JP5867913B2 - 炭化珪素膜のcvd装置 - Google Patents
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Description
(1)ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とするCVD装置。
ここで、加熱部材としては高周波誘導加熱によって加熱されるものに限らない。すなわち、加熱部材が加熱される方法は限定されない。
また、「近接して配置」とは、接触させた配置とすると、遮蔽部材と加熱部材との材料の熱膨張率の差によってそれらの部材にクラックが入ったり、割れてしまうおそれがあり、また、接触面の平坦性が十分ではない場合には、加熱部材から遮蔽部材への熱伝達に面方向のむらが生じ、その結果、ウェハの加熱も不均一になってしまうおそれがあるので、離間して配置する必要があり、他方、大きな距離を離間して配置すると、気相からのガスが加熱部材へ回り込んでしまうことになる。そこで、それを回避するためにできるだけ近くに配置するという意味である。この離間距離は具体的なCVD装置の構成に依存するため、数値で具体的に特定することは困難であるため、「近接して配置」と記載したが、当業者であれば、本発明の技術的意義を勘案して、具体的な構成に合わせて適切な離間距離(図1の符号d1)を設定することができるが、例えば、0.5mm〜3mm程度である。
(2)さらに、前記遮蔽部材の周縁部が載置される載置部を装置の内壁から突起して備えることを特徴とする前項(1)に記載のCVD装置。
(3)前記遮蔽部材が複数に分割されてなることを特徴とする前項(1)又は(2)のいずれに記載の炭化珪素膜のCVD装置。
(4)前記遮蔽部材が2つに分割されてなることを特徴とする前項(3)に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
(5)前記遮蔽部材が炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化ガリウムのいずれかからなることを特徴とする前項(1)から(4)のいずれか一項に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
(6)前記遮蔽部材の厚さが前記加熱部材の厚さよりも薄いことを特徴とする前項(1)から(5)のいずれか一項に記載のCVD装置。
(7)前記遮蔽部材の厚さが2〜6mmであることを特徴とする前項(1)から(6)のいずれか一項に記載のCVD装置。
(8)前記遮蔽部材の外周部の角が面取りされていることを特徴とする前項(1)から(7)のいずれか一項に記載のCVD装置。
(9)前記遮蔽部材は前記装置の内壁から離間して配置され、前記遮蔽部材の外周側面と前記装置の内壁との水平方向の離間距離が1.0〜3.0mmであることを特徴とする前項(2)から(8)のいずれか一項に記載のCVD装置。
(10)前記加熱部材がその中央部に有する開口部と前記遮蔽部材がその中央部に有する前記開口部とを貫通するガス供給管をさらに備え、前記遮蔽部材の開口部の内壁から前記ガス供給管の外壁までの距離が、前記加熱部材の開口部の内壁から前記ガス供給管の外壁までの距離よりも大きいことを特徴とする前項(1)から(9)のいずれか一項に記載のCVD装置。
(11)前記加熱部材がその下面の内周部から、前記遮蔽部材の開口部の内壁と前記ガス供給管の外壁との間に突き出た突起部を備えたことを特徴とする前項(10)に記載のCVD装置。
本発明のCVD装置は気相中から加熱部材へのガスの堆積が著しく低減するので、ガスの堆積に起因した加熱部材の交換をなくすことができ、加熱部材の交換は主に加熱・冷却に起因した劣化の場合だけで済む。
遮蔽部材を定期的に交換する必要がある点は従来と同じであるが、遮蔽部材は気相中から堆積するSiCの付着性がカーボン製加熱部材よりも高いので、遮蔽部材の交換の頻度はカーボン製加熱部材の場合よりも少なくて済み、装置の稼働率が向上する。
加熱部材103はその下方に備える突起部112を介して、ガス供給部105に固定された支持部材113に支持されている。
遮蔽部材110の第1の機能としては、炭化珪素が堆積されやすいことが挙げられる。堆積した炭化珪素膜破片が遮蔽部材110から落下するのを防止するためである。
第2の機能としては、加熱部材への炭化珪素の堆積を遮ることが挙げられる。炭化珪素の堆積に起因した加熱部材の交換をできるだけ少なくするため、好ましくは交換不要とするためである。
第3の機能としては、加熱部材からの熱輻射を受け、さらに高周波コイルによる高周波誘導加熱によって加熱されて、輻射熱を放出することができることが挙げられる。加熱部材の加熱に代わってウェハを加熱するためである。
以上の機能に基づくと、炭化珪素膜を成膜する場合、遮蔽部材110は炭化珪素からなるのが好ましい。具体的には、炭化珪素をコーティングしたカーボン部材や単結晶や多結晶の炭化珪素からなるものが例として挙げられる。
例えば、遮蔽部材が炭化珪素からなる場合は1.0〜2.0mmであるのが好ましい。
突起部112は遮蔽部材110の開口部110bの内壁110dとガス供給管105の外壁105aとの間の隙間から、気相中の膜材料のガスが入り込んで加熱部材に堆積するのを防止できる。
なお、本実施形態は突起部112を備えるが、備えない構成でも構わない。
図1で示したCVD装置において、加熱部材はカーボンからなるもの、遮蔽部材はCVDで作製したカーボンからなるものであり、図2で示した2分割ものであって炭化珪素からなるもの(直径:350mm、厚さ:5mm)を用いた。遮蔽部材は加熱部材から距離(d1)1mm離間して配置した。また、遮蔽部材の外周側面と装置の内壁との水平方向の離間距離d2は1.5mmであり、遮蔽部材の開口部の内壁から突起部の外壁までの距離d3は1.0mmである。
4H型のSiC単結晶ウェハとしては、c面((0001)面)が<11−20>方向に8°傾斜したSi面を主面とする、直径3インチ(75mm)のウェハを用意した。このウェハの厚みは350μmであるものを用いた。
次に、SiC単結晶ウェハに対して、前処理として有機溶剤洗浄及び酸・アルカリ洗浄及び十分な水洗を行った。
キャリアガスとしては水素を使用し、原料ガスとしてはSiH4とC3H8との混合ガスを用い、ドーパントとしてN2を供給した。成長速度は5μm/hとし、キャリア濃度は1×1016cm−3とした。
このようにして、実施例1のエピタキシャルSiC単結晶基板を作製した。
計測は、オリンパス社製のMX51顕微鏡と、KLA−Tencor社製のカンデラ(Candela)を用いて、単結晶エピタキシャル表面全体でパーティクル数を数えて行った。
尚、グラフの見方について、例えば、パーティクルサイズ60μmのパーティクル数とは、60μmより大きく、その右隣のサイズである100μmまでのサイズのパーティクル数を示している。0.3μmについてはこれ以上のサイズのパーティクル数を示している。
また、図5に、実施例1のエピタキシャルSiC単結晶基板について、エピタキシャル膜中に埋め込まれた異物(ダウンフォール(DF))の密度を計測した結果を示す。
グラフ上の点は各サンプルのDF密度を示している。
比較例1のエピタキシャルSiC単結晶基板は、実施例1で用いた炭化珪素膜のCVD装置において、遮蔽部材を用いずに作製した点を除いて実施例1と同様の条件で行った。
作製した比較例1のエピタキシャルSiC単結晶基板について、パーティクルサイズごとにパーティクル数を計測した結果を図4に、また、DF密度を計測した結果を図5に示す。
図4において、100μm以上のパーティクル数については違いが見られなかった。大きなパーティクルは真空装置(CVD装置)の閉鎖・開放等において機械的振動に起因して落下してきた可能性がある。この点は後述する。
他方、60μm以下のサイズのパーティクル数については、実施例1の場合は比較例1の場合と比較して半減程度となっている。この結果から、遮蔽部材を備えることによって、2倍程度の改善効果が得られることが確認できた。
この結果から、遮蔽部材を備えることによって、3倍以上の改善効果が得られることが確認できた。
パーティクルもダウンフォールも発生原因は同じであるが、本発明の効果が、平均DF密度については3倍以上であったのに対して、パーティクル数については2倍程度に過ぎなかった。これは、実施例1のエピタキシャルSiC単結晶基板の作製直後は、パーティクル数は比較例1の1/3以下程度であったものであったが、その後、真空装置(CVD装置)の開放等において機械的振動により遮蔽部材に堆積した炭化珪素膜の破片が剥がれてきてしまったものと推測される。
102b ウェハ載置部材
103 加熱部材
110 遮蔽部材
110a 周縁部
110A、110B 遮蔽部材
111 載置部
Claims (9)
- ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、
該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、
該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材から離間しつつ前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材とを備え、
前記加熱部材は、カーボン又はカーボンをTaCで被覆したものからなり、
前記遮蔽部材は、炭化珪素をコーティングしたカーボン部材、炭化珪素単結晶または炭化珪素多結晶からなり、
さらに、CVD装置の内壁から突起した載置部を備え、
前記遮蔽部材の周縁部が前記載置部に載置され、
前記加熱部材は、前記載置部とは異なる支持部材で支持され、
前記遮蔽部材は前記CVD装置の内壁から離間して配置され、前記遮蔽部材の外周側面と前記CVD装置の内壁との水平方向の前記離間距離が1.0〜3.0mmであることを特徴とする炭化珪素膜のCVD装置。 - ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、
該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、
該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材から離間しつつ前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材とを備え、
前記加熱部材は、カーボン又はカーボンをTaCで被覆したものからなり、
前記遮蔽部材は、炭化珪素をコーティングしたカーボン部材、炭化珪素単結晶または炭化珪素多結晶からなり、
さらに、CVD装置の内壁から突起した載置部を備え、
前記遮蔽部材の周縁部が前記載置部に載置され、
前記加熱部材は、前記載置部とは異なる支持部材で支持され、
前記加熱部材がその中央部に有する開口部と前記遮蔽部材がその中央部に有する前記開口部とを貫通するガス供給管をさらに備え、
前記遮蔽部材の開口部の内壁から前記ガス供給管の外壁までの距離が、前記加熱部材の開口部の内壁から前記ガス供給管の外壁までの距離よりも大きいことを特徴とする炭化珪素膜のCVD装置。 - 前記加熱部材がその下面の内周部から、前記遮蔽部材の開口部の内壁と前記ガス供給管の外壁との間に突き出た突起部を備えたことを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
- 前記遮蔽部材が複数に分割されてなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
- 前記遮蔽部材が2つに分割されてなることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
- 前記遮蔽部材の厚さが前記加熱部材の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
- 前記遮蔽部材の厚さが2〜6mmであることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
- 前記遮蔽部材の外周部の角が面取りされていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
- 前記加熱部材と前記遮蔽部材との離間距離(d1)が、0.5mm〜3mmであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の炭化珪素膜のCVD装置。
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