KR100707996B1 - 플라즈마 처리장치의 기판 홀더 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 관한 것으로, 그 구성은 플라즈마 공정 실시시 기판을 홀딩하는 플라즈마 처리장의 기판 홀더에 있어서, 다수개의 기판을 장입시키는 하판과; 상기 하판의 상부에 위치하여 장입된 기판을 고정하는 상판;을 포함하여 이루어지며, 상기 상판은 하판으로부터 인가되는 열의 흐름을 적개하고, 공정수율을 증대할 수 있는 테프론(Teflon)으로 이루어진다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 공정시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 열 흐름 흔적을 최소화하고, 에칭시 필요한 소요전력을 줄임과 동시에 감광액의 두께 대비 에칭물의 깊이 선택비를 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
기판 홀더, 기판, 플라즈마 처리장치
Description
도 1은 본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 나타내는 단면도.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 홀더 11 : 상판
12 : 하판
본 발명은 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 공정시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 열 흐름 흔적을 최소화하고, 에칭시 필요한 소요전력을 줄임과 동시에 감광액의 두께 대비 에칭물의 깊이 선택비를 증대시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 관한 것이다.
플라즈마에 의해서 기판의 표면에 원하는 처리를 실행하는 것은 각종 반도체 집적회로의 제작이나 액정 디스플레이를 제작할 때에 빈번하게 행해지고 있다. 예컨대 기판의 표면에 미세회로를 형성하는 경우에는 레지스트 패턴을 마스크로 한 에칭공정에서 플라즈마에 의해 기판을 에칭하는 플라즈마 에칭에 행해지고 있다. 각종 도전막이나 절연막의 작성에서는 플라즈마중에서의 기상반응을 이용한 플라즈마 화학증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)의 수법이 실용화되어 있다.
이러한 플라즈마 처리장치에서는 처리실내에 플라즈마에 의해 처리되는 기판을 유지시키는 기판 홀더가 필요하게 된다.
일반적으로 기판 홀더는 알루미늄 공정 하판에 개별 기판을 잡을 수 있는 상판으로 이루어지며, 상기 상판은 하판 상에 여러개의 기판을 한번에 장입할 수 있게 되어 있으며 또한, 상기 하판은 기판의 에칭시 플라즈마에 의해 기판 홀더에서 발생되는 열을 플라즈마 에칭용 하부전극 집합체(Plasma Etching Cathode)에 안정적으로 전달하게 하고 있다.
그러나 종래의 경우 상기 다수개의 기판을 장입시키고 있는 상판이 알루미늄이나 세라믹류의 소재를 사용하고 있어서 에칭 공정시 플라즈마에 의해 야기된 열로 인해 기판의 가장자리 부분이 열에 의한 영향을 받음으로써 각각의 개별 기판들 가장자리 영역(Edge Zone)이 열의 흐름 방향을 볼 수 있게 한쪽으로 치우치는 문제점이 있었다.
또한, 상기 상판은 플라즈마에 의한 열팽창으로 인해 플라즈마가 국부적으로 발생하는 문제점이 있었으며, 플라즈마 일정한 에칭 깊이를 얻기 위해 하부전극에 인가되는 필요 전력이 많은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마 공정시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 열 흐름 흔적을 최소 화하고, 에칭시 필요한 소요전력을 줄임과 동시에 감광액의 두께 대비 에칭물의 깊이 선택비를 증대시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 제공함에 있다.
본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진다.
본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 홀더는, 플라즈마 공정 실시시 기판을 홀딩하는 플라즈마 처리장의 기판 홀더에 있어서, 다수개의 기판을 장입시키는 하판과; 상기 하판의 상부에 위치하여 장입된 기판을 고정하는 상판;을 포함하여 이루어지며, 상기 상판은 하판으로부터 인가되는 열의 흐름을 적개하고, 공정수율을 증대할 수 있는 테프론(Teflon)으로 이루어진다.
또한, 상기 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene,PCTFE), 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene,PTFE) 및 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy,PFA) 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1에 도시된 바에 의하면, 상기 기판 홀더(10)는 기판(W)에 소정 공정을 실시하기 위해 처리실(미도시) 내부에 위치하고 있으며, 상기 다수개의 기판(W)을 장입시키는 하판(12)과 장입된 기판을 고정시키는 상판(11)으로 이루어져 있다. 이때 하판(12)은 알루미늄이나 세라믹등에 의해 구성되고, 처리실 내에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정 공정을 처리하기 위해 전극을 형성하게 된다.
상기 상판(11)은 상기 하판(12)으로부터 발생된 열이 기판(W)으로 전달되는 것을 방지하고, 에칭 시간 동안 저전력의 인가량에서도 감광액과 두께 대비 에칭 깊이 선택비를 증가시킬 수 있는 테프론(Teflon)으로 구성하여 기판을 고정시키도록 한다. 이때 상기 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene,PCTFE) 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene,PTFE) 및 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy,PFA) 중 선택된 어느 하나로 구성시는데, 이는 테프론의 경우 비점착성, 비유성, 내열성, 저온 안정성 및 내화학성의 성질이 있어서, 공정중 하판에서 전달된 열이 상판을 통해 기판으로 전달되어 기판의 가장자리 영역에서 열 흐름 흔적이 생기는 것을 최소화할 수 있기 때문이다. 또한 동일 조간하에서의 열전달이 적어 저전력을 실현할 수 있게 되는 것이다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 공정시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 열 흐름 흔적을 최소화하고, 에칭시 필요한 소요전력을 줄임과 동시에 감광액의 두께 대비 에칭물의 깊이 선택비를 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 플라즈마 공정 실시시 기판을 홀딩하는 플라즈마 처리장의 기판 홀더에 있어서,다수개의 기판을 장입시키는 하판과;상기 하판의 상부에 위치하여 장입된 기판을 고정하는 상판;을 포함하여 이루어지며,상기 상판은 하판으로부터 인가되는 열의 흐름을 적개하고, 공정수율을 증대할 수 있는 테프론(Teflon)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
- 제 1 항에 있어서,상기 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene,PCTFE), 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene,PTFE) 및 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy,PFA) 중 선택된 어느 하나로 이루어지도록 하는 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
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| KR1020060055537A KR100707996B1 (ko) | 2006-06-20 | 2006-06-20 | 플라즈마 처리장치의 기판 홀더 |
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| KR1020060055537A KR100707996B1 (ko) | 2006-06-20 | 2006-06-20 | 플라즈마 처리장치의 기판 홀더 |
Publications (1)
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| KR100707996B1 true KR100707996B1 (ko) | 2007-04-16 |
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Family Applications (1)
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| KR1020060055537A KR100707996B1 (ko) | 2006-06-20 | 2006-06-20 | 플라즈마 처리장치의 기판 홀더 |
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| KR (1) | KR100707996B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100954754B1 (ko) | 2008-03-25 | 2010-04-27 | (주)타이닉스 | 플라즈마 처리장치용 기판 트레이 |
| DE112008001988T5 (de) | 2008-02-22 | 2010-06-02 | Jeongtae Gwacheon Kim | Wafer-Einspannvorrichtung für ein Plasmaverfahren |
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| KR20060046379A (ko) * | 2004-06-01 | 2006-05-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 처리 중 아크를 감소시키기 위한 방법 및 장치 |
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2006
- 2006-06-20 KR KR1020060055537A patent/KR100707996B1/ko active IP Right Grant
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