JP2010114471A - プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 - Google Patents

プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 Download PDF

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Abstract

【課題】プラズマ処理中のアークを減少する為の、改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１態様において、プラズマ処理中に使用する為の方法が提供される。第１の方法は、（１）プラズマチャンバの基板ホルダに基板を配置するステップ；（２）その基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップ；（３）そのカバーフレームを使用してプラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップ；を含む。数多くの他の態様が提供される。
【選択図】図３

Description

本願は、２００４年６月１日に出願され、米国特許出願第１０／８５８２６７号から優先権を主張し、全ての目的の為に全体が参考の為に本願に組み込まれる。
本発明は、全体的にフラットパネルディスプレイ及び／又は半導体デバイス製造に関し、具体的には、プラズマ処理中のアークを減少させる為の方法および装置に関する。
図１は、プラズマ処理中に使用可能な従来の装置１０１を例示する。図１に関し、従来の装置１０１は、基板１０５（例えば、ガラス基板、ポリマー基板、半導体ウエハ等）を支持する為に、サセプタのような基板ホルダ１０３を含む。基板ホルダ１０３は、例えば、第１電極として使用可能である。従来の装置１０１は、（例えば、基板ホルダ１０３と第２電極（図示せず）間の）プラズマ処理中のアークを防止する為に、シャドウフレーム１０７を含む。従来の装置１０１のシャドウフレーム１０７の一部１０９（例えば、リップ）は、基板１０５のエッジ領域の上に横たわり（例えば、接触し）、（技術的に知られるように）プラズマ処理（例えば、薄膜堆積）中のアークを減少させる。シャドウフレーム１０７のリップ１０９は、また、（膜縁排除領域と呼ばれる）基板１０５の外縁領域１１１上の膜堆積を防止する。
従来のシャドウフレーム１０７はプラズマ処理中のアークを減少させるが、シャドウフレーム１０７は、従来の装置１０１を含む処理チャンバ（図示せず）内の処理パラメータ（例えば、ガス流、電界など）も妨害する。したがって、基板１０５上に堆積される膜（例えば、シャドウフレーム１０７のリップの近傍）は、均一な厚みでない場合がある。プラズマ処理中のアークを減少する為の、改善された方法及び装置が望ましい。
本発明の第１態様において、プラズマ処理中に使用される第１の方法が提供される。第１の方法は、（１）プラズマチャンバの基板ホルダに基板を配置するステップ；（２）その基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップ；（３）そのカバーフレームを使用してプラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップ；を含む。
本発明の第２態様において、プラズマ処理中に使用される第２の方法が提供される。第２の方法は、（１）プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップと；（２）この基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップと；（３）シャドウフレームを基板の周囲に位置決めするステップであって、シャドウフレームが基板に接触しないか上に横たわらない、上記ステップと；（４）カバーフレーム及びシャドウフレームを使用してプラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップと；を含む。
本発明の第３態様において、（１）プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップと；（２）基板の周囲付近の下にシャドウフレームを位置決めするステップであって、シャドウフレームが基板に接触しないか上に横たわらない上記ステップと；（３）シャドウフレームを使用してプラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップと；を含む。本発明の態様及び他の態様に従うシステム及び方法のように、数多くの態様が提供される。
他の本発明の特徴及び態様は、以下の詳細な説明及び添付された請求項と添付図面から十分に明らかになろう。
