JP2019007045A - ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この自公転型のエピタキシャル成長装置は、SiC基板はウェハ支持台を介して搭載プレート上に載置される構成であるが、基板が搭載プレートに形成された凹部に直接、載置される構成のエピタキシャル成長装置もある。
また、ウェハ支持台の材料は、高温に耐える必要があるため、炭化珪素やTaCコートされた黒鉛などを用いることが多い。
図7(a)に示す通り、ウェハWを斜めに傾けて、ウェハ支持台120のリング状部122の内側側面(内周面)122aにウェハの外周Wcを接触させるとき、ウェハが接触するのは通常、外周のうち、特にその上端(外周上端)Wctである。リング状部を構成する材料やリング状部に付着している炭化珪素などの異物が、ウェハWの表面Wsに散乱することがある。
像中の斑点は種々の欠陥を示す。オリフラの反対側からオリフラ側へ(上から下へ)斑点が筋状に並んでいることがわかる(長丸で囲んだ部分)。
この場合、リング状部の内側側面に接触しないオリフラの部分ではなく、セットの際に接触したと思われる、オリフラの部分とオリフラ以外の部分との境界から下へ斑点が筋状に並んでいることがわかる(長丸で囲んだ部分)。
なお、図7(b)に示したセットの方法の方が図9(a)に示したセットの方法に比べて、SiCエピタキシャルウェハ製造後に取り出して、上方から挿入するタイプの複数のSiCエピタキシャルウェハを収容できるキャリアに入れた際に、OFを上から確認しやすいというメリットがある。
しかしながら、リング状部122全体の厚さhを単に、ウェハWの厚さtよりも薄くした場合、新たな課題として、ウェハの外周部にて、エピクラウンなどの異常成長が起こりやすくなる。また、ウェハが高温になり、その外周部が持ち上がるように反った際には、ウェハ支持台から離脱してしまうおそれがある。
従って、リング状部122全体の厚さhをウェハWの厚さに比べて単に薄くするだけでは、新たな大きな課題を生じることなく、ウェハ載置時にウェハがウェハ支持台に接触することに起因するエピタキシャル膜の欠陥の問題は解消することはできない。
図1は、本発明の一実施形態に係る化学気相成長装置の一例を模式的に示す断面図である。本発明の化学気相成長装置は、図1の構成のものには限られないが、以下理解を容易にするために、図1の化学気相成長装置に基づき本発明を説明する。
シーリング50は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられている。具体的には、このシーリング50は、周壁60の内周面から突出して設けられた支持部61の上に、その外周部が載置されることによって、鉛直上向きに支持されている。
ウェハ支持台20が搭載プレート10の一部分である構成の場合、ウェハ支持台20とは、搭載プレート10において、ウェハWが載置されるウェハ載置面21sを有する支持台本体21と、ウェハWの外周を囲むリング状部22とからなる部分を指す。
ウェハ支持部だけが搭載プレート10に形成されており(すなわち、ウェハ支持部が搭載プレート10に一体であり)、リング状部22が搭載プレート10とは別部材であってもよい。
ウェハ支持台20は、図2に示すように搭載プレート10の凹状収容部11に収容され、上面にウェハWを載置することができる。ウェハ支持台20は、シーリング50と対向する側に、ウェハ載置面21sと、載置されるウェハの周囲を囲むように起立するリング状部22とを有している。図2では、簡単のため搭載プレート10の2つの凹状収容部11にのみウェハ支持台20を収容した例を示している。図2に示したウェハWではオリフラは省略した。ウェハ載置面21sにはザグリが形成されていてもよい。
なお、本明細書において、「ウェハ載置面」とは、実際にウェハが接触している部分を含む面である。
図3に、本発明の一実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図を示す。図3(a)は平面図(ウェハWも示す)であり、図3(b)は図3(a)のウェハ支持台のX−X線で切った断面図(点線でウェハWを示す)であり、図3(c)も図3(a)のウェハ支持台のX−X線で切った断面図(ウェハWを示さず)であり、図3(d)は図3(a)のウェハ支持台のY−Y線で切った断面図(点線でウェハWを示す)である。
なお、通常のウェハ支持台は、どの断面も図3(d)に示したようなものである。
また、本発明のウェハ支持台における「リング状部」の「内周面」は、ウェハ載置面に対して実質的に垂直に起立する面であるが(すなわち、「内周面」とウェハ載置面とは実質的に90°をなす。)。これに対して、「外周面」は代表的な構成としては「内周面」に対して実質的に平行であるが、平行である場合に限定されない。すなわち、「外周面」は、ウェハ載置面に対して実質的に垂直に起立する面である構成に限定されない。なお、「内周面」がウェハ載置面に対して実質的に垂直に起立するとは、ウェハWを支持する機能を発揮する程度に起立する角度であればよい。
すなわち、本発明のウェハ支持台における「リング状部」は、公知のリング状部と同様な構成である等厚部と、公知のリング状部と異なる低内周面部22Bとを備える。すなわち、本発明のウェハ支持台は、そのリング状部が低内周面部を備える点が従来のウェハ支持台と異なる。
図4に示すように、ウェハWを斜めに傾け、ウェハWの一部をリング状部に当ててウェハ支持台20にセットする際に、前記一部が当たるリング状部の部分が低内周面部22Bになるようにすると、ウェハWの外周Wcの上端Wctがリング状部22に接触しない。その結果、リング状部22を構成する材料やリング状部22に付着している炭化珪素などの異物がウェハWの表面Wsに散乱するのを回避できる。
図5(a)に示すように、低内周面部22Bは、内周面22aから連続する傾斜面22Baaを有すると共に厚さが等厚部22Aの厚さh以下である傾斜部22Bi(傾斜部22Biの厚さはh0〜h)と、傾斜部22Biの外周側に配置する、厚さが等厚部22Aの厚さhと同じ平板部22Boと、からなる。すなわち、低内周面部22Bは、内周側に配置する傾斜部22Bi、外周側に配置する平板部22Boと、からなる。なお、図中の「t」は、ウェハWの厚さを示すものであり、h0及びhとの大小関係を示す便宜のために示した。
図3〜図5で説明してきた実施形態に係る低内周面部22Bは、平板部22Boと傾斜部22Biとからなるが、平板部22Boについては、等厚部22Aの形状及び厚さとの違いはない。
これに対して、傾斜部22Biは、等厚部22A(等厚部22Aの対応する部分)に対して内周面22Baの上端22auを含む部分(図5(b)中の符号22cdで示した部分)が切り欠かれた形状を有してなる。ここで、「等厚部に対して内周面の上端を含む部分が切り欠かれた形状」とは、等厚部においては存在する「内周面の上端を含む部分」が存在しない点以外は等厚部と同様な形状であることを意味しており、傾斜部の形成方法を意味するものでない(すなわち、「切り欠いて(切り落として)形成した」ことを意味しているわけではない)。なお、図5(b)に符号22auで示した内周面22Baの上端は、ウェハのセットの際の接触の説明においては、等厚部22Aの内周面22Aaの上端と同等の箇所であるので、説明の意味を補助の観点で、図3(d)において同じ符号で示した。
図1に示した化学気相成長装置において図3〜図5に示した実施形態のウェハ支持台を用いた場合、外周面の高さが全周にわたって同じ高さであると、開口部31から放出された反応ガスGが反応空間Kにおいて中心側から外側に放射状に流れる際に、外周面の高さが違いがある構成に比べて、ガスの流れがウェハWの上を安定に平行に流れやすいという利点がある。
従って、傾斜面22Baaの角度αは、ウェハWをウェハ支持台20にセットする際に傾ける角度βに依存して決められるべき値であるが、通常の角度βに基づいて例示するならば、10°以上である。
傾斜面22Baaの角度αが内周面22Baの高さに依存して所定の角度以上の大きさになると、図5(a)に示した平板部22Boに相当する部分はなくなり、低内周面部22Bは傾斜部22Biだけで形成されたものとなる。平板部22Boに相当する部分がなくなると、低内周面部22Bの外周面の高さが等厚部22Aの外周面の高さより低くなる。このように、リング状部の外周面の高さの凸凹があると、中心側から外側に放射状に流れる反応ガスの流れに乱れが生じ得る。エピタキシャル膜の品質への影響の大きさは不明であるが、このような懸念をできるだけ抑制する観点では、リング状部の外周面の高さの凸凹ができるだけ生じないような、傾斜面22Baaの角度αについて好ましい範囲を例示すると、10〜45°である。
なお、角度αの好ましい範囲は、リング状部の幅wd(図5(a)参照)と内周面の高さとに依存するものであるから、この数値範囲は目安である。
本発明は、ウェハ支持台のリング状部を、ウェハWをウェハ支持台にセットする際に、ウェハWの外周上端がリング状部に接触しない構成とすることにより、ウェハWの主面に異物が散乱することを防止するという技術思想である。従って、低内周面部の形状としては、低内周面部の内周面の高さがウェハWの厚さよりも低いことを前提として、ウェハWの外周上端がリング状部に接触しない構成であれば、特に形状に制限はない。
ウェハの厚さは現在用いられているものは通常、300〜540μmであるから、この場合、低内周面部の内周面の高さh0の好ましい範囲は、100〜360μmとなる。
図3〜図6で示したウェハ支持台20は、低内周面部22Bの数は6個あるが、1個でもあれば、本発明の効果を奏するものであり、数に制限はない。
図3〜図6で示したウェハ支持台20は、等厚部22A及び低内周面部22Bが円周状に等間隔で中心軸に対して対称に配置しているが、等間隔である構成に限定されず、また、中心軸に対して非対称に配置してもよい。
本発明の一実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、SiCウェハの主面上に、化学的気相成長法によってSiCエピタキシャル膜を成長させるSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、凹状収容部を有する搭載プレートと、前記凹状収容部内に配置された、本発明のウェハ支持台とを備える化学気相成長装置を用い、前記SiCウェハを斜めに傾け、前記SiCウェハの一部を前記ウェハ支持台のリング状部に当てて前記ウェハ支持台にセットする際に、前記一部が当たるリング状部の部分が前記低内周面部になるようにする。
21 支持台本体
22 リング状部
22A 等厚部
22B 低内周面部
22a 内周面(等厚部の内周面及び低内周面部の内周面を合わせて)
22Aa 等厚部の内周面
22Ba 低内周面部の内周面
22b 外周面(等厚部の外周面及び低内周面部の外周面を合わせて)
22Ab 等厚部の外周面
22Bb 低内周面部の外周面
21s ウェハ載置面
100 化学気相成長装置
W ウェハ
Claims (8)
- ウェハ上に層を形成する化学気相成長装置に用いられるウェハ支持台であって、
ウェハ載置面を有する支持台本体と、載置されるウェハの外周を囲み、ウェハの厚さ以上の板厚を有するリング状部と、を備え、
前記リング状部は、載置されるウェハの外周に対向するように前記ウェハ載置面から起立する内周面と、外周面とを有し、
前記リング状部は、前記板厚を有する等厚部と、前記内周面の高さがウェハの厚さよりも低い低内周面部と、からなる、ウェハ支持台。 - 前記低内周面部は、前記等厚部に対して等厚部の内周面の上端を含む部分が切り欠かれた形状を有してなる、請求項1に記載のウェハ支持台。
- 前記低内周面部は、前記内周面の上端につながる傾斜面を有する、請求項1に記載のウェハ支持台。
- 前記低内周面部の外周面の高さは、前記等厚部の外周面の高さと同じである、請求項1〜3のいずれか一項に記載のウェハ支持台。
- 前記低内周面部を複数有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のウェハ支持台。
- 前記支持体本体と前記リング状部とが別個の部材である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のウェハ支持台。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のウェハ支持台を備える化学気相成長装置。
- SiCウェハの主面上に、化学的気相成長法によってSiCエピタキシャル膜を成長させるSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、
凹状収容部を有する搭載プレートと、前記凹状収容部内に配置された請求項1〜6のいずれか一項に記載のウェハ支持台とを備える化学気相成長装置を用い、
前記SiCウェハを斜めに傾け、前記SiCウェハの一部を前記ウェハ支持台のリング状部に当てて前記ウェハ支持台にセットする際に、前記一部が当たるリング状部の部分が前記低内周面部になるようにする、SiCエピタキシャルウェハの製造方法。
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