JP2012507174A - 低い浸食感度を有するプロセスキット - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、概して、半導体プロセス装置に関し、より具体的には、半導体プロセスチャンバ用プロセスキットに関する。
プロセスチャンバ内における半導体処理の間、プロセスキットは、基板の周囲に、及び基板サポートの露出面の最上部に配置され、これによって露出面を処理環境(例えば、プロセスチャンバ内で形成されるプラズマ)から保護するかもしれない。その結果、プロセスキットは、プラズマによって浸食されるかもしれない。残念なことに、いくつかのプロセスは、プロセスキットの浸食によって影響される可能性がある。例えば、基板表面近傍で電場の使用を必要とするエッチングプロセスは、プロセスキットの浸食に伴い、基板の周辺エッジ近傍で電場の形状が変化するため、プロセスキットの浸食によって影響されるかもしれない。そのような変化は、例えば、高アスペクト比エッチングプロセスにおいて傾斜角(基板内でエッチングされた構造の垂直線からの角度として画定される)を増加させる等の望まれない結果を引き起こすかもしれない。更に、そのような従来のプロセスキットは、寿命が短く、エッチングプロセスで満足できる結果を維持するためには、頻繁な交換が必要である。
図1に戻って、運転中、基板100は上部に配置されたプロセスキット106によって支持台116の上に配置される。チャンバ内部は、ほぼ真空環境まで減圧され、点火されたときプラズマを生成するガス150(例えばアルゴン)が、ガスパネル138からシャワーヘッド132を通ってプロセスチャンバ110へ供給される。ガス150は、RF電源118から上部電極128(陽極)に電力を印加することによって、プロセスチャンバ110内で点火されプラズマ152になる。磁場がソレノイド部112を通ってプラズマ152に印加され、支持台116は、バイアス電源122から電力を印加することによってバイアスが掛けられる。基板100の処理の間に、エッチングチャンバ110内部の圧力は、ガスパネル138及びスロットルバルブ127を用いて制御される。
Claims (12)
- 基板サポートの周辺部の周りにあり、前記基板サポートの中央領域に対応する開口を画定する側壁を有するように構成される本体と、
前記本体の前記側壁から前記開口内へ延びるリップを含み、前記リップの上面の一部は、処理の間、基板の下に配置されるように構成され、前記本体の対向する側壁間で測定される第1距離は、前記開口内に配置される基板の上面を横切る幅よりも少なくとも約7.87mm大きい半導体プロセスチャンバ用プロセスキット。 - 前記リップの前記上面と前記本体の上面の間で測定される第2距離は、少なくとも約2.3mmである請求項1記載のプロセスキット。
- 前記プロセスキットは、直径300mmの半導体基板と共に使用されるように構成される請求項1記載のプロセスキット。
- 前記本体とリップは、シリコン(Si)又は炭化珪素(SiC)のうちの少なくとも1つを含む請求項1記載のプロセスキット。
- 前記リップの前記上面の幅は、少なくとも約5.14mmである請求項1記載のプロセスキット。
- 前記リップの前記上面と前記本体の上面との間の高さは、少なくとも約2.3mmである請求項5記載のプロセスキット。
- 基板サポートを内部に配置する半導体プロセスチャンバと、
前記基板サポートの最上部に配置される前記請求項のいずれか1項内で画定されるようなプロセスキットを含み、これによって前記本体は前記基板サポートの周辺部の周りに配置され、前記開口は、前記基板サポートの中央領域に対応する半導体基板を処理するための装置。 - 前記プロセスチャンバは、前記プロセスチャンバに結合され、RF電力を前記プロセスチャンバに供給するために構成されるRF電源を更に含む請求項7記載の装置。
- 前記プロセスキットは、上に配置される基板の周辺エッジ近傍に、実質的に一様な電場を提供するために構成される請求項8記載の装置。
- 前記プロセスキットは、内部に配置された基板内の構造を形成する間、約−0.5度〜約0.5度の間の傾斜角感度を提供するために構成される請求項8記載の装置。
- 前記構造は、前記基板の周辺エッジ近傍に形成される請求項10記載の装置。
- 前記構造は、1以上のビア又はトレンチを含むことができる請求項10記載の装置。
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