JP4401449B2 - ウエハを支持する方法と装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造プロセスで利用される装置に関する。特に、本発明はウエハ支持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハ上に集積回路構造が形成される過程においては、プロセスが発生される密閉チャンバ内に配置された、加熱サセプタ或いはウエハ支持体の使用を含む特定のプロセスが利用される。これらのプロセスのいくつかは、例えば、エピタキシャルシリコン層の成長、シリコンの上の熱酸化物或いは熱窒化物層の形成、すでにウエハの上に形成されている集積回路構造の急速熱アニーリングなどを含む。通常は、サセプタ、サセプタ支持体或いはウエハ支持体等の装置が、下から水平にウエハを支持するために使用されているであろう。
【0003】
図1に、半導体ウエハ104を支持するためのアセンブリ100を示す。アセンブリ100は、半導体ウエハ104が載置されて水平に支持されたサセプタ102を含む。サセプタ102は、通常サセプタ支持体108によって支持され、サセプタ支持体108は、互いに120°の角度に配置された方向に沿って外方に延びる3つのサセプタ腕部109を有するシャフト116を含む。サセプタ支持体108は、更に3本の脚部110を含む。脚部110は各々、サセプタ腕部109の対応する遠隔端(remote end)から上方へ延びており、サセプタ102の底面と係合して、もってサセプタ102を支持している。更に、サセプタ支持体108は、シャフト116から中央のサセプタ102まで上方へ延びた中央の脚部117を含む。
【0004】
サセプタ102は、3つの位置に形成された3つの貫通穴(through-hole)113を含み、その3つは、ウエハ104の直径より小さい直径を有する円の上に互いに120°の角度で配置されている。ウエハ104を支持する3本のリフトピン112が、ウエハ104を支持するために、アセンブリ100のサセプタ102の3つの穴113を通して取り付けられている。図1は、アセンブリ100にウエハ104を搬入或いは除去するために、ウエハ104とサセプタ102との間にロボットアーム103が配置されることができるように、ウエハ104がサセプタ102から取り外された位置でリフトピン112によって支持されているウエハ104を示している。ウエハ104とサセプタ102の間の変位は、ウエハ104を同位置で固定させて維持している最中に、サセプタ支持体108をウエハ104に関して下方に動かすことによって形成されるであろう。
【0005】
サセプタ102の3つの穴113は、徐々に増加する直径でテーパ削りされた、サセプタ102の上面に隣接して位置する上部を有しているであろう。徐々に増加する直径でテーパ削りされた部分が、リフトピン112の上の端部に同様に形成されている。このテーパ削りされた部分は、ウエハ104がサセプタの上に直接載置されたときにリフトピン112をサセプタの高さで止めるために、貫通穴113のテーパ削りされた部分と一致するようになっており、それによって、リフトピン112がサセプタを通って落ちることが防止されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
リフトピン112は、通常、サセプタ102の貫通穴113及びサセプタ支持腕部109の貫通穴115を通して降下されて上から取り付けられる。リフトピン112の取り付けは、サセプタ102が不透明なグラファイトから作られており、ピン112が貫通穴113を通して差し込まれた後、サセプタの上からサセプタ腕部109の貫通穴115を見ることが実際不可能にされるために、困難である。
【0007】
通常、サセプタ102と上に載置されたウエハ104は、シールされた処理チャンバ(図示せず)内に位置している。チャンバは、例えば二重のドーム形のチャンバ(図示せず)であり、そこでこれらの装置は、チャンバ内のサセプタの下に、上のウエハ104と同様に対称的に配置された複数の加熱装置(加熱ランプ)によって加熱される。加熱ランプからの熱は、上に載置されたウエハ104とともに、サセプタ102を加熱するためにサセプタの裏側にドームを通して発散される。ウエハはまた、ウエハとサセプタの上に置かれた上部ドームの上方に位置する加熱ランプの第2のセットによって加熱される。
【0008】
サセプタ102を中央に位置する中央の脚部117の使用によって、加熱ランプによって行われる加熱に関して、サセプタ102全体にわたってむらのある熱分配がもたらされる。これは、サセプタ102の中央部が、中央の脚部117を通してシャフト116に熱的に結合していることと、中央の脚部117によってサセプタ102の下側に影ができることによって、加熱ランプからサセプタ102まで発散している熱分配にむらができることとによる。このようなむらのある加熱、或いは、サセプタ102の熱の不均一性は、更にウエハ104の加熱のむらをもたらすであろう。
【0009】
サセプタ全体にわたる、より均一な加熱及び熱的均一性又は熱分配を行うことができるサセプタ支持体を、ウエハ支持装置に提供し、もって、処理される半導体ウエハ全体にわたるより均一な加熱又は熱分配を達成することが望ましい。
【0010】
【課題を解決しようとする手段】
本発明は、ウエハ支持装置を提供する。ウエハ支持装置は、ウエハを支持するように構成された面を有するサセプタを含む。サセプタは複数の貫通穴を有する。ウエハ支持装置はピンリフト装置も含んでおり、そのピンリフト装置には複数のリフトピンが接続されている。複数のリフトピンは、サセプタの複数の貫通穴を通ってウエハと係合するように構成されている。サセプタは、複数のウエハリフトピンに対して、サセプタの面にほぼ垂直方向に動くように構成されている。
【0011】
ところで、図1に示したウエハ支持装置は、更にウエハ中央部リフト122から外方に延びる3つのウエハリフト腕部120を有するウエハリフト装置を含むであろう。ウエハリフト腕部120は、ウエハ中央部リフト122と通常一体になっているであろう。この設計は、異なった直径を有するウエハが処理されるときに、全部のウエハリフト装置(ウエハリフト腕部120とウエハ中央部リフト122)の交換を必要とするため、不利である。この設計の他の不利な点は、下方へのサセプタ支持体108の動きがウエハリフト腕部120によって限定され、もってウエハ104とサセプタ102の間に提供される変位が制限されることである。更に他の不利な点は、ピン112を支持するパッド123を有するウエハリフト腕部120が、それらの配置によって影を作るということである。よって、異なった大きさを有するウエハに対して中央部ウエハリフトの交換が不要なウエハ支持装置を提供することも望ましい。本発明では、駆動装置により第1の端で係合可能であり、ピンリフト装置の中央部の第2の端に係合するように構成されているウエハリフト装置であって、当該ウエハリフト装置をサセプタの上面に対して垂直の方向に動かす時、その方向にピンリフト装置を動かすように構成されているウエハリフト装置を更に含むことが好ましい。
