JP2005350773A - プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プラズマ処理中に使用する第1の方法は、(1)プラズマチャンバの基板ホルダに基板を配置するステップ;(2)その基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップ;(3)そのカバーフレームを使用してプラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアーク放電の発生を減少させるステップ;を含む。数多くの他の態様がありそれらが提供される。
【選択図】 図3
Description
Claims (37)
- プラズマ処理中に使用される方法において:
プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップと;
前記基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップと;
前記カバーフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップと;
を含む、前記方法。 - 前記基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップは、前記カバーフレームの一部が前記基板の下に横たわるように、前記基板の周囲の付近の下にカバーフレームを位置決めする工程を含む、前記請求項1記載の方法。
- 前記カバーフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップは、前記カバーフレームを使用して前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止する工程を含む、請求項1記載の方法。
- 前記プラズマチャンバ内の圧力、電極間隔、RF電力、ガス流のうちの少なくとも一つを調整するステップを更に備える、請求項1記載の方法。
- プラズマ処理中に使用される方法において:
プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップと;
前記基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップと;
シャドウフレームを前記基板の周囲に位置決めするステップであって、前記シャドウフレームは前記基板に接触しないか上に横たわらない、前記ステップと;
前記カバーフレーム及び前記シャドウフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップと;
を含む、前記方法。 - 前記基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップは、前記カバーフレームの一部が前記基板の下に横たわるように、前記基板の周囲の付近の下にカバーフレームを位置決めする工程を含む、前記請求項5記載の方法。
- 前記カバーフレーム及びシャドウフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップは、カバーフレーム及びシャドウフレームを使用して前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止する工程を含む、請求項1記載の方法。
- プラズマ処理に使用される方法において:
プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップと;
前記基板の周囲付近の下にシャドウフレームを位置決めするステップであって、前記シャドウフレームが前記基板に接触しないか上に横たわらない前記ステップと;
前記シャドウフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップと;
を含む、前記方法。 - 前記シャドウフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップは、前記シャドウフレームを使用して前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止する工程を含む、請求項1記載の方法。
- プラズマ処理中に使用される装置において:
基板を支持するように適合された基板ホルダと;
前記基板ホルダによって支持される前記基板の周囲付近の下にシャドウフレームが位置決めされるように適合されたカバーフレームであって、プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させる、前記カバーフレームと;
を備える、前記装置。 - 前記カバーフレームの一部は、前記基板の下に横たわるように適合された請求項10記載の装置。
- 前記カバーフレームの少なくとも5mmは、前記基板の下に横たわるように適合されている、請求項11記載の装置。
- 前記カバーフレームは、前記基板ホルダが前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止するように更に適合された請求項10記載の装置。
- 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウム又はセラミックの内の少なくとも一つを備える、請求項10記載の装置。
- プラズマ処理中に使用される装置において:
前記基板ホルダによって支持される前記基板の周囲付近の下に位置決めされるように適合されたカバーフレームと;
前記基板の周囲付近の下に位置決めされるように適合されたシャドウフレームであって、前記シャドウフレームは前記基板と接触しないか上に横たわらない、前記シャドウフレームと;
を備え、
前記カバーフレーム及び前記シャドウフレームは、プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少するように適合されている、前記装置。 - 前記カバーフレーム及び前記シャドウフレームは、前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のプラズマに接触することを防止する、請求項15記載の装置。
- 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウム又はセラミックの内の少なくとも一つを備える、請求項15記載の装置。
- 前記カバーフレームの一部は、前記基板の下に横たわるように適合されている、請求項15記載の装置。
- 前記カバーフレームの少なくとも5mmは、前記基板の下に横たわるように適合されている、請求項18記載の装置。
- 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウム又はセラミックの内の少なくとも一つを備える、請求項15記載の装置。
- 前記シャドウフレームの一部は、前記カバーフレームの上に横たわる、請求項15記載の装置。
- 前記シャドウフレームの少なくとも5mmは、前記カバーフレームの下に横たわるように適合されている、請求項21記載の装置。
- 前記シャドウフレームは、前記基板の周囲から少なくとも5mmに位置決めされている、請求項15記載の装置。
- プラズマ処理中に使用される装置において:
基板を支持するように適合された基板ホルダと;
前記シャドウフレームが前記基板に接触しないか前記基板上に横たわらないように前記基板が前記基板ホルダに支持されるとき、前記基板の周囲付近に位置決めされるように適合され、プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させる、前記シャドウフレームと;
を備える、前記装置。 - 前記シャドウフレームは、前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のプラズマに接触することを防止する、請求項24記載の装置。
- シャドウフレームが前記基板に接触しないか上に横たわらないように基板の周囲付近のプラズマチャンバ内に位置決めされるように適合されたシャドウフレームを備える、装置。
- 前記シャドウフレームは、前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるように更に適合されている、請求項26記載の装置。
- 前記シャドウフレームは、前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のプラズマに前記基板支持体の表面が接触することを防止するように更に適合されている、請求項26記載の装置。
- 前記シャドウフレームは、陽極処理されたアルミニウムから製造される、請求項26記載の装置。
- 前記シャドウフレームは、セラミックから製造される、請求項26記載の装置。
- 前記シャドウフレームは、プラズマ処理中の基板上方のガス流を調整するように適合された面取エッジを含む、請求項26記載の装置。
- 基板ホルダにより支持される基板の周囲付近の下方のプラズマチャンバ内に位置決めされるように適合されている、前記カバーフレームと、を備える、前記装置。
- 前記カバーフレームは、前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを防止するように更に適合されている、請求項32記載の装置。
- 前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のプラズマに前記基板ホルダの表面が接触することを防止するように更に適合されている、請求項32記載の装置。
- 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウムから製造される、請求項32記載の装置。
- 前記カバーフレームは、セラミックから製造される、請求項32記載の装置。
- 前記カバーフレームは、プラズマ処理中に前記カバーフレームが移動することを防止するように適合された運動学的特徴を含む、請求項32記載の方法。
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