図１は、プラズマ処理中に使用可能な従来の装置を例示する。 本発明の実施形態に従う、プラズマ処理中に使用可能な第１実施例に係る装置を示す。 本発明の実施形態に従う、プラズマ処理中に使用可能な第２実施例に係る装置を示す。 本発明の実施形態に従う、プラズマ処理中に使用可能な第３実施例に係る装置を示す。 図３の第３実施例に係る装置に含まれるカバーフレームの平面図を例示する。 図３の第３実施例に係る装置に含まれる代替えカバーフレームの平面図を例示する。
本発明の態様は、プラズマ処理（例えば、プラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ））中の基板に堆積された（例えば、基板の縁領域近傍の）膜の均一性を高めることができる。更に、膜が堆積されない基板の一部（膜縁排除領域）が最小限化または排除される。
図２Ａは、本発明の一実施形態に従うプラズマ処理中に使用可能な第１の例示的装置を示す。図２Ａによると、第１の例示装置２０１は、プラズマチャンバ２０３内に含まれてもよい。第１の例示装置２０１は、基板１０５（例えば、ガラス基板、半導体基板等）を支持するように適合されたサセプタのような基板ホルダ２０４を含む。基板ホルダ２０４は、（例えば、接地された又は電力が与えられた）第１の電極として作用させてもよい。そのため、基板ホルダ２０４は、アークを受けやすい。
第１の例示装置２０１は、プラズマチャンバ２０３内でプラズマ処理中のアークを減少するように適合されたカバーフレーム２０５を含む。例えば、カバーフレーム２０５は、アルミニウム、セラミック、又は、プラズマチャンバ２０３内でプラズマ処理中に中性又は浮動電位で維持可能な他の材料から構成されてもよい。より詳細に、カバーフレーム２０５は、基板ホルダ２０４の表面に配置可能であるが、カバーフレーム２０５は、基板ホルダ２０４の一以上の表面に接触又は隣接するので、基板ホルダ２０４の一以上の表面が、プラズマ処理中にプラズマチャンバ２０３内に導入されたプラズマに接触することを防止する。
図２Ａに示されるように、カバーフレーム２０５は、基板１０５の周囲の付近の下に位置決めされてもよい。例えば、カバーフレーム２０５の第１端部２０７は、基板１０５の下に横たわってもよい。この方式において、カバーフレーム２０５は、基板ホルダ２０４の一以上の表面の一部が、プラズマ処理中にプラズマに接触しないことを確実にする。一実施形態において、カバーフレーム２０５の少なくとも５ｍｍ（好ましくは、５〜１０ｍｍ）の部分は基板１０５の縁領域１１１の下に横たわる（例えば、基板１０５が基板ホルダ２０４上に完全に位置決めされる必要がない）。カバーフレーム２０５より大きい又は小さい部分は、基板１０５の下に横たわってもよい。
カバーフレーム２０５の第２端部２０９は、好ましくは、少なくとも基板ホルダ２０４の周囲まで伸びているのが好ましい。そのような配置は、プラズマ処理中、基板１０５上に堆積される膜の均一性（例えば、膜堆積均一性）を高めることが分かってきた。例えば、カバーフレーム２０５の使用は、基板１０５の縁領域１１１の近傍及び／又は縁領域１１１に沿って、膜堆積の均一性を高めることが分かってきた。カバーフレーム２０５の使用は、また、プラズマ処理中に膜が堆積されない縁領域１１１のような基板１０５の一部（例えば、縁排除エリア）を最小限化または排除する。
カバーフレーム２０５が使用されると、プラズマチャンバ２０３内の、圧力、電極間隔、ＲＦ電力、ガス流のような少なくとも一つ以上のパラメータの数値が調整されるか、従来装置１０１を含むプラズマチャンバ内でプラズマ処理中に使用される処理パラメータの数値から変更される場合がある。少なくとも一つの実施形態において、１〜３トルの（例えば、シラン、水素、窒素、アンモニアなどの）圧力において、約１０００ミルの電極間隔、数キロワットのＲＦ電力および／または約１０００ｓｃｃｍのガス流が使用可能である。圧力、電極間隔、ＲＦ電力および／またはガス流に対し、他の数値は使用可能である。
カバーフレーム２０５は、基板１０５の上に横たわらないので、カバーフレーム２０５は、プラズマ処理中、処理パラメータを著しく妨害しない。そのため、基板１０５上に堆積される膜（例えば、基板１０５の近傍および／または縁領域１１１に沿って）均一性は、従来装置１０１を使用して基板上に堆積された膜の均一性と比較すると、高められる。前述したように、カバーフレーム２０５は、また、膜が基板１０５の全て又は大半に堆積されることを許容する。
