JP2019024139A - 多孔質膜をエッチングする方法 - Google Patents
多孔質膜をエッチングする方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019024139A JP2019024139A JP2018219148A JP2018219148A JP2019024139A JP 2019024139 A JP2019024139 A JP 2019024139A JP 2018219148 A JP2018219148 A JP 2018219148A JP 2018219148 A JP2018219148 A JP 2018219148A JP 2019024139 A JP2019024139 A JP 2019024139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- porous film
- plasma
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 387
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 49
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 27
- WGAHPKOIQCXOMB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-[1,1,2,2-tetrafluoro-2-[1,1,2,2-tetrafluoro-2-(trifluoromethoxy)ethoxy]ethoxy]-2-[1,1,2,2-tetrafluoro-2-(trifluoromethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound FC(F)(F)OC(F)(F)C(F)(F)OC(F)(F)C(F)(F)OC(F)(F)C(F)(F)OC(F)(F)C(F)(F)OC(F)(F)F WGAHPKOIQCXOMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 101001139126 Homo sapiens Krueppel-like factor 6 Proteins 0.000 description 17
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
また、単位時間当りに平面に入射するガス分子のモル数MBは下記の式(2)で表される。式(2)において、P1は、チャンバ内の第1のガスの分圧、又は、第1のガスのみがチャンバに供給される場合の第1のガスの圧力である。式(2)において、mは第1のガスの分子の質量であり、kBはボルツマン定数であり、Tgasは第1のガスの温度であり、NAはアボガドロ数である。
時間T1は、多孔質膜PLを液体で充填するのに必要な単位面積当りのモル数MAを、単位時間当りに平面に入射するガス分子のモル数MBで除することにより得られるので、下記の式(3)で表される。
第1のガスがパーフルオロテトラグリムガスであり、TPL、ρpore、P1、Tgasがそれぞれ、100nm、0.4、2mTorr、20℃であるものとすると、時間T1は400ミリ秒となる。故に、一例において、工程ST1の実行時間は400ミリ秒以上に設定され得る。また、工程ST2の実行時間と工程ST3の実行時間の和は、第1のガスから生成された液体が多孔質膜PL内で維持される時間を超えないように設定される。
混合ガス中の第1のガス:パーフルオロテトラグリムガス
混合ガス中の第2のガス:NF3ガス
第1のガスの分圧
(2−1):2.8mTorr(0.37Pa)、
(2−2)4.8mTorr(0.64Pa)、
(2−3)6.8mTorr(0.91Pa)
チャンバ12c内のガスの全圧:23mTorr(3.07Pa)
被加工物の温度:−40℃
工程ST11の実行時間:170(秒)
工程ST11の開始時点と工程ST12の開始時点との時間差:60秒
工程ST12における第1の高周波:27MHz、100Wの連続波
工程ST12における第2の高周波:400kHz、50Wの連続波
工程ST12の実行時間:110(秒)
<第2の実験における工程ST5の条件>
被加工物の温度:60℃
処理時間:120秒
加熱処理装置のチャンバの圧力:真空引きされた状態、0.1mTorr以下(0.013Pa以下)
混合ガス中の第1のガス:パーフルオロテトラグリムガス
混合ガス中の第2のガス:NF3ガス
第1のガスの分圧:4.8mTorr(0.64Pa)
チャンバ12c内のガスの全圧:23mTorr(3.07Pa)
被加工物の温度:−40℃
工程ST11の実行時間:260(秒)
工程ST11の開始時点と工程ST12の開始時点との時間差:60秒
工程ST12における第1の高周波:27MHz、30Wの連続波
工程ST12における第2の高周波:400kHz、100W
(3−1)連続波
(3−2)パルス波(100Hzのパルス周波数、50%のONデューティ)
(3−3)パルス波(100Hzのパルス周波数、20%のONデューティ)
(3−4)パルス波(100Hzのパルス周波数、10%のONデューティ)
工程ST12の実行時間:200(秒)
<第3の実験における工程ST5の条件>
被加工物の温度:60℃
処理時間:120秒
加熱処理装置のチャンバの圧力:真空引きされた状態、0.1mTorr以下(0.013Pa以下)
式(5)から理解できるように、多孔質膜内の液体の揮発速度feは、ガスを構成する分子の分子量が大きいほど小さくなる。即ち、ガスを構成する分子の分子量が大きいほど、当該ガスから生成された液体は多孔質膜内で長時間維持される。第1のガスから生成される液体の維持時間は、C6F6ガスに基づく液体の維持時間よりも大きいことが必要である。したがって、第7の条件は、第1のガスとして利用されるガスを構成する分子の分子量が、C6F6の分子量、即ち186よりも大きいという条件であってもよい。また、C9F20ガスに基づく液体は、数分以上、多孔質膜内で維持されるので、第7の条件は、第1のガスとして利用されるガスを構成する分子の分子量が、488以上であるという条件であってもよい。
Claims (16)
- 多孔質膜をエッチングする方法であって、該方法は、前記多孔質膜、及び、該多孔質膜上に設けられており該多孔質膜を部分的に露出させる開口を提供するマスクを有する被加工物が、プラズマ処理装置のチャンバ内に設けられたステージ上に載置された状態で実行され、
前記チャンバに第1のガスを供給する工程であり、該第1のガスはCxFyOzの組成を有する分子からなるガスであり、ここで、xは6≦x≦22を満たす整数であり、yは1以上の整数であり、zは0以上の整数である、該工程と、
第1のガスを供給する前記工程と同時に、又は、第1のガスを供給する前記工程の後に、前記多孔質膜をエッチングするために、該多孔質膜のエッチング用の第2のガスのプラズマを生成する工程と、
を含み、
前記チャンバ内における前記第1のガスの分圧、又は、前記第1のガスのみが前記チャンバに供給されるときの前記チャンバ内における該第1のガスの圧力は、第1のガスを供給する前記工程の実行中の前記被加工物の温度において、前記多孔質膜内で該第1のガスの毛管凝縮が生じる臨界圧力よりも高く、該第1のガスの飽和蒸気圧よりも低い、
方法。 - 前記第1のガスは、PC/PSが0.05以下であることを満たすガスであり、ここで、PSは前記第1のガスの飽和蒸気圧であり、PCは前記多孔質膜内で前記第1のガスの毛管凝縮が生じる臨界圧力である、請求項1に記載の方法。
- 前記CxFyOzの組成を有する分子からなる前記ガスは、8≦x≦12、及び、0≦z≦10を更に満たす、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記CxFyOzの組成を有する分子からなる前記ガスは、4≦z≦6、及び、2x−2≦y≦2x+2を更に満たす、請求項3に記載の方法。
- 前記CxFyOzの組成を有する分子からなる前記ガスは、y=2x+2を更に満たす、請求項4に記載の方法。
- 前記CxFyOzの組成を有する分子からなる前記ガスから生成される液体の前記多孔質膜に対する接触角が5°以下である、請求項1又は2に記載の方法。
- 第1のガスを供給する前記工程では、前記第1のガスと前記第2のガスを含む混合ガスが前記チャンバに供給され、
第2のガスのプラズマを生成する前記工程では、前記チャンバ内で前記混合ガスのプラズマが生成される、
請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。 - 第1のガスを供給する前記工程と第2のガスのプラズマを生成する前記工程において、前記被加工物の温度が−50℃以上−30℃以下の温度に設定され、前記第1のガスの分圧が0.4Pa以上に設定され、且つ、前記チャンバ内のガスの全圧が3.333Pa以下に設定される、請求項7に記載の方法。
- 第2のガスのプラズマを生成する前記工程において、前記プラズマの生成のための第1の高周波及び前記被加工物にイオンを引き込むための第2の高周波のうち少なくとも一方のパワーが交互に増減される、請求項7又は8に記載の方法。
- 第1のガスを供給する前記工程と第2のガスのプラズマを生成する前記工程とが交互に実行され、
第1のガスを供給する前記工程と第2のガスのプラズマを生成する前記工程との間にプラズマを生成せずに前記チャンバに前記第2のガスを供給する工程を更に含む、
請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。 - 第1のガスを供給する前記工程と第2のガスのプラズマを生成する前記工程において、前記被加工物の温度が−50℃以上−30℃以下の温度に設定され、
第1のガスを供給する前記工程において、前記チャンバ内における前記第1のガスの分圧、又は、前記第1のガスのみが前記チャンバに供給されるときの前記チャンバ内における該第1のガスの圧力が0.4Pa以上に設定される、
請求項10に記載の方法。 - 前記多孔質膜のエッチング後に、前記第1のガスから生成された前記多孔質膜内の液体を除去する工程を更に含み、
液体を除去する前記工程では、真空引きされた環境下で該液体の圧力が前記臨界圧力よりも低くなるように前記被加工物が加熱される、
請求項1〜11の何れか一項に記載の方法。 - 前記CxFyOzの組成を有する分子からなる前記ガスの、25℃での飽和蒸気圧が133.3Pa以上である、請求項12に記載の方法。
- 前記多孔質膜は、シリコン、酸素、炭素、及び、水素を含む低誘電率膜である、請求項1〜13の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2のガスは、フッ素含有ガスを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記フッ素含有ガスは、NF3ガス、SiF4ガス、及びCF4ガスのうち少なくとも一つを含む、請求項15に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018219148A JP6666601B2 (ja) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018219148A JP6666601B2 (ja) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017097569A Division JP6441994B2 (ja) | 2017-05-16 | 2017-05-16 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019024139A true JP2019024139A (ja) | 2019-02-14 |
JP6666601B2 JP6666601B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=65369026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018219148A Expired - Fee Related JP6666601B2 (ja) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6666601B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200113100A (ko) * | 2019-03-22 | 2020-10-06 | 대전대학교 산학협력단 | 반도체 공정용 가스 회수 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005117082A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 |
JP2015061073A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-30 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 処理前の多孔質基板の保護 |
JP2015533029A (ja) * | 2012-10-30 | 2015-11-16 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子 |
JP2016184725A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-10-20 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | プラズマエッチング中の多孔質基板の保護 |
JP2016207770A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2016207768A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
-
2018
- 2018-11-22 JP JP2018219148A patent/JP6666601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005117082A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 |
JP2015533029A (ja) * | 2012-10-30 | 2015-11-16 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子 |
JP2015061073A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-30 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 処理前の多孔質基板の保護 |
JP2016184725A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-10-20 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | プラズマエッチング中の多孔質基板の保護 |
JP2016207770A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2016207768A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200113100A (ko) * | 2019-03-22 | 2020-10-06 | 대전대학교 산학협력단 | 반도체 공정용 가스 회수 장치 |
KR102273855B1 (ko) * | 2019-03-22 | 2021-07-07 | 대전대학교 산학협력단 | 반도체 공정용 가스 회수 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6666601B2 (ja) | 2020-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI743072B (zh) | 蝕刻方法及蝕刻裝置 | |
US11658036B2 (en) | Apparatus for processing substrate | |
JP6396699B2 (ja) | エッチング方法 | |
US9443701B2 (en) | Etching method | |
JP6438831B2 (ja) | 有機膜をエッチングする方法 | |
JP6529357B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP2016207915A (ja) | 被処理体を処理する方法 | |
TWI405260B (zh) | A plasma etching treatment method and a plasma etching processing apparatus | |
WO2018212045A1 (ja) | 多孔質膜をエッチングする方法 | |
US11361945B2 (en) | Plasma processing apparatus, processing system, and method of etching porous film | |
JP2019160816A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
KR20190008227A (ko) | 에칭 방법 | |
KR20230129345A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 에칭 방법 | |
JP2017092376A (ja) | エッチング方法 | |
JP6666601B2 (ja) | 多孔質膜をエッチングする方法 | |
JP2019117876A (ja) | エッチング方法 | |
US20200168468A1 (en) | Etching method and substrate processing apparatus | |
JP2008172184A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR102364188B1 (ko) | 에칭 방법 | |
KR20210035073A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2022039910A (ja) | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 | |
KR20220029478A (ko) | 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2007242753A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2006278517A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6666601 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |