JP2003218039A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置および熱処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】サセプタと予熱リングとの接触を容易に防止で
き、パーティクルの発生を低減して熱処理を行うことが
できる熱処理装置および熱処理方法を提供する。 【解決手段】熱処理容器１内に回転可能に備えられる、
ウェーハＷを載置するためのサセプタ２と、熱処理容器
１内に設けられる台座４に支持され、サセプタ２の周囲
を近接且つ非接触に囲む予熱リング３と、サセプタ２に
載置されるウェーハＷを加熱する加熱装置８とが備えら
れる熱処理装置１００において、予熱リング３を、内周
中心３１ａが外周３２に対して偏心するように形成す
る。予熱リング３をサセプタ２の周りで移動させて、予
熱リング３の内周中心３１ａとサセプタ２の中心２ｂと
の距離が最小となるように予熱リングを位置決めした
後、ウェーハＷに対して熱処理を実施する。
き、パーティクルの発生を低減して熱処理を行うことが
できる熱処理装置および熱処理方法を提供する。 【解決手段】熱処理容器１内に回転可能に備えられる、
ウェーハＷを載置するためのサセプタ２と、熱処理容器
１内に設けられる台座４に支持され、サセプタ２の周囲
を近接且つ非接触に囲む予熱リング３と、サセプタ２に
載置されるウェーハＷを加熱する加熱装置８とが備えら
れる熱処理装置１００において、予熱リング３を、内周
中心３１ａが外周３２に対して偏心するように形成す
る。予熱リング３をサセプタ２の周りで移動させて、予
熱リング３の内周中心３１ａとサセプタ２の中心２ｂと
の距離が最小となるように予熱リングを位置決めした
後、ウェーハＷに対して熱処理を実施する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して熱処
理を行う熱処理装置および熱処理方法に関する。
理を行う熱処理装置および熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばシリコン単結晶ウェーハ
（以下、ウェーハと記載する）等の半導体基板の主表面
上に、シリコンエピタキシャル層や窒化珪素膜等の薄膜
を形成する処理やエッチングを施す処理などは、熱処理
装置を用いて行われている。熱処理装置には、例えば石
英等によって形成された透光性の熱処理容器が備えられ
ており、その内部にはウェーハを載置し回転させるため
のサセプタが設けられている。また熱処理容器の周囲に
は、ハロゲンランプ等で構成された加熱装置が設けら
れ、熱処理容器外部からサセプタに載置されたウェーハ
を加熱できるようになっている。さらに熱処理容器の側
部には、熱処理容器内に反応ガス等を供給するためのガ
ス供給口と、ガス排出口とが形成されるとともに、熱処
理装置にはガス供給装置等が備えられ、ガス供給口から
様々な反応ガス等を、所定の組成および流量で、熱処理
容器内に供給することができるようになっている。
（以下、ウェーハと記載する）等の半導体基板の主表面
上に、シリコンエピタキシャル層や窒化珪素膜等の薄膜
を形成する処理やエッチングを施す処理などは、熱処理
装置を用いて行われている。熱処理装置には、例えば石
英等によって形成された透光性の熱処理容器が備えられ
ており、その内部にはウェーハを載置し回転させるため
のサセプタが設けられている。また熱処理容器の周囲に
は、ハロゲンランプ等で構成された加熱装置が設けら
れ、熱処理容器外部からサセプタに載置されたウェーハ
を加熱できるようになっている。さらに熱処理容器の側
部には、熱処理容器内に反応ガス等を供給するためのガ
ス供給口と、ガス排出口とが形成されるとともに、熱処
理装置にはガス供給装置等が備えられ、ガス供給口から
様々な反応ガス等を、所定の組成および流量で、熱処理
容器内に供給することができるようになっている。
【０００３】また、熱処理容器内には、ウェーハＷの面
内温度分布をより均一にして好適に熱処理を施すため
に、サセプタの側方周囲を囲む予熱リングが設けられて
いる（例えば、特開平７−７８８６３号公報）。予熱リ
ングは、例えば図５に示す予熱リング５３のように、サ
セプタ５２の外周を囲む所定の幅のリング状に形成さ
れ、熱処理容器内のサセプタ５２側方に備えられる台座
５４に支持されて設けられる。尚、図５において、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図であ
って、予熱リング５３は台座５４の座ぐり５４ａに載置
されている。
内温度分布をより均一にして好適に熱処理を施すため
に、サセプタの側方周囲を囲む予熱リングが設けられて
いる（例えば、特開平７−７８８６３号公報）。予熱リ
ングは、例えば図５に示す予熱リング５３のように、サ
セプタ５２の外周を囲む所定の幅のリング状に形成さ
れ、熱処理容器内のサセプタ５２側方に備えられる台座
５４に支持されて設けられる。尚、図５において、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図であ
って、予熱リング５３は台座５４の座ぐり５４ａに載置
されている。
【０００４】この予熱リング５３は、熱処理の際に、加
熱装置によってサセプタ５２に載置されるウェーハＷと
ともに加熱される。それによって、例えばコールドウォ
ール式の熱処理装置では、熱処理中に熱処理容器の内側
にポリシリコン等が堆積することを防止するために、熱
処理容器が冷却手段で冷却されるが、この予熱リング５
３がサセプタ５２の周囲を囲むことで、冷却されている
熱処理容器の影響でサセプタに配されるウェーハＷ周辺
部の温度が低下することが防止される。また、熱処理容
器内に供給されるガスがガス供給口からウェーハＷに達
するまでの間に、予熱リング５３上を通過することによ
り、ガスが適度に温められて、好適に熱処理が行われる
ようになっている。
熱装置によってサセプタ５２に載置されるウェーハＷと
ともに加熱される。それによって、例えばコールドウォ
ール式の熱処理装置では、熱処理中に熱処理容器の内側
にポリシリコン等が堆積することを防止するために、熱
処理容器が冷却手段で冷却されるが、この予熱リング５
３がサセプタ５２の周囲を囲むことで、冷却されている
熱処理容器の影響でサセプタに配されるウェーハＷ周辺
部の温度が低下することが防止される。また、熱処理容
器内に供給されるガスがガス供給口からウェーハＷに達
するまでの間に、予熱リング５３上を通過することによ
り、ガスが適度に温められて、好適に熱処理が行われる
ようになっている。
【０００５】ところで予熱リング５３は、その目的上、
サセプタ５２にできるだけ近接するように備えられるこ
とが望ましい一方で、熱処理中に内側でサセプタ５２が
回転することから、サセプタ５２とは非接触とされる必
要がある。そこで、サセプタ５２と予熱リング５３との
間には、僅かな隙間Ａが設けられるようになっている。
また、予熱リング５３が熱膨張によって台座５４上で移
動してサセプタ５２と接触することを防止するため、座
ぐり５４ａの内周５４ａａと予熱リング５３との間には
僅かな隙間Ｃが設けられるとともに、熱膨張による移動
が所定の範囲内となるように隙間Ｃの幅が設定されてい
る。
サセプタ５２にできるだけ近接するように備えられるこ
とが望ましい一方で、熱処理中に内側でサセプタ５２が
回転することから、サセプタ５２とは非接触とされる必
要がある。そこで、サセプタ５２と予熱リング５３との
間には、僅かな隙間Ａが設けられるようになっている。
また、予熱リング５３が熱膨張によって台座５４上で移
動してサセプタ５２と接触することを防止するため、座
ぐり５４ａの内周５４ａａと予熱リング５３との間には
僅かな隙間Ｃが設けられるとともに、熱膨張による移動
が所定の範囲内となるように隙間Ｃの幅が設定されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱処理装置に
おいては、図５のようにサセプタ５２と予熱リング５３
とが同心円となるように設計されるものの、熱処理装置
を構成する各部材の精度や、組み立て精度の誤差によっ
て、図６に示すように、サセプタ５２の中心５２ｂと予
熱リング５３の中心５３ａとが僅かにずれることがあ
る。特に径の大きいウェーハを処理する熱処理装置の場
合、1〜2mm程度もずれることがあり、サセプタ２と予熱
リング５３とが接触してしまうことがある。このような
接触が起こると、熱処理中にサセプタ５２と予熱リング
５３とが擦れて大量のパーティクルが発生し、ウェーハ
に付着して結晶欠陥を生じさせるなど、歩留まりを低下
させてしまう。
おいては、図５のようにサセプタ５２と予熱リング５３
とが同心円となるように設計されるものの、熱処理装置
を構成する各部材の精度や、組み立て精度の誤差によっ
て、図６に示すように、サセプタ５２の中心５２ｂと予
熱リング５３の中心５３ａとが僅かにずれることがあ
る。特に径の大きいウェーハを処理する熱処理装置の場
合、1〜2mm程度もずれることがあり、サセプタ２と予熱
リング５３とが接触してしまうことがある。このような
接触が起こると、熱処理中にサセプタ５２と予熱リング
５３とが擦れて大量のパーティクルが発生し、ウェーハ
に付着して結晶欠陥を生じさせるなど、歩留まりを低下
させてしまう。
【０００７】このような接触を防止するために、予熱リ
ング５３をサセプタ５２のずれに応じて台座５４の座ぐ
り５４ａ内で移動させようとしても、座ぐり５４ａの内
周５４ａａと予熱リング５３との隙間Ｃは上記のように
制限されることから限界がある。また、予熱リング５３
の内径を大きくすると、予熱リング５３とサセプタ５２
との距離が大きくなり、その機能を十分に発揮すること
ができなくなるので不都合である。従って、サセプタ５
２と予熱リング５３との接触を避けるためには、サセプ
タの支持手段等を調整するなどの作業が必要となり、非
常に煩雑で時間を要するものとなっている。特に熱処理
容器の洗浄等のメンテナンス後、このサセプタ５２と予
熱リング５３との調整に時間がかかるため、操業停止時
間が長くなる原因にもなっている。
ング５３をサセプタ５２のずれに応じて台座５４の座ぐ
り５４ａ内で移動させようとしても、座ぐり５４ａの内
周５４ａａと予熱リング５３との隙間Ｃは上記のように
制限されることから限界がある。また、予熱リング５３
の内径を大きくすると、予熱リング５３とサセプタ５２
との距離が大きくなり、その機能を十分に発揮すること
ができなくなるので不都合である。従って、サセプタ５
２と予熱リング５３との接触を避けるためには、サセプ
タの支持手段等を調整するなどの作業が必要となり、非
常に煩雑で時間を要するものとなっている。特に熱処理
容器の洗浄等のメンテナンス後、このサセプタ５２と予
熱リング５３との調整に時間がかかるため、操業停止時
間が長くなる原因にもなっている。
【０００８】本発明の課題は、サセプタと予熱リングと
の接触を容易に防止することができ、パーティクルの発
生を低減して好適に熱処理を実施できる熱処理装置、お
よび熱処理方法を提供することである。
の接触を容易に防止することができ、パーティクルの発
生を低減して好適に熱処理を実施できる熱処理装置、お
よび熱処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めの本発明による第１の手段は、熱処理容器（１）内に
回転可能に備えられ、基板が載置されるサセプタ（２）
と、前記熱処理容器内に設けられる支持手段（例えば台
座４）に支持され、前記サセプタに近接して且つ非接触
となるように、前記サセプタの周囲を囲む予熱リング
（３）と、前記サセプタに載置される基板（ウェーハ
Ｗ）を加熱する加熱装置（８）と、が備えられている熱
処理装置（１００）において、前記予熱リングは、内周
中心（３１ａ）が当該予熱リングの外周（３２）に対し
て偏心するように形成されていることを特徴とする。
めの本発明による第１の手段は、熱処理容器（１）内に
回転可能に備えられ、基板が載置されるサセプタ（２）
と、前記熱処理容器内に設けられる支持手段（例えば台
座４）に支持され、前記サセプタに近接して且つ非接触
となるように、前記サセプタの周囲を囲む予熱リング
（３）と、前記サセプタに載置される基板（ウェーハ
Ｗ）を加熱する加熱装置（８）と、が備えられている熱
処理装置（１００）において、前記予熱リングは、内周
中心（３１ａ）が当該予熱リングの外周（３２）に対し
て偏心するように形成されていることを特徴とする。
【００１０】第１の手段によれば、予熱リングの内周中
心が、予熱リングの外周に対して偏心するように形成さ
れているので、サセプタが、予熱リングの支持手段に対
してずれている場合でも、サセプタの中心と予熱リング
の内周中心との距離が最も小さくなるように予熱リング
を位置決めして支持手段に支持させることにより、サセ
プタ周囲と予熱リングとの間に適切な隙間を形成するこ
とができ、サセプタと予熱リングとの接触を防止するこ
とができる。従って、熱処理中にサセプタと予熱リング
との接触によってパーティクルが発生することを防止で
きるので、パーティクルの基板への付着を低減でき、歩
留まりの低下を抑えることができる。また、予熱リング
をサセプタと非接触に備えるための調整が容易であり、
熱処理装置のメンテナンス後の調整等で要していた操業
停止時間を短縮することができるので好ましい。
心が、予熱リングの外周に対して偏心するように形成さ
れているので、サセプタが、予熱リングの支持手段に対
してずれている場合でも、サセプタの中心と予熱リング
の内周中心との距離が最も小さくなるように予熱リング
を位置決めして支持手段に支持させることにより、サセ
プタ周囲と予熱リングとの間に適切な隙間を形成するこ
とができ、サセプタと予熱リングとの接触を防止するこ
とができる。従って、熱処理中にサセプタと予熱リング
との接触によってパーティクルが発生することを防止で
きるので、パーティクルの基板への付着を低減でき、歩
留まりの低下を抑えることができる。また、予熱リング
をサセプタと非接触に備えるための調整が容易であり、
熱処理装置のメンテナンス後の調整等で要していた操業
停止時間を短縮することができるので好ましい。
【００１１】本発明の第２の手段は、第１の手段の熱処
理装置において、前記支持手段は、前記予熱リングを載
置するための座ぐり（４ａ）が形成された台座（４）で
あることを特徴とする。
理装置において、前記支持手段は、前記予熱リングを載
置するための座ぐり（４ａ）が形成された台座（４）で
あることを特徴とする。
【００１２】第２の手段によれば、第１の手段の効果を
奏することは無論のこと、予熱リングを座ぐりが形成さ
れた台座に支持させることにより、予熱リングは台座の
座ぐりによって外周の位置決めを容易に行うことがで
き、且つサセプタの中心がずれていても、サセプタの中
心と予熱リングの内周の中心との距離が最小となるよう
に予熱リングを周方向に回転移動したり台座内で位置移
動することによって、予熱リングとサセプタとが非接触
となるように容易に調整することができる。
奏することは無論のこと、予熱リングを座ぐりが形成さ
れた台座に支持させることにより、予熱リングは台座の
座ぐりによって外周の位置決めを容易に行うことがで
き、且つサセプタの中心がずれていても、サセプタの中
心と予熱リングの内周の中心との距離が最小となるよう
に予熱リングを周方向に回転移動したり台座内で位置移
動することによって、予熱リングとサセプタとが非接触
となるように容易に調整することができる。
【００１３】第３の手段は、第１の手段の熱処理装置に
おける前記支持手段に支持される前記予熱リングを、前
記サセプタの周りで移動させて、前記予熱リングの内周
の中心と前記サセプタの中心との距離が最小となるよう
に前記予熱リングを位置決めし、その後、前記サセプタ
に基板を載置して、当該基板に熱処理を施すことを特徴
とする熱処理方法である。
おける前記支持手段に支持される前記予熱リングを、前
記サセプタの周りで移動させて、前記予熱リングの内周
の中心と前記サセプタの中心との距離が最小となるよう
に前記予熱リングを位置決めし、その後、前記サセプタ
に基板を載置して、当該基板に熱処理を施すことを特徴
とする熱処理方法である。
【００１４】第３の手段によれば、支持手段に支持され
た前記予熱リングをサセプタの周りで移動させて予熱リ
ングを位置決めした後、基板に熱処理を施すことによ
り、予熱リングとサセプタとを非接触にしてパーティク
ルの発生を抑え、基板に好適に熱処理を施すことができ
る。
た前記予熱リングをサセプタの周りで移動させて予熱リ
ングを位置決めした後、基板に熱処理を施すことによ
り、予熱リングとサセプタとを非接触にしてパーティク
ルの発生を抑え、基板に好適に熱処理を施すことができ
る。
【００１５】この第３の手段における予熱リングの支持
手段は、第２の手段の熱処理装置の支持手段のように、
座ぐりの形成された台座でもよい。この場合、台座に載
置された予熱リングを、座ぐり内で周方向に回転移動し
たり、位置移動することにより、予熱リングの内周の中
心とサセプタの中心との距離が最小となるように予熱リ
ングを位置決めすることができ、その後、サセプタに基
板を載置して熱処理を施せば、予熱リングとサセプタと
を非接触にしてパーティクルの発生を抑え、基板に好適
に熱処理を施すことができる。
手段は、第２の手段の熱処理装置の支持手段のように、
座ぐりの形成された台座でもよい。この場合、台座に載
置された予熱リングを、座ぐり内で周方向に回転移動し
たり、位置移動することにより、予熱リングの内周の中
心とサセプタの中心との距離が最小となるように予熱リ
ングを位置決めすることができ、その後、サセプタに基
板を載置して熱処理を施せば、予熱リングとサセプタと
を非接触にしてパーティクルの発生を抑え、基板に好適
に熱処理を施すことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を説明する。図１は、本発明の一例としての枚葉
式の熱処理装置１００を示す概略構成図、図２は熱処理
装置１００に備えられるサセプタ２と、予熱リング３
と、台座４とを示す上面図である。熱処理装置１００
は、例えばシリコン単結晶ウェーハ（ウェーハＷ）など
の基板の主表面に、気相エピタキシャル成長や、窒化珪
素膜の形成などの、加熱を伴う処理を１枚ずつ行う装置
である。
の形態を説明する。図１は、本発明の一例としての枚葉
式の熱処理装置１００を示す概略構成図、図２は熱処理
装置１００に備えられるサセプタ２と、予熱リング３
と、台座４とを示す上面図である。熱処理装置１００
は、例えばシリコン単結晶ウェーハ（ウェーハＷ）など
の基板の主表面に、気相エピタキシャル成長や、窒化珪
素膜の形成などの、加熱を伴う処理を１枚ずつ行う装置
である。
【００１７】熱処理装置１００には、ウェーハＷに熱処
理を施すための熱処理容器１が備えられている。熱処理
容器１の頂壁１ａおよび底壁１ｂは、透光性の石英によ
って形成されている。熱処理容器１の一方の側には、熱
処理容器１内に反応ガスを供給するためのガス供給口５
が形成され、また他方の側には、熱処理容器１からガス
を排出させるガス排出口６が形成されている。
理を施すための熱処理容器１が備えられている。熱処理
容器１の頂壁１ａおよび底壁１ｂは、透光性の石英によ
って形成されている。熱処理容器１の一方の側には、熱
処理容器１内に反応ガスを供給するためのガス供給口５
が形成され、また他方の側には、熱処理容器１からガス
を排出させるガス排出口６が形成されている。
【００１８】熱処理容器１の内部には、グラファイトに
炭化ケイ素（SiC）コーティングが施されて形成された
サセプタ２が備えられている。サセプタ２の主表面に
は、ウェーハＷを略水平方向に載置するための略円形の
座ぐり２ａが形成されている。このサセプタ２の外周の
中心（座ぐり２ａの中心と同一である）を２ｂで示す。
サセプタ２は、下方からサポート手段７によって支持さ
れている。サポート手段７は、サセプタ２の下方におい
て上下方向に延在する回転軸７ａと、回転軸７ａの上端
部から放射状に分岐して、その先端部がサセプタ２下面
を支えるスポーク７ｂと、により主に構成されている。
回転軸７ａには、図示しない回転駆動手段が連結されて
おり、サセプタ２はこのサポート手段７に支持されるこ
とによって、熱処理容器１内で２ｂを中心に回転可能と
なるように備えられている。
炭化ケイ素（SiC）コーティングが施されて形成された
サセプタ２が備えられている。サセプタ２の主表面に
は、ウェーハＷを略水平方向に載置するための略円形の
座ぐり２ａが形成されている。このサセプタ２の外周の
中心（座ぐり２ａの中心と同一である）を２ｂで示す。
サセプタ２は、下方からサポート手段７によって支持さ
れている。サポート手段７は、サセプタ２の下方におい
て上下方向に延在する回転軸７ａと、回転軸７ａの上端
部から放射状に分岐して、その先端部がサセプタ２下面
を支えるスポーク７ｂと、により主に構成されている。
回転軸７ａには、図示しない回転駆動手段が連結されて
おり、サセプタ２はこのサポート手段７に支持されるこ
とによって、熱処理容器１内で２ｂを中心に回転可能と
なるように備えられている。
【００１９】熱処理容器１の上方および下方には、ハロ
ゲンランプ等で構成される加熱装置８が設けられ、サセ
プタ２に載置されるウェーハＷを加熱できるようになっ
ている。また熱処理装置１００には、様々な反応ガス等
を所定の組成および流量で熱処理容器１内に供給するた
めのガス供給装置（図示略）等が備えられており、ガス
供給管９等を介して熱処理容器１にガスが供給されるよ
うになっている。
ゲンランプ等で構成される加熱装置８が設けられ、サセ
プタ２に載置されるウェーハＷを加熱できるようになっ
ている。また熱処理装置１００には、様々な反応ガス等
を所定の組成および流量で熱処理容器１内に供給するた
めのガス供給装置（図示略）等が備えられており、ガス
供給管９等を介して熱処理容器１にガスが供給されるよ
うになっている。
【００２０】台座４（支持手段）は、熱処理容器１内の
サセプタ２側方において、サセプタ２の周囲を囲むよう
に設けられており、上部には、予熱リング３を載置する
ための座ぐり４ａが形成されている。
サセプタ２側方において、サセプタ２の周囲を囲むよう
に設けられており、上部には、予熱リング３を載置する
ための座ぐり４ａが形成されている。
【００２１】予熱リング３は、グラファイトに炭化ケイ
素（SiC）がコーティングされたリング状の部材であっ
て、熱処理容器１内において台座４の座ぐり４ａ上に載
置（支持）され、サセプタ２の側方周囲を囲むように設
