JPH11145149A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数サイズの基板を保持して熱処理を施すこ
とができる熱処理装置を提供する。 【解決手段】 支持アーム１５上には２００ｍｍ径の基
板Ｗ１および３００ｍｍ径の基板Ｗ２のそれぞれの端縁
部を支持する支持ピン１０ａおよび１０ｂが加熱プレー
ト１１を貫通するように立設されている。支持ピン１０
ｂは支持部材１３ｂが支柱１４ｂ上端から離れた、相対
的に高い位置に係止された状態に取り付けられ、支持ピ
ン１０ｂは支持部材１３ｂが支柱１４ｂ上端に接触し
た、相対的に低い状態に取り付けられている。支持アー
ム１５が昇降することにより外部から進入した搬送アー
ムと基板Ｗ１またはＷ２の受け渡しを行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、温度を調節され
た熱板と、その熱板に対して半導体ウエハ、フォトマス
ク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用
基板等の基板（以下、単に「基板」という。）を支持す
る支持手段と、上記熱板に対して支持手段を昇降させる
昇降手段と、を備える熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、枚葉式の基板加熱装置や基板
冷却装置などの熱処理装置は温度調節がなされた熱板を
有し、当該熱板に近接するように基板を支持する支持手
段を有する。当該支持手段は熱板に対して垂直方向に昇
降する。そして、当該支持手段は上昇した状態で装置外
から基板を受け取り、降下して基板と熱板とを近接さ
せ、熱処理を行う。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記基板の
サイズは複数あり、複数のサイズの基板を処理する場合
はそれぞれの基板サイズ専用の熱処理装置を用いるか、
装置内の支持手段およびそれを昇降する昇降手段を含む
ユニットを交換しなければならず、基板の製造コストを
上昇させるという問題が生じていた。

【０００４】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、複数サイズの基板を保持して熱
処理を施すことができる熱処理装置を提供することを目
的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１に記載の装置は、温度を調節さ
れた熱板と、熱板に対向して基板を支持する支持手段
と、熱板に対して支持手段を昇降させる昇降手段と、を
備える熱処理装置において、支持手段が第１のサイズの
基板を支持する第１支持手段と、第２のサイズの基板を
支持する第２支持手段と、を備える。

【０００６】また、この発明の請求項２に記載の装置
は、請求項１に記載の熱処理装置であって、第１と第２
の支持手段のうち、その時点で実際に基板を支持する支
持手段を切替え可能であることを特徴とする。

【０００７】また、この発明の請求項３に記載の装置
は、請求項１に記載の熱処理装置において、第１のサイ
ズが第２のサイズより小さいものであって、第１支持手
段が第１のサイズの基板の端縁部を支持するものであ
り、第２支持手段が第２のサイズの基板の端縁部を支持
するものであるとともに、第１支持手段によって囲まれ
る領域を囲むように第２支持手段が配されているもので
あり、さらに、昇降手段が第１支持手段と第２支持手段
とを一括して昇降させるものであることを特徴とする。

【０００８】また、この発明の請求項４に記載の装置
は、請求項３に記載の熱処理装置であって、第２支持手
段が第１支持手段よりも相対的に高い位置で基板を支持
することを特徴とする。

【０００９】また、この発明の請求項５に記載の装置
は、請求項４に記載の熱処理装置であって、第１支持手
段が第１の高さ調節部材を備える。

【００１０】また、この発明の請求項６に記載の装置
は、請求項５に記載の熱処理装置であって、第１の高さ
調節部材が、第１支持手段の先端において、第１および
第２の高さにのみ係止可能とされた部材であることを特
徴とする。

【００１１】また、この発明の請求項７に記載の装置
は、請求項４に記載の熱処理装置であって、第２支持手
段が第２高さ調節部材を備える。

【００１２】さらに、この発明の請求項８に記載の装置
は、請求項７に記載の熱処理装置であって、第２高さ調
節部材が、第２支持手段の先端において、第１および第
２の高さにのみ係止可能とされた部材であることを特徴
とする。

【００１３】なお、ここでういう熱板とは必ずしも基板
を加熱するものだけでなく、冷却するものも含む。

【００１４】

【発明の実施の形態】＜１．第１の実施の形態＞ ＜＜１−１．機構的構成＞＞以下、この発明の第１の実
施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。図１はこの
発明の第１実施形態に係る熱処理装置の構成を示す縦断
面図であり、図２はその熱処理装置の要部を示す平面図
である。なお、図１は、図２におけるＡ−Ａ断面に相当
する部分を表現している。

【００１５】この熱処理装置は、基板Ｗ１としての２０
０ｍｍ径（「第１のサイズ」に相当）の略円形の半導体
ウエハまたは基板Ｗ２としての３００ｍｍ径（「第２の
サイズ」に相当）の略円形の半導体ウエハに対して、加
熱処理を実行するものである。

【００１６】ハウジング４内には、熱板としての加熱プ
レート１１が配設されている。また、この加熱プレート
１１は、その内部に図示しない板状ヒータを備えてい
る。この加熱プレート１１には、図２に示すように、２
００ｍｍ径の同一円周上に６個の貫通孔１２ａと、それ
らと略同心で、かつ、それらを囲むように３００ｍｍ径
の円周上に３個の貫通孔１２ｂとが形成されている。

【００１７】そして、この貫通孔１２ａおよび１２ｂを
通して、支持ピン１０ａ、１０ｂが昇降可能に配設され
ている。支持ピン１０ａ、１０ｂはそれぞれ支柱１４
ａ、１４ｂと支柱１４ａ、１４ｂの先端に設けられた支
持部材１３ａ、１３ｂとを有する。なお、支持ピン１０
ａ，１０ｂについては後に詳述する。

【００１８】支持ピン１０ａ，１０ｂは後に詳述するよ
うに、それぞれに支持する基板Ｗ１およびＷ２の裏面端
縁部と対向する位置において支持アーム１５上に立設さ
れている。なお、このとき平面視において支持ピン１０
ａによって囲まれる領域を囲むように支持ピン１０ｂが
設けられている。さらにいえば、平面視において支持ピ
ン１０ａが配されている円周を有する円の中心と支持ピ
ン１０ｂが配されている円周を有する円の中心とは略同
心、すなわち略一致している。一方、支持アーム１５
は、昇降手段としてのエアシリンダ１６と連結されてい
る。このため、エアシリンダ１６の駆動により、支持部
材１３ａ，１３ｂは、その先端が加熱プレート１１の表
面より突出する基板Ｗ１，Ｗ２の受け渡し位置と、その
先端が加熱プレート１１における貫通孔１２ａ，１２ｂ
内に収納された基板Ｗ１，Ｗ２の加熱処理位置との間を
昇降する。

【００１９】また、加熱プレート１１の表面には、図２
に示すように、それぞれ、３個ずつ組となった球体１７
ａおよび１７ｂがそれぞれ２００ｍｍ径より若干小さい
同一円周上および３００ｍｍ径より若干小さい同一円周
上に埋設されている。この球体１７ａ，１７ｂは、例え
ば、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成さ
れる。この球体１７ａ，１７ｂの上端は、加熱プレート
１１の表面より微小量だけ突出する状態で配設されてお
り、基板Ｗ１またはＷ２と加熱プレート１１表面との間
にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔
を保った状態で、基板Ｗ１またはＷ２を加熱プレート１
１の球体１７上に載置、支持して、これらの基板Ｗ１ま
たはＷ２を加熱するよう構成されている。

【００２０】＜＜１−２．特徴および効果＞＞つぎに、
第１の実施の形態である熱処理装置の主要部について説
明する。

【００２１】図３は第１の実施の形態における支持部材
１３ａ，１３ｂの支柱１４ａ，１４ｂへの取り付け機構
を示す斜視図であり、図４はその取り付け状態を示す図
である。

