JP2003100713A - プラズマ電極用カバー - Google Patents
プラズマ電極用カバーInfo
- Publication number
- JP2003100713A JP2003100713A JP2001293188A JP2001293188A JP2003100713A JP 2003100713 A JP2003100713 A JP 2003100713A JP 2001293188 A JP2001293188 A JP 2001293188A JP 2001293188 A JP2001293188 A JP 2001293188A JP 2003100713 A JP2003100713 A JP 2003100713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peripheral portion
- plasma
- side wall
- electrode
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低コストでプラズマからプラズマ発生用電極を
保護することができるプラズマ電極用カバーを提供す
る。 【解決手段】本発明のプラズマ電極用カバーは、側壁に
よって囲まれた凸部と、凸部の周囲に側壁を介してつな
がる略平坦な周辺部とを有するプラズマ生成用電極の周
辺部を覆うものであり、プラズマ生成用電極の凸部の側
壁に近接する部分を覆う内周部と、内周部の外側に組み
合わされるリング状の外周部とに分割されている。ま
た、内周部が周方向に分割された複数の部分からなり、
複数の部分が組み合わされることによって、プラズマ生
成用電極の凸部の側壁に隣接するリング状の内周部が形
成されている。
保護することができるプラズマ電極用カバーを提供す
る。 【解決手段】本発明のプラズマ電極用カバーは、側壁に
よって囲まれた凸部と、凸部の周囲に側壁を介してつな
がる略平坦な周辺部とを有するプラズマ生成用電極の周
辺部を覆うものであり、プラズマ生成用電極の凸部の側
壁に近接する部分を覆う内周部と、内周部の外側に組み
合わされるリング状の外周部とに分割されている。ま
た、内周部が周方向に分割された複数の部分からなり、
複数の部分が組み合わされることによって、プラズマ生
成用電極の凸部の側壁に隣接するリング状の内周部が形
成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを生成す
る電極（プラズマ生成用電極）の周辺部を覆うプラズマ
電極用カバーに関するものである。
る電極（プラズマ生成用電極）の周辺部を覆うプラズマ
電極用カバーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマエッチング装置では、プラズマ
生成用電極を用いてプラズマを発生し、このプラズマ生
成用電極の上に半導体ウェハ等の被エッチング部材を載
置してプラズマエッチングを行う。しかし、被エッチン
グ部材をプラズマエッチングする時同時に、プラズマ生
成用電極の、被エッチング部材によって覆われていない
周辺部もエッチングされてしまうという問題がある。従
って、これを防止するために、従来より、プラズマ生成
用電極の周辺部を覆うプラズマ電極用カバーが用いられ
ている。
生成用電極を用いてプラズマを発生し、このプラズマ生
成用電極の上に半導体ウェハ等の被エッチング部材を載
置してプラズマエッチングを行う。しかし、被エッチン
グ部材をプラズマエッチングする時同時に、プラズマ生
成用電極の、被エッチング部材によって覆われていない
周辺部もエッチングされてしまうという問題がある。従
って、これを防止するために、従来より、プラズマ生成
用電極の周辺部を覆うプラズマ電極用カバーが用いられ
ている。
【０００３】以下、平行平板型のドライエッチング装置
で用いられるプラズマ生成用電極の下部電極を例に挙げ
て説明する。
で用いられるプラズマ生成用電極の下部電極を例に挙げ
て説明する。
【０００４】平行平板型のドライエッチング装置で用い
られる下部電極１６は、図７に示すように、凸部および
その周辺部により構成される。すなわち、円盤状の周辺
部の中央部分に、周辺部よりも小径の略円盤状（半導体
ウェハの形状）の凸部が設けられている。また、下部電
極１６の表面は陽極酸化（アルマイトコート）されて絶
縁され、その凸部の側壁には、絶縁を強化するための側
壁保護フィルム３０が貼付けられている。
られる下部電極１６は、図７に示すように、凸部および
その周辺部により構成される。すなわち、円盤状の周辺
部の中央部分に、周辺部よりも小径の略円盤状（半導体
ウェハの形状）の凸部が設けられている。また、下部電
極１６の表面は陽極酸化（アルマイトコート）されて絶
縁され、その凸部の側壁には、絶縁を強化するための側
壁保護フィルム３０が貼付けられている。
【０００５】一方、プラズマ電極用カバー２８は所定厚
さの石英リングであり、その中央部分の開口部は、下部
電極１６の周辺部全体を覆うために、下部電極１６の凸
部の側壁に対して所定のクリアランスを設けて形成さ
れ、下部電極１６の凸部の上面と相似形状とされてい
る。
さの石英リングであり、その中央部分の開口部は、下部
電極１６の周辺部全体を覆うために、下部電極１６の凸
部の側壁に対して所定のクリアランスを設けて形成さ
れ、下部電極１６の凸部の上面と相似形状とされてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、プラズマ電極
用カバー２８は、図７に示すように、上方から、開口部
の位置を下部電極１６の凸部の位置に合わせてはめ込ま
れ、図８に示すように、下部電極１６の周辺部の上面
に、この周辺部の全体を含む所定領域を覆うように装着
される。従って、図９に示すように、下部電極１６の凸
部の側壁とプラズマ電極用カバー２８の開口部の内壁と
の間には所定のクリアランスが必要である。
用カバー２８は、図７に示すように、上方から、開口部
の位置を下部電極１６の凸部の位置に合わせてはめ込ま
れ、図８に示すように、下部電極１６の周辺部の上面
に、この周辺部の全体を含む所定領域を覆うように装着
される。従って、図９に示すように、下部電極１６の凸
部の側壁とプラズマ電極用カバー２８の開口部の内壁と
の間には所定のクリアランスが必要である。
【０００７】しかし、このクリアランスが狭すぎると、
下部電極１６にプラズマ電極用カバー２８を装着する時
に側壁保護フィルム３０の端部に引っ掛かるし、逆に、
必要以上にクリアランスが広すぎると、半導体ウェハ２
０の側面からプラズマが回り込み、放電が経過するに従
って、図１０に示すように、プラズマ電極用カバー２８
の開口部周辺の上面だけではなく、その開口部の内壁や
下部電極１６の凸部の側壁保護フィルム３０までエッチ
ングされてしまう。
下部電極１６にプラズマ電極用カバー２８を装着する時
に側壁保護フィルム３０の端部に引っ掛かるし、逆に、
必要以上にクリアランスが広すぎると、半導体ウェハ２
０の側面からプラズマが回り込み、放電が経過するに従
って、図１０に示すように、プラズマ電極用カバー２８
の開口部周辺の上面だけではなく、その開口部の内壁や
下部電極１６の凸部の側壁保護フィルム３０までエッチ
ングされてしまう。
【０００８】プラズマ電極用カバー２８の開口部の内壁
が削られると、側壁保護フィルム３０、さらには、下部
電極１６の凸部の側壁のアルマイトコートの消耗が加速
される。
が削られると、側壁保護フィルム３０、さらには、下部
電極１６の凸部の側壁のアルマイトコートの消耗が加速
される。
【０００９】ここで、側壁保護フィルム３０の剥がれが
ひどくなると、クリーニング時にプラズマ電極用カバー
２８を交換し、新しいプラズマ電極用カバー２８を下部
電極１６にはめ込む時に、プラズマ電極用カバー２８の
開口部の外周部に側壁保護フィルム３０の剥離部分が引
っ掛かって破れたり、これによりプラズマ電極用カバー
２８が下部電極１６にはまらなくなるといった問題が発
生する。この場合、側壁保護フィルム３０を修理するた
めのコストが必要になる。
ひどくなると、クリーニング時にプラズマ電極用カバー
２８を交換し、新しいプラズマ電極用カバー２８を下部
電極１６にはめ込む時に、プラズマ電極用カバー２８の
開口部の外周部に側壁保護フィルム３０の剥離部分が引
っ掛かって破れたり、これによりプラズマ電極用カバー
２８が下部電極１６にはまらなくなるといった問題が発
生する。この場合、側壁保護フィルム３０を修理するた
めのコストが必要になる。
【００１０】また、アルマイトコートの剥がれがひどく
なると絶縁不良を発生して下部電極１６が使用不能にな
るので、これを修理するためのコストが必要となるし、
パーティクルの発生原因ともなる。
なると絶縁不良を発生して下部電極１６が使用不能にな
るので、これを修理するためのコストが必要となるし、
パーティクルの発生原因ともなる。
【００１１】また、エッチングされたプラズマ電極用カ
バー２８を取り換える場合、従来のプラズマ電極用カバ
ー２８では、プラズマによりエッチングされた部分だけ
ではなく、全部を交換する必要があるため、コスト高に
なるという問題があった。
バー２８を取り換える場合、従来のプラズマ電極用カバ
ー２８では、プラズマによりエッチングされた部分だけ
ではなく、全部を交換する必要があるため、コスト高に
なるという問題があった。
【００１２】ここで、プラズマ電極用カバーに関する従
来技術としては、例えば特開昭６２−７８８４５号公
報、特開平１−３１２０８７号公報、特開平７−２４５
２９２号公報、特開平８−２２７９３４号公報、特開平
１０−６４９８９号公報、特開平１０−１４４６５７号
公報、特開平１１−７４０９９号公報、特開平１１−１
８１５６５号公報、特開２０００−１７３９３１号公報
等により提案されたものがある。
来技術としては、例えば特開昭６２−７８８４５号公
報、特開平１−３１２０８７号公報、特開平７−２４５
２９２号公報、特開平８−２２７９３４号公報、特開平
１０−６４９８９号公報、特開平１０−１４４６５７号
公報、特開平１１−７４０９９号公報、特開平１１−１
８１５６５号公報、特開２０００−１７３９３１号公報
等により提案されたものがある。
【００１３】これらの公報には、プラズマ電極カバーの
一部を半径方向に移動自在に設ける、プラズマ電極用カ
バーをその径方向に対して同心円状に分割したり、垂直
方向に重ね合わせる、また、個々の部材の材質を変える
等の技術が提案されている。しかし、これらの公報に開
示の技術は、いずれも前述の問題点を解決するものでは
なく、本発明の提起する問題点を解決するための具体的
な手段は全く提案されていないというのが現状である。
一部を半径方向に移動自在に設ける、プラズマ電極用カ
バーをその径方向に対して同心円状に分割したり、垂直
方向に重ね合わせる、また、個々の部材の材質を変える
等の技術が提案されている。しかし、これらの公報に開
示の技術は、いずれも前述の問題点を解決するものでは
なく、本発明の提起する問題点を解決するための具体的
な手段は全く提案されていないというのが現状である。
【００１４】本発明の目的は、前記従来技術に基づく問
題点を解消し、低コストでプラズマからプラズマ発生用
電極を保護することができるプラズマ電極用カバーを提
供することにある。
題点を解消し、低コストでプラズマからプラズマ発生用
電極を保護することができるプラズマ電極用カバーを提
供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、側壁によって囲まれた凸部と、該凸部の
周囲に該側壁を介してつながる略平坦な周辺部とを有す
るプラズマ生成用電極に対して一定の位置関係で取り付
けられ、該電極の周辺部を覆うプラズマ電極用カバーで
あって、周方向に分割された複数の部分からなり、該複
数の部分が組み合わされることによって前記側壁に隣接
するリング状の内周部が形成されることを特徴とするプ
ラズマ電極用カバーを提供するものである。
に、本発明は、側壁によって囲まれた凸部と、該凸部の
周囲に該側壁を介してつながる略平坦な周辺部とを有す
るプラズマ生成用電極に対して一定の位置関係で取り付
けられ、該電極の周辺部を覆うプラズマ電極用カバーで
あって、周方向に分割された複数の部分からなり、該複
数の部分が組み合わされることによって前記側壁に隣接
するリング状の内周部が形成されることを特徴とするプ
ラズマ電極用カバーを提供するものである。
【００１６】また、本発明は、側壁によって囲まれた凸
部と、該凸部の周囲に該側壁を介してつながる略平坦な
周辺部とを有するプラズマ生成用電極の該周辺部を覆う
プラズマ電極用カバーであって、周方向に分割された複
数の部分からなり、該複数の部分が組み合わされること
によって前記側壁に隣接し、かつ、該側壁の高さに比較
して小さな厚さを有するリング状の内周部が形成される
ことを特徴とするプラズマ電極用カバーを提供する。
部と、該凸部の周囲に該側壁を介してつながる略平坦な
周辺部とを有するプラズマ生成用電極の該周辺部を覆う
プラズマ電極用カバーであって、周方向に分割された複
数の部分からなり、該複数の部分が組み合わされること
によって前記側壁に隣接し、かつ、該側壁の高さに比較
して小さな厚さを有するリング状の内周部が形成される
ことを特徴とするプラズマ電極用カバーを提供する。
【００１７】また、本発明は、側壁によって囲まれた凸
部と、該凸部の周囲に該側壁を介してつながる略平坦な
周辺部とを有するプラズマ生成用電極の該周辺部を覆う
プラズマ電極用カバーであって、前記側壁に近接する部
分を覆う内周部と、該内周部の外側に組み合わされるリ
ング状の外周部とに分割され、かつ、前記内周部が、周
方向に分割された複数の部分からなり、該複数の部分が
組み合わされることによって前記側壁に隣接するリング
状の内周部が形成されることを特徴とするプラズマ電極
用カバーを提供する。
部と、該凸部の周囲に該側壁を介してつながる略平坦な
周辺部とを有するプラズマ生成用電極の該周辺部を覆う
プラズマ電極用カバーであって、前記側壁に近接する部
分を覆う内周部と、該内周部の外側に組み合わされるリ
ング状の外周部とに分割され、かつ、前記内周部が、周
方向に分割された複数の部分からなり、該複数の部分が
組み合わされることによって前記側壁に隣接するリング
状の内周部が形成されることを特徴とするプラズマ電極
用カバーを提供する。
【００１８】ここで、前記電極の凸部は、生成されたプ
ラズマによってその表面が処理される被処理基板を搭載
する基板搭載面を有するのが好ましい。また、前記電極
は、前記側壁上に絶縁性の保護フィルムが貼られたもの
であるのが好ましい。また、前記内周部の複数の部分の
互いに組み合わされる部分が、カギ状の断面形状を有す
るのが好ましい。
ラズマによってその表面が処理される被処理基板を搭載
する基板搭載面を有するのが好ましい。また、前記電極
は、前記側壁上に絶縁性の保護フィルムが貼られたもの
であるのが好ましい。また、前記内周部の複数の部分の
互いに組み合わされる部分が、カギ状の断面形状を有す
るのが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明のプラズマ電極用カバーを詳細
に説明する。
施例に基づいて、本発明のプラズマ電極用カバーを詳細
に説明する。
【００２０】図１は、本発明のプラズマ電極用カバーを
用いるドライエッチング装置の一実施例の構成概略図で
ある。同図のドライエッチング装置１０は平行平板型の
プラズマエッチング装置であり、チャンバー１２、上部
電極１４、下部電極１６、プラズマ電極用カバー１８、
マスフローコントローラＭＦＣ、高周波電源ＲＦ、キャ
パシタンスマノメータＣＭ、オートプレッシャーコント
ローラＡＰＣ、ターボモレキュラーポンプＴＭＰ、ドラ
イポンプＤＰ等により構成されている。
用いるドライエッチング装置の一実施例の構成概略図で
ある。同図のドライエッチング装置１０は平行平板型の
プラズマエッチング装置であり、チャンバー１２、上部
電極１４、下部電極１６、プラズマ電極用カバー１８、
マスフローコントローラＭＦＣ、高周波電源ＲＦ、キャ
パシタンスマノメータＣＭ、オートプレッシャーコント
ローラＡＰＣ、ターボモレキュラーポンプＴＭＰ、ドラ
イポンプＤＰ等により構成されている。
【００２１】図示例のドライエッチング装置１０におい
て、チャンバー１２は、半導体ウェハ２０に対してプラ
ズマエッチングが行われる処理槽である。
て、チャンバー１２は、半導体ウェハ２０に対してプラ
ズマエッチングが行われる処理槽である。
【００２２】上部電極１４は、図中チャンバー１２内の
上部に設けられ、高周波電源ＲＦに接続されている。ま
た、上部電極１４には、エッチング時に、チャンバー１
２内に供給される反応ガスの流量を制御するマスフロー
コントローラＭＦＣが接続されている。
上部に設けられ、高周波電源ＲＦに接続されている。ま
た、上部電極１４には、エッチング時に、チャンバー１
２内に供給される反応ガスの流量を制御するマスフロー
コントローラＭＦＣが接続されている。
【００２３】一方、下部電極１６は、チャンバー１２内
の下部に設けられ、グランドに接続されている。下部電
極１６は、プラズマエッチングされる半導体ウェハ２０
を載置するための台としても使用され、側壁によって囲
まれた凸部と、この凸部の周囲に側壁を介してつながる
略平坦な周辺部とにより構成されている。すなわち、円
盤状の周辺部の中央部分に、周辺部よりも小径の略円盤
状（半導体ウェハ２０の形状）の凸部が設けられている
（図７参照）。
の下部に設けられ、グランドに接続されている。下部電
極１６は、プラズマエッチングされる半導体ウェハ２０
を載置するための台としても使用され、側壁によって囲
まれた凸部と、この凸部の周囲に側壁を介してつながる
略平坦な周辺部とにより構成されている。すなわち、円
盤状の周辺部の中央部分に、周辺部よりも小径の略円盤
状（半導体ウェハ２０の形状）の凸部が設けられている
（図７参照）。
【００２４】また、下部電極１６の表面は陽極酸化（ア
ルマイトコート）され、絶縁されている。下部電極１６
の凸部の上面には、載置された半導体ウェハ２０を静電
吸着するための静電フィルム３２が貼付けられている。
また、その側壁の全面には、凸部の上面外周の面取部に
塗布された接着剤３４により、凸部の側壁のアルマイト
コートを保護するための側壁保護フィルム３０が貼付け
られている（図９参照）。
ルマイトコート）され、絶縁されている。下部電極１６
の凸部の上面には、載置された半導体ウェハ２０を静電
吸着するための静電フィルム３２が貼付けられている。
また、その側壁の全面には、凸部の上面外周の面取部に
塗布された接着剤３４により、凸部の側壁のアルマイト
コートを保護するための側壁保護フィルム３０が貼付け
られている（図９参照）。
【００２５】プラズマ電極用カバー１８は、その詳細は
後述するが、下部電極１６の周辺部がエッチングされる
のを防止すると共に、上部電極１４と下部電極１６との
間にプラズマを集中させるためのフォーカスリングの役