けられている。予熱リング３の内周を３１、外周を３２
とする。
素（SiC）がコーティングされたリング状の部材であっ
て、熱処理容器１内において台座４の座ぐり４ａ上に載
置（支持）され、サセプタ２の側方周囲を囲むように設
けられている。予熱リング３の内周を３１、外周を３２
とする。
【００２２】この予熱リング３は熱処理中に熱膨張する
ため、予熱リング３が載置された状態において、台座４
の座ぐり内周４ａａと、予熱リング３の外周３２との間
には所定の隙間Ｃができるように、予熱リング３の外径
の大きさ（および台座４の座ぐり４ａの大きさ）が設定
される。ここで、予熱リング３はサセプタ２の中心に合
わせて座ぐり４ａ内に設置されるため、予熱リング３の
周囲において隙間Ｃの幅に偏りが生じる場合がある。隙
間Ｃの幅が小さく設定されていると、上記のように予熱
リング３の周囲で隙間Ｃの幅に偏りが生じた場合、熱膨
張した予熱リング３が隙間Ｃの幅の狭い部分で座ぐり内
周４ａａと接触して、予熱リング３がずれて結局サセプ
タ２と接触してしまう。一方で、座ぐり内周４ａａと、
予熱リング３との隙間Ｃの幅が大きすぎると、予熱リン
グ３を台座４上で位置決めし難くなる。そこで、予熱リ
ング３が熱処理中に1.5〜2.5mm程度熱膨張することを考
慮して、この予熱リング３と座ぐり内周４ａａとの隙間
Ｃの大きさとしては、約2.0mmとすると好ましく、予熱
リング３の外径はこの隙間Ｃの範囲を鑑みて設定する。
ため、予熱リング３が載置された状態において、台座４
の座ぐり内周４ａａと、予熱リング３の外周３２との間
には所定の隙間Ｃができるように、予熱リング３の外径
の大きさ（および台座４の座ぐり４ａの大きさ）が設定
される。ここで、予熱リング３はサセプタ２の中心に合
わせて座ぐり４ａ内に設置されるため、予熱リング３の
周囲において隙間Ｃの幅に偏りが生じる場合がある。隙
間Ｃの幅が小さく設定されていると、上記のように予熱
リング３の周囲で隙間Ｃの幅に偏りが生じた場合、熱膨
張した予熱リング３が隙間Ｃの幅の狭い部分で座ぐり内
周４ａａと接触して、予熱リング３がずれて結局サセプ
タ２と接触してしまう。一方で、座ぐり内周４ａａと、
予熱リング３との隙間Ｃの幅が大きすぎると、予熱リン
グ３を台座４上で位置決めし難くなる。そこで、予熱リ
ング３が熱処理中に1.5〜2.5mm程度熱膨張することを考
慮して、この予熱リング３と座ぐり内周４ａａとの隙間
Ｃの大きさとしては、約2.0mmとすると好ましく、予熱
リング３の外径はこの隙間Ｃの範囲を鑑みて設定する。
【００２３】また予熱リング３は、台座４に支持された
状態で、サセプタ２の周囲との間に所定の隙間を設けて
非接触となるようにするとともに、サセプタ２に近接し
て備えられるようにする。サセプタ２と予熱リング３と
の隙間Ａが大きすぎると、サセプタ２との距離が大きく
なり、ウェーハＷ周囲の温度低下を防止するなどの予熱
リング３の機能を十分発揮することができないからであ
る。従って、隙間Ａの幅としては約1.0〜2.5mm程度とな
るようにすることが好ましく、予熱リング３の内径はこ
の隙間Ａを鑑みて設定する。
状態で、サセプタ２の周囲との間に所定の隙間を設けて
非接触となるようにするとともに、サセプタ２に近接し
て備えられるようにする。サセプタ２と予熱リング３と
の隙間Ａが大きすぎると、サセプタ２との距離が大きく
なり、ウェーハＷ周囲の温度低下を防止するなどの予熱
リング３の機能を十分発揮することができないからであ
る。従って、隙間Ａの幅としては約1.0〜2.5mm程度とな
るようにすることが好ましく、予熱リング３の内径はこ
の隙間Ａを鑑みて設定する。
【００２４】ところで、熱処理装置１００においては、
サセプタ２の中心２ｂと、台座４の座ぐり４ａの内周中
心４ｂとが一致して、サセプタ２の外周と、台座４の座
ぐり内周４ａａとが同心円となるように設計される。し
かし、熱処理装置１００を構成する各部材の精度や、組
み立て精度の誤差等によって、図２に示すように、サセ
プタ２の中心２ｂと、台座４の座ぐり４ａの内周中心４
ｂとに僅かなずれが生じることがある。そこで予熱リン
グ３を、図３に示すように、内周中心３１ａと外周中心
３２ａとがずれるように、即ち、外周３２に対して内周
中心３１ａが偏心した形状となるように形成する。
サセプタ２の中心２ｂと、台座４の座ぐり４ａの内周中
心４ｂとが一致して、サセプタ２の外周と、台座４の座
ぐり内周４ａａとが同心円となるように設計される。し
かし、熱処理装置１００を構成する各部材の精度や、組
み立て精度の誤差等によって、図２に示すように、サセ
プタ２の中心２ｂと、台座４の座ぐり４ａの内周中心４
ｂとに僅かなずれが生じることがある。そこで予熱リン
グ３を、図３に示すように、内周中心３１ａと外周中心
３２ａとがずれるように、即ち、外周３２に対して内周
中心３１ａが偏心した形状となるように形成する。
【００２５】予熱リング３の内周中心３１ａを外周３２
に対して偏心させる程度については、個々の熱処理装置
によってサセプタ２と台座４とのずれの程度が異なるた
め、適宜設定する。一例として、直径300mmのウェーハ
Ｗを処理する枚葉式の熱処理装置のうち、サセプタ２の
外周の直径が約373mm、台座４の座ぐり内周４ａａの直
径が約447mm、予熱リングの内径が約377mm、外径が約44
3mmである熱処理装置の場合、サセプタ２の中心２ｂ
が、台座４の座ぐり４ａの内周中心４ｂに対して、1〜2
mmずれることが多い。従って、このタイプの熱処理装置
においては、内周中心と外周中心とが1〜2mmずれるよう
に形成した予熱リングを用いればよい。また、他の大き
さのウェーハＷを処理する熱処理装置においても、サセ
プタが台座に対してずれる大きさの程度を適宜鑑みて、
予熱リングを形成すればよい。
に対して偏心させる程度については、個々の熱処理装置
によってサセプタ２と台座４とのずれの程度が異なるた
め、適宜設定する。一例として、直径300mmのウェーハ
Ｗを処理する枚葉式の熱処理装置のうち、サセプタ２の
外周の直径が約373mm、台座４の座ぐり内周４ａａの直
径が約447mm、予熱リングの内径が約377mm、外径が約44
3mmである熱処理装置の場合、サセプタ２の中心２ｂ
が、台座４の座ぐり４ａの内周中心４ｂに対して、1〜2
mmずれることが多い。従って、このタイプの熱処理装置
においては、内周中心と外周中心とが1〜2mmずれるよう
に形成した予熱リングを用いればよい。また、他の大き
さのウェーハＷを処理する熱処理装置においても、サセ
プタが台座に対してずれる大きさの程度を適宜鑑みて、
予熱リングを形成すればよい。
【００２６】予熱リング３を台座４上に取り付ける際に
は、予熱リング３を台座４に載置した後、予熱リング３
の全周囲に亘って座ぐり内周４ａａとの間に上記のよう
な隙間Ｃができるように、予熱リング３の外周部分を台
座４に対して位置決めする。予熱リング３の一部が座ぐ
り内周４ａａに接触して備えられた場合、熱処理中に予
熱リング３が熱膨張してサセプタ２の方向にずれること
があるためである。また、予熱リング３の内周中心３１
ａと、サセプタ２の中心２ｂとの距離が最小となるよう
に、予熱リング３の周方向の向きを位置決めする。この
ように周方向の位置決めをすることで、サセプタ２の外
周と、予熱リング３の内周３１とを、より同心円に近い
状態にすることができるため、サセプタ２と予熱リング
３との隙間Ａをサセプタ２の全周囲に亘ってより均一に
形成することができ、予熱リング３とサセプタ２とをよ
り好適に非接触にすることができるからである。尚、予
熱リング３の内周中心３１ａと、サセプタ２の中心２ｂ
とが一致すれば、最も好ましい。
は、予熱リング３を台座４に載置した後、予熱リング３
の全周囲に亘って座ぐり内周４ａａとの間に上記のよう
な隙間Ｃができるように、予熱リング３の外周部分を台
座４に対して位置決めする。予熱リング３の一部が座ぐ
り内周４ａａに接触して備えられた場合、熱処理中に予
熱リング３が熱膨張してサセプタ２の方向にずれること
があるためである。また、予熱リング３の内周中心３１
ａと、サセプタ２の中心２ｂとの距離が最小となるよう
に、予熱リング３の周方向の向きを位置決めする。この
ように周方向の位置決めをすることで、サセプタ２の外
周と、予熱リング３の内周３１とを、より同心円に近い
状態にすることができるため、サセプタ２と予熱リング
３との隙間Ａをサセプタ２の全周囲に亘ってより均一に
形成することができ、予熱リング３とサセプタ２とをよ
り好適に非接触にすることができるからである。尚、予
熱リング３の内周中心３１ａと、サセプタ２の中心２ｂ
とが一致すれば、最も好ましい。
【００２７】この熱処理装置１００による熱処理方法を
説明する。まず、熱処理容器１内において、予熱リング
３を台座４に載置して、上記のように、台座４の座ぐり
内周４ａａと、サセプタ２とに対して、予熱リング３を
位置決めする。
説明する。まず、熱処理容器１内において、予熱リング
３を台座４に載置して、上記のように、台座４の座ぐり
内周４ａａと、サセプタ２とに対して、予熱リング３を
位置決めする。
【００２８】そして、熱処理容器１内のサセプタ２上に
ウェーハＷを載置して、熱処理を施す。熱処理は、ウェ
ーハＷを載置したサセプタ２を周方向に回転させるとと
もに、加熱装置８によって、ウェーハＷと予熱リング３
とを所定の温度に加熱する。そして、ウェーハＷ表面上
にガスが流れるように、ガス供給口５側からガス排出口
６方向に反応ガスを所定の流量および組成で流通させ
る。例えば、シリコンエピタキシャル層形成の場合には
シリコン原料ガス（例えばジクロロシラン、トリクロロ
シラン等）やドーパントガス等を、また窒化珪素膜形成
の場合にはモノシランとアンモニア等を、またエッチン
グでは三フッ化窒素（NF3）や三フッ化塩素（ClF3）等
のエッチングガスを、水素ガスなどのキャリアガスとと
もに加熱したウェーハＷ上に供給する。この反応ガスと
キャリアガスとの混合ガスによって、ウェーハＷ主表面
にシリコンエピタキシャル層や窒化珪素膜等の薄膜形
成、エッチングが行われる。尚、加熱温度、流通させる
ガスの組成および流量、流通時間等は、所望とする薄膜
の特性や厚さ、あるいはエッチングであればエッチング
厚さ等、処理毎に適宜設定する。
ウェーハＷを載置して、熱処理を施す。熱処理は、ウェ
ーハＷを載置したサセプタ２を周方向に回転させるとと
もに、加熱装置８によって、ウェーハＷと予熱リング３
とを所定の温度に加熱する。そして、ウェーハＷ表面上
にガスが流れるように、ガス供給口５側からガス排出口
６方向に反応ガスを所定の流量および組成で流通させ
る。例えば、シリコンエピタキシャル層形成の場合には
シリコン原料ガス（例えばジクロロシラン、トリクロロ
シラン等）やドーパントガス等を、また窒化珪素膜形成
の場合にはモノシランとアンモニア等を、またエッチン
グでは三フッ化窒素（NF3）や三フッ化塩素（ClF3）等
のエッチングガスを、水素ガスなどのキャリアガスとと
もに加熱したウェーハＷ上に供給する。この反応ガスと
キャリアガスとの混合ガスによって、ウェーハＷ主表面
にシリコンエピタキシャル層や窒化珪素膜等の薄膜形
成、エッチングが行われる。尚、加熱温度、流通させる
ガスの組成および流量、流通時間等は、所望とする薄膜
の特性や厚さ、あるいはエッチングであればエッチング
厚さ等、処理毎に適宜設定する。
【００２９】このように予熱リング３を位置決めして、
サセプタ２および台座４の座ぐり４ａに対して、所定の
隙間Ａおよび隙間Ｃを設けて、ウェーハＷに熱処理を行
うことにより、熱処理中に予熱リング３が熱膨張した
り、サセプタ２が回転しても、予熱リング３とサセプタ
２とが接触することがなく、また予熱リング３がサセプ
タ２周囲を近接して囲み、好適に熱処理を実施すること
ができる。
サセプタ２および台座４の座ぐり４ａに対して、所定の
隙間Ａおよび隙間Ｃを設けて、ウェーハＷに熱処理を行
うことにより、熱処理中に予熱リング３が熱膨張した
り、サセプタ２が回転しても、予熱リング３とサセプタ
２とが接触することがなく、また予熱リング３がサセプ
タ２周囲を近接して囲み、好適に熱処理を実施すること
ができる。
【００３０】以上の熱処理装置１００によれば、予熱リ
ング３は内周中心３１ａが外周３２に対して偏心した形
状となるように形成されているので、サセプタ２の中心
が台座４の座ぐり内周４ａａに対してずれている場合で
も、予熱リング３を台座４に載置して、サセプタ２の中
心と予熱リング３の内周３１の中心との距離が最小にな
るように、予熱リング３を位置決めすることにより、サ
セプタ２の全周囲に亘って予熱リング３との間に所定の
隙間Ａを形成することができる。従って、サセプタ２と
予熱リング３とが近接且つ非接触となるように容易に調
整することができる。またそれによって、熱処理装置の
メンテナンス後の調整等に要する時間も短縮できるの
で、生産性を向上させることも可能となり好ましい。さ
らに、サセプタ２と予熱リング３とが近接且つ非接触に
して熱処理を行うことができるので、熱処理サセプタ２
と予熱リング３との接触によるパーティクルの発生を低
減することができ、ウェーハＷに付着するパーティクル
を減少させることができる。その結果歩留まり低下を抑
えることが可能となり好適である。
ング３は内周中心３１ａが外周３２に対して偏心した形
状となるように形成されているので、サセプタ２の中心
が台座４の座ぐり内周４ａａに対してずれている場合で
も、予熱リング３を台座４に載置して、サセプタ２の中
心と予熱リング３の内周３１の中心との距離が最小にな
るように、予熱リング３を位置決めすることにより、サ
セプタ２の全周囲に亘って予熱リング３との間に所定の
隙間Ａを形成することができる。従って、サセプタ２と
予熱リング３とが近接且つ非接触となるように容易に調
整することができる。またそれによって、熱処理装置の
メンテナンス後の調整等に要する時間も短縮できるの
で、生産性を向上させることも可能となり好ましい。さ
らに、サセプタ２と予熱リング３とが近接且つ非接触に
して熱処理を行うことができるので、熱処理サセプタ２
と予熱リング３との接触によるパーティクルの発生を低
減することができ、ウェーハＷに付着するパーティクル
を減少させることができる。その結果歩留まり低下を抑
えることが可能となり好適である。
【００３１】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものではない。例えば、予熱リングを支持する支持
手段は、台座のほか、アームなどで予熱リング下面の複
数箇所を下方から支持するものでもよい。このような熱
処理装置においても、サセプタが予熱リングの支持手段
に対してずれている場合に、予熱リングを支持手段上で
移動させれば、サセプタ全周囲に亘って予熱リングを非
接触且つ近接するように備えることができる。また、一
度に複数枚のウェーハＷを処理するサセプタを備えた熱
処理装置に本発明を適用してもよい。さらに熱処理装置
において、外周中心に対して内周中心を偏心させる程度
を変えた予熱リングを複数用意して、サセプタ中心が予
熱リングの支持手段に対してずれている程度を鑑みなが
ら、予熱リングを適宜選択して使用するようにしてもよ
