾向があった。これに対して、図１１、１２に示したように、ＳｉまたはＡｌＮからなるガイド部材８０をウェハＷ１の周囲に配置した場合、ウェハＷ１の中心部で膜厚が厚くなる傾向が抑制され、プラズマ処理の面内均一性を向上できることが分かった。

また、例えばプラズマ処理の種類によってガイド部材８０の材質を変えることも考えられる。例えば塩素ガス系の処理ガスを用いたメタルエッチング処理では、ガイド部材８０の材質を石英とし、ＣＦ系の処理ガスを用いた酸化膜（ＳｉＯ膜）のエッチング処理では、ガイド部材８０の材質をＳｉとするといったことも考えられる。このようにプラズマ処理の種類によってガイド部材８０の材質を変えることにより、プラズマ処理に伴うガイド部材８０の損傷や劣化を防止できる。

また同様の理由により、カバー部材Ｃの材質として、ＳｉまたはＡｌＮを選択することにより、小型のウェハＷ２の表面全体に対するプラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。また、例えば塩素ガス系の処理ガスを用いたメタルエッチング処理では、石英からなるカバー部材Ｃを用い、ＣＦ系の処理ガスを用いた酸化膜（ＳｉＯ膜）のエッチング処理では、Ｓｉからなるカバー部材Ｃを用いるといったことも考えられる。このようにプラズマ処理の種類によってカバー部材Ｃの材質を変えることにより、プラズマ処理に伴うカバー部材Ｃの損傷や劣化を防止できる。

なお、以上の実施の形態では、マイクロ波を用いたプラズマ処理を例にとって説明したが、これに限定されず、高周波電圧を用いたプラズマ処理についても本発明を適用できるのは勿論である。また、以上の実施の形態では、本発明を成膜処理を行うプラズマ処理に適用していたが、本発明は、成膜処理以外の基板処理、例えばエッチング処理を行うプラズマ処理にも適用できる。また、本発明のプラズマ処理で処理される基板は、半導体ウェハ、有機ＥＬ基板、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の基板等のいずれのものであってもよい。

図１１、１２で説明したように、載置台の上面外周部に設けられるガイド部材（ガイドリング）の材質について検討した。ガイド部材の材質をＳｉとした場合とＳｉＯとした場合とで、ＣＶＤ成膜処理における膜厚の面内均一性を比較したところ、図１３を得た。ウェハエッジからの膜厚差は、ガイド部材の材質をＳｉＯとした場合に比べて、ガイド部材の材質をＳｉとした場合の方が小さくなった。

本発明は、処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するプラズマ処理に適用できる。

本発明の実施の形態にかかる基板処理システムの説明図である。 基板処理システムによって処理される大きさの異なる２種類のウェハとカバー部材の説明図である。（ａ）は相対的に大型のウェハを示し、（ｂ）は相対的に小型のウェハＷ２を示し、（ｃ）はカバー部材を示し、（ｄ）はカバー部材の内方の空間部に小型のウェハを挿入した状態を示している。 アライメント機構の説明図である。（ａ）は、アライメント機構によって大型のウェハを位置合わせする状態を示し、（ｂ）は、アライメント機構によって小型のウェハとカバー部材を一緒に位置合わせする状態を示している。 アーム部材の平面図である。 アーム部材の斜視図である。（ａ）は、アーム部材によって大型のウェハを支持した状態の説明図であり、（ｂ）は、アーム部材によって小型のウェハとカバー部材を一緒に支持した状態の説明図である。 本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 プラズマ装置が備える中央昇降機構と周辺昇降機構の説明図である。 載置台に対する大型のウェハの搬入・搬出の動作説明図である。（ａ）はアーム部材に大型のウェハが載せられた状態、（ｂ）は昇降ピンにより大型のウェハが突き上げられた状態、（ｃ）は大型のウェハが載置台の上面に載置された状態を示している。 載置台に対するカバー部材と小型のウェハの搬入・搬出の動作説明図である。（ａ）はアーム部材にカバー部材と小型のウェハが載せられた状態、（ｂ）は昇降ピンによりカバー部材と小型のウェハが突き上げられた状態、（ｃ）はカバー部材と小型のウェハが載置台の上面に載置された状態を示している。 （ａ）は、内周面を上に行くほど内方に突出するテーパー形状としたカバー部材の説明図、（ｂ）、内周面を下に行くほど内方に突出するテーパー形状としたカバー部材の説明図である。 上面外周部にガイド部材が設けられた載置台の平面図である。 図１１中のＸ−Ｘ断面図である。 載置台の上面外周部に設けられるガイド部材（ガイドリング）の材質に関する検討を示すグラフである。