【0012】
更に、図1に示した腕部109を有するサセプタ支持体108は、シャフト116の下部に取り付けられている回転機構によって回転されるであろう。このような回転が起こるときは、ウエハリフト腕部120とウエハ中央リフト122は静止されている。このような構成では、シャフト116が回転するときに、回転機構が、シャフトのサセプタの特定の位置に取り付けられていることが必要である。この特定の位置とは、シャフト116の回転が終了するときに腕部109を案内しているピン112の底部がパッド123と一致するように、腕部がウエハリフト腕部120と整列される位置で止められることを確保する位置である。このような回転機構の正確な取り付けは、制限的であって望ましくない。よって、サセプタ支持体の調整を妨害しないウエハ支持体を提供することも望ましい。本発明では、ピンリフト装置が有する複数の腕部が、サセプタ支持体が有する複数の腕部と整列するように構成されていることが好適である。
【0013】
【発明の実施形態】
本発明の特徴、見地及び利点は、以下の詳細な説明 、添付請求項及び付随図面から一層明白になるであろう。
【0014】
以下の説明では、多数の特定の細部が、本発明の完全な理解を提供するために明らかにされる。しかしながら、当業者は、本発明がこれらの特定の細部なしで実施され得ることを認識するであろう。場合によっては、既知の構造と技術については、本発明を不明瞭にするのを避けるために、詳細に示されていない。
【0015】
図2は、本発明によるウエハ支持装置200を説明したものである。通常、ウエハ支持装置200は、半導体製造装置のプロセスチャンバ(図示せず)の中で、ウエハ205の底面207から水平にウエハ205を支持するように構成されている。ウエハ支持装置200はサセプタ208を含み、その上面210はウエハ205の底面207と係合するように構成されている。サセプタ208は通常円板の形をしている。また、サセプタ208は良好な熱伝導率を提供するようにグラファイトから作られている。しかしながら、本発明はグラファイトから作られている円板の形をしたサセプタに限定されない。サセプタは、ウエハ205を支持するために他の適切な形を有していてもよく、良好な熱伝導率を提供するグラファイト以外の材料から作られていてもよい。サセプタ208は、ウエハ支持装置200とウエハ205を内蔵するプロセスチャンバ(図示せず)内に存在し得る腐食性の材料に対する化学的安定性を強めるために、シリコンカーバイドのコーティングを施されているであろう。
【0016】
サセプタ208は、通常、ウエハ205の直径より小さい直径を有する円形に配置された複数の案内用凹み212を含む。しかしながら、当業者は、本発明を、サセプタの上に配置された案内用凹み212がウエハ205の周囲と整列されるように実行することもできる。本明細書で記述されている本発明の実施形態では、案内用凹み212は貫通穴である。サセプタ208はサセプタ支持体によって支持されており、サセプタ支持体は、シャフト204と、シャフト204から外方に延びる第1の複数のサセプタ支持腕部216(以下、「サセプタ支持スポーク」と呼ぶ)とを含む。本発明の1つの実施形態において、3本のサセプタ支持スポーク216は、互いに約120°の角度でシャフト204から延びている。スポーク216は、シャフト204に溶接されていてもよく、或いはシャフト204が軸方向に上下に動かされたときに、シャフト204と共にスポーク216が軸方向に動くことができるような他の方法で取り付けられていてもよい。図2に関して記述した本発明の実施形態では、スポーク216はサセプタ208の方向にわずかに上方に向かって延びている。しかし、本発明はこの形状に限定されない。更に、サセプタ支持体は、各サセプタ支持スポーク216に関してサセプタ支持脚部218を含んでおり、サセプタ支持脚部218はサセプタ支持スポーク216の各自由端から上方へ延びてサセプタ208の底面と係合し、もってサセプタ208の直径より小さい直径を有する円形で互いに120°の角度で配置された3点においてサセプタ208を支持する。
【0017】
本発明のウエハ支持装置がサセプタ208を支持する3本のサセプタ支持脚部218に限定されていないことは、当業者によって正当に評価されるべきである。しかし、このようなサセプタ支持脚部の数は特定の具体例のよって変わるであろう。また、不連続の数を有するサセプタ支持脚部の代わりに、本発明に従って、円筒状のカラー等の連続的な(360°の)のサセプタ支持「脚部」を用いるウエハ支持装置も設計され得る。
【0018】
通常、サセプタ支持体は、シャフト204が低部においてモータに結合され得るために、上下動するであろう。モータは、シャフトの上下動を引き起こし、もってサセプタ支持体の上下動を引き起こすことができる。サセプタ支持体の上下動は、ウエハ205に対するサセプタ208の変位を引き起こすことができ、ウエハ205はウエハ支持体222(以下、「ピンリフト装置222」と呼ぶ)によって支持される。ピンリフト装置222は通常石英から作られている。しかし、当業者は石英と密接に関係がある特性を有する他の材料を使ってもよい。ピンリフト装置222は、中央部分、ハブ223を含む。ハブは、シャフト204の上部の、サセプタ支持腕部216が外方に延びている部分に隣接した、サセプタ支持スポーク216に取り付けられている。ピンリフト装置222は、更に、ハブ223の上の部分に接続された複数のピンリフト腕部226(以下、「ピンリフトスポーク226」と呼ぶ)を含む。更に、ピンリフト装置222は、スポーク226の(ハブ223から離れた)自由端に付けられた複数のウエハ支持部材224(以下、「リフトピン」と呼ぶ)を含む。本明細書に記述した本発明による実施形態において、ピンリフト装置222は、3本のピンリフトスポーク226と、ピンリフトスポーク226に対応している3本のリフトピン224とを含む。しかしながら、本発明は3本のスポーク226と3本のリフトピン224の点に関してはこれに限定されない。
【0019】
ピンリフトスポーク226は、互いに120°の角度で配置されており、ウエハの周辺部220に向かって外方且つわずかに上方に延びている。スポーク226は、ハブ223とスポーク226が軸方向に上下に、或いは回転方向に、共に動くように、ハブ223に付けられている。スポーク226はハブ223と一体形成されていてもよいが、本発明はこの点に関して限定されない。また、リフトピン224は、ハブ223が軸方向に上下動されたときハブ223と共に上下動するように、或いはハブ223が回転されたときに、ともに移動するようにスポーク226と一体形成されていてもよい。本明細書に記述した本発明による実施形態において、リフトピン224はスポーク226の両側に垂直に延びており、各ピン224は、スポーク226の下に延びる下部230と、案内用凹み212に向かってスポーク226の上に延びる上部232とを有する。
【0020】
ピンリフト装置222は、リフトピン224がサセプタ208の案内用凹み212と整列されるように構成されており、サセプタ208がピンリフト装置222に対して上下動されるときに、リフトピン224の上部232の一部が案内用凹み212を通るようになっている。ピンリフト装置222は、サセプタ208の案内用凹み212がテーパ構成された上部を有する必要なく、クリアランスホールを単に含めばよい態様でリフトピン224を支持し、サセプタ208の製造コストが低減される。各リフトピン224の下部230は、複数のスポーク216を通して構成された対応する貫通穴250を通過するように構成されている。従って、ピン224は、サセプタ支持腕部216及びサセプタ208に対して上下動する。ピンリフト装置222の、ゆえにピン224の、サセプタ208に対する上下動は、ピンリフト装置222が静止中の、サセプタ支持体の垂直動によって引き起こされるであろう。ハブ223を有するサセプタ支持腕部216、スポーク226とピン224は、回転が回転装置(図示せず)によって誘発されるときに、共に回転され得ることに注意されたい。回転装置は、サセプタ支持体に回転の動きを与えるためにシャフト204の下部に取り付けられているであろう。
【0021】
ピンリフト装置222を有する本発明によるウエハ支持装置は、サセプタ支持体の腕部216と実質的に(重ねられて)整列された腕部226を備える。これらの腕部は、回転装置が取り付けられてシャフト204が回転されたときに、腕部216と整列された状態で共に動かされるであろう。腕部216の上方で腕部216と整列されて配置された腕部226を有することによって、図1で示した実施形態に関連して説明した陰になる問題は、実質的に低減される。更に、腕部216と共に回転し、腕部216と整列された腕部26を有することによって、回転装置はシャフト204のどの位置に取り付けられてもよく、図1に関連して示したアセンブリのように3箇所の位置のみに限定される必要がなくなる。本発明に関して使用され得る回転装置或いは回転機構に関する情報のためには、アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドに譲渡された、米国特許出願第5,421,893号明細書を参照されたい。
【0022】
図3は、単純化された方法で、中央ハブ223を含むピンリフト装置222と、外方に延びるスポーク226と、スポーク226から垂直に延びるリフトピン224を示す。中央ハブ223は、一般に円筒中空形状であって、ハブ223に沿って縦に延びるスリット238を含む。スリット238は、ハブ223のベース240から上方の棟部(ridges)242まで延びている。スリット238は、サセプタ支持スポーク216を通るように構成されている(図2に示す)。上方の棟部242は、サセプタ支持スポーク216が上方の棟部242と係合した後、サセプタ支持スポーク216がハブ223に対して更に上方に動くことを阻止するために構成されている。スポーク226は、スリット238を通してサセプタ支持スポーク216を取り付ける際に、スポーク226と216が整列するように、スリット238に重ねられることに注目されたい。このような整列によって 、スポーク226がスポーク216と整列されていない場合に引き起こされたであろう影になる問題が低減される。
【0023】
図2に戻って、ウエハ205とサセプタ208の間に変位を引き起こす一つの方法は、ピンリフト装置222が固定されているとき、ハブ223(図3)のスリット238を通してサセプタ支持スポーク216の相対的な動きを作り出すことである。この相対的な動きは、ハブ223(図3)のベース240がウエハ中央リフト装置252のリム253に係合するときに起こる。ウエハ中央リフト装置252は、シャフト204を収容するように構成された中空の一般に円筒状の形を有する。ウエハ中央リフト装置252は、(図示せず)モータの下部254に取り付けられていてもよく、そのモータは、ウエハ中央リフト装置252を「上」或いは「下」に動かす。ハブ223(図3)のベース240がウエハリフト装置252の上部リム253と係合し、ウエハ中央リフト装置252が静止しているならば、シャフト204は、ハブ223(図3)のスリット238を通してサセプタ支持スポーク216を下方に「引っ張って」下方に動き、これにより、サセプタ208を下方に動かす。ウエハ中央リフト装置252を静止させておくことによって、従って、ピンリフト装置222を静止させておくことによって、サセプタ支持体の下方への動きは、ピン224によって支持されている間、静止しているウエハ205と、サセプタ支持体の垂直動によって下方に動かされるサセプタ208との間に変位を引き起こす。ピンリフト装置222を有する本発明の構成により、従来のウエハ支持装置によるサセプタ支持体の変位と比較して、サセプタ支持体の変位が増加される。
【0024】
サセプタ支持体が上方に動かされるとき、ウエハ205とサセプタ208との間の変位は減少する。サセプタ支持スポーク216がハブ223の上部棟部242に到達すると、サセプタ支持スポーク216のいかなる上方の動きに対しても、ピンリフト装置222とウエハ205をサセプタ208とともに動かして、ウエハ205とサセプタ208の間の距離が変化しないようになっている。
【0025】
図4は、本発明によるウエハ支持装置402の第2の実施形態を示す。この実施形態では、ピンリフト装置422は、スポーク426の1つの面(上面)からのピンリフト装置422のスポーク426から上方に延びるリフトピン424を含む。この実施形態によれば、サセプタ支持スポーク416を通ってピン424の上下動を許容する案内用凹みを用いる必要がなく、リフトピン424を上下に案内するのにはサセプタ408に設けられた穴412で十分である。従ってピンリフト装置422は壊れにくくなり、ウエハ支持装置402への取り付けは、単にピン424を貫通穴412に通すことによって成されるので、大いに容易にされる。
【0026】
更に、サセプタ支持体は、上端部に配置されたセンタポスト440を含んでいてもよい。センタポスト440は、シャフト404の直径より小さい直径を有し、ピンリフト装置422に追加の案内を提供する段階として構成されている。図4に示すピンリフト装置422は、ポスト440の直径とほぼ等しい直径の中空部を有する環状部材450を含む。また、センタポスト440は、サセプタ支持体が、ウエハリフト装置452の上のリム453に向かい重力によって移動するのを助長する追加重量を提供する。
【0027】
図5は、本発明によるウエハ支持装置502の第3の実施形態を示す。この実施形態では、ピンリフト装置522は、スポーク526の自由端から上方に延びるリフトピン524が周囲520においてウエハ505と係合するように構成されている。周囲からウエハ505を持ち上げることによって、この実施形態では、図1のピン224で引き起こされる可能性のあるウエハ体の過冷点/過熱点を低減するために役立つ。更に、任意で、ウエハ支持体502は、段になったポスト550と552を有する上部を設けたシャフト504を備えるようにしてもよい。ポスト550は、シャフト504の直径より小さい直径を有する。更に、ポスト552は、ポスト550の直径より小さい直径を有する。ポスト522は、サセプタ508を真中に置くために提供されている。ポスト552の比較的小さい直径によってサセプタ支持体508の中心に作られる影が最小化されることに注意されたい。
【0028】
図6は、半導体ウエハを処理する装置内でウエハに支持体を提供するプロセスのフローチャートを示す。プロセスは602で始まり、そこからブロック604に至る。ブロック604において、ウエハ支持体がサセプタ支持体に取り付けられる。ウエハ支持体は、ウエハ支持体自身から延びた複数のウエハ支持部材を有する。ウエハ支持体は、図2〜図5に関連して説明したようなウエハ支持体であってもよい。ウエハ支持体から延びるウエハ支持部材は、図2〜図5で示されるリフトピンであってもよい。プロセスはブロック606に至り、そこではサセプタがサセプタ支持体に取り付けられる。サセプタは、サセプタがサセプタ支持体に取り付けられるときの部材となるように構成された複数の案内用凹みを有する。サセプタは、図2〜図5に関連して説明された実施形態に示されたように、サセプタ支持体が多くの不連続点でサセプタを保つように、サセプタ支持体に取り付けられてもよい。プロセスはブロック608に至り、ウエハ支持部材(ピン)が案内用凹みを通して突き出ないならば、ウエハはサセプタに置かれる。ウエハは代わりに、ウエハがウエハ支持体と整列されるように、ウエハ支持部材に取り付けられてもよい。
【0029】
本明細書において、本発明は特定の実施形態に関して記述された。しかし、種々の変形と変更を、添付請求項に示された発明の精神と範囲から外れることなく行い得ることは明白であろう。明細書と図面は、従って、限定するものではなく、例示のためのものである。それゆえ、発明の範囲は添付請求項によってのみ限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体ウエハを支持するためのアセンブリを示す図である。
【図2】本発明によるウエハ支持装置を示す図である。
【図3】本発明によるウエハ支持装置に関連して利用されるウエハ支持体を示す図である。
【図4】本発明によるウエハ支持装置の第2の実施形態を示す図である。
【図5】本発明によるウエハ支持装置の第3の実施形態を示す図である。
【図6】ウエハの支持を提供するための本発明による方法を示す図である。
【符号の説明】
200、402、502…ウエハ支持装置、204、404、504…シャフト、205、405、505…ウエハ、208…サセプタ、212…案内用凹み、216…サセプタ支持スポーク、218…サセプタ支持脚部、222、422、522…ピンリフト装置、223…ハブ、224、424、524…リフトピン、226…ピンリフトスポーク、238…スリット、240…ベース、242…棟部、412…穴、440…センタポスト、450…環状部材、452…ウエハリフト装置、453…リム。
Claims (27)
- 処理すべきウエハを支持するように構成された上面と底面とを有するサセプタであって、前記底面と前記上面との間を延在している複数の貫通穴を有するサセプタと、
中央部及びそれぞれ一端を有する複数のリフトピンを有するピンリフト装置であって、前記中央部はそこから外方に延びている第1の複数の腕部を有し、前記複数のリフトピンのそれぞれは、前記第1の複数の腕部のそれぞれに接続されると共にそこから延びており、前記複数のリフトピンの前記一端が前記サセプタの前記複数の貫通穴を通るように構成されたピンリフト装置と、
前記サセプタの前記底面で前記サセプタを支持する第2の複数の腕部を有するサセプタ支持体と、
前記複数のリフトピンの前記一端が前記サセプタの前記上面と同じ位置である第1の位置から、前記複数のリフトピンが前記サセプタの前記上面から突出する位置である第2の位置に向けて前記サセプタ支持体を動かす駆動装置と、
を備え、
前記サセプタ支持体が前記サセプタの方へ動かされるとき、前記第2の複数の腕部が前記ピンリフト装置の前記中央部と接触すると、前記ピンリフト装置が前記サセプタ支持体と共に移動する、
ウエハ支持装置。 - 前記駆動装置と係合可能な第1の端と、前記ピンリフト装置の前記中央部と係合可能な第2の端とを有するウエハリフト装置であって、前記ウエハリフト装置を前記サセプタの前記上面に対して垂直の方向に動かす時、その方向に前記ピンリフト装置を動かすように構成された前記ウエハリフト装置を更に含む請求項1に記載のウエハ支持装置。
- 前記サセプタ支持体は、前記サセプタを支持し、且つ前記サセプタの前記上面と垂直方向に動くように構成されている、請求項1に記載のウエハ支持装置。
- サセプタ支持体がシャフトを含み、
前記第2の複数の腕部は前記シャフトから延びている、
請求項3に記載のウエハ支持装置。 - 前記サセプタから見た場合に、前記ピンリフト装置の前記第1の複数の腕部の位置が、前記第2の複数の腕部の位置と一致している、請求項4に記載のウエハ支持装置。
- 前記サセプタが前記サセプタ支持体によって支持されたときに、前記サセプタの上面から見た場合に、前記サセプタの前記複数の貫通穴の各々の位置と一致する複数の貫通穴を、前記第2の複数の腕部が含む、請求項4に記載のウエハ支持装置。
- 複数のスリットであって前記第2の複数の腕部のそれぞれが前記スリット内を移動可能な前記複数のスリットを有するハブを、前記中央部が含む、請求項4に記載のウエハ支持装置。
- 前記ハブが前記スリットの末端を成す複数の棟部を含んでおり、前記複数の棟部は、前記第2の複数の腕部が前記複数の棟部と係合したときに、前記第2の複数の腕部が前記ハブに対して上方に動くことを停止するように構成されている請求項7に記載のウエハ支持装置。
- 前記複数のスリットは、前記サセプタから見た場合に、前記複数のスリットの位置が前記第1の複数の腕部の各々の位置と一致するように、配置されている、請求項7に記載のウエハ支持装置。
- 前記リフトピンが、前記ウエハと周囲で係合するように構成された請求項1に記載のウエハ支持装置。
- 前記サセプタ支持体に回転運動を与える装置を更に備えた請求項3に記載のウエハ支持装置。