割を果す所定厚さの石英リングである。プラズマ電極用
カバー１８の中央部の開口部は、下部電極１６の周辺部
全体を覆うために、下部電極１６の凸部の側壁に対して
所定のクリアランスを設けて形成され、下部電極１６の
凸部の上面と相似形状とされている。
後述するが、下部電極１６の周辺部がエッチングされる
のを防止すると共に、上部電極１４と下部電極１６との
間にプラズマを集中させるためのフォーカスリングの役
割を果す所定厚さの石英リングである。プラズマ電極用
カバー１８の中央部の開口部は、下部電極１６の周辺部
全体を覆うために、下部電極１６の凸部の側壁に対して
所定のクリアランスを設けて形成され、下部電極１６の
凸部の上面と相似形状とされている。
【００２６】また、チャンバー１２の側壁（図中左側）
には、チャンバー１２内の圧力を測定するキャパシタン
スマノメータＣＭが配置され、その底面には、チャンバ
ー１２内の圧力を自動制御するオートプレッシャーコン
トローラＡＰＣが接続されている。また、オートプレッ
シャーコントローラＡＰＣには、チャンバー１２内を減
圧するターボモレキュラーポンプＴＭＰおよびドライポ
ンプＤＰがこの順に接続されている。
には、チャンバー１２内の圧力を測定するキャパシタン
スマノメータＣＭが配置され、その底面には、チャンバ
ー１２内の圧力を自動制御するオートプレッシャーコン
トローラＡＰＣが接続されている。また、オートプレッ
シャーコントローラＡＰＣには、チャンバー１２内を減
圧するターボモレキュラーポンプＴＭＰおよびドライポ
ンプＤＰがこの順に接続されている。
【００２７】図示例のドライエッチング装置１０では、
半導体ウェハ２０を下部電極１６の凸部の上面に載置
し、静電吸着した後、マスフローコントローラＭＦＣに
より所定流量の反応ガスをチャンバー１２内に供給す
る。この時、キャパシタンスマノメータＣＭによりチャ
ンバー１２内の圧力を測定して監視しつつ、オートプレ
ッシャーコントローラＡＰＣの制御により、ターボモレ
キュラーポンプＴＭＰおよびドライポンプＤＰを用いて
チャンバー１２内を所定圧力に減圧する。
半導体ウェハ２０を下部電極１６の凸部の上面に載置
し、静電吸着した後、マスフローコントローラＭＦＣに
より所定流量の反応ガスをチャンバー１２内に供給す
る。この時、キャパシタンスマノメータＣＭによりチャ
ンバー１２内の圧力を測定して監視しつつ、オートプレ
ッシャーコントローラＡＰＣの制御により、ターボモレ
キュラーポンプＴＭＰおよびドライポンプＤＰを用いて
チャンバー１２内を所定圧力に減圧する。
【００２８】オートプレッシャーコントローラＡＰＣの
制御によりチャンバー１２内が所定圧力になると、高周
波電源ＲＦが印加され、チャンバー１２内に供給された
反応ガスがプラズマ化され、下部電極１６の凸部の上面
に載置された半導体ウェハ２０がエッチングされる。そ
して、所定時間の経過の後、高周波電源ＲＦが遮断さ
れ、マスフローコントローラＭＦＣにより反応ガスの供
給が停止されて、チャンバー１２から半導体ウェハ２０
が搬出される。
制御によりチャンバー１２内が所定圧力になると、高周
波電源ＲＦが印加され、チャンバー１２内に供給された
反応ガスがプラズマ化され、下部電極１６の凸部の上面
に載置された半導体ウェハ２０がエッチングされる。そ
して、所定時間の経過の後、高周波電源ＲＦが遮断さ
れ、マスフローコントローラＭＦＣにより反応ガスの供
給が停止されて、チャンバー１２から半導体ウェハ２０
が搬出される。
【００２９】次に、図１に示すドライエッチング装置１
０で用いられている本発明のプラズマ電極用カバー１８
について詳細に説明する。
０で用いられている本発明のプラズマ電極用カバー１８
について詳細に説明する。
【００３０】図２は、本発明のプラズマ電極用カバーの
一実施例の構成概略図である。同図に示すプラズマ電極
用カバー１８は、下部電極１６の凸部近傍の周辺部の所
定領域を覆う内側リング（内周部）２２と、この内側リ
ング２２により覆われない下部電極１６の周辺部の残り
の全領域を含む領域を覆う外側リング（外周部）２４と
を備えている。すなわち、図示例のプラズマ電極用カバ
ー１８は、その径方向に対して同心円状に２分割されて
いる。
一実施例の構成概略図である。同図に示すプラズマ電極
用カバー１８は、下部電極１６の凸部近傍の周辺部の所
定領域を覆う内側リング（内周部）２２と、この内側リ
ング２２により覆われない下部電極１６の周辺部の残り
の全領域を含む領域を覆う外側リング（外周部）２４と
を備えている。すなわち、図示例のプラズマ電極用カバ
ー１８は、その径方向に対して同心円状に２分割されて
いる。
【００３１】ここで、図示例の内側リング２２は、その
周方向に対して２つのリング部材２６ａ，２６ｂに分割
され、これらの２つのリング部材２６ａ，２６ｂを組み
合わせて構成されている。
周方向に対して２つのリング部材２６ａ，２６ｂに分割
され、これらの２つのリング部材２６ａ，２６ｂを組み
合わせて構成されている。
【００３２】どちらのリング部材２６ａ，２６ｂも、下
部電極１６の周辺部の１／２の範囲の領域を一定の位置
（固定位置）関係で覆うもの、本実施例の場合、半導体
ウェハ２０のオリエンテーションフラットに対応する下
部電極１６の凸部上面の外周部を基準として決定される
周辺部の１／２の範囲の領域を覆うものである。なお、
内側リング２２により覆われる下部電極１６の周辺部の
所定領域は、プラズマによりエッチングされる全ての範
囲を含んでいるのが好ましい。
部電極１６の周辺部の１／２の範囲の領域を一定の位置
（固定位置）関係で覆うもの、本実施例の場合、半導体
ウェハ２０のオリエンテーションフラットに対応する下
部電極１６の凸部上面の外周部を基準として決定される
周辺部の１／２の範囲の領域を覆うものである。なお、
内側リング２２により覆われる下部電極１６の周辺部の
所定領域は、プラズマによりエッチングされる全ての範
囲を含んでいるのが好ましい。
【００３３】また、どちらのリング部材２６ａ，２６ｂ
も下層部と、上層部とにより構成され、その下層部の外
周部にはフランジ部が形成されている。このフランジ部
には、対応する外側リング２４の内周部のフランジ部が
載置される。また、リング部材２６ａ，２６ｂの下層部
同士の接触部は、下部電極１６の凸部の側壁に対して略
直角に形成されている。すなわち、リング部材２６ａ，
２６ｂの下層部は、石英リングを１／２に均等分割した
同一形状とされている。
も下層部と、上層部とにより構成され、その下層部の外
周部にはフランジ部が形成されている。このフランジ部
には、対応する外側リング２４の内周部のフランジ部が
載置される。また、リング部材２６ａ，２６ｂの下層部
同士の接触部は、下部電極１６の凸部の側壁に対して略
直角に形成されている。すなわち、リング部材２６ａ，
２６ｂの下層部は、石英リングを１／２に均等分割した
同一形状とされている。
【００３４】リング部材２６ａの上層部の接触部は、そ
の下層部から突出するように、下部電極１６の凸部の外
壁に対して約３０゜の角度で形成されている。これに対
し、リング部材２６ｂの上層部の接触部は、その下層部
の上に収まるように、下部電極１６の凸部の外周部に対
して約３０゜の角度で形成されている。すなわち、本発
明のプラズマ電極用カバー１８の内側リング２２は、リ
ング部材２６ａ，２６ｂ同士が組み合わされる部分がカ
ギ状の断面形状とされている。
の下層部から突出するように、下部電極１６の凸部の外
壁に対して約３０゜の角度で形成されている。これに対
し、リング部材２６ｂの上層部の接触部は、その下層部
の上に収まるように、下部電極１６の凸部の外周部に対
して約３０゜の角度で形成されている。すなわち、本発
明のプラズマ電極用カバー１８の内側リング２２は、リ
ング部材２６ａ，２６ｂ同士が組み合わされる部分がカ
ギ状の断面形状とされている。
【００３５】なお、下層部の接触部および上層部の接触
部の角度は何ら限定されないが、本実施例のように、内
側リング２２を２分割した場合、リング部材２６ａ，２
６ｂを下部電極１６に装着する際の容易性を考慮して、
下層部の接触部は、下部電極１６の凸部の側壁に対して
略直角に形成されているのが好ましい。また、上層部の
接触部は、３０゜前後であるのが、クリーニング時や搬
送時に壊れにくいので好ましい。
部の角度は何ら限定されないが、本実施例のように、内
側リング２２を２分割した場合、リング部材２６ａ，２
６ｂを下部電極１６に装着する際の容易性を考慮して、
下層部の接触部は、下部電極１６の凸部の側壁に対して
略直角に形成されているのが好ましい。また、上層部の
接触部は、３０゜前後であるのが、クリーニング時や搬
送時に壊れにくいので好ましい。
【００３６】また、図示例の場合、リング部材２６ａの
上層部の接触部が共に、その下層部から突出し、かつ、
リング部材２６ｂの上層部の接触部が共に、その下層部
の上に収まるように形成されているが、これも限定され
ず、例えばリング部材２６ａ，２６ｂ共に、その上層部
の一方の接触部がその下層部から突出し、かつ、他方の
接触部がその下層部の上に収まるように形成してもよ
い。すなわち、両者を互い違いに形成してもよい。
上層部の接触部が共に、その下層部から突出し、かつ、
リング部材２６ｂの上層部の接触部が共に、その下層部
の上に収まるように形成されているが、これも限定され
ず、例えばリング部材２６ａ，２６ｂ共に、その上層部
の一方の接触部がその下層部から突出し、かつ、他方の
接触部がその下層部の上に収まるように形成してもよ
い。すなわち、両者を互い違いに形成してもよい。