図２Ｂは、本発明の一実施形態に従うプラズマ処理中に使用可能な第２の例示装置を示す。図２Ｂを参照すると、第２の例示装置２１０は、第１の例示装置２０１と似ている。しかし、第２の例示装置２１０のカバーフレーム２０５の第２端部２０９は、基板ホルダ２０４の周囲まで伸びていなくてもよい。そのため、基板ホルダ２０４の一部（例えば、基板ホルダ２０４の周囲近傍）は、カバーフレーム２０５によって覆われず、アークを受ける場合がある。第２の例示装置２１０は、プラズマチャンバ２０３内のプラズマ処理中にアークを減少させるように適合されたシャドウフレーム２１１を含む。シャドウフレーム２１１は、基板ホルダ２０４の一以上の表面（例えば、カバーフレーム２０５により覆われていない部分）上に横たわるように、カバーフレーム２０５の表面上に配置されている。例えば、図２Ｂにおいて、シャドウフレーム２１１の一部２１３は、カバーフレーム２０５の上に横たわっている（例えば、他の数値は使用可能であるが、一実施形態において、少なくともシャドウフレーム２１１の５ｍｍ（好ましくは５〜１０ｍｍ）の部分は、カバーフレーム２０５の上に横たわっている）。カバーフレーム２０５と似た上記方法において、シャドウフレーム２１１は、基板ホルダ２０４の一以上の表面の一部がプラズマ処理中、プラズマに接触しないことを確実にしている。
シャドウフレーム２１１は、陽極処理されたアルミニウム、セラミック等から形成可能である。シャドウフレーム２１１は、アークを減少する為に、中立電位または浮動電位であることが好ましい。
示された実施形態において、シャドウフレーム２１１のリップ２１５は、参照番号２１６により表示されたように成形中に変形しない従来装置１０１のシャドウフレーム１０７のリップ１０９より厚く、さらに／または強くてもよい。支持ホルダ２０４の上に横たわるシャドウフレーム２１１の残部は、例えば、カバーフレーム２０５に適合させる為に、基板支持体１０３の上に横たわる従来のシャドウフレーム１０７の対応する残部より薄くてもよい。少なくとも一つの実施形態において、シャドウフレーム２１１のリップ２１５は、（さらに後述するように）約４５°の角度Ａの面取を含んでもよい。面取は、異なる角度及び／又は形状でもよい。このような面取は、プラズマ処理中、基板１０５にわたり一以上のガス流を調整可能であり、一以上のガスを導くことができる。
図２Ｂに示されるように、シャドウフレーム２１１は、シャドウフレームが基板１０５に接触しないか、上に横たわらないように基板１０５の周囲付近に位置決めされている。そのため、シャドウフレーム２１１は、非接触シャドウフレームである。例えば、一実施形態において、シャドウフレーム２１１の一部（例えば、カバーフレーム２０５の上に横たわる一部２１３）は、基板１０５の周囲から少なくとも５ミリの距離２１７（好ましくは、５〜１０ミリ）で基板１０５の周囲付近に位置決めされている。そのような間隔は、基板１０５と、基板１０５を損傷（クリッピング）するかもしれないシャドウフレーム２１１との間の接触の可能性を減少させる。シャドウフレーム２１３は、基板１０５から、遠い距離又は近い距離に位置決め可能である。図２Ｂに示されるように、カバーフレーム２０５は、シャドウフレーム２１１及び基板１０５間の基板ホルダ２０４の少なくとも表面を覆うのが好ましい。
シャドウフレーム２１１を含む本発明の実施形態は、従来装置１０１により使用されるレシピと同一又は類似の処理レシピを使用可能である。他のレシピは、使用可能である。従来の装置１０１のシャドウフレーム１０７と比較すると、シャドウフレーム２１１が基板１０５と接触しないか上に横たわらないので、プラズマ処理中、シャドウフレーム２１１は著しく処理パラメータを妨害しない。そのため、基板近傍及び／又は基板１０５の縁領域１１１に沿って、堆積される膜の均一性は、従来の装置１０１を使用して基板上に堆積される膜の均一性と比較すると、全体的に高められる。さらに、シャドウフレーム２１１は、基板１０５の縁領域１１１への膜堆積を防止しない。
図３は、本発明の実施形態に従うプラズマ処理中に使用可能な第３の例示装置を示す。第３の例示装置３０１は、第２の例示装置２１０と似ている。第２の例示装置２１０と比較すると、第３の例示装置３０１の基板ホルダ３０３は、基板ホルダ３０３の縁領域に沿って一以上の溝やスロット３０５（例えば、楕円形状スロット）を含む。例えば、基板ホルダ３０３は、基板ホルダ３０３の各側部の中央近傍に一以上の溝やスロット３０５を含んでもよい。さらに、カバーフレーム３０７は、対応した溝やスロット３０９を含む。例えば、カバーフレーム３０７は、カバーフレーム３０７の各側部の中央近傍に一以上の溝やスロット３０９を含んでもよい。第３の例示装置３０１は、基板ホルダ３０３の各溝やスロット３０５およびカバーフレーム３０７の各溝やスロット３０９に結合するように適合された一以上のピンや他の運動特徴部３１１を含んでもよい。この方式では、（例えば、いろいろなコンポーネント間の熱膨張及び／又は熱的不整合による）カバーフレーム３０７の基板ホルダ３０３上の移動は、限定されるか導かれる。一以上の実施形態において、ピン３１１は、円筒状でもよい。他の形状のピンは使用可能である。さらに、異なる形状のスロットは、使用可能である。一実施形態において、４本のピン３１１は使用可能である。他の数のピンを用いてもよい。
図４は、第３の例示装置３０１に含まれるカバーフレーム３０７の平面図を示す。図４を参照すると、カバーフレーム３０７の少なくとも内周の形状は、カバーフレーム３０７が隣接して位置決めされるカバーフレーム３０７まで基板１０５の周囲に対応している。異なる形状のカバーフレームは使用可能である。図４のカバーフレーム３０７は、（陽極処理されたアルミニウム又は他の適した材料から形成された）単体のカバーフレームである。
図５は、第３の例示装置３０１に含まれてもよい他のカバーフレーム５１１の平面図を示す。図４のカバーフレーム３０７と比較すると、他のカバーフレーム５１１は、複数の部分から形成されている。例えば、カバーフレーム５１１は、一緒に接合された４個の部分５１３−５１９を含む。カバーフレーム５１１も、カバーフレーム５１１の各側部の中央近傍に溝やスロット３０９を含んでもよい。さらに、カバーフレーム５１１は、（例えば、カバーフレーム５１１が加熱されるとき、カバーフレーム５１１の回転を減少させる追加の運動的特徴部を備える為に）一以上の追加の溝やスロット５２１をカバーフレーム５１１の各側部に含んでもよい。追加の溝やスロット５２１は、カバーフレーム５１１の各側部の中央近傍の溝やスロット３０９とは異なる形状でもよい。少なくとも一つの実施形態において、カバーフレーム５１１は、セラミック又は同等の材料で形成されてもよい。
上記説明は、単に本発明の例示的実施形態を開示する。本発明の範囲内に該当する上記開示された装置及び方法の変形例は、当業者にとって直ちに明らかであろう。例えば、一以上の実施形態において、第２の例示装置２１０に似ているが、カバーフレーム２０５を含まない装置は、当該方法を実施する為に使用可能である。そのような実施形態のシャドウフレーム（例えば、非接触式シャドウフレーム）２１１は、第２の例示装置２１０の接触フレーム２０５の機能を実施するように適切に変形される（例えば、寸法が決められる）。そのような実施形態に対するプラズマ処理の例示的方法の最中、基板はプラズマチャンバの基板ホルダ上に置かれている。シャドウフレームは、シャドウフレームが基板に接触しないか上に横たわらないように基板の周囲付近に位置決めされる。そのような配置は、プラズマチャンバ内のプラズマ処理中のアークを減少させることができ、プラズマチャンバ内のプラズマ処理中にプラズマに基板支持体の表面が接触することを防止し、基板の縁領域に沿った膜堆積均一性を高め、更に／又は、縁排除を最小限にするか排除することができる。
さらに、実施形態において、カバーフレーム２０５が基板ホルダ２０４の周囲まで伸びていない第２の例示装置２１０のように、カバーフレーム２０５は、基板ホルダ内に含まれる溝に結合するように適合可能である。一以上の実施形態において、カバーフレーム２０５は、陽極処理されたアルミニウムから形成可能である。陽極処理されたアルミニウム製カバーフレームは、単体アセンブリでもよいが、セラミック製カバーフレームは、適した留め具により接合された複数部分のアセンブリ（例えば、アルミニウム製ピンにより一緒に接合された４つの部分のアセンブリ）である必要がある。少なくとも上記理由のため、陽極処理されたカバーフレームは、セラミック製カバーフレームより製造するのに安く、異なる熱膨張係数を備えた複数のコンポーネントの使用の為に関係する熱膨張が減少可能である。
一実施形態において、本発明の使用は、８ｍｍの縁排除を持つ１ｍ×１．２ｍのガラス基板にわたり約１０％未満の、堆積膜の非均一性が生じ得る。
したがって、本発明は、その例示的実施形態との関係で開示されたが、添付された請求の範囲により規定されているように、他の実施形態は本発明の精神および範囲に該当する。
１０１…従来の装置、１０３…基板ホルダ、１０５…基板、１０７…シャドウフレーム、１０９…リップ、１１１…縁領域、２０１…第１の例示装置、２０３…プラズマチャンバ、２０４…基板ホルダ、２０５…カバーフレーム、２０７…第１端部、２０９…第２端部、２１０…第２の例示装置、２１１…シャドウフレーム、２１３…一部、２１５…リップ、２１７…距離、３０１…第３の例示装置、３０３…基板ホルダ、３０５…溝又はスロット、３０７…カバーフレーム、３０９…溝またはスロット、３１１…運動学の特徴部、５１１…カバーフレーム、５１３−５１９…４つの部分、５２１…溝またはスロット。

Claims (24)

  1. プラズマ処理中に使用される方法において：
    プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を水平に配置するステップと；
    前記基板の下面に接触し、前記基板ホルダの一部に接触すると共に前記基板ホルダの前記一部を被覆するように配置されたカバーフレームを位置決めするステップであって、被覆された前記基板ホルダの前記一部が、前記カバーフレームに接触する前記基板の一部の下、及び、前記基板の周囲の外側で横方向に隣り合う領域の下に配置される、前記ステップと；
    前記基板によって被覆されていない前記カバーフレームの一部上にシャドウフレームを位置決めするステップであって、前記シャドウフレームが前記基板に接触せず、前記シャドウフレームと前記基板の前記周囲との間に横方向のギャップが存在する、前記ステップと；
    アークの原因となり易い前記基板ホルダへのプラズマの接触を防止するように位置決めされた前記カバーフレームを中立電位に維持しながら、前記基板にプラズマ処理を施すステップであって、前記基板ホルダが電極を含む、前記ステップと；
    を含む、前記方法。
  2. 前記基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップは、前記カバーフレームの一部が前記基板の下に横たわるように、前記基板の周囲の付近の下にカバーフレームを位置決めする工程を含む、請求項１記載の方法。
  3. 前記カバーフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップは、前記カバーフレームを使用して前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止する工程を含む、請求項１記載の方法。
  4. 前記プラズマチャンバ内の圧力、電極間隔、ＲＦ電力、ガス流のうちの少なくとも一つを調整するステップを更に備える、請求項１記載の方法。
  5. プラズマ処理中に使用される方法において：
    プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップと；
    前記基板の下面に接触し、前記基板ホルダの一部に接触すると共に前記基板ホルダの前記一部を被覆するように配置されたカバーフレームを位置決めするステップであって、被覆された前記基板ホルダの前記一部が、前記カバーフレームに接触する前記基板の一部の下、及び、前記基板の周囲の外側で横方向に隣り合う領域の下に配置される、前記ステップと；
    前記基板によって被覆されていない前記カバーフレームの一部上にシャドウフレームを位置決めするステップであって、前記シャドウフレームは前記基板に接触しないか上に横たわらない、前記ステップと；
    アークの原因となり易い前記基板ホルダへのプラズマの接触を防止するように位置決めされた前記カバーフレームを中立電位に維持しながら、前記基板にプラズマ処理を施すステップであって、前記基板ホルダが電極を含む、前記ステップと；
    を含む、前記方法。
  6. 前記基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップは、前記カバーフレームの一部が前記基板の下に横たわるように、前記基板の周囲の付近の下にカバーフレームを位置決めする工程を含む、請求項５記載の方法。
  7. 前記カバーフレームを中立電位に維持しながら、前記基板にプラズマ処理を施すステップは、カバーフレーム及びシャドウフレームを使用して前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止する工程を含む、請求項５記載の方法。
  8. プラズマ処理に使用される方法において：
    プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を配置するステップであって、前記基板ホルダが電極を含む、前記ステップと；
    前記基板の周囲付近の下にシャドウフレームを位置決めするステップであって、前記シャドウフレームが前記基板に接触しないか上に横たわらない前記ステップと；
    前記シャドウフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップと；
    を含む、前記方法。
  9. 前記シャドウフレームを使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップは、前記シャドウフレームを使用して前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止する工程を含む、請求項８記載の方法。
  10. プラズマ処理中に使用される装置において：
    基板を支持するように適合された基板ホルダと；
    前記基板の下面に接触するように前記基板の下面付近の下に位置決めされ、前記基板ホルダの一部に接触すると共に前記基板ホルダの前記一部を被覆するように配置されるように適合されたカバーフレームであって、被覆された前記基板ホルダの前記一部が、前記カバーフレームに接触する前記基板の一部の下、及び、前記基板の周囲の外側で横方向に隣り合う領域の下に配置される、前記カバーフレームと；
    前記基板によって被覆されていない前記カバーフレームの一部上に位置決めされるように適合されたシャドウフレームであって、前記シャドウフレームが前記基板に接触せず、前記シャドウフレームと前記基板の前記周囲との間に横方向のギャップが存在する、前記シャドウフレームと；
    を備え、
    前記カバーフレームが中立電位に維持されながら、前記基板にプラズマ処理が施され、 前記カバーフレームが、アークの原因となり易い前記基板ホルダへのプラズマの接触を防止するように位置決めされ、
    前記基板ホルダが電極を含む、前記装置。
  11. 前記カバーフレームの一部は、前記基板の下に横たわるように適合された請求項１０記載の装置。
  12. 前記カバーフレームの少なくとも５ｍｍは、前記基板の下に横たわるように適合されている、請求項１０記載の装置。
  13. 前記カバーフレームは、前記基板ホルダが前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中にプラズマに接触することを防止するように更に適合された請求項１０記載の装置。
  14. 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウム又はセラミックの内の少なくとも一つを備える、請求項１０記載の装置。
  15. プラズマ処理中に使用される装置において：
    基板の下面に接触するように位置決めされ、基板ホルダの一部に接触すると共に前記基板ホルダの前記一部を被覆するように配置されるように適合されたカバーフレームであって、被覆された前記基板ホルダの前記一部が、前記カバーフレームに接触する前記基板の一部の下、及び、前記基板の周囲の外側で横方向に隣り合う領域の下に配置される、前記カバーフレームと；
    前記基板によって被覆されていない前記カバーフレームの一部上に位置決めされるように適合されたシャドウフレームであって、前記シャドウフレームは前記基板と接触しないか上に横たわらない、前記シャドウフレームと；
    を備え、
    前記カバーフレームが中立電位に維持されながら、前記基板にプラズマ処理が施され、 前記カバーフレームが、アークの原因となり易い前記基板ホルダへのプラズマの接触を防止するように位置決めされ、
    前記基板ホルダが電極を含む、前記装置。
  16. 前記カバーフレーム及び前記シャドウフレームは、前記基板ホルダの表面が前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理中のプラズマに接触することを防止する、請求項１５記載の装置。
  17. 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウム又はセラミックの内の少なくとも一つを備える、請求項１５記載の装置。
  18. 前記カバーフレームの一部は、前記基板の下に横たわるように適合されている、請求項１５記載の装置。
  19. 前記カバーフレームの少なくとも５ｍｍは、前記基板の下に横たわるように適合されている、請求項１５記載の装置。
  20. 前記カバーフレームは、陽極処理されたアルミニウム又はセラミックの内の少なくとも一つを備える、請求項１５記載の装置。
  21. 前記シャドウフレームの一部は、前記カバーフレームの上に横たわる、請求項１５記載の装置。
  22. 前記シャドウフレームの少なくとも５ｍｍは、前記カバーフレームの下に横たわるように適合されている、請求項１５記載の装置。
  23. 前記シャドウフレームは、前記基板の周囲から少なくとも５ｍｍに位置決めされている、請求項１５記載の装置。
  24. プラズマ処理中に使用される方法において：
    プラズマチャンバの基板ホルダ上に基板を水平に配置するステップと；
    前記基板の下面に接触し、前記基板ホルダの一部に接触すると共に前記基板ホルダの前記一部を被覆するように配置されたカバーフレームを位置決めするステップであって、被覆された前記基板ホルダの前記一部が、前記カバーフレームに接触する前記基板の一部の下、及び、前記基板の周囲の外側で横方向に隣り合う領域の下に配置される、前記ステップと；
    前記基板によって被覆されていない前記カバーフレームの一部上にシャドウフレームを位置決めするステップであって、前記シャドウフレームが前記基板に接触せず、前記シャドウフレームと前記基板の前記周囲との間に横方向のギャップが存在する、前記ステップと；
    アークを防止するために前記基板ホルダへのプラズマの接触を防止するように位置決めされた前記カバーフレームを中立電位に維持しながら、前記基板にプラズマ処理を施すステップであって、前記基板ホルダが電極を含む、前記ステップと；
    を含む、前記方法。
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