【００２２】支持ピン１０ａ，１０ｂを構成する支持部
材１３ａ，１３ｂおよび支柱１４ａ，１４ｂは、例えば
フッ素樹脂、セラミックスまたはポリイミド樹脂等の耐
熱性絶縁材料から構成されている。そして、図示のよう
に、支持部材１３ａ，１３ｂは上面が一直径を境にして
半分が基板Ｗ１またはＷ２を支持する傾斜面１３１ａ，
１３１ｂを有する円柱状の支持部１３１と、その下面に
支柱１４ａ，１４ｂに挿入して取り付けるための取付け
シャフト１３２を備えており、さらに、その取付けシャ
フト１３２の下端付近の外周面に垂直に取り付けピン１
３３が設けられている。

【００２３】また、支柱１４ａ，１４ｂは上端に開口Ｏ
が設けられた円筒状となっており、外周面には上端から
下方に延びた切り欠き溝Ｄが設けられており、その切り
欠き溝Ｄは途中で２又に分かれており、一方は下方に向
けて相対的に短い使用時溝Ｄ１、他方は相対的に長い不
使用時溝Ｄ２となっている。

【００２４】そして、支持部材は支柱に着脱自在となっ
ており、取付けシャフト１３２を支柱の開口Ｏに挿入
し、取り付けピン１３３を支柱の切り欠き溝Ｄに嵌入さ
せて、図４（ａ）のように、不使用時溝Ｄ２において取
り付けピン１３３が支持されるように支持部材１３ａ，
１３ｂを支柱１４ａ，１４ｂに取り付けると、支持部材
１３ａ，１３ｂの支持部１３１が支柱１４ａ，１４ｂ上
端に接した状態である不使用状態になる。

【００２５】逆に、図４（ｂ）のように、使用時溝Ｄ１
において取り付けピン１３３が支持されるように支持部
材１３ａ，１３ｂを支柱１４ａ，１４ｂに取り付ける
と、その支持部１３ａ，１３ｂが支柱１４ａ，１４ｂ上
端に接した状態である不使用状態になる。

【００２６】そして、作業者は支持部材１３ａ，１３ｂ
を必要に応じて着脱したり、使用状態や不使用状態にす
ることが可能となっている。

【００２７】図５〜図７はこの装置の使用例における支
持部材の状態を模式的に示す図である。とくに、図５は
この装置の典型的使用例であり、図５（ａ）は３００ｍ
ｍ径の基板Ｗ２を支持する際の支持部材１３ａ，１３ｂ
の支柱１４ａ，１４ｂへの取付け状態を示しており、図
５（ｂ）は２００ｍｍ径の基板Ｗ１を支持する際のそれ
を示している。なお、図１における支持部材１３ａ，１
３ｂの支柱１４ａ，１４ｂへの取付け状態は図５（ａ）
と同様である。

【００２８】図５（ａ）では支持部材１３ｂが使用状態
で支持部材１３ａが不使用状態となっており、図５
（ｂ）では支持部材１３ａおよび１３ｂともに使用状態
となっている。

【００２９】次に装置内への基板の搬入、搬出について
説明する。

【００３０】初期状態で支持アーム１５は上昇した状態
になっており、支持ピン１０ａ、１０ｂは貫通孔１２
ａ、１２ｂから突出している。そして、図示しない搬送
ロボットの搬送アームが基板Ｗ１またはＷ２を水平状態
で装置内に搬入する。このときの基板Ｗ１またはＷ２の
下面の位置は支持ピン１０ａ、１０ｂのいずれの先端よ
りも高い。そして、搬送アームは進入が完了した後、降
下し、支持ピン１０ａまたは１０ｂに基板Ｗ１またはＷ
２を載置する。そして、搬送アームが装置外に退避した
後、エアシリンダ１６を駆動して支持アーム１５を降下
させることによって支持ピン１０ａ、１０ｂを降下させ
る。こうすることによって、支持ピン１０ａまたは１０
ｂに支持されていた基板Ｗ１またはＷ２は球体１７ａま
たは球体１７ｂ上に載置される。また、支持ピン１０
ａ、１０ｂは貫通孔１２ａ、１２ｂ内に収納される。そ
して、この状態で熱処理が開始される。熱処理が終了す
ると上述の手順とは逆の手順で基板Ｗ１またはＷ２が装
置外へ搬出される。

【００３１】これらのうち、３００ｍｍ径の基板Ｗ２を
受け取る際には、図５（ａ）のような支持部材の状態、
すなわち、支持部材１３ａが不使用状態となっているの
で、その先端は使用状態の支持部材１３ｂの傾斜面１３
１ｂよりも低くなっている。そのため、搬送アームが降
下して基板Ｗ２を支持ピン１０ｂに載置する際にも基板
Ｗ２の裏面が支持ピン１０ａと接触することはない。よ
って、基板の裏面が支持ピン１０ａと擦れてパーティク
ルが発生するということを防止することができる。

【００３２】また、２００ｍｍ径の基板Ｗ１を受け取る
際には、基板Ｗ１は２００ｍｍ径であるので、それより
外側に設けられた支持ピン１０ｂと接触することはな
い。そのため、図５（ｂ）に示すように支持部材１３ｂ
を不使用状態にしなくても基板Ｗ１の裏面が支持ピン１
０ｂと接触することが防止できる。

【００３３】ただし、基板Ｗ１の受渡し時にも搬送アー
ムの構造により、その搬送アームと支持ピン１０ｂとが
干渉する等のその他の理由により、図６に示すような、
この装置の他の使用例のように支持部材１３ｂを不使用
状態にしても、もちろん問題はない。

【００３４】また、この装置の、別の使用例として基板
Ｗ１およびＷ２のどちらを支持する場合にも図５（ａ）
の状態のままで使用することも可能である。

【００３５】また、この装置では支持部材１３ａ，１３
ｂは、それぞれ支柱１４ａ，１４ｂに対して着脱自在の
ものとなっている。よって、図５および図６のような状
態ではなく、図７に示すような、この装置のさらに他の
使用例のようにしてもよい。すなわち、使用しない支持
部材を不使用状態にする代わりに、それらを支柱１４
ａ，１４ｂから取り外してもよい。つまり、基板Ｗ２の
受け渡しおよび処理の際には図７（ａ）のように支持部
材１３ｂを使用状態とし、支持部材１３ａを取り外し、
逆に、基板Ｗ１の受け渡しおよび処理の際には図７
（ｂ）のように、支持部材１３ａを使用状態とし、支持
部材１３ｂを取り外すのである。

【００３６】このように、この装置では支持部材１３
ａ，１３ｂを着脱したり、取付け状態を変更することに
より支持ピン１０ａ，１０ｂの高さを調節することがで
きるので、基板支持の自由度が高いものとなっている。

【００３７】以上説明したように、第１の実施の形態に
よれば、２００ｍｍ径の基板Ｗ１を支持しつつ昇降させ
る支持ピン１０ａと、３００ｍｍ径の基板Ｗ２を支持し
つつ昇降させる支持ピン１０ｂとを備えるため、一つの
熱処理装置において複数サイズの基板を受け渡し、熱処
理を施すことができる。

【００３８】また、平面視において支持ピン１０ａによ
って囲まれる領域を囲むように支持ピン１０ｂが設けら
れているので、装置がコンパクトなものとなり、設置の
ためのスペースも小さくて済む。

【００３９】また、支持アーム１５が支持ピン１０ａお
よび１０ｂとを一括して昇降させるので、支持ピン１０
ａおよび１０ｂのそれぞれに対し、個別に昇降手段を設
ける必要がないため、装置の製造コストの増加を防止す
ることができる。