【００３７】続いて、図２に示すプラズマ電極用カバー
１８において、外側リング２４は、１つの部材からなる
石英リングであり、その内周部にはフランジ部が形成さ
れている。なお、このフランジ部は、前述のように、対
応する内側リング２２の外周部のフランジ部の上に載置
される。すなわち、内側リング２２と外側リング２４が
組み合わされる部分もカギ状の断面形状とされている。
１８において、外側リング２４は、１つの部材からなる
石英リングであり、その内周部にはフランジ部が形成さ
れている。なお、このフランジ部は、前述のように、対
応する内側リング２２の外周部のフランジ部の上に載置
される。すなわち、内側リング２２と外側リング２４が
組み合わされる部分もカギ状の断面形状とされている。
【００３８】ここで、プラズマ電極用カバー１８を下部
電極１６に装着する場合、まず、横方向からリング部材
２６ｂおよびリング部材２６ａがこの順に下部電極１６
の凸部の所定位置にそれぞれ装着される。その後、上方
から外側リング２４のフランジ部が内側リング２２のフ
ランジ部上に載置されるようにして装着され、図２下部
に示すように、プラズマ電極用カバー１８が下部電極１
６の周辺部の上面に、この周辺部の全体を含む所定領域
を覆うように装着される。
電極１６に装着する場合、まず、横方向からリング部材
２６ｂおよびリング部材２６ａがこの順に下部電極１６
の凸部の所定位置にそれぞれ装着される。その後、上方
から外側リング２４のフランジ部が内側リング２２のフ
ランジ部上に載置されるようにして装着され、図２下部
に示すように、プラズマ電極用カバー１８が下部電極１
６の周辺部の上面に、この周辺部の全体を含む所定領域
を覆うように装着される。
【００３９】本実施例で対象とする下部電極１６は、図
９に示された従来技術の場合と同様のものであり、その
凸部は、その上に載置される半導体ウエハ２０に対して
若干小さな寸法を有している。このため、図９に示され
た様に、載置された半導体ウエハ２０の外周部は、凸部
の外側にわずかにはみ出す。また、本実施例のプラズマ
電極用カバー１８の内側リング２２は、径方向および周
方向での分割を行うことにおいて従来の電極用カバーと
異なることはいうまでもないが、下部電極１６に装着さ
れた状態においては、従来の電極用カバーと同様の形状
を有し、同様の機能を果す。
９に示された従来技術の場合と同様のものであり、その
凸部は、その上に載置される半導体ウエハ２０に対して
若干小さな寸法を有している。このため、図９に示され
た様に、載置された半導体ウエハ２０の外周部は、凸部
の外側にわずかにはみ出す。また、本実施例のプラズマ
電極用カバー１８の内側リング２２は、径方向および周
方向での分割を行うことにおいて従来の電極用カバーと
異なることはいうまでもないが、下部電極１６に装着さ
れた状態においては、従来の電極用カバーと同様の形状
を有し、同様の機能を果す。
【００４０】具体的には、まず、図９に示された従来の
電極用カバーの場合と同様に、下部電極１６に装着した
時に半導体ウエハ２０の外周部に隣接する部分を除いて
は、下部電極１６の凸部に載置される半導体ウエハ２０
の表面とほぼ同一の高さになるような厚さを有してい
る。
電極用カバーの場合と同様に、下部電極１６に装着した
時に半導体ウエハ２０の外周部に隣接する部分を除いて
は、下部電極１６の凸部に載置される半導体ウエハ２０
の表面とほぼ同一の高さになるような厚さを有してい
る。
【００４１】これに対して、側壁に隣接するリング状の
内周部を形成する内側リング２２の内縁部の高さ（厚
さ）は、下部電極１６の凸部の側壁の高さよりも多少低
くなるように形成され、半導体ウェハ２０の外周部とプ
ラズマ電極用カバー１８とが接触しないように構成され
ている。半導体ウエハ２０と接触しないことにより、ウ
エハのチッピングやパーティクルの発生が防止される。
ただし、本発明はこれに限定されず、下部電極１６の凸
部に載置される半導体ウエハ２０と接触しない形状であ
ればよい。例えば、下部電極１６の凸部が、その上に載
置された半導体ウエハ２０の外周部がはみ出さないよう
な寸法を有する場合には、内側リング２２の高さを下部
電極１６の側壁の高さと同等ないしは側壁の高さよりも
高くなるように形成してもよい。
内周部を形成する内側リング２２の内縁部の高さ（厚
さ）は、下部電極１６の凸部の側壁の高さよりも多少低
くなるように形成され、半導体ウェハ２０の外周部とプ
ラズマ電極用カバー１８とが接触しないように構成され
ている。半導体ウエハ２０と接触しないことにより、ウ
エハのチッピングやパーティクルの発生が防止される。
ただし、本発明はこれに限定されず、下部電極１６の凸
部に載置される半導体ウエハ２０と接触しない形状であ
ればよい。例えば、下部電極１６の凸部が、その上に載
置された半導体ウエハ２０の外周部がはみ出さないよう
な寸法を有する場合には、内側リング２２の高さを下部
電極１６の側壁の高さと同等ないしは側壁の高さよりも
高くなるように形成してもよい。
【００４２】本発明のプラズマ電極用カバー１８は、内
側リング２２のリング部材２６ｂ，２６ａを下部電極１
６の凸部の横方向から順次装着するため、図３に示すよ
うに、下部電極１６の凸部の側壁とリング部材２６ａ，
２６ｂの内周部の中央部分との間のクリアランスｔ１を
限りなくゼロに近づけることができる。また、下部電極
１６の凸部の側壁とリング部材２６ａ，２６ｂ同士が組
み合わされる部分との間の製造時のクリアランスｔ２も
従来より小さくすることができる。
側リング２２のリング部材２６ｂ，２６ａを下部電極１
６の凸部の横方向から順次装着するため、図３に示すよ
うに、下部電極１６の凸部の側壁とリング部材２６ａ，
２６ｂの内周部の中央部分との間のクリアランスｔ１を
限りなくゼロに近づけることができる。また、下部電極
１６の凸部の側壁とリング部材２６ａ，２６ｂ同士が組
み合わされる部分との間の製造時のクリアランスｔ２も
従来より小さくすることができる。
【００４３】例えば、図７に示す従来のプラズマ電極用
カバー２８のクリアランスは、上方からはめ込む必要が
あるため０．５ｍｍ（すなわち、クリアランスｔ１，ｔ
２共に０．２５ｍｍ）としなければならないのに対し、
図１に示す本発明のプラズマ電極用カバー１８のクリア
ランスは、横方向から装着することができるので０．１
ｍｍ（すなわち、クリアランスｔ１≒０、クリアランス
ｔ２＝０．０５ｍｍ）とすることができる。
カバー２８のクリアランスは、上方からはめ込む必要が
あるため０．５ｍｍ（すなわち、クリアランスｔ１，ｔ
２共に０．２５ｍｍ）としなければならないのに対し、
図１に示す本発明のプラズマ電極用カバー１８のクリア
ランスは、横方向から装着することができるので０．１
ｍｍ（すなわち、クリアランスｔ１≒０、クリアランス
ｔ２＝０．０５ｍｍ）とすることができる。
【００４４】本実施例では、内側リング２２を周方向に
分割する位置を、半導体ウエハ２０のオリエンテーショ
ンフラットに対応する下部電極１６の凸部の外周部を基
準として決定した。すなわち、分割した部材２６ａ，２
６ｂの両方にオリエンテーションフラットに対応する部
分が存在するように分割した。この場合、下部電極１６
に装着するためには、分割した部材２６ａ，２６ｂのそ
れぞれを、オリエンテーションフラットに対応する凸部
の外周部に対して平行な方向から滑らすようにして載置
することができる。このため、オリエンテーションフラ
ットに対応する外周部に対して９０゜の位置のクリアラ
ンス（図３のｔ１）を限りなくゼロに近づけることがで
きた。
分割する位置を、半導体ウエハ２０のオリエンテーショ
ンフラットに対応する下部電極１６の凸部の外周部を基
準として決定した。すなわち、分割した部材２６ａ，２
６ｂの両方にオリエンテーションフラットに対応する部
分が存在するように分割した。この場合、下部電極１６
に装着するためには、分割した部材２６ａ，２６ｂのそ
れぞれを、オリエンテーションフラットに対応する凸部
の外周部に対して平行な方向から滑らすようにして載置
することができる。このため、オリエンテーションフラ
ットに対応する外周部に対して９０゜の位置のクリアラ
ンス（図３のｔ１）を限りなくゼロに近づけることがで
きた。
【００４５】これに対して、例えば、オリエンテーショ
ンフラットに対応する下部電極１６の凸部の外周部に対
して９０゜の位置を基準にして分割することも可能であ
る。この場合には、分割した部材２６ａ，２６ｂの一方
のみに、オリエンテーションフラットに対応する部分が
形成される。このように分割した部材を下部電極に装着
する場合には、オリエンテーションフラットに対応する
凸部の外周部に対して垂直な方向から滑らすようにして
載置することができる。従って、オリエンテーションフ
ラットに対応する部分に対するクリアランス（図３のｔ
２）を限りなくゼロに近づけることができる。
ンフラットに対応する下部電極１６の凸部の外周部に対
して９０゜の位置を基準にして分割することも可能であ
る。この場合には、分割した部材２６ａ，２６ｂの一方
のみに、オリエンテーションフラットに対応する部分が
形成される。このように分割した部材を下部電極に装着
する場合には、オリエンテーションフラットに対応する
凸部の外周部に対して垂直な方向から滑らすようにして
載置することができる。従って、オリエンテーションフ
ラットに対応する部分に対するクリアランス（図３のｔ
２）を限りなくゼロに近づけることができる。
【００４６】このように、本発明のプラズマ電極用カバ
ー１８では、内側リング２２のリング部材２６ｂ，２６
ａを順次横方向から装着できるので、装着時に、下部電
極１６の凸部の側壁保護フィルム３０が破損されるのを
防止することができる。また、下部電極１６の凸部の側
壁との間のクリアランスを狭くすることができるので、
側壁保護フィルム３０や下部電極１６のアルマイトコー
トがプラズマによりエッチングされるのを極力防止する
ことができる。
ー１８では、内側リング２２のリング部材２６ｂ，２６
ａを順次横方向から装着できるので、装着時に、下部電
極１６の凸部の側壁保護フィルム３０が破損されるのを
防止することができる。また、下部電極１６の凸部の側
壁との間のクリアランスを狭くすることができるので、
側壁保護フィルム３０や下部電極１６のアルマイトコー
トがプラズマによりエッチングされるのを極力防止する
ことができる。
【００４７】なお、下部電極１６の凸部の側壁に貼付け
られている側壁保護フィルム３０は必須の要件ではな
く、必ずしも設けられていなくてもよい。従って、本発
明のプラズマ電極用カバーは、側壁保護フィルムのない
プラズマ生成用電極にも適用可能である。
られている側壁保護フィルム３０は必須の要件ではな
く、必ずしも設けられていなくてもよい。従って、本発
明のプラズマ電極用カバーは、側壁保護フィルムのない
プラズマ生成用電極にも適用可能である。
【００４８】また、内側リング２２のリング部材２６
ａ，２６ｂ同士が組み合わされる部分や内側リング２２
と外側リング２４が組み合わされる部分がカギ状の断面
形状とされているため、プラズマ放電の下部電極１６の
下側への回り込みや異常放電等を防止することができ
る。また、下部電極１６の凸部近傍の内側リング２２の
上面がエッチングされた場合、内側リング２２だけを交
換すればよく、外側リング２４は継続して使用できるの
でコストを削減することができる。
ａ，２６ｂ同士が組み合わされる部分や内側リング２２
と外側リング２４が組み合わされる部分がカギ状の断面
形状とされているため、プラズマ放電の下部電極１６の
下側への回り込みや異常放電等を防止することができ
る。また、下部電極１６の凸部近傍の内側リング２２の
上面がエッチングされた場合、内側リング２２だけを交
換すればよく、外側リング２４は継続して使用できるの
でコストを削減することができる。
【００４９】なお、本実施例では、半導体ウェハのドラ
イエッチング装置のプラズマ生成用電極の下部電極用の
プラズマ電極用カバーを例に挙げて説明したが、本発明
はこれに限定されず、上部電極にも適用してもよいし、
半導体ウェハ以外の他の被エッチング部材用のエッチン
グ装置のプラズマ生成用電極にも同様に適用可能であ
る。また、プラズマ電極用カバーの材質も石英等の絶縁
体に限定されず、場合によっては、例えばカーボンやシ
リコン等の導体でもよい。
イエッチング装置のプラズマ生成用電極の下部電極用の
プラズマ電極用カバーを例に挙げて説明したが、本発明
はこれに限定されず、上部電極にも適用してもよいし、
半導体ウェハ以外の他の被エッチング部材用のエッチン
グ装置のプラズマ生成用電極にも同様に適用可能であ
る。また、プラズマ電極用カバーの材質も石英等の絶縁
体に限定されず、場合によっては、例えばカーボンやシ
リコン等の導体でもよい。
【００５０】また、上記実施例では、内側リングを２分
割する例を挙げて説明したが、これに限定されず、図
４、図５および図６に、それぞれ内側リングを３分割、
４分割および８分割した例を示すように、内側リングを
２分割以上何分割してもよい。分割数を増やすことによ
り、クリアランスを限りなくゼロに近づけることができ
るが、その分、コストが割高となるので、必要に応じて
内側リングの分割数を決定するのが好ましい。
割する例を挙げて説明したが、これに限定されず、図
４、図５および図６に、それぞれ内側リングを３分割、
４分割および８分割した例を示すように、内側リングを
２分割以上何分割してもよい。分割数を増やすことによ
り、クリアランスを限りなくゼロに近づけることができ
るが、その分、コストが割高となるので、必要に応じて
内側リングの分割数を決定するのが好ましい。
【００５１】なお、内側リングのリング部材同士が組み
合わされる部分は、実質的に溝になっており、その部分
でエッチング時に発生する付着物が分断され、その応力
が抑制されるので、付着物の剥がれを防止することがで
き、パーティクルの発生を防止することができる。すな
わち、内側リングの分割数を多くするに従って、本出願
人に係る特開２０００−２２８３９８号公報に開示の溝
付きフォーカスリングと同等の効果を得ることができ
る。
合わされる部分は、実質的に溝になっており、その部分
でエッチング時に発生する付着物が分断され、その応力
が抑制されるので、付着物の剥がれを防止することがで
き、パーティクルの発生を防止することができる。すな
わち、内側リングの分割数を多くするに従って、本出願
人に係る特開２０００−２２８３９８号公報に開示の溝
付きフォーカスリングと同等の効果を得ることができ
る。
【００５２】前述の効果は、例えば内側リングを２分割
した場合であっても得ることができるが、内側リングの
分割数が少ない場合には、本発明のプラズマ電極用カバ
ーに対して、上記特開２０００−２２８３９８号公報に
開示の技術を組み合わせて使用し、例えば下部電極の凸
部近傍の内側リングの上面に、径方向に延びる複数の溝
（段差加工部）を設けるようにすれば、より一層効果的
に、付着物の剥がれを防止し、パーティクルの発生を防
止することができる。
した場合であっても得ることができるが、内側リングの
分割数が少ない場合には、本発明のプラズマ電極用カバ
ーに対して、上記特開２０００−２２８３９８号公報に
開示の技術を組み合わせて使用し、例えば下部電極の凸
部近傍の内側リングの上面に、径方向に延びる複数の溝
（段差加工部）を設けるようにすれば、より一層効果的
に、付着物の剥がれを防止し、パーティクルの発生を防
止することができる。
【００５３】本発明のプラズマ電極用カバーは、基本的
に以上のようなものである。以上、本発明のプラズマ電
極用カバーについて詳細に説明したが、本発明は上記実
施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲にお
いて、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんであ
る。
に以上のようなものである。以上、本発明のプラズマ電
極用カバーについて詳細に説明したが、本発明は上記実
施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲にお
いて、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんであ
る。
【００５４】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明のプラ
ズマ電極用カバーは、例えばプラズマ生成用電極の凸部
の側壁に近接する部分を覆う内周部と、この内周部の外
側に組み合わされるリング状の外周部とに分割され、か
つ、内周部が、周方向に分割された複数の部分からな
り、これらの複数の部分が組み合わされることによっ
て、プラズマ生成用電極の凸部の側壁に隣接するリング
状の内周部が形成されるようにしたものである。これに
より、本発明のプラズマ電極用カバーによれば、内周部
の複数の部分を横方向からプラズマ生成用電極の凸部に
装着できるので、側壁保護フィルムがある場合にはその
破損を防止することができる。また、本発明のプラズマ
電極用カバーによれば、内周部を複数の部分に分割した
ことにより、プラズマ生成用電極の凸部の側壁とのクリ
アランスを極めて狭くすることができ、プラズマから側
壁保護フィルムやプラズマ生成用電極の凸部の側壁を保
護することができる。また、本発明のプラズマ電極用カ
バーによれば、内周部の複数の部分同士が組み合わされ
る部分および内周部と外周部が組み合わされる部分が共
にカギ状の断面形状とされているため、プラズマ放電の
下部電極の下側への回り込みや異常放電等を防止するこ
とができる。また、本発明のプラズマ電極用カバーによ
れば、被エッチング部材をプラズマエッチングする時同
時にエッチングされる内周部だけを交換すればよいの
で、従来のようにカバーの全部を交換する場合と比べて
コストを大幅に削減することができる。また、本発明の
プラズマ電極用カバーによれば、内周部の複数の部分を
組み合わせた部分が溝の役割を果すため、エッチング時
の付着物が分断されて付着し、剥がれにくくなるので、
パーティクルの発生を防止する効果も期待できる。
ズマ電極用カバーは、例えばプラズマ生成用電極の凸部
の側壁に近接する部分を覆う内周部と、この内周部の外
側に組み合わされるリング状の外周部とに分割され、か
つ、内周部が、周方向に分割された複数の部分からな
り、これらの複数の部分が組み合わされることによっ
て、プラズマ生成用電極の凸部の側壁に隣接するリング
状の内周部が形成されるようにしたものである。これに
より、本発明のプラズマ電極用カバーによれば、内周部
の複数の部分を横方向からプラズマ生成用電極の凸部に
装着できるので、側壁保護フィルムがある場合にはその
破損を防止することができる。また、本発明のプラズマ
電極用カバーによれば、内周部を複数の部分に分割した
ことにより、プラズマ生成用電極の凸部の側壁とのクリ
アランスを極めて狭くすることができ、プラズマから側
壁保護フィルムやプラズマ生成用電極の凸部の側壁を保
護することができる。また、本発明のプラズマ電極用カ
バーによれば、内周部の複数の部分同士が組み合わされ
る部分および内周部と外周部が組み合わされる部分が共
にカギ状の断面形状とされているため、プラズマ放電の
下部電極の下側への回り込みや異常放電等を防止するこ
とができる。また、本発明のプラズマ電極用カバーによ
れば、被エッチング部材をプラズマエッチングする時同
時にエッチングされる内周部だけを交換すればよいの
で、従来のようにカバーの全部を交換する場合と比べて
コストを大幅に削減することができる。また、本発明の
プラズマ電極用カバーによれば、内周部の複数の部分を
組み合わせた部分が溝の役割を果すため、エッチング時
の付着物が分断されて付着し、剥がれにくくなるので、
パーティクルの発生を防止する効果も期待できる。
【図１】 プラズマ電極用カバーを用いるドライエッチ
ング装置の一実施例の構成概略図である。
ング装置の一実施例の構成概略図である。
【図２】 本発明のプラズマ電極用カバーの一実施例の
構成概略図である。
構成概略図である。
【図３】 本発明のプラズマ電極用カバーをプラズマ生
成用電極の下部電極に装着した状態を表す一実施例の構
成概略図である。
成用電極の下部電極に装着した状態を表す一実施例の構
成概略図である。
【図４】 本発明のプラズマ電極用カバーの別の実施例
の構成概略図である。
の構成概略図である。
【図５】 本発明のプラズマ電極用カバーの別の実施例
の構成概略図である。
の構成概略図である。
【図６】 本発明のプラズマ電極用カバーの別の実施例
の構成概略図である。
の構成概略図である。
【図７】 従来のプラズマ生成用電極およびプラズマ電
極用カバーの一例の構成概略図である。
極用カバーの一例の構成概略図である。
【図８】 従来のプラズマ電極用カバーをプラズマ生成
用電極の下部電極に装着した状態を表す一例の構成概略
図である。
用電極の下部電極に装着した状態を表す一例の構成概略
図である。
【図９】 従来のプラズマ電極用カバーをプラズマ生成
用電極の下部電極に装着した状態を表す一例の断面図で
ある。
用電極の下部電極に装着した状態を表す一例の断面図で
ある。
【図１０】 エッチング後の従来のプラズマ電極用カバ
ーおよびプラズマ生成用電極の下部電極の状態を表す一
例の断面図である。
ーおよびプラズマ生成用電極の下部電極の状態を表す一
例の断面図である。
【図１１】 エッチング後のプラズマ生成用電極の下部
電極の状態を表す一例の構成概略図である。
電極の状態を表す一例の構成概略図である。
１０ ドライエッチング装置
１２ チャンバー
１４ 上部電極
１６ 下部電極
１８，２８ プラズマ電極用カバー
２０ 半導体ウェハ
２２ 内側リング
２４ 外側リング
２６ａ，２６ｂ リング部材
３０ 側壁保護フィルム
３２ 静電フィルム
３４ 接着剤
ＲＦ 高周波電源
ＭＦＣ マスフローコントローラ
ＣＭ キャパシタンスマノメータ
ＡＰＣ オートプレッシャーコントローラ
ＴＭＰ ターボモレキュラーポンプ
ＤＰ ドライポンプ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 萩原 克佳
千葉県千葉市美浜区中瀬一丁目三番地 川
崎マイクロエレクトロニクス株式会社幕張
本社内
Ｆターム(参考） 4K030 DA04 FA03 GA02 KA12 KA14
5F004 AA16 BA04 BB18 BB22 BB30
BB32 BC02 BC03
Claims (6)
- 【請求項１】側壁によって囲まれた凸部と、該凸部の周
囲に該側壁を介してつながる略平坦な周辺部とを有する
プラズマ生成用電極に対して一定の位置関係で取り付け
られ、該電極の周辺部を覆うプラズマ電極用カバーであ
って、 周方向に分割された複数の部分からなり、該複数の部分
が組み合わされることによって前記側壁に隣接するリン
グ状の内周部が形成されることを特徴とするプラズマ電
極用カバー。 - 【請求項２】側壁によって囲まれた凸部と、該凸部の周
囲に該側壁を介してつながる略平坦な周辺部とを有する
プラズマ生成用電極の該周辺部を覆うプラズマ電極用カ
バーであって、 周方向に分割された複数の部分からなり、該複数の部分
が組み合わされることによって前記側壁に隣接し、か
つ、該側壁の高さに比較して小さな厚さを有するリング
状の内周部が形成されることを特徴とするプラズマ電極
用カバー。 - 【請求項３】側壁によって囲まれた凸部と、該凸部の周
囲に該側壁を介してつながる略平坦な周辺部とを有する
プラズマ生成用電極の該周辺部を覆うプラズマ電極用カ
バーであって、 前記側壁に近接する部分を覆う内周部と、該内周部の外
側に組み合わされるリング状の外周部とに分割され、 かつ、前記内周部が、周方向に分割された複数の部分か
らなり、該複数の部分が組み合わされることによって前
記側壁に隣接するリング状の内周部が形成されることを
特徴とするプラズマ電極用カバー。 - 【請求項４】前記電極の凸部は、生成されたプラズマに
よってその表面が処理される被処理基板を搭載する基板
搭載面を有することを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載のプラズマ電極用カバー。 - 【請求項５】前記電極は、前記側壁上に絶縁性の保護フ
ィルムが貼られたものであることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれかに記載のプラズマ電極用カバー。 - 【請求項６】前記内周部の複数の部分の互いに組み合わ
される部分が、カギ状の断面形状を有することを特徴と
する請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ電極
用カバー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001293188A JP2003100713A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | プラズマ電極用カバー |
| TW091122043A TW559944B (en) | 2001-09-26 | 2002-09-25 | Electrode cover, plasma apparatus utilizing the cover, and method of fitting the cover onto the plasma electrode |
| US10/253,431 US20030066484A1 (en) | 2001-09-26 | 2002-09-25 | Electrode cover, plasma apparatus utilizing the cover, and method of fitting the cover onto the plasma electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001293188A JP2003100713A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | プラズマ電極用カバー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100713A true JP2003100713A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19115032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001293188A Withdrawn JP2003100713A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | プラズマ電極用カバー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030066484A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003100713A (ja) |
| TW (1) | TW559944B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005350773A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-22 | Applied Materials Inc | プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 |
| JP2006307329A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | プラズマ装置およびそれを用いた太陽電池素子の製造方法 |
| JP2009290087A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
| JP2010532099A (ja) * | 2007-06-28 | 2010-09-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 基材処理のための方法および装置 |
| JP2011003730A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ処理装置用シリコンリング |
| WO2011058851A1 (ja) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | シャープ株式会社 | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
| US8002896B2 (en) | 2002-04-25 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment |
| JP2012248764A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Showa Denko Kk | Ｃｖｄ装置 |
| JP5615454B1 (ja) * | 2014-02-25 | 2014-10-29 | コバレントマテリアル株式会社 | フォーカスリング |
| KR101739795B1 (ko) * | 2016-10-27 | 2017-06-08 | (주)코마테크놀로지 | 에지링 및 그의 제조방법 |
| JP2018137404A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 日本新工芯技株式会社 | 電極用リング |
| KR20220148031A (ko) * | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 주식회사 월덱스 | 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7338578B2 (en) * | 2004-01-20 | 2008-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Step edge insert ring for etch chamber |
| US20050189068A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Plasma processing apparatus and method of plasma processing |
| USD557226S1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-12-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electrode cover for a plasma processing apparatus |
| USD556704S1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-12-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Grounded electrode for a plasma processing apparatus |
| US20080296261A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process |
| WO2009073865A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
| CN101919041B (zh) * | 2008-01-16 | 2013-03-27 | 索绍股份有限公司 | 衬底固持器，衬底支撑设备，衬底处理设备以及使用所述衬底处理设备的衬底处理方法 |
| JP2013033940A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR101248881B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2013-04-01 | 주식회사 유진테크 | 기판지지유닛 및 기판처리장치, 그리고 기판지지유닛을 제조하는 방법 |
| USD709538S1 (en) | 2011-09-30 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Focusing ring |
| USD709536S1 (en) | 2011-09-30 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Focusing ring |
| USD699199S1 (en) * | 2011-09-30 | 2014-02-11 | Tokyo Electron Limited | Electrode plate for a plasma processing apparatus |
| USD709539S1 (en) | 2011-09-30 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Focusing ring |
| USD709537S1 (en) | 2011-09-30 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Focusing ring |
| USD699200S1 (en) * | 2011-09-30 | 2014-02-11 | Tokyo Electron Limited | Electrode member for a plasma processing apparatus |
| US9916994B2 (en) * | 2013-03-06 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multi-piece sealing surface |
| TWD169790S (zh) * | 2013-07-10 | 2015-08-11 | 日立國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置用氣化器之部分 |
| JP1551512S (ja) * | 2015-06-12 | 2016-06-13 | ||
| JP6146839B1 (ja) * | 2016-08-04 | 2017-06-14 | 日本新工芯技株式会社 | 電極用リング |
| JP1584146S (ja) * | 2017-01-31 | 2017-08-21 | ||
| CN111863578B (zh) * | 2019-04-28 | 2023-06-16 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理设备 |
| USD1092423S1 (en) * | 2022-05-19 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| CN119650390B (zh) * | 2025-02-17 | 2025-04-22 | 深圳市云在上半导体材料有限公司 | 一种碳化硅聚焦环及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4400235A (en) * | 1982-03-25 | 1983-08-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Etching apparatus and method |
| JPH0730468B2 (ja) * | 1988-06-09 | 1995-04-05 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
| KR100297358B1 (ko) * | 1991-07-23 | 2001-11-30 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마에칭장치 |
| JP3257741B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及び方法 |
| US5762714A (en) * | 1994-10-18 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck |
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TW323387B (ja) * | 1995-06-07 | 1997-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5952060A (en) * | 1996-06-14 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components |
| US5748434A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Shield for an electrostatic chuck |
| US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
| US5942039A (en) * | 1997-05-01 | 1999-08-24 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning focus ring |
| US6364957B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
| US6178919B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
| US6383931B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-05-07 | Lam Research Corporation | Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch |
| US6391787B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
| US6554954B2 (en) * | 2001-04-03 | 2003-04-29 | Applied Materials Inc. | Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
-
2001
- 2001-09-26 JP JP2001293188A patent/JP2003100713A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-09-25 TW TW091122043A patent/TW559944B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-25 US US10/253,431 patent/US20030066484A1/en not_active Abandoned
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8002896B2 (en) | 2002-04-25 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment |
| JP2005350773A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-22 | Applied Materials Inc | プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 |
| JP2006307329A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | プラズマ装置およびそれを用いた太陽電池素子の製造方法 |
| JP2010532099A (ja) * | 2007-06-28 | 2010-09-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 基材処理のための方法および装置 |
| JP2009290087A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
| JP2011003730A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ処理装置用シリコンリング |
| WO2011058851A1 (ja) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | シャープ株式会社 | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
| JP2012248764A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Showa Denko Kk | Ｃｖｄ装置 |
| JP5615454B1 (ja) * | 2014-02-25 | 2014-10-29 | コバレントマテリアル株式会社 | フォーカスリング |
| KR20150100558A (ko) * | 2014-02-25 | 2015-09-02 | 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 | 포커스 링 |
| KR101674290B1 (ko) | 2014-02-25 | 2016-11-08 | 쿠어스택 가부시키가이샤 | 포커스 링 |
| KR101739795B1 (ko) * | 2016-10-27 | 2017-06-08 | (주)코마테크놀로지 | 에지링 및 그의 제조방법 |
| JP2018137404A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 日本新工芯技株式会社 | 電極用リング |
| KR20220148031A (ko) * | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 주식회사 월덱스 | 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링 |
| KR102549935B1 (ko) | 2021-04-28 | 2023-06-30 | 주식회사 월덱스 | 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030066484A1 (en) | 2003-04-10 |
| TW559944B (en) | 2003-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003100713A (ja) | プラズマ電極用カバー | |
| US8056503B2 (en) | Plasma procesor and plasma processing method | |
| KR102335248B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 엘라스토머 시일의 수명을 연장시키는 크기로 형성된 에지 링 | |
| US7678225B2 (en) | Focus ring for semiconductor treatment and plasma treatment device | |
| JP4971321B2 (ja) | プラズマ処理システムでの使用に適合された基板支持部の結合層を保護する方法 | |
| KR102021161B1 (ko) | 하부 전극 어셈블리용 에지 시일 | |
| TWI593011B (zh) | 用於電漿處理室之邊緣環組件及其製造方法 | |
| US20050105243A1 (en) | Electrostatic chuck for supporting a substrate | |
| KR100914589B1 (ko) | 기판 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP5808750B2 (ja) | 傾斜側壁を備える静電チャック | |
| US20080289766A1 (en) | Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup | |
| TW201545255A (zh) | 下電極組裝用邊緣密封 | |
| US20150129129A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR200346463Y1 (ko) | 정전기 척의 가드 | |
| CN105283944A (zh) | 用于边缘关键尺寸均匀性控制的工艺套件 | |
| JP3559920B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20150070970A (ko) | 엘라스토머 밴드용 설치 픽스처 | |
| US10714355B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
| US11705357B2 (en) | Substrate processing system including electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck | |
| JP4386753B2 (ja) | ウェハーステージ及びプラズマ処理装置 | |
| US20200161157A1 (en) | Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same | |
| KR102880305B1 (ko) | 기판 프로세싱을 위한 베벨 박리 및 결함 해결 | |
| JP5479061B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20220416021A1 (en) | Wide-gap semiconductor substrate, apparatus for manufacturing wide-gap semiconductor substrate, and method for manufacturing wide-gap semiconductor substrate | |
| TW202349558A (zh) | 靜電卡盤台座加熱器及用於選擇性地夾持及加熱基材之設備 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081202 |