- 回転運動が前記サセプタ支持体に与えられたときに、前記ピンリフト装置がサセプタ支持体とともに回転されるように構成された請求項11に記載のウエハ支持装置。
- チャンバを備えており、
前記チャンバは、
当該チャンバ内に配置され、ウエハを支持するように構成された上面と底面とを有しており、前記底面と前記上面との間を延在している複数の貫通穴を有するサセプタと、
中央部とそれぞれ一端を有する複数のリフトピンとを有するピンリフト装置であって、前記中央部はそこから外方に延びている第1の複数の腕部を有し、前記複数のリフトピンのそれぞれは、前記第1の複数の腕部のそれぞれに接続されると共にそこから延びており、前記複数のリフトピンの前記一端が前記サセプタの前記複数の貫通穴の各々を通るように構成されたピンリフト装置と、
前記サセプタの前記底面で前記サセプタを支持する第2の複数の腕部を有するサセプタ支持体と、
前記複数のリフトピンの前記一端が前記サセプタの前記上面と同じ位置である第1の位置から、前記複数のリフトピンが前記サセプタの前記上面から突出する位置である第2の位置に向けて前記サセプタ支持体を動かす駆動装置と、
を含み、
前記サセプタ支持体が前記サセプタの方へ動かされるとき、前記第2の複数の腕部が前記ピンリフト装置の前記中央部と接触すると、前記ピンリフト装置が前記サセプタ支持体と共に移動する、
装置。 - 前記駆動装置と係合可能な第1の端と、前記ピンリフト装置の前記中央部と係合可能な第2の端とを有するウエハリフト装置であって、前記ウエハリフト装置を前記サセプタの前記上面に対して垂直の方向に動かす時、その方向に前記ピンリフト装置を動かすように構成された前記ウエハリフト装置を更に備えた請求項13に記載の装置。
- 前記サセプタ支持体が、サセプタを支持し、且つ前記サセプタの前記上面に垂直の方向に動かされるように構成されている、請求項13に記載の装置。
- 前記サセプタ支持体がシャフトを含み、
前記第2の複数の腕部から前記シャフトから延びている、
請求項15に記載の装置。 - 前記サセプタが前記サセプタ支持体によって支持されたときに、前記サセプタの上面から見て、前記サセプタの前記複数の貫通穴の各々の位置と一致する複数の貫通穴を、前記第2の複数の腕部が含む、請求項16に記載の装置。
- 複数のスリットであって前記第2の複数の腕部のそれぞれが前記スリット内を移動可能な前記複数のスリットを有するハブを、前記中央部が含む、請求項16に記載の装置。
- 前記ハブは前記スリットの末端を成す複数の棟部を含み、前記複数の棟部は前記第2の複数の腕部が前記複数の棟部に係合したときに、前記第2の複数の腕部が前記ハブに対して上方に動くのを阻止するように構成された請求項18に記載の装置。
- 前記複数のリフトピンが、前記ウエハの周囲で前記ウエハと係合するように構成された請求項13に記載の装置。
- 前記サセプタ支持体に回転運動を与える装置を更に備えた請求項15に記載の装置。
- 回転運動が前記サセプタ支持体に与えられたときに、前記ピンリフト装置が前記サセプタ支持体とともに回転されるように構成された請求項21に記載の装置。
- a)中央部と複数のリフトピンとを有するピンリフト装置であって、前記中央部は該中央部自身から外方に延びる複数の腕部を有しており前記複数のリフトピンが複数の腕部に接続されると共に前記複数の腕部から延びているピンリフト装置を、第2の複数の腕部を有するサセプタ支持体に取り付けるステップと、
b)前記サセプタ支持体に取り付けられるときに前記複数のリフトピンの各々と整列されるように構成された複数の貫通穴を有するサセプタを、前記サセプタ支持体に取り付けるステップと、
c)ウエハを前記サセプタ及び前記複数のリフトピンの一方の上に置くステップと、
を備え、
前記サセプタ支持体が前記サセプタの方へ動かされるとき、前記第2の複数の腕部が前記ピンリフト装置の前記中央部と接触すると、前記ピンリフト装置が前記サセプタ支持体と共に移動する、
半導体ウエハを処理する装置におけるウエハを支持する方法。 - 前記サセプタ支持体が前記複数のリフトピンに対して下方に動かされたときに、前記複数のリフトピンによって前記ウエハを支持するステップを更に備えた請求項23に記載の方法。
- 前記サセプタ支持体とともに前記ピンリフト装置を回転することを更に含む請求項23に記載の方法。
- 複数の貫通穴を有し、底面とウエハを支持するように構成された上面とを有するサセプタと、
前記サセプタを支持するように構成されており外方に延びる複数の腕部を有するサセプタ支持体と、
前記サセプタ及び前記サセプタ支持体の間に配置されたピンリフト装置と、
を備え、
前記ピンリフト装置は中央部及び該中央部に接続された複数のリフトピンを有し、前記中央部は、前記サセプタ支持体の前記複数の腕部により支持され、前記複数のリフトピンは、前記サセプタの前記複数の貫通穴を通って前記ウエハと係合するように構成されており、
前記サセプタ支持体は、前記ピンリフト装置の下を前記上面と垂直の方向に動くように構成されたウエハ支持装置。 - 複数の貫通穴を有し、ウエハを支持するように構成された面を有するサセプタと、
前記サセプタを支持するように構成されており外方に延びる複数の腕部を有するサセプタ支持体と、
前記サセプタ及び前記サセプタ支持体の間に配置されており、前記サセプタ支持体の前記複数の腕部により支持される中央部及び該中央部に接続されており前記サセプタの前記複数の貫通穴を通って前記ウエハと係合するように構成された複数のリフトピンを有するピンリフト装置と、
前記ピンリフト装置に係合し、前記サセプタの前記面に垂直の方向に前記ピンリフト装置を動かすように構成されたウエハリフトと、
を備えたウエハ支持装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/846,250 US6190113B1 (en) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Quartz pin lift for single wafer chemical vapor deposition/etch process chamber |
US08/846250 | 1997-04-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10335435A JPH10335435A (ja) | 1998-12-18 |
JP4401449B2 true JP4401449B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=25297366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12123098A Expired - Lifetime JP4401449B2 (ja) | 1997-04-30 | 1998-04-30 | ウエハを支持する方法と装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6190113B1 (ja) |
EP (1) | EP0877414A3 (ja) |
JP (1) | JP4401449B2 (ja) |
KR (1) | KR100574241B1 (ja) |
Families Citing this family (281)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT411304B (de) * | 1997-06-18 | 2003-11-25 | Sez Ag | Träger für scheibenförmige gegenstände, insbesondere silizium-wafer |
JP2990197B1 (ja) * | 1999-01-20 | 1999-12-13 | 熊本日本電気株式会社 | 半導体チップのピックアップ装置 |
JP2000323487A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式熱処理装置 |
US6315833B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide sleeve for substrate support assembly |
JP2001318470A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置、マイクロデバイス、フォトマスク、及び露光方法 |
US6485248B1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Multiple wafer lift apparatus and associated method |
DE60026476D1 (de) * | 2000-12-21 | 2006-05-04 | Oxford Instr Plasma Technology | Substrateneinschleusenvorrichtung |
KR100422199B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2004-03-12 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
US6767176B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-07-27 | Applied Materials, Inc. | Lift pin actuating mechanism for semiconductor processing chamber |
US6510888B1 (en) | 2001-08-01 | 2003-01-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate support and method of fabricating the same |
KR100489189B1 (ko) * | 2002-01-14 | 2005-05-11 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 구조물 |
US6799940B2 (en) * | 2002-12-05 | 2004-10-05 | Tokyo Electron Limited | Removable semiconductor wafer susceptor |
TW589243B (en) * | 2003-07-02 | 2004-06-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | A robot preventing static electro damage |
TWI286529B (en) * | 2004-05-06 | 2007-09-11 | Hannstar Display Corp | Method and structure for reception and delivery |
US8365682B2 (en) * | 2004-06-01 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for supporting substrates |
TW201115675A (en) * | 2005-04-25 | 2011-05-01 | Terasemicon Co Ltd | Manufacturing method for the holder of the batch type boat |
KR100678867B1 (ko) | 2005-12-12 | 2007-02-05 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터 및 이를이용한 기판 처리 방법 |
US7638003B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-12-29 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing apparatus with lift pin structure |
US20080079220A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-04-03 | Aviza Technology, Inc. | Rotary seal for diffusion furnance incorporating nonmetallic seals |
CN101353222B (zh) * | 2007-07-26 | 2010-12-01 | 张彩根 | 悬臂石英桨的制作方法及产品 |
KR101346851B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-01-03 | 주성엔지니어링(주) | 기판분리수단 |
US20100101491A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Asm Japan K.K. | Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor |
US8372196B2 (en) | 2008-11-04 | 2013-02-12 | Sumco Techxiv Corporation | Susceptor device, manufacturing apparatus of epitaxial wafer, and manufacturing method of epitaxial wafer |
JP2010114139A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sumco Techxiv株式会社 | サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法 |
US8313612B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
KR101685150B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2016-12-09 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템 |
US8404048B2 (en) * | 2011-03-11 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9123765B2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-09-01 | Applied Materials, Inc. | Susceptor support shaft for improved wafer temperature uniformity and process repeatability |
JP5386046B1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-01-15 | エピクルー株式会社 | サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置 |
CN103456672B (zh) * | 2013-09-04 | 2016-03-09 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 开放式销用支板 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
KR102195649B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2020-12-28 | 에스케이실트론 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 성장 장치 |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR101660899B1 (ko) * | 2015-01-26 | 2016-09-28 | 주식회사 엘지실트론 | 반도체 제조 장치 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
JP6432742B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-12-05 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
JP6634154B2 (ja) * | 2016-05-24 | 2020-01-22 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
DE102016212780A1 (de) | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Siltronic Ag | Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9892956B1 (en) * | 2016-10-12 | 2018-02-13 | Lam Research Corporation | Wafer positioning pedestal for semiconductor processing |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) * | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
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KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
JP6995098B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2022-01-14 | 日本電子株式会社 | 試料チップ作業台及びリテーナ |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
JP7418241B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置決め装置、処理システム及び位置決め方法 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
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CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
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TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
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TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
CN111739820B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-05-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备的反应腔室 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
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USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