符号の説明

Ｃ カバー部材
Ｃ’ 空間部
Ｗ１ 大型のウェハ
Ｗ２ 小型のウェハ
１ 基板処理システム
２ 搬入出部
３ ロードロック室
４ 搬送室
５ プラズマ処理装置
１０ 搬送装置
１１ アーム部材
１１ａ 中央領域
１１ｂ 外側領域
２０ アライメント機構
３０ 処理容器
３１ 載置台
３１’ 中央部
３１” 周辺部
３２ 排気装置
３５ 透過窓
３６ ラジアルラインスロットアンテナ
３７ 遅波板
３８ カバー
４０ 同軸導波管
４５ マイクロ波供給装置
５０ 上シャワープレート
５１ 下シャワープレート
５５ プラズマ生成ガス供給源
６０ 処理ガス供給源
６５ 中央昇降機構
６６ 周辺昇降機構
７０、７５ 昇降ピン
７３、７８ 昇降装置

Claims (12)

1. 処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記処理容器内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置であって、
   前記処理容器内には、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に上面に載置させる載置台が設けられ、
   前記載置台の上面の中央部には、前記載置台の上面の中央部に載置される比較的小型の基板の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材が設けられ、
   前記載置台の上面の周辺部には、前記載置台の上面の中央部に載置された比較的小型の基板の外側において昇降自在な周辺昇降部材が設けられ、
   前記周辺昇降部材は、前記載置台の上面に載置される比較的大型の基板の裏面を支持可能な位置に配置されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
2. 前記中央昇降部材は、前記載置台の上面に突出自在な３本以上の昇降ピンであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記周辺昇降部材は、前記載置台の上面に突出自在な３本以上の昇降ピンであることを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記載置台の上面外周部には、前記載置台の上面に載置される比較的大型の基板の周囲に位置するガイド部材が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記ガイド部材は、ＳｉまたはＡｌＮからなることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置と、前記プラズマ処理装置に対して基板を搬入出させる搬送装置を備えた基板処理システムであって、
   前記搬送装置は、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に支持可能なアーム部材を有しており、
   前記搬送装置は、前記アーム部材に載せた相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記載置台の上方に選択的に搬送可能であることを特徴とする、基板処理システム。
7. 前記アーム部材は、前記載置台の上方に移動した際に、上昇した前記中央昇降部材および上昇した前記周辺昇降部材と干渉しない位置にあり、
   前記アーム部材は、上昇した前記中央昇降部材および上昇した前記周辺昇降部材と干渉せずに、前記載置台の上方に対して進入および退出可能であることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
8. 前記アーム部材は、相対的に小型の基板の裏面に接触可能な中央領域と、前記アーム部材に載せた相対的に小型の基板の外側において、相対的に大型の基板裏面に接触可能な外側領域を有していることを特徴とする、請求項６または７に記載の基板処理システム。
9. 処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記処理容器内において選択的に処理可能なプラズマ処理方法であって、
   前記処理容器内には、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に上面に載置させる載置台が設けられ、
   前記処理容器内において、相対的に小型の基板を処理する際には、前記載置台の上面の中央部に比較的小型の基板が載置され、前記載置台の上面の周辺部には、相対的に大型の基板と外縁の形状が同じで、内方に比較的小型の基板を挿入できる空間部を有するカバー部材が載置されることを特徴とする、プラズマ処理方法。
10. 前記載置台の上面に、相対的に小型の基板とカバー部材が同時に載置されることを特徴とする、請求項９に記載のプラズマ処理方法。
11. 前記載置台の上面から、相対的に小型の基板とカバー部材が同時に搬出されることを特徴とする、請求項９または１０に記載のプラズマ処理方法。
12. 前記カバー部材は、ＳｉまたはＡｌＮからなることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。

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