い。
れるものではない。例えば、予熱リングを支持する支持
手段は、台座のほか、アームなどで予熱リング下面の複
数箇所を下方から支持するものでもよい。このような熱
処理装置においても、サセプタが予熱リングの支持手段
に対してずれている場合に、予熱リングを支持手段上で
移動させれば、サセプタ全周囲に亘って予熱リングを非
接触且つ近接するように備えることができる。また、一
度に複数枚のウェーハＷを処理するサセプタを備えた熱
処理装置に本発明を適用してもよい。さらに熱処理装置
において、外周中心に対して内周中心を偏心させる程度
を変えた予熱リングを複数用意して、サセプタ中心が予
熱リングの支持手段に対してずれている程度を鑑みなが
ら、予熱リングを適宜選択して使用するようにしてもよ
い。
【００３２】〔実施例〕本実施例においては、図１にお
ける熱処理装置１００を用いて、直径300mmのウェーハ
に気相エピタキシャル成長を施した。使用した熱処理装
置１００は、サセプタ外周の直径が約373mm、台座の座
ぐり内周の直径が約447mmであって、台座の内周中心に
対して、サセプタの中心が約1mmずれていた。また予熱
リングは、内径が約377mm、外径が約443mmで、内周中心
と外周中心とが1mmずれるように、内周中心を外周に対
して偏心させて形成した。
ける熱処理装置１００を用いて、直径300mmのウェーハ
に気相エピタキシャル成長を施した。使用した熱処理装
置１００は、サセプタ外周の直径が約373mm、台座の座
ぐり内周の直径が約447mmであって、台座の内周中心に
対して、サセプタの中心が約1mmずれていた。また予熱
リングは、内径が約377mm、外径が約443mmで、内周中心
と外周中心とが1mmずれるように、内周中心を外周に対
して偏心させて形成した。
【００３３】上記実施の形態に従って、予熱リングを台
座の座ぐりに載置した後、予熱リングを台座の座ぐり内
周と、サセプタとに対して位置決めした。この状態にお
いて、予熱リングと、サセプタとは、サセプタ全周囲に
亘って約1.5〜２.5mmの範囲の隙間が形成されていた。
その後、サセプタにウェーハを載置して、シリコン単結
晶薄膜の気相成長を施した。気相成長は、加熱装置によ
りウェーハを約1110℃〜1190℃に加熱し、所定の時間熱
処理容器内にシリコン原料ガス等を供給することによ
り、ウェーハ主表面上に約3μmのシリコンエピタキシャ
ル層を形成させた。
座の座ぐりに載置した後、予熱リングを台座の座ぐり内
周と、サセプタとに対して位置決めした。この状態にお
いて、予熱リングと、サセプタとは、サセプタ全周囲に
亘って約1.5〜２.5mmの範囲の隙間が形成されていた。
その後、サセプタにウェーハを載置して、シリコン単結
晶薄膜の気相成長を施した。気相成長は、加熱装置によ
りウェーハを約1110℃〜1190℃に加熱し、所定の時間熱
処理容器内にシリコン原料ガス等を供給することによ
り、ウェーハ主表面上に約3μmのシリコンエピタキシャ
ル層を形成させた。
【００３４】このシリコンエピタキシャル層が形成され
たウェーハについて、レーザー光を用いるパーティクル
カウンターにより、ウェーハ主表面に付着したパーティ
クルの検出を行った。その結果、ウェーハの主表面上で
検出されたパーティクル数は、0.12〜10.0μmのパーテ
ィクルが6個、10μmより大きいパーティクルは検出され
なかった。このウェーハ上で検出されたパーティクルを
図４（ａ）に示す。
たウェーハについて、レーザー光を用いるパーティクル
カウンターにより、ウェーハ主表面に付着したパーティ
クルの検出を行った。その結果、ウェーハの主表面上で
検出されたパーティクル数は、0.12〜10.0μmのパーテ
ィクルが6個、10μmより大きいパーティクルは検出され
なかった。このウェーハ上で検出されたパーティクルを
図４（ａ）に示す。
【００３５】〔比較例〕本比較例では、内周中心が外周
中心と一致している予熱リングを備えた従来の熱処理装
置を用いて、予熱リングとサセプタとが接触した状態
で、上記実施例と同一条件でシリコン単結晶薄膜の気相
成長を施した。このシリコンエピタキシャル層が形成さ
れたウェーハについて、上記実施例と同様にウェーハ主
表面のパーティクルの検出を行ったところ、パーティク
ル数は0.12〜10.0μmのパーティクルが183個、10μmよ
り大きいパーティクルは33個であった。このウェーハ上
で検出されたパーティクルを図４（ｂ）に示す。尚、図
４（ｂ）において、ウェーハ周囲の矢印で示す箇所は、
サセプタと予熱リングとが接触した位置に対応する。
中心と一致している予熱リングを備えた従来の熱処理装
置を用いて、予熱リングとサセプタとが接触した状態
で、上記実施例と同一条件でシリコン単結晶薄膜の気相
成長を施した。このシリコンエピタキシャル層が形成さ
れたウェーハについて、上記実施例と同様にウェーハ主
表面のパーティクルの検出を行ったところ、パーティク
ル数は0.12〜10.0μmのパーティクルが183個、10μmよ
り大きいパーティクルは33個であった。このウェーハ上
で検出されたパーティクルを図４（ｂ）に示す。尚、図
４（ｂ）において、ウェーハ周囲の矢印で示す箇所は、
サセプタと予熱リングとが接触した位置に対応する。
【００３６】実施例と比較例との比較より、サセプタ
と、予熱リングとが接触すると、非接触の状態に比べて
パーティクル数が極端に増加している。また、サセプタ
と予熱リングとの接触箇所に近い箇所で多くのパーティ
クルが検出されていることから、サセプタと予熱リング
との接触がパーティクル発生に大きく関与していると考
えられる。従って、外周に対して内周中心が偏心した予
熱リングを形成し、サセプタと非接触かつ近接するよう
に位置決めして熱処理を施すことにより、パーティクル
の発生を大幅に低減することができるので、ウェーハに
対するパーティクルの付着を防止して、歩留まりの低下
を抑えることができるので好適である。
と、予熱リングとが接触すると、非接触の状態に比べて
パーティクル数が極端に増加している。また、サセプタ
と予熱リングとの接触箇所に近い箇所で多くのパーティ
クルが検出されていることから、サセプタと予熱リング
との接触がパーティクル発生に大きく関与していると考
えられる。従って、外周に対して内周中心が偏心した予
熱リングを形成し、サセプタと非接触かつ近接するよう
に位置決めして熱処理を施すことにより、パーティクル
の発生を大幅に低減することができるので、ウェーハに
対するパーティクルの付着を防止して、歩留まりの低下
を抑えることができるので好適である。
【００３７】
【発明の効果】本発明の第１の手段によれば、サセプタ
の中心が、予熱リングの支持手段に対してずれている場
合でも、サセプタの中心と予熱リングの内周中心との距
離が最も小さくなるように予熱リングを移動して支持手
段に支持させることで、サセプタと予熱リングとの間に
適切な隙間を形成することができ、サセプタと予熱リン
グとが接触することを防止できる。また第２の手段によ
れば、予熱リングを台座の座ぐり内で外周を位置決めで
きるとともに、サセプタが台座に対してずれている場合
でも、予熱リングを台座内で移動することによって、予
熱リングとサセプタとが非接触となるように容易に調整
できる。第３の手段によれば、予熱リングとサセプタと
を非接触にしてパーティクルの発生を抑えた状態で、基
板に好適に熱処理を施すことができる。従って、サセプ
タと予熱リングとの接触を容易に防止することができ、
パーティクルが発生して基板に付着することを防止でき
るので、熱処理における歩留まり低下を抑えることが可