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EP4009358A1 (en) * | 2020-12-04 | 2022-06-08 | ASM IP Holding B.V. | High performance susceptor apparatus |
USD1031676S1 (en) | 2020-12-04 | 2024-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Combined susceptor, support, and lift system |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
USD1009817S1 (en) * | 2021-09-28 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Shadow ring lift pin |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169148A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の搬送方法及びその装置 |
JPS6423420A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Hitachi Maxell | Production of magnetic recording medium |
US5044943A (en) | 1990-08-16 | 1991-09-03 | Applied Materials, Inc. | Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus |
JPH04124853A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-24 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送ロボット |
JP3238432B2 (ja) * | 1991-08-27 | 2001-12-17 | 東芝機械株式会社 | マルチチャンバ型枚葉処理装置 |
JPH05190414A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Nikon Corp | 基板吸着装置 |
US5356476A (en) * | 1992-06-15 | 1994-10-18 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing method and apparatus with heat and gas flow control |
US5421893A (en) * | 1993-02-26 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Susceptor drive and wafer displacement mechanism |
JP3608121B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2005-01-05 | アネルバ株式会社 | 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法 |
US5562947A (en) * | 1994-11-09 | 1996-10-08 | Sony Corporation | Method and apparatus for isolating a susceptor heating element from a chemical vapor deposition environment |
JPH08191097A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Touyoko Kagaku Kk | 高速熱処理装置 |
JPH0964158A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Toshiba Mach Co Ltd | 試料昇降装置 |
-
1997
- 1997-04-30 US US08/846,250 patent/US6190113B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-29 EP EP98303344A patent/EP0877414A3/en not_active Withdrawn
- 1998-04-30 JP JP12123098A patent/JP4401449B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-30 KR KR1019980015448A patent/KR100574241B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0877414A2 (en) | 1998-11-11 |
KR100574241B1 (ko) | 2006-07-25 |
JPH10335435A (ja) | 1998-12-18 |
US6190113B1 (en) | 2001-02-20 |
EP0877414A3 (en) | 2004-05-12 |
KR19980081849A (ko) | 1998-11-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080604 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080609 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080704 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080709 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080804 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080807 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080904 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091028 |
|
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