CN105765113A - 外延晶片生长装置 - Google Patents
外延晶片生长装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105765113A CN105765113A CN201480064479.3A CN201480064479A CN105765113A CN 105765113 A CN105765113 A CN 105765113A CN 201480064479 A CN201480064479 A CN 201480064479A CN 105765113 A CN105765113 A CN 105765113A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preheating ring
- protuberance
- wafer
- pedestal
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
- C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Abstract
本发明涉及一种用工艺气体流来生长外延层的外延晶片生长装置。该外延晶片生长装置包括:提供所述工艺气体在其中流动的区域的反应腔;环绕所述反应腔侧面的上部衬垫和下部衬垫;基座,所述基座布置在反应腔的中心,从而晶片布置在所述基座上;预热环,所述预热环布置与所述基座共面,并且设置在所述下部衬垫的上表面上,从而与所述基座隔开;以及固定构件,所述固定构件提供在所述预热环的下方,从而与所述下部衬垫的侧表面进行接触,其中,所述固定构件包括突出部,所述突出部沿圆周方向与所述下部衬垫的侧表面具有接触表面,并且使所述突出部固定以允许所述预热环和所述基座之间具有预定的间隔。因此,使设置在所述下部衬垫上的预热环固定以在外延生长工艺中,使所述预热环与所述基座沿所有的方向维持预定的距离,从而能够以恒定的方式控制反应气体流向晶片,以在所述晶片的边缘处形成均匀的外延厚度。
Description
技术领域
本发明涉及一种外延生长装置,并且更具体地,涉及一种在晶片上生长单晶硅外延薄层的外延生长装置。
背景技术
外延硅晶片是指在镜状抛光的硅晶片上生长的单晶硅外延薄层。对于外延硅晶片的形成,将镜状抛光的硅晶片安装在外延反应器中的基座上,并且随后,将源气体从反应器的一侧端供应至另一侧端。从而,该气体与晶片反应以在所述晶片的表面上形成生长的外延层。
图1示出了常规外延反应器的横截面图。参照图1,下部衬垫102布置在反应容器101的外周面上,基座105布置在反应容器101内并且以对称的方式与下部衬垫102相邻。基座105允许在其上安装晶片W。为此,基座105由基座支架106来支撑。在反应容器101的一个侧端,布置有气体入口103以接受来自气体供应源的源气体,随后将其供应至基座105上的晶片W的表面上。在反应容器101的另一侧端,布置有气体出口104以经由晶片接收气体,并且将该气体排放至容器外部。
在下部衬垫102的内周面上,布置有预热环108以能够朝向晶片形成均匀的热传输。预热环108布置为与基座105共面,并且环绕该基座105。
预热环108以安置在下部衬垫102上的板状环来实施。因此,预热环108由于高温带来的热膨胀,和/或在外延沉积过程中发生的震动可能发生变形和/或移动。
图2示出了现有技术的俯视图,其中,基座和预热环之间存在接触。参照图2,当预热环108由于变形或移动而与基座105部分接触时,可能影响在基座105上的晶片上以及沿基座105上的晶片的气流。因此,这可能导致沉积晶片(特别是在晶片的边缘处)具有不均匀的沉积厚度。
此外,当预热环108在与下部衬垫102接触的状态下变形或移动时,在下部衬垫102与环108之间可能存在摩擦。这可能导致产生颗粒物。这种颗粒物可能污染反应容器101中的反应气体而劣化所得到的外延晶片的质量。
此外,预热环108与基座105之间的摩擦可能使碳化硅(SiC)涂层从基座105上脱落,和/或该涂层覆盖的金属从基座105去除而在反应容器中形成金属颗粒物。这可进一步污染反应容器101中的反应气体。这可劣化所得到的外延晶片的质量,并且因此降低外延晶片的产率。
发明内容
出于以上考量,本发明提供了用于将预热环固定至下部衬垫的方法,从而在热外延沉积过程中,实现所述预热环与所述基座之间具有均匀的间隔。
本发明提供了一种方法,所述方法能够降低所述预热环和所述下部衬垫之间的接触面积,同时能够使所述预热环和所述基座之间保持均匀的间隔。
技术方案
在本发明的一个方面,提供了一种利用工艺气流在晶片上生长外延层的外延晶片生长装置,该装置包括:反应腔,在所述反应腔中,存在所述工艺气流;上部衬垫和下部衬垫,每个衬垫均环绕所述反应腔的侧面;基座,与所述反应腔同心布置且同心布置在所述反应腔中,所述基座配置用于支撑在其上的所述晶片;预热环,所述预热环安置在所述下部衬垫的顶面上,所述预热环与所述基座共面,并且所述预热环与所述基座隔开;以及至少一个突出部,所述至少一个突出部从所述预热环向下延伸,其中,所述突出部与所述下部衬垫的圆周侧表面具有圆周接触面,其中,所述突出部配置用于将所述预热环固定至所述下部衬垫,以使所述预热环与所述基座之间沿所述预热环保持均匀的间隔。
技术效果
本发明的外延生长装置包括:固定构件,配置用于将所述预热环固定至所述下部衬垫,从而抑制所述预热环的水平变形和/或移动。这可使得能够在晶片表面上且沿晶片表面得到均匀的气流速率,因此,特别在晶片的边缘中得到均匀的外延层厚。这可使所得到的晶片具有更好的平整度,从而具有更好的半导体器件产率。
此外,根据本发明,可降低由所述预热环和下部衬垫之间的摩擦而导致的颗粒物产生,从而抑制所得到生长的外延晶片的污染。
此外,根据本发明,可抑制所述预热环和基座之间的接触,从而使由于预热环与基座之间的摩擦而使基座的涂层脱落所导致的颗粒物产生最小化。这可使得所得到的外延晶片具有均匀的质量。
附图说明
图1示出了常规外延反应器的横截面图。
图2示出了基座与预热环之间存在接触的现有技术的俯视图。
图3示出了根据本发明的一个实施方式的外延生长装置200的横截面图。
图4示出了根据本发明的一个实施方式的预热环的横截面图。
图5示出了根据本发明的一个实施方式的预热环的仰视图。
图6示出了根据本发明的另一个实施方式的预热环的横截面图。
图7示出了根据本发明的预热环和基座的俯视图。
图8示出了在晶片外延过程中,基座和预热环之间存在接触或不存在接触的情况下,分别得到的晶片之间LLS(局部光散射)缺陷的对比。
图9示出了在晶片外延过程中,基座和预热环之间存在接触或不存在接触的情况下,分别得到的晶片的外延层厚度沿径向方向的变化。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本发明的各个实施方式。应当理解的是,本发明不限于所述的实施方式。在以下说明中,为了清楚起见,将省略对公知的功能或结构的特别细节的描述。
图3示出了根据本发明的一个实施方式的外延生长装置200的横截面图。参照图3,外延生长装置200可以以单个晶片类型来进行实施,在该外延生长装置中可进行用于单个晶片W的外延生长工艺。外延生长装置200可包括反应腔201,气体供应源203,气体出口204,基座205,基座支架206,基座支撑柱207,下部衬垫202,上部衬垫212,预热环208以及主轴211。
反应腔201可由石英制成。沿反应腔201的外周面,可布置有下部衬垫202。在下部衬垫202上方,可布置有与下部衬垫202隔开的上部衬垫212。从而,可在上部衬垫212和下部衬垫202之间产生用于气流的特定通道。该通道的一个侧面部可限定有气体入口203,与该一个侧面部相反的通道的另一侧面部可限定有气体出口204。源气体可通过该气体入口203被引入至反应腔201,并且可沿晶片表面流动,并且可通过气体出口204来排出至腔的外部。
基座205可以以涂覆有石墨碳的碳化硅制成的环状支撑平板来实施。基座205可以与反应腔201的内外圆周同心布置。在基座205上,可放置晶片W以在该晶片上形成薄层。
基座205可通过主轴211来支撑。具体地,主轴211可以以给定的角度分支成多个基座支架206。每个支架206可支撑基座205。在该连接中,每个基座支架206可具有布置在其自由端的相应的支撑柱207,其可支撑基座205的外周。在该情况下,基座205可得到一致且水平地支撑。
预热环208可与基座205共面。预热环208可以以安置在于基座205相邻的下部衬垫202的水平外周面上的板状环来实施。预热环208能够使气体至晶片的均匀热传输。本发明提供了用于将预热环208固定至下部衬垫202的方法,从而在热外延沉积过程中,使预热环208和基座205之间能够保持均匀的间隔。在下文中,将详细地描述本发明所提供的方法。
图4中示出了根据本发明的一个实施方式的预热环的横截面图。具体地,图4示出了图3中虚线示出部分的放大的横截面图。
参照图4,固定构件209可以布置为从预热环208向下的突出部。该固定构件209可与下部衬垫202接触。具体地,下部衬垫202的内垂直圆周面可接触固定构件209的外垂直圆周面。在该方式中,固定构件209可将预热环208固定至下部衬垫202。
突出部209可以以多边形横截面结构来实施。因此,多边形横截面结构的每个垂直面可抑制预热环208的水平变形和/或移动。例如,多边形横截面结构可以以六边形横截面结构来实施。在该连接中,接触下部衬垫202的多边形横截面结构209的垂直面可以与下部衬垫202的内圆周相同的曲率弯曲。
固定构件209可包括多个突出部。因此,固定构件209与下部衬垫202之间的接触点可包括多个接触点。多个接触点可允许预热环208稳固且水平地紧固至下部衬垫202。这可能抑制预热环的变形和/或移动,从而抑制颗粒物产生。
图5示出了根据本发明的一个实施方式的预热环的仰视图。
参照图5,固定构件209可以以多个构件的方式布置在预热环208的下方,从而每个构件与下部衬垫202具有接触面。例如,可以以形成相应的突出物的形式布置至少3个固定构件209,以抑制预热环208的水平位移和/或变形。在另一实施方式中,固定构件209可以以环状结构来实施,以连续地接触下部衬垫202。
当固定构件209以多个突出部的形式来实施时,这些突起部可以从预热环208且沿预热环208以对称的方式来布置。换言之,两个相对的突起部可彼此以间隔180度的角距离来布置。也就是说,相对的突起部之间的延伸线可相交于预热环208的内圆周的中点。在该情况下,可以以对称且均匀的方式来抑制预热环208的移动和/或变形。此外,可考虑到有助于将环208放置在下部衬垫202上的余量来构建预热环208。
为了均匀地抑制预热环208的移动和/或变形,可沿预热环208均匀地布置多个突出部209,同时,该多个突出部209以均匀的距离彼此隔开。也就是说,多个固定构件209可以以围绕基座205均匀的距离重复地布置。尽管可能优选的是,固定构件209的数目尽可能地少,以降低下部衬垫202与固定构件209之间的接触面积,但是固定构件209的数目以及固定构件209与下部衬垫202的接触面积可基于预热环208的尺寸以及固定构件与下部衬垫的相关性来根据工艺条件进行选择。在本发明的一个实施方式中,相邻固定构件209之间的角距离可为45度。因此,固定构件209的总数目可为8。
关于固定构件209的形成,固定构件209可以与预热环208一体式形成。这可通过以预定的形状去除预热环工件的下部部分来实现。在一个替代方式中,固定构件209可附接至预热环208,或从预热环208上拆除。在此情况下,固定构件209和预热环208可由相同的材料制成以具有相同的热膨胀。
当使用根据本实施方式的包括预热环与固定构件的外延生长装置时,可抑制由于预热环和基座之间的摩擦而导致SiC涂层从基座脱落,从而降低由于脱落的SiC涂层而导致腔内污染。进一步地,也可抑制由于预热环和下部衬垫之间的摩擦导致的颗粒物产生,从而抑制其对所得到的生长的外延晶片的污染。
图6示出了根据本发明的另一实施方式的预热环的横截面图。参照图6,预热环208’可具有限定在其内的沟槽210。该沟槽可具有预定的深度,并且可与下部衬垫209接触。沟槽210接触下部衬垫202的顶面。沟槽可被分为沿预热环208’以均匀距离重复且周向布置的多个子沟槽。该沟槽可用于降低预热环208’与下部衬垫202之间的接触面积。在一替代方式中,沟槽210可沿预热环连续且周向地延伸。在该情况下,沟槽沿预热环以环状延伸。
在该情况下,仅预热环208’的最外部分可与下部衬垫202接触。这可降低由于外延工艺中热膨胀导致衬垫和环之间摩擦而产生颗粒物。
此外,如在图4所示的实施方式中,布置在预热环208’下方的固定构件209可由具有多个侧面的结构来形成。固定构件209可包括彼此隔开且沿预热环208’布置的多个突出部,用于降低下部衬垫202与环208’之间的摩擦。可根据预热环208’的尺寸、工艺条件等来改变突出部的数目,相邻突出部之间的间隔和/或下部衬垫202与突出部之间的接触面积。
图7示出了根据本发明的预热环和基座的俯视图。参照图7,由于基座205与预热环208以恒定的距离围绕基座彼此间隔且同时彼此共面,所以本发明的外延生长装置可在旋转基座期间实现沿晶片以及在晶片上的均匀的气流。
此外,可抑制预热环208与基座205彼此接触,并且因此,可防止基座脱落,进而防止形成金属沉淀物。因此,可抑制金属污染。这可改善所得到的外延晶片的产率。
图8示出了在晶片外延工艺中,基座和预热环之间存在接触和不存在接触的情况下,分别得到的晶片之间的LLS(局部光散射)缺陷的对比。
图8(a)示出了当预热环和基座之间存在接触时,晶片表面上的LLS缺陷。具体地,虚线所限定的区域中形成多个LLS以呈现出0.2μm大小的图案化LLS。
图8(b)示出了当预热环和基座之间不存在接触时(也就是说,在预热环和基座之间保持均匀的间隔时),晶片表面上的LLS缺陷。这可通过利用第一实施方式和/或第二实施方式的预热环来实现。如该图中所示,并没有显示出图案化的LLS。
图9示出了在晶片外延工艺中,基座和预热环之间存在接触和不存在接触的情况下,分别得到的晶片的外延层厚度沿径向方向的变化。
当预热环和基座之间没有接触时,也就是说在预热环和基座之间保持均匀的间隔时,沿晶片表面以及在晶片表面上的均匀的气流可使得在晶片上沉积的外延层的厚度沿径向方向对称地变化。与此相反的是,当预热环与基座之间存在接触时,也就是说,在预热环和基座之间没有保持均匀间隔时,沿晶片表面以及在晶片表面上的不均匀的气流可导致在晶片上沉积的外延层的厚度沿径向方向不对称地变化。特别地,在晶片的边缘中,该不对称的变化是显著的。这可导致得到的晶片平整度差,因此,导致半导体器件的产率差。
本发明的外延生长装置包括配置用于将预热环固定至下部衬垫的固定构件,由此抑制预热环的水平变形和/或移动。这可在晶片表面上以及沿晶片表面产生均匀的气体流速,因此,产生对称变化的外延层厚度。这可改善所得到的晶片的平整度更好,因此得到更好的半导体器件的产率。
上述描述并不以限制方式进行,可仅仅用于描述示例性实施方式的普遍原理,并且本发明的许多额外的实施方式也是可能的。应当理解的是,并不用于限制本发明的范围。本发明的范围应当参照权利要求来进行界定。
工业实用性
本发明可适用于外延生长装置,用于在晶片上生长外延层,因此具有工业实用性。
Claims (13)
1.一种利用工艺气流在晶片上生长外延层的外延晶片生长装置,该装置包括:
反应腔,在所述反应腔中,存在所述工艺气流;
上部衬垫和下部衬垫,每个衬垫均环绕所述反应腔的侧面;
基座,与所述反应腔同心布置且同心布置在所述反应腔中,所述基座配置用于支撑在该基座上的所述晶片;
预热环,所述预热环安置在所述下部衬垫的顶面上,所述预热环与所述基座共面,并且所述预热环与所述基座隔开;以及
至少一个突出部,所述至少一个突出部从所述预热环向下延伸,其中,所述突出部与所述下部衬垫的圆周侧表面具有圆周接触面,其中,所述突出部配置用于将所述预热环固定至所述下部衬垫,以使所述预热环与所述基座之间沿所述预热环保持均匀的间隔。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述突出部沿所述下部衬垫的圆周连续地延伸以形成环状。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述至少一个突出部包括沿所述预热环布置的至少三个突出部。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述至少三个突出部包括8个突出部,其中,所述8个突出部中相邻的突出部以45度的角距离彼此隔开。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述至少一个突出部包括沿所述预热环布置的多个突出部,其中,所述多个突出部围绕所述基座对称地布置。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述至少一个突出部包括沿所述预热环布置的多个突出部,其中,所述多个突出部围绕所述基座以均匀的距离重复布置。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述圆周接触面的曲率与所述下部衬垫的圆周侧面的曲率相同。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述突出部与所述预热环是一体的。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述突出部配置为附接至所述预热环/从所述预热环上拆除。
10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述预热环具有在所述预热环内界定出的沟槽,其中,所述沟槽与所述下部衬垫接触。
11.根据权利要求10所述的装置,其中,所述沟槽沿所述预热环连续且周向地延伸。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述沟槽沿所述预热环以环状延伸。
13.根据权利要求10所述的装置,其中,所述沟槽被分成多个子沟槽,所述多个子沟槽沿所述预热环以均匀的距离重复且周向地布置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130143993A KR101539298B1 (ko) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | 에피택셜 웨이퍼 성장 장치 |
KR10-2013-0143993 | 2013-11-25 | ||
PCT/KR2014/008282 WO2015076487A1 (ko) | 2013-11-25 | 2014-09-03 | 에피택셜 웨이퍼 성장 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105765113A true CN105765113A (zh) | 2016-07-13 |
Family
ID=53179726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480064479.3A Pending CN105765113A (zh) | 2013-11-25 | 2014-09-03 | 外延晶片生长装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160273128A1 (zh) |
JP (1) | JP6169809B2 (zh) |
KR (1) | KR101539298B1 (zh) |
CN (1) | CN105765113A (zh) |
DE (1) | DE112014005368T5 (zh) |
WO (1) | WO2015076487A1 (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110277304A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 胜高股份有限公司 | 外延晶片的制造方法及其制造装置 |
CN110494957A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-11-22 | 胜高股份有限公司 | 外延生长装置及预热环以及使用这些的外延晶片的制造方法 |
CN111477565A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种外延设备 |
CN113981531A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-28 | 江苏天芯微半导体设备有限公司 | 一种预热环及衬底处理设备 |
CN114026273A (zh) * | 2019-06-27 | 2022-02-08 | 胜高股份有限公司 | 外延生长装置及外延晶片的制造方法 |
TWI763425B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-05-01 | 德商世創電子材料公司 | 在由半導體材料製成的基板晶圓上沉積磊晶層的方法和設備 |
TWI767150B (zh) * | 2018-10-19 | 2022-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理設備 |
Families Citing this family (184)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US11598021B2 (en) * | 2015-10-01 | 2023-03-07 | Globalwafers Co., Ltd. | CVD apparatus |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
JP2021068871A (ja) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
CN111599716A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6042654A (en) * | 1998-01-13 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines |
JP3758579B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2006-03-22 | 信越半導体株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP4379585B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-12-09 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP4600820B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2010-12-22 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置 |
JP4378699B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2009-12-09 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置 |
JP4348542B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2009-10-21 | 信越半導体株式会社 | 石英治具及び半導体製造装置 |
JP2006124758A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR101125738B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-03-27 | 주식회사 엘지실트론 | 서셉터 및 이를 사용하는 에피텍셜 반응기 |
DE102011007632B3 (de) * | 2011-04-18 | 2012-02-16 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe |
-
2013
- 2013-11-25 KR KR1020130143993A patent/KR101539298B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-09-03 JP JP2016555424A patent/JP6169809B2/ja active Active
- 2014-09-03 WO PCT/KR2014/008282 patent/WO2015076487A1/ko active Application Filing
- 2014-09-03 CN CN201480064479.3A patent/CN105765113A/zh active Pending
- 2014-09-03 DE DE112014005368.6T patent/DE112014005368T5/de not_active Ceased
- 2014-09-03 US US15/037,323 patent/US20160273128A1/en not_active Abandoned
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110494957A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-11-22 | 胜高股份有限公司 | 外延生长装置及预热环以及使用这些的外延晶片的制造方法 |
CN110494957B (zh) * | 2017-03-07 | 2023-05-02 | 胜高股份有限公司 | 外延生长装置及预热环以及使用这些的外延晶片的制造方法 |
CN110277304A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 胜高股份有限公司 | 外延晶片的制造方法及其制造装置 |
TWI767150B (zh) * | 2018-10-19 | 2022-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理設備 |
CN114026273A (zh) * | 2019-06-27 | 2022-02-08 | 胜高股份有限公司 | 外延生长装置及外延晶片的制造方法 |
CN114026273B (zh) * | 2019-06-27 | 2024-01-09 | 胜高股份有限公司 | 外延生长装置及外延晶片的制造方法 |
CN111477565A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种外延设备 |
CN111477565B (zh) * | 2020-03-26 | 2023-06-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种外延设备 |
TWI763425B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-05-01 | 德商世創電子材料公司 | 在由半導體材料製成的基板晶圓上沉積磊晶層的方法和設備 |
CN113981531A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-28 | 江苏天芯微半导体设备有限公司 | 一种预热环及衬底处理设备 |
TWI822413B (zh) * | 2021-10-26 | 2023-11-11 | 大陸商江蘇天芯微半導體設備有限公司 | 預熱環及基材處理設備 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150061104A (ko) | 2015-06-04 |
KR101539298B1 (ko) | 2015-07-29 |
JP6169809B2 (ja) | 2017-07-26 |
DE112014005368T5 (de) | 2016-08-04 |
WO2015076487A1 (ko) | 2015-05-28 |
JP2016541127A (ja) | 2016-12-28 |
US20160273128A1 (en) | 2016-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105765113A (zh) | 外延晶片生长装置 | |
TWI461570B (zh) | Cvd用托盤以及使用該托盤的成膜方法 | |
TWI664310B (zh) | 磊晶成長裝置、預熱環以及使用其之磊晶晶圓的製造方法 | |
JP5933202B2 (ja) | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 | |
JP6341083B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
KR102164610B1 (ko) | 기판 캐리어 베이스 상에 장착될 수 있는 기판 캐리어 링을 구비한 열 처리 장치 | |
US9543186B2 (en) | Substrate support with controlled sealing gap | |
KR100941013B1 (ko) | 열처리 장치 및 열처리 방법 | |
TW201946195A (zh) | 用於使預熱構件自定中心之裝置 | |
CN109841541B (zh) | SiC外延生长装置 | |
JP4868503B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
TWI711114B (zh) | 晶座、磊晶成長裝置、磊晶矽晶圓的製造方法以及磊晶矽晶圓 | |
WO2020071308A1 (ja) | サセプタ | |
JP2009064850A (ja) | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 | |
US20150259827A1 (en) | Susceptor | |
KR100966370B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
JP2019007045A (ja) | ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 | |
CN113950541A (zh) | 在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置 | |
JP5669512B2 (ja) | 成膜装置と成膜装置用の支持台 | |
WO2012050117A1 (ja) | 支持体及びウエハ成膜処理方法 | |
JP5666150B2 (ja) | 遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置 | |
JP2015195259A (ja) | サセプターおよび気相成長装置 | |
JP7419704B2 (ja) | 化学的気相成長装置 | |
KR100956207B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
JP2018060929A (ja) | サセプタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160713 |