能となる。また、予熱リングとサセプタとの調整が容易
となって熱処理装置のメンテナンス等における操業停止
時間を短縮することができ好適である。
の中心が、予熱リングの支持手段に対してずれている場
合でも、サセプタの中心と予熱リングの内周中心との距
離が最も小さくなるように予熱リングを移動して支持手
段に支持させることで、サセプタと予熱リングとの間に
適切な隙間を形成することができ、サセプタと予熱リン
グとが接触することを防止できる。また第２の手段によ
れば、予熱リングを台座の座ぐり内で外周を位置決めで
きるとともに、サセプタが台座に対してずれている場合
でも、予熱リングを台座内で移動することによって、予
熱リングとサセプタとが非接触となるように容易に調整
できる。第３の手段によれば、予熱リングとサセプタと
を非接触にしてパーティクルの発生を抑えた状態で、基
板に好適に熱処理を施すことができる。従って、サセプ
タと予熱リングとの接触を容易に防止することができ、
パーティクルが発生して基板に付着することを防止でき
るので、熱処理における歩留まり低下を抑えることが可
能となる。また、予熱リングとサセプタとの調整が容易
となって熱処理装置のメンテナンス等における操業停止
時間を短縮することができ好適である。
【図１】本発明を適用した熱処理装置を一部断面で示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】サセプタ中心と、台座の座ぐりの中心とがずれ
ている熱処理装置において、予熱リングをサセプタ周囲
に備えた様子を示す上面図である。
ている熱処理装置において、予熱リングをサセプタ周囲
に備えた様子を示す上面図である。
【図３】本発明の熱処理装置に備えられる予熱リングの
上面図である。
上面図である。
【図４】（ａ）サセプタと予熱リングとが非接触の熱処
理装置、（ｂ）サセプタと予熱リングとが接触した状態
の熱処理装置、のそれぞれを用いてウェーハに薄膜の気
相成長を施した場合の、ウェーハ主表面で検出されたパ
ーティクルを示す上面図である。
理装置、（ｂ）サセプタと予熱リングとが接触した状態
の熱処理装置、のそれぞれを用いてウェーハに薄膜の気
相成長を施した場合の、ウェーハ主表面で検出されたパ
ーティクルを示す上面図である。
【図５】従来の熱処理装置において、サセプタ中心と、
予熱リングおよび台座の座ぐり中心とが一致している様
子を示す上面図である。
予熱リングおよび台座の座ぐり中心とが一致している様
子を示す上面図である。
【図６】従来の熱処理装置において、サセプタ中心と、
予熱リングの台座の座ぐり中心とがずれ、サセプタと予
熱リングとが接触している様子を示す上面図である。
予熱リングの台座の座ぐり中心とがずれ、サセプタと予
熱リングとが接触している様子を示す上面図である。
１ 熱処理容器
２ サセプタ
２ａ 座ぐり
２ｂ サセプタ中心
３ 予熱リング
３１ 予熱リングの内周
３１ａ 内周中心
３２ 予熱リングの外周
３２ａ 外周中心
４ 台座（支持手段）
４ａ 座ぐり
４ａａ 座ぐりの内周
４ｂ 座ぐりの内周中心
８ 加熱装置
１００ 熱処理装置
Ｗ ウェーハ（基板）
Ａ 隙間
Claims (5)
- 【請求項１】熱処理容器内に回転可能に備えられ、基板
が載置されるサセプタと、 前記熱処理容器内に設けられる支持手段に支持され、前
記サセプタに近接して且つ非接触となるように、前記サ
セプタの周囲を囲む予熱リングと、 前記サセプタに載置される基板を加熱する加熱装置と、 が備えられている熱処理装置において、 前記予熱リングは、内周中心が当該予熱リングの外周に
対して偏心するように形成されていることを特徴とする
熱処理装置。 - 【請求項２】前記支持手段は、前記予熱リングを載置す
るための座ぐりが形成された台座であることを特徴とす
る請求項１に記載の熱処理装置。 - 【請求項３】請求項１に記載の熱処理装置における前記
支持手段に支持される前記予熱リングを、前記サセプタ
の周りで移動させて、前記予熱リングの内周の中心と前
記サセプタの中心との距離が最小となるように前記予熱
リングを位置決めし、その後、前記サセプタに基板を載
置して、当該基板に熱処理を施すことを特徴とする熱処
理方法。 - 【請求項４】請求項２に記載の熱処理装置における台座
に載置された前記予熱リングを、前記座ぐり内で移動さ
せて、前記予熱リングの内周の中心と前記サセプタの中
心との距離が最小となるように前記予熱リングを位置決
めし、その後、前記サセプタに基板を載置して、当該基
板に熱処理を施すことを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項５】前記予熱リングを位置決めした後、前記サ
セプタに基板を載置して、当該基板に薄膜の気相成長を
施すことを特徴とする請求項３または４に記載の熱処理
方法。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP2002014715A JP3758579B2 (ja) | 2002-01-23 | 2002-01-23 | 熱処理装置および熱処理方法 |
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| EP03743012A EP1475823B1 (en) | 2002-01-23 | 2003-01-22 | Heat treatment device and heat treatment method |
| KR1020047011221A KR100941013B1 (ko) | 2002-01-23 | 2003-01-22 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
| PCT/JP2003/000558 WO2003073486A1 (fr) | 2002-01-23 | 2003-01-22 | Dispositif et procede de traitement thermique |
| TW092101373A TWI258189B (en) | 2002-01-23 | 2003-01-22 | Thermal treatment apparatus and thermal treatment method |
| DE60322669T DE60322669D1 (de) | 2002-01-23 | 2003-01-22 | Wärmebehandlungseinrichtung und wärmebehandlungsverfahren |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002014715A JP3758579B2 (ja) | 2002-01-23 | 2002-01-23 | 熱処理装置および熱処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218039A true JP2003218039A (ja) | 2003-07-31 |
| JP3758579B2 JP3758579B2 (ja) | 2006-03-22 |
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ID=27651314
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|---|---|---|---|
| JP2002014715A Expired - Fee Related JP3758579B2 (ja) | 2002-01-23 | 2002-01-23 | 熱処理装置および熱処理方法 |
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| EP (1) | EP1475823B1 (ja) |
| JP (1) | JP3758579B2 (ja) |
| KR (1) | KR100941013B1 (ja) |
| DE (1) | DE60322669D1 (ja) |
| TW (1) | TWI258189B (ja) |
| WO (1) | WO2003073486A1 (ja) |
Cited By (7)
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| WO2006022128A1 (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 石英治具及び半導体製造装置 |
| JP2012227527A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Siltronic Ag | 材料層を堆積するための装置および方法 |
| JP2016541127A (ja) * | 2013-11-25 | 2016-12-28 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | エピタキシャルウェハ成長装置 |
| JP2018107289A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2018148222A (ja) * | 2018-04-24 | 2018-09-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN111477565A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种外延设备 |
| JP2020191346A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | クアーズテック株式会社 | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 |
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| JP5521561B2 (ja) * | 2010-01-12 | 2014-06-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US9171702B2 (en) * | 2010-06-30 | 2015-10-27 | Lam Research Corporation | Consumable isolation ring for movable substrate support assembly of a plasma processing chamber |
| US9890455B2 (en) * | 2010-10-29 | 2018-02-13 | Applied Materials, Inc. | Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput |
| US9481838B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-11-01 | General Electric Company | Capture and storage of emissions from a gasifier |
| JP5343162B1 (ja) | 2012-10-26 | 2013-11-13 | エピクルー株式会社 | エピタキシャル成長装置 |
| TWI648427B (zh) * | 2013-07-17 | 2019-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於交叉流動類型的熱ｃｖｄ腔室之改良的氣體活化的結構 |
| US10047457B2 (en) | 2013-09-16 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | EPI pre-heat ring |
| KR101525210B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2015-06-05 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리장치 |
| JP6444641B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-12-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置、サセプタ、及び成膜方法 |
| CN106716607A (zh) * | 2014-09-05 | 2017-05-24 | 应用材料公司 | 用于基板热处理的基座与预热环 |
| US11598021B2 (en) | 2015-10-01 | 2023-03-07 | Globalwafers Co., Ltd. | CVD apparatus |
| JP6330941B1 (ja) | 2017-03-07 | 2018-05-30 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
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| US5421957A (en) * | 1993-07-30 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature etching in cold-wall CVD systems |
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| US6153260A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
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| US6176929B1 (en) * | 1997-07-22 | 2001-01-23 | Ebara Corporation | Thin-film deposition apparatus |
| JPH1167670A (ja) * | 1997-08-14 | 1999-03-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相成長装置 |
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- 2002-01-23 JP JP2002014715A patent/JP3758579B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-22 EP EP03743012A patent/EP1475823B1/en not_active Expired - Lifetime
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