【００４０】また、第１の実施の形態の装置の図５に示
す典型的な使用例では、支持ピン１０ｂが支持ピン１０
ａよりも相対的に高い位置で基板Ｗ２を支持するので、
支持ピン１０ｂによって基板Ｗ２を支持したときに支持
ピン１０ａが基板Ｗ２、とりわけその裏面に接触するこ
とがないので、基板Ｗ１，Ｗ２の汚染、とりわけ基板Ｗ
１，Ｗ２の裏面の汚染を減少させることができる。

【００４１】また、支持ピン１０ａ，１０ｂの支持部材
１３ａ，１３ｂが、それぞれ支柱１４ａ，１４ｂに対し
て使用状態と不使用状態にのみ係止可能であるので、簡
単な構造で支持部材１３ａ，１３ｂを構成することがで
きる。

【００４２】＜２．第２の実施の形態＞図８はこの発明
の第２の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す縦断
面図である。この装置では第１の実施の形態の装置にお
いて支持部材および支柱が一体となった形状の支持ピン
２０ａ，２０ｂを備えている点が異なるのみでその他の
加熱プレート１１、支持アーム１５、エアシリンダ１６
等は第１の実施の形態の装置と全く同様のものとなって
いる。また、支持ピン２０ａ，２０ｂの配置は図２に示
す第１の実施の形態の装置の支柱１４ａ，１４ｂおよび
支持部材１３ａ，１３ｂと全く同様となっている。

【００４３】そして、支持ピン２０ｂはその先端が支持
ピン２０ａの傾斜面２０１ａより高くなるように支持ア
ーム１５に立設されている。図９は支持ピン２０ａ，２
０ｂの高さと基板Ｗ１，Ｗ２との関係を模式的に示した
図である。図９（ａ）に示すように、３００ｍｍ径の基
板Ｗ２の受け渡しを行う際には、基板Ｗ２の外側の支持
ピン２０ｂの傾斜面２０１ｂより、内側の支持ピン２０
ａの先端の方が低くなっており、支持ピン２０ａが支持
された基板Ｗ２に接触することがない。

【００４４】逆に２００ｍｍ径の基板Ｗ１の受け渡しを
行うために内側の支持ピン２０ａによりそれを支持する
際には、支持ピン２０ｂは基板Ｗ１より外側に設けられ
ているために、基板Ｗ１と干渉することはない。

【００４５】第２の実施の形態の熱処理装置は以上説明
したような構成であるので、第１の実施の形態と同様、
２００ｍｍ径の基板Ｗ１を支持しつつ昇降させる支持ピ
ン２０ａと、３００ｍｍ径の基板Ｗ２を支持しつつ昇降
させる支持ピン２０ｂとを備えるため、一つの熱処理装
置において複数サイズの基板を受け渡し、熱処理を施す
ことができる。

【００４６】また、支持ピン２０ａが支持ピン２０ｂと
同心に設けられているので、装置がコンパクトなものと
なり、設置のためのスペースも小さくて済む。

【００４７】また、支持アーム１５が支持ピン２０ａお
よび２０ｂとを一括して昇降させるので、支持ピン２０
ａおよび２０ｂのそれぞれに対し、個別に昇降手段を設
ける必要がないため、装置の製造コストの増加を防止す
ることができる。

【００４８】また、第２の実施の形態の装置の支持ピン
２０ａ，２０ｂは、第１の実施の形態の装置のように支
持ピン１０ａ，１０ｂの支持部材１３ａ，１３ｂが着脱
できるものではないので、支持部材を取り外す作業をす
ることなく、複数サイズの基板Ｗ１，Ｗ２を処理するこ
とができ、支持部材を支柱から外した際にその支持部材
を紛失したりすることがない。

【００４９】＜３．変形例＞上記第１および第２の実施
の形態では２００ｍｍの基板Ｗ１と３００ｍｍの基板Ｗ
２を支持する支持ピン１０ａ，１０ｂおよび２０ａ，２
０ｂを備えるものとしたが、この発明はこれに限られ
ず、３種以上の支持ピンの組を設け、３つ以上のサイズ
の基板を対象としてもよい。

【００５０】また、第１の実施の形態では、支持ピン１
０ａ，１０ｂの高さ調節を支持部材１３ａ，１３ｂが着
脱、取付け高さの変更により行うものとしたが、この発
明はこれに限られず、一体として形成された支持ピンの
下部に高さ調節用の部材を着脱可能に設ける等その他の
機構によってもよい。

【００５１】また、第１の実施の形態では、支持ピン１
０ａ，１０ｂが支持部材１３ａ，１３ｂが着脱、取付け
高さの変更が可能なものであり、第２の実施の形態では
支持ピン２０ａ，２０ｂは、それぞれ一体のものとした
が、基板Ｗ１，Ｗ２のうちの一方を支持する支持ピンを
支持部材の着脱、取付け高さの変更が可能なものとし、
基板Ｗ１，Ｗ２のうちの他方の支持ピンを一体のものと
してもよい。

【００５２】また、第１の実施の形態では、支柱１４
ａ，１４ｂへの支持部材１３ａ，１３ｂの係止を、使用
時溝Ｄ１、不使用時溝Ｄ２に支持部材の取り付けピンを
支持させることによって行うものとしたが、この発明は
これに限られず、支持部材の取り付けシャフトおよび支
柱それぞれの長手方向に沿って複数の孔を設け、ピン状
の部材をそれら孔に貫通させることよって所望の高さに
支持部材を係止する方法等その他のその他の機構によっ
てもよい。

【００５３】さらに、第１および第２の実施の形態では
熱処理装置として加熱プレートを備える装置としたが、
この発明における熱処理装置は温度調節がなされた熱板
に基板を近接させて処理をする装置全般をいい、熱板と
して冷却プレートを備えた冷却装置、さらには、アッシ
ング装置、ＣＶＤ装置等その他の熱処理を伴う装置に上
記第１および第２の実施の形態のような基板支持機構を
用いてもよい。

【００５４】なお、本実施形態では略円形の基板を支持
していたが、同様に第１のサイズである第１矩形基板と
第１のサイズよりも大きい第２のサイズである第２矩形
基板とを支持させてもよい。この場合は以下のように構
成する。すなわち、第１矩形基板を支持する複数の第１
支持ピンを当該第１矩形基板の端縁部に対応する位置に
設け、平面視で第１支持ピンを結ぶことによって規定さ
れる領域を囲むように第２矩形基板の端縁部を支持する
第２支持ピンを設ける。このように構成することによっ
て、複数サイズの矩形基板を支持することができる。

【００５５】また、本実施形態では支持ピン１０ａ、１
０ｂが取り付けられた１つの支持アーム１５を１つのエ
アシリンダ１６によって上下させているが、図１０のよ
うに第１支持アーム１１５と第２支持アーム１１７とを
設け、第１支持アーム１１５、第２支持アーム１１７そ
れぞれに第１サイズの基板を支持する第１支持ピン１１
０ａおよび第２サイズの基板を支持する第２支持ピン１
１０ｂを設け、第１支持アーム１１５、第２支持アーム
１１７それぞれにエアシリンダ１１６、１１８を接続
し、第１支持アーム１１５、第２支持アーム１１７それ
ぞれを各個別に上下させることによって複数サイズの基
板を保持させてもよい。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
８に記載の発明によれば、第１のサイズの基板を支持す
る第１支持手段と、第２のサイズの基板を支持する第２
支持手段とを備えるため、一つの熱処理装置において複
数サイズの基板を受け渡し、熱処理を施すことができ
る。

【００５７】また、請求項３〜請求項８に記載の発明に
よれば、昇降手段が第１支持手段と第２支持手段とを一
括して昇降させるので、第１支持手段、第２支持手段の
それぞれに対し、個別に昇降手段を設ける必要がなく、
装置の製造コストの増加を防止することができる。

【００５８】また、請求項４〜請求項８に記載の発明に
よれば、第２支持手段が第１支持手段よりも相対的に高
い位置で基板を支持するので、第２支持手段によって第
２のサイズの基板を支持したときに当該基板に第１支持
手段が接触することがないので基板の汚染を減少させる
ことができる。

【００５９】また、請求項６および請求項８に記載の発
明によれば、高さ調節部材が第１および第２の高さにの
み係止可能であるので、簡単な構造で調節部材を構成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る熱処理装置の
構成を示す縦断面図である。

【図２】第１の実施の形態の加熱処理部の要部を示す平
面図である。

【図３】第１の実施の形態における支持部材の支柱への
取り付け機構を示す斜視図である。

【図４】支持部材の支柱への取り付け状態を示す図であ
る。

【図５】熱処理装置の使用例における支持部材の状態を
模式的に示す図である。

【図６】熱処理装置の使用例における支持部材の状態を
模式的に示す図である。

【図７】熱処理装置の使用例における支持部材の状態を
模式的に示す図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る熱処理装置の
構成を示す縦断面図である。

【図９】支持ピンの高さと基板の支持高さとの関係を模
式的に表わした図である。

【図１０】本発明の変形例に係る熱処理装置の構成を示
す縦断面図である。

【符号の説明】

１０ａ，１０ｂ，２０ａ，２０ｂ 支持ピン（支持手
段、第１および第２支持手段） １１ 加熱プレート（熱板） １３ａ，１３ｂ 支持部材（高さ調節部材） １４ａ，１４ｂ 支柱 １５ 支持アーム（昇降手段） Ｗ１，Ｗ２ 基板

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 温度を調節された熱板と、前記熱板に対
   向して基板を支持する支持手段と、前記熱板に対して前
   記支持手段を昇降させる昇降手段と、を備える熱処理装
   置において、 前記支持手段が第１のサイズの基板を支持する第１支持
   手段と、 第２のサイズの基板を支持する第２支持手段と、 を備えることを特徴とする熱処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の熱処理装置であって、 前記第１と第２の支持手段のうち、その時点で実際に基
   板を支持する支持手段を切替え可能であることを特徴と
   する熱処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の熱処理装置において、
   前記第１のサイズが前記第２のサイズより小さいもので
   あって、 前記第１支持手段が前記第１のサイズの基板の端縁部を
   支持するものであり、 前記第２支持手段が前記第２のサイズの基板の端縁部を
   支持するものであるとともに、前記第１支持手段によっ
   て囲まれる領域を囲むように前記第２支持手段が配され
   ているものであり、さらに、 前記昇降手段が前記第１支持手段と前記第２支持手段と
   を一括して昇降させるものであることを特徴とする熱処
   理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の熱処理装置であって、 前記第２支持手段が前記第１支持手段よりも相対的に高
   い位置で基板を支持することを特徴とする熱処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の熱処理装置であって、 前記第１支持手段が第１の高さ調節部材を備えることを
   特徴とする熱処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の熱処理装置であって、 前記第１の高さ調節部材が、前記第１支持手段の先端に
   おいて、第１および第２の高さにのみ係止可能とされた
   部材であることを特徴とする熱処理装置。
7. 【請求項７】 請求項４に記載の熱処理装置であって、 前記第２支持手段が第２高さ調節部材を備えることを特
   徴とする熱処理装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の熱処理装置であって、 前記第２高さ調節部材が、前記第２支持手段の先端にお
   いて、第１および第２の高さにのみ係止可能とされた部
   材であることを特徴とする熱処理装置。