KR102195649B1 - 에피택셜 웨이퍼 성장 장치 - Google Patents

에피택셜 웨이퍼 성장 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102195649B1
KR102195649B1 KR1020140105111A KR20140105111A KR102195649B1 KR 102195649 B1 KR102195649 B1 KR 102195649B1 KR 1020140105111 A KR1020140105111 A KR 1020140105111A KR 20140105111 A KR20140105111 A KR 20140105111A KR 102195649 B1 KR102195649 B1 KR 102195649B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
center
wafer
epitaxial
main member
Prior art date
Application number
KR1020140105111A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160020141A (ko
Inventor
김태훈
김용진
Original Assignee
에스케이실트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이실트론 주식회사 filed Critical 에스케이실트론 주식회사
Priority to KR1020140105111A priority Critical patent/KR102195649B1/ko
Publication of KR20160020141A publication Critical patent/KR20160020141A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102195649B1 publication Critical patent/KR102195649B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Abstract

본 발명은 반응 챔버 내에서 웨이퍼를 서셉터 상에 배치하고, 소스 가스를 반응시켜 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 장치로서, 상기 서셉터를 수직방향으로 지지하는 메인 샤프트; 상기 메인 샤프트 상에서 복수개로 갈라져 상기 서셉터의 외주부분을 지지하는 서셉터 지지대; 및 일단이 상기 메인 샤프트의 중심부에 삽입되고, 타단이 상기 서셉터의 중심부에 고정되는 중심지주부재;를 포함하고, 상기 중심지주부재가 삽입되는 메인 샤프트의 축방향으로는 상기 중심지주부재의 직경과 동일하며 소정의 깊이로 파여진 버퍼 영역이 마련될 수 있다. 따라서, 반응 챔버 내부에서 에피택셜 공정이 진행되는 동안, 서셉터의 중심에 위치하면서 메인 샤프트로 연장된 중심지주부재의 하단에는 상기 중심지주부재가 이동할 수 있는 공간이 형성됨에 따라 서셉터가 주변부와 유사한 변형율을 가짐으로서, 웨이퍼의 뒷면에 데미지가 가해지는 것을 방지할 수 있다.

Description

에피택셜 웨이퍼 성장 장치{Apparatus for Growing Epitaxial Wafer}
본 발명은 에피택셜 성장장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 에피택셜 반응기 내부에 배치되는 서셉터에 중심 지주 부재가 팽창할 수 있는 공간을 형성하여 웨이퍼 상에 에피택셜 박막을 균일하게 성장시킬 수 있는 에피택셜 성장 장치에 관한 것이다.
경면 가공된 실리콘 웨이퍼에 실리콘 단결정의 에피택셜 박막을 성장시킨 것을 에피택셜 실리콘 웨이퍼(epitaxial silicon wafer)라고 한다. 에피택셜 반응기 내의 서셉터 위에 웨이퍼를 안착시키고, 반응기의 일단에서 타단으로 원료 가스를 공급하고, 공급되는 원료 가스와 웨이퍼를 반응시켜 웨이퍼 표면에 에피택셜막을 성장시킨 것이다.
도 1은 웨이퍼 상에 에피택셜막을 성장시키는 일반적인 에피택셜 성장 장치에서 서셉터가 지지된 부분만을 개략적으로 나타낸 단면도이며, (a)는 상온에서의 서셉터를 (b)는 고온에서의 서셉터를 나타낸 단면도이다.
도 1의 (a)를 참조하면, 반응 챔버 내부에서 웨이퍼(W)는 서셉터(11) 상에 놓여지고, 서셉터는 다수개의 갈래로 연장된 서셉터 지지대에 의해 지지된다. 서셉터 지지대에는 복수개의 관통홀이 형성되며, 상기 관통홀에는 웨이퍼를 상하 방향으로 이동시키기 위한 리프트 핀(12)이 삽입된다. 상기 리프트 핀(12)은 서셉터 지지대 하부에 위치한 리프트 지지대의 구동에 따라 웨이퍼(W)를 상방향으로 이동시킬 수 있다.
또한, 반응 챔버 내부에는 에피택셜 반응기에 열을 공급하는 열원이 배치되며, 상기 열원에서 전달되는 열 및 공정 가스의 흐름에 의해 에피택셜 반응이 진행될 수 있다.
그러나, (b)에 도시된 바와 같이 고온에서 서셉터(11)는 열팽창 현상으로 인해, 하부 방향으로 처지게되는 열변형이 발생하게 된다. 종래에는 이러한 문제점을 개선하기 위해 서셉터의 중심축 방향에서 서셉터를 지지하게 되는 중심축 방향지주 부재를 장착하였다.
그러나, 중심축 방향지주 부재가 상부의 서셉터와 하부의 메인 샤프트에 정확히 지지되어 있는 경우에는, 서셉터의 센터 영역이 2/R 지점 대비 높은 위치를 갖게 되며 웨이퍼의 뒷면에 충격 및 손상을 유발하게 된다. 즉, 서셉터의 센터 영역은 중심축 방향지주 부재로 인해 일정한 거리를 유지하게 되므로, 다른 영역과 변형률에 차이가 발생하게 된다.
이는, 고온에서 에피택셜 공정을 거치는 웨이퍼의 평탄도와 같은 에피택셜 웨이퍼의 품질에 큰 영향을 미치게 되며, 균일한 품질의 에피택셜 웨이퍼의 생산 수율이 저하되는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼에 에피택셜막을 형성하는 에피택셜 성장 장치에서 서셉터를 지지하기 위해 서셉터 중심에 중심지주부재를 형성하였을 경우, 상기 중심지주부재가 상기 에피택셜 성장 장치 내부에서 온도변화에 따라 이동하여 웨이퍼의 변형을 최소화할 수 있는 에피택셜 성장 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예는 반응 챔버 내에서 웨이퍼를 서셉터 상에 배치하고, 소스 가스를 반응시켜 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 장치로서, 상기 서셉터를 수직방향으로 지지하는 메인 샤프트; 상기 메인 샤프트 상에서 복수개로 갈라져 상기 서셉터의 외주부분을 지지하는 서셉터 지지대; 및 일단이 상기 메인 샤프트의 중심부에 삽입되고, 타단이 상기 서셉터의 중심부에 고정되는 중심지주부재;를 포함하고, 상기 중심지주부재가 삽입되는 메인 샤프트의 축방향으로는 상기 중심지주부재의 직경과 동일하며 소정의 깊이로 파여진 버퍼 영역이 마련될 수 있다.
본 발명에 따른 에피택셜 성장 장치는, 반응 챔버 내부에서 에피택셜 공정이 진행되는 동안 서셉터의 중심에 위치하면서 메인 샤프트로 연장된 중심지주부재의 하단에는 상기 중심지주부재가 이동할 수 있는 공간이 형성됨에 따라, 서셉터가 주변부와 유사한 변형율을 가지며 웨이퍼의 뒷면에 데미지가 가해지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 에피택셜 웨이퍼 공정을 실시함에 있어서 추가적인 공정 조건을 변경하지 않고도 웨이퍼에 데미지가 가해지는 것을 제어할 수 있고, 특히 웨이퍼의 중심부의 두께 평탄도를 개선하여 에피택셜 웨이퍼의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 에피택셜 성장 장치에서 서셉터가 지지된 부분만을 개략적으로 나타낸 단면도이며, (a)는 상온에서의 서셉터를 (b)는 고온에서의 서셉터를 나타낸 단면도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치를 나타낸 단면도
도 3은 도 2의 A부분을 확대하여 나타낸 단면도
도 4는 도 2의 B부분에 해당하는 구조를 나타낸 도면
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치로 에피택셜 공정을 실시하였을 때의 서셉터와 웨이퍼의 형상을 나타낸 도면
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치를 나타낸 단면도이다.도 2를 참조하면, 에피택셜 성장 장치(100)는 가스공급부(111), 가스배출구(112), 서셉터(113), 상부 라이너(106), 하부 라이너(107). 예열링(102), 서셉터 지지대(122), 리프트 핀(123) 및 메인 샤프트(115)를 포함한다.
에피택셜 성장 장치(100)의 일측에는 가스공급 라인과 연결되는 가스공급부(111)가 형성되고, 타측에 가스배출 라인과 연결되는 가스 배출구(112)가 형성될 수 있으며, 하부 덮개(103)와 상부 덮개(104)를 포함할 수 있다.
하부 라이너(107)는 서셉터(113)를 둘러싸도록 공정 챔버(105) 내에 배치되고, 상부 라이너(106)는 공정 챔버(105) 내에서 하부 라이너(107)와 대향하도록 하부 라이너(107) 상에 배치될 수 있다. 예열링(102)은 서셉터(113)에 인접하는 하부 라이너(107)의 내면을 따라 형성되며, 서셉터(113)를 둘러싸도록 인접하게 배치되어 웨이퍼로 전해지는 가스의 온도를 균일하도록 할 수 있다.
서셉터(113)는 에피택셜 반응시 웨이퍼가 장착되는 부분으로, 카본 그래파이트, 탄화규소 등의 재질로 이루어지는 플레이트 형상일 수 있다. 상기 서셉터(113)는 하부에 위치한 메인 샤프트(115)와 메인 샤프트(115)에서 웨이퍼의 에지 방향으로 여러 갈래로 연장 형성된 서셉터 지지대(122)에 의해 지지된다. 그리고 서셉터 지지대(122)에는 리프트 핀(123)이 상승 및 하강하여 웨이퍼를 상기 서셉터(113)에 안착시킬 수 있는 관통홀(116)이 복수개 마련될 수 있다
본 발명의 실시예는 상기와 같은 에피택셜 성장 장치를 구성하는 요소 중에서 서셉터(113)가 놓여지는 하부 영역에 특징이 있는 것으로, 특히 서셉터(113)의 중심부가 하부 방향으로 쳐지는 것을 방지하기 위해 구성되는 중심지주부재(120)에 그 특징이 있으며, 중심지주부재(120)의 상하부인 점선 부분에 해당하는 A와 B 영역의 구조를 변경하는 실시예에 대해 제안하고자 한다.
도 3은 도 2에 개시된 에피택셜 성장 장치 중에서 A부분을 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 실시예의 중심지주부재(120)가 메인 샤프트(115)에 삽입되는 영역에는, 상기 중심지주부재(120)가 하부로 이동할 수 있는 여유 공간이 마련되며, 메인 샤프트의 중심축 방향으로 관통하는 버퍼 영역(125)이 연장 형성될 수 있다. 상기 버퍼 영역(125)은 상기 중심지주부재(120)가 이동할 수 있도록, 중심지주부재(120)와 동일하거나 더 큰 직경을 가지며, 서셉터의 크기 또는 웨이퍼의 직경에 따라 소정의 깊이를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 버퍼 영역(125)은 서셉터(113)가 고온에서 열변형에 따라 하부방향으로 처질 시에 상기 중심지주부재(120)가 하방향으로 이동하여 웨이퍼의 부분별 변형의 편차를 최소화하기 위해 마련될 수 있다. 또한, 에피택셜 공정이 마무리된 후 서셉터가 상온 상태가 되면, 상기 중심지주부재(120)는 서서히 상방향으로 이동하여 초기 위치로 이동될 수 있다.
도 3에 개시된 중심지주부재(120)는 서셉터가 상온인 상태에서의 초기 위치를 나타내는 것이며, 도시된 바와 같이 하부의 버퍼 영역(125)을 남긴 상태를 유지하기 위해서는 상부가 서셉터에 고정되어 있을 수 있다.
도 4는 도 2에 개시된 에피택셜 성장 장치 중에서 B부분에 해당하는 구조를 나타낸 도면이다. 우선, 중심지주부재(120)는 도 2에 도시된 바와 같이 서셉터(113)의 중심부에서 연장형성되며, 서셉터(113)와 일체형으로 형성될 수 있다.
그리고, 다른 실시예로서 중심지주부재(120)의 상부가 서셉터(113)에 고정되기 위하여, 중심지주부재(120)의 상면에는 서셉터(113) 중심부에 형성된 관통홀에 안착되기 위한 깔대기 형상의 안착부(127)가 형성될 수 있고, 그 하부에는 서셉터의 하면과 고정되기 위한 고정부(126)가 형성될 수 있다.
이어서, 서셉터(113)의 구조를 살펴보면, 서셉터(113)의 중심에는 상기 중심지주부재(120)가 삽입되기 위한 관통홀(119)이 형성될 수 있다. 상기 관통홀(119)은 상기 서셉터(113)를 관통하면서, 상기 안착부(127)의 형상과 대응되도록 경사면이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 관통홀(119)에는 고정부(126)가 인입되기 위해, 고정부(126)의 형상과 대응되도록 추가적인 영역이 관통될 수 있다.
이어서, 단면도를 살펴보면, 서셉터(113) 중심에 형성된 관통홀(119)에 중심지주부재(120)가 삽입되고, 중심지주부재(120)의 상단은 안착부(127)에 의해 서셉터(113)에 지지된다. 그리고, 상기 중심지주부재(120)를 소정의 각도만큼 회전시킴으로써 고정부(126)가 관통홀(119)에서 탈착되지 않도록 고정될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치로 에피택셜 공정을 실시하였을 때의 서셉터와 웨이퍼의 형상을 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 에피택셜 성장 장치의 반응 챔버 내부에서 에피택셜 공정이 실시되고 있는 동안 서셉터(113)에는 고온에서 열팽창과 함께 열변형이 발생하게 된다. 서셉터가 열변형에 따라 하부방향으로 처짐이 발생함에 따라, 실시예에 따른 중심지주부재(120)의 하단부는 서셉터의 변형에 대응하여, 상기 중심지주부재(120) 하부방향에 마련된 버퍼 영역으로 하강하며 이동될 수 있다.
상기 반응 챔버 내부에서 에피택셜 공정이 종료되면, 상기 반응 챔버 내부의 온도가 상온으로 변화함에 따라 상기 서셉터가 수평방향으로 복원되고, 상기 중심지주부재는 상기 버퍼 영역에서 초기 위치로 상승하여 이동할 수 있다.
따라서, 본 발명은 서셉터의 중심에 위치하면서 메인 샤프트 내부로 삽입되는 중심지주부재(120) 서셉터의 열변형에 따라 상하부로의 이동이 가능하기 때문에, 서셉터의 중심부가 주변부와 유사한 변형율을 가지기 때문에 웨이퍼의 뒷면에 데미지가 가해지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 에피택셜 웨이퍼 공정을 실시함에 있어서 추가적인 공정 조건을 변경하지 않고도 웨이퍼에 데미지가 가해지는 것을 제어할 수 있고, 특히 웨이퍼의 중심부의 두께 평탄도를 개선하여 에피택셜 웨이퍼의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 에피택셜 성장 장치 112: 가스 배출구
102: 예열링 113: 서셉터
103: 하부 덮개 115: 메인 샤프트
104: 상부 덮개 116: 관통홀
105: 반응 챔버 120: 중심지주부재
106: 상부 라이너 122: 서셉터 지지대
107: 하부 라이너 123: 리프트 핀
111: 가스 공급부 125: 버퍼 영역

Claims (3)

  1. 반응 챔버 내에서 웨이퍼를 서셉터 상에 배치하고, 소스 가스를 반응시켜 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 장치로서,
    상기 서셉터를 수직방향으로 지지하는 메인 샤프트;
    상기 메인 샤프트 상에서 복수개로 갈라져 상기 서셉터의 외주부분을 지지하는 서셉터 지지대; 및
    상단이 상기 서셉터의 중심부에 고정되고, 하단이 상기 메인 샤프트의 중심부에 축방향으로 삽입되는 중심지주부재;를 포함하고,
    상기 중심지주부재가 삽입되는 메인 샤프트의 축방향으로는, 상온 하에서 상기 중심지주부재의 하단이 위치하는 초기 위치 하측에 상기 서셉터의 직경 또는 상기 서셉터에 지지되는 웨이퍼의 직경에 비례하는 소정의 깊이로 파여진 버퍼 영역이 마련되며,
    상기 반응 챔버의 내부에서 에피택셜 공정의 진행되는 동안, 상기 중심지주부재의 하단이 상기 버퍼 영역으로 하강하고,
    상기 반응 챔버의 내부에서 에피택셜 공정이 종료되면, 상기 중심지주부재의 하단이 초기 위치로 상승하는 에피택셜 성장 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 중심지주부재의 상단은,
    상기 서셉터의 중심부와 일체로 구성되는 에피택셜 성장 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 중심지주부재의 상단은,
    상기 서셉터의 중심부에 조립 고정되는 에피택셜 성장 장치.
KR1020140105111A 2014-08-13 2014-08-13 에피택셜 웨이퍼 성장 장치 KR102195649B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140105111A KR102195649B1 (ko) 2014-08-13 2014-08-13 에피택셜 웨이퍼 성장 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140105111A KR102195649B1 (ko) 2014-08-13 2014-08-13 에피택셜 웨이퍼 성장 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160020141A KR20160020141A (ko) 2016-02-23
KR102195649B1 true KR102195649B1 (ko) 2020-12-28

Family

ID=55449084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140105111A KR102195649B1 (ko) 2014-08-13 2014-08-13 에피택셜 웨이퍼 성장 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102195649B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102331800B1 (ko) * 2020-04-01 2021-11-29 에스케이실트론 주식회사 서셉터 및 이를 포함하는 웨이퍼의 제조 장치
KR102457294B1 (ko) * 2020-09-15 2022-10-21 에스케이실트론 주식회사 돔 어셈블리 및 에피택셜 리액터

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574241B1 (ko) 1997-04-30 2006-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 단일 웨이퍼 화학 증착/에치 프로세스 챔버용 석영 핀 리프트
JP2008533697A (ja) 2005-01-18 2008-08-21 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド ウェハ支持ピン部材
JP2013175543A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
KR101432916B1 (ko) * 2013-01-04 2014-08-21 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 리프트 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574241B1 (ko) 1997-04-30 2006-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 단일 웨이퍼 화학 증착/에치 프로세스 챔버용 석영 핀 리프트
JP2008533697A (ja) 2005-01-18 2008-08-21 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド ウェハ支持ピン部材
JP2013175543A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160020141A (ko) 2016-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5604907B2 (ja) 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP6112474B2 (ja) ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
EP3396703B1 (en) Wafer supporting mechanism, chemical vapor deposition apparatus, and epitaxial wafer manufacturing method
JP6153931B2 (ja) サセプタ
CN105765113A (zh) 外延晶片生长装置
CN102082109B (zh) 基座单元和用于使用基座单元来处理衬底的设备
KR102035120B1 (ko) 서셉터 및 에피택셜 성장 장치
JP6338439B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
US10577718B2 (en) Method for manufacturing silicon single crystal ingot, and silicon single crystal ingot manufactured by the method
KR102195649B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
JP6403100B2 (ja) エピタキシャル成長装置及び保持部材
JP2007273623A (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置
JP6033650B2 (ja) 単結晶製造装置、および単結晶の製造方法
KR101105697B1 (ko) 반도체 제조 장치
KR100906281B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 열실드 구조물 및 이를 이용한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치
KR101629445B1 (ko) 대구경 단결정 성장장치
JP6394124B2 (ja) 坩堝および単結晶の製造方法
KR20170083383A (ko) 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
KR101586937B1 (ko) 에피 웨이퍼 성장장치
KR20160020373A (ko) 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
KR20160072495A (ko) 단결정 성장용 시드척
KR101635943B1 (ko) 잉곳 성장 장치용 원료 공급관
JP6248832B2 (ja) 坩堝および単結晶の製造方法
JP2016017002A (ja) 坩堝および単結晶の製造方法
KR101506876B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant