JPS6052575B2 - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6052575B2 JPS6052575B2 JP8035779A JP8035779A JPS6052575B2 JP S6052575 B2 JPS6052575 B2 JP S6052575B2 JP 8035779 A JP8035779 A JP 8035779A JP 8035779 A JP8035779 A JP 8035779A JP S6052575 B2 JPS6052575 B2 JP S6052575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction vessel
- annular groove
- vapor phase
- phase growth
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、頂壁と底壁と周壁とを有する密閉反応容器
内に例えば半導体基板のような被処理基板が配置され、
上記底壁に設けられた排気口を通じて反応容器が例えば
油回転ポンプ等の真空ポンプその他の排気手段により吸
引排気され、あるいは減圧状態に保持され、その反応容
器内に上記頂壁に設けられた供給口を通じて反応ガスが
供給され、それによつて上記被処理基板上に所望の半導
体層が形成されるようになされた半導体気相成長装置に
関し、特に上記反応容器内の反応ガス流分布を均一にし
、もつて上記被処理基板上に均一な半導体層を形成しう
るようになされたこの種装置に関するものである。
内に例えば半導体基板のような被処理基板が配置され、
上記底壁に設けられた排気口を通じて反応容器が例えば
油回転ポンプ等の真空ポンプその他の排気手段により吸
引排気され、あるいは減圧状態に保持され、その反応容
器内に上記頂壁に設けられた供給口を通じて反応ガスが
供給され、それによつて上記被処理基板上に所望の半導
体層が形成されるようになされた半導体気相成長装置に
関し、特に上記反応容器内の反応ガス流分布を均一にし
、もつて上記被処理基板上に均一な半導体層を形成しう
るようになされたこの種装置に関するものである。
従来、例えば半導体装置を形成するための半導体基板
上に所望の半導体層を形成するために、密閉された反応
容器内にそのような半導体基板を配置し、その反応容器
内をそれの底部に設けられた排気口を通じて例えば油回
転ポンプ等の真空ポンプその他の排気手段により吸引排
気されあるいは減圧状態に保持されながらその反応容器
の頂部に設けられた供給口より反応ガスを供給するよう
になされた半導体気相成長装置が用いられているが、こ
のような従来の装置では一般に排気口が１個または少数
個しか設けられていないがために、反応容器内における
反応ガスの流れ分布が不均一となり、それがために半導
体基板上に形成される半導体層が不均一なものとなつて
しまう傾向があつた。
上に所望の半導体層を形成するために、密閉された反応
容器内にそのような半導体基板を配置し、その反応容器
内をそれの底部に設けられた排気口を通じて例えば油回
転ポンプ等の真空ポンプその他の排気手段により吸引排
気されあるいは減圧状態に保持されながらその反応容器
の頂部に設けられた供給口より反応ガスを供給するよう
になされた半導体気相成長装置が用いられているが、こ
のような従来の装置では一般に排気口が１個または少数
個しか設けられていないがために、反応容器内における
反応ガスの流れ分布が不均一となり、それがために半導
体基板上に形成される半導体層が不均一なものとなつて
しまう傾向があつた。
これは、上述の如く、反応容器に設けられた排気口の数
が少ないことによるものであるが、排気口の個数を多く
すれば、それらの排気口に連結されるべき管系統が複雑
なものとなり、装置を製作する上で高価になるばかりで
なく、保守点検作業が大変になり、場合によつては困難
になる。本発明は上述した如き欠改を簡易、簡潔な構成
でもって回避し得る半導体気相成長装置を提供せんとす
るもので、以下図面を参照して詳述する所より明らかと
なるであろう。 第１図および第２図は本発明の一実施
例が適用されうる半導体気相成長装置の要部を概略的に
示す図である。
が少ないことによるものであるが、排気口の個数を多く
すれば、それらの排気口に連結されるべき管系統が複雑
なものとなり、装置を製作する上で高価になるばかりで
なく、保守点検作業が大変になり、場合によつては困難
になる。本発明は上述した如き欠改を簡易、簡潔な構成
でもって回避し得る半導体気相成長装置を提供せんとす
るもので、以下図面を参照して詳述する所より明らかと
なるであろう。 第１図および第２図は本発明の一実施
例が適用されうる半導体気相成長装置の要部を概略的に
示す図である。
図面において、１は頂壁２と底壁３と周壁４とを有する
密閉型反応容器であり、この反応容器１内には半導体基
板５を載置し得るサセプタ６が回転軸７を介してモータ
８により回転自在に設けられている。反応容器１の底壁
３には、それの周壁４の近傍に１個の排気口９が設けら
れており、この排気口９は適当な管１０および弁１１を
通じて真空ポンプ１２に連結されている。さらに、反応
容器１の頂壁２にはそれのほぼ中央に反応ガス供給口１
３が設けられており、これは適当な管１４を通じて反応
ガス供給源１５に連結されている。１６は基板加熱用ヒ
ータである。
密閉型反応容器であり、この反応容器１内には半導体基
板５を載置し得るサセプタ６が回転軸７を介してモータ
８により回転自在に設けられている。反応容器１の底壁
３には、それの周壁４の近傍に１個の排気口９が設けら
れており、この排気口９は適当な管１０および弁１１を
通じて真空ポンプ１２に連結されている。さらに、反応
容器１の頂壁２にはそれのほぼ中央に反応ガス供給口１
３が設けられており、これは適当な管１４を通じて反応
ガス供給源１５に連結されている。１６は基板加熱用ヒ
ータである。
本実施例においては反応容器１の底壁３の内表面に前記
回転軸７をほぼ中心として前記排気口９を通る環状溝１
７が設けられている。すなわちこの環状溝１７は排気口
９に連通していることに注意すべきである。さらにこの
環状溝１７上に以下において述べる態様で配置されるよ
うな寸法形状を有する環状部材よりなるガス流分布調整
板１８が準備される。この調整板１８は、第２図から明
らかな如く環状溝１７に対して偏心せしめられて、すな
わち排気口９が存在する側において、環状溝１７との間
の間隙を最小となし、そこから離れるに従つてその間隔
が次第に大きくなり、排気口９とほぼ対向する位置にお
いて最大となるようにして配置されている。上述した本
発明の構成によれば、反応ガス供給源１５から供給口１
３を通じて反応容器１内に供給された反応ガスによつて
半導体基板５上に５ａで示されているような半導体層が
形成されるわけであるが、この場合特に上述の如く、調
整板１８が環状溝１７に対して上述の如き態様て偏心せ
しめられて配置されているがために、排気口９が１個で
あつても反応容器１内における反応ガス流の分布は常に
均一な状態に保持され得る。
回転軸７をほぼ中心として前記排気口９を通る環状溝１
７が設けられている。すなわちこの環状溝１７は排気口
９に連通していることに注意すべきである。さらにこの
環状溝１７上に以下において述べる態様で配置されるよ
うな寸法形状を有する環状部材よりなるガス流分布調整
板１８が準備される。この調整板１８は、第２図から明
らかな如く環状溝１７に対して偏心せしめられて、すな
わち排気口９が存在する側において、環状溝１７との間
の間隙を最小となし、そこから離れるに従つてその間隔
が次第に大きくなり、排気口９とほぼ対向する位置にお
いて最大となるようにして配置されている。上述した本
発明の構成によれば、反応ガス供給源１５から供給口１
３を通じて反応容器１内に供給された反応ガスによつて
半導体基板５上に５ａで示されているような半導体層が
形成されるわけであるが、この場合特に上述の如く、調
整板１８が環状溝１７に対して上述の如き態様て偏心せ
しめられて配置されているがために、排気口９が１個で
あつても反応容器１内における反応ガス流の分布は常に
均一な状態に保持され得る。
これを詳述すると、偏心して配置された調整板と環状溝
に一よつて形成される環状の開口は排気口からの距離が
増す程大きくなつているため、距離が増すにつれてガス
流の流出しにくくなる点を補い、環状開口を任意の微小
部分に分けて見る時、どの微小部分においても流れ易さ
の条件を近似の値にする事が出来る。従つて上述の如く
して半導体基板５上に形成された半導体層５ａが均一な
ものとして形成されるのである。すなわち本発明の構成
によれば反応容器１に設けられた排気口がただ１個であ
つたとしても冒頭に述べた従来技術における反応ガス流
の分布の不均一化を効果的に回避することができるので
ある。次に、第３図および第４図を参照すると本発明の
他の実施例が示されており、この実施例においては、反
応容器１（図面では図示を簡明にするために一部分のみ
が示されている）の底壁３に排気口が２１および２２に
よつて示されている如くほぼ１８０おの間隔をもつて２
個設けられており、これらの排気口２１および２２を通
つて前述したのと同様の環状溝１７が同様の態様でもつ
て設けられている。
に一よつて形成される環状の開口は排気口からの距離が
増す程大きくなつているため、距離が増すにつれてガス
流の流出しにくくなる点を補い、環状開口を任意の微小
部分に分けて見る時、どの微小部分においても流れ易さ
の条件を近似の値にする事が出来る。従つて上述の如く
して半導体基板５上に形成された半導体層５ａが均一な
ものとして形成されるのである。すなわち本発明の構成
によれば反応容器１に設けられた排気口がただ１個であ
つたとしても冒頭に述べた従来技術における反応ガス流
の分布の不均一化を効果的に回避することができるので
ある。次に、第３図および第４図を参照すると本発明の
他の実施例が示されており、この実施例においては、反
応容器１（図面では図示を簡明にするために一部分のみ
が示されている）の底壁３に排気口が２１および２２に
よつて示されている如くほぼ１８０おの間隔をもつて２
個設けられており、これらの排気口２１および２２を通
つて前述したのと同様の環状溝１７が同様の態様でもつ
て設けられている。
なお、それらの排気口２１および２２は適当な管２３お
よび２４を通じて互いに連通せしめられかつ共通の真空
ポンプ１２に管２５および弁１１を通じて連結されてい
る。この実施例においては、ほぼ楕円環状のガス流分布
調整板２６が準備されるが、この場合には上述の如く排
気口が２個設けられていることに鑑みてその調整板２６
はそれらの排気口２１および２２の存在する位置におい
て環状溝１７との間の間隔が最小となり、そこから離れ
るにつれてその間隔が増大し、ほぼ９０か離れた位置に
おいて最大となるような態様をもつて配置される。さら
に、第５図を参照するとさらに他の実施例が示されてお
り、この実施例では反応容器１の底壁３に４つの排気口
３１，３２，３３および３４がほぼ９０のの角間隔を持
つて形成されており、それらの排気口３１，３２，３３
および３４を通つて前述したのと同様の態様で環状溝１
７が設けられている。
よび２４を通じて互いに連通せしめられかつ共通の真空
ポンプ１２に管２５および弁１１を通じて連結されてい
る。この実施例においては、ほぼ楕円環状のガス流分布
調整板２６が準備されるが、この場合には上述の如く排
気口が２個設けられていることに鑑みてその調整板２６
はそれらの排気口２１および２２の存在する位置におい
て環状溝１７との間の間隔が最小となり、そこから離れ
るにつれてその間隔が増大し、ほぼ９０か離れた位置に
おいて最大となるような態様をもつて配置される。さら
に、第５図を参照するとさらに他の実施例が示されてお
り、この実施例では反応容器１の底壁３に４つの排気口
３１，３２，３３および３４がほぼ９０のの角間隔を持
つて形成されており、それらの排気口３１，３２，３３
および３４を通つて前述したのと同様の態様で環状溝１
７が設けられている。
さらにこの実施例では第５図において３５で示されてい
るような形状のガス流分布調整板が用意され、その調整
板３５が各排気口３１，３２，３３および３４に対応す
る位置において環状溝１７との間の間隔が最小となり、
隣接する排気口の中間に対応する位置において最大とな
るような態様をもつてその環状溝１７上に配置される。
これらの実施例によつても第１図および第２図に関して
上述したのと同様の作用効果が得られることは容易に理
解されるであろう。
るような形状のガス流分布調整板が用意され、その調整
板３５が各排気口３１，３２，３３および３４に対応す
る位置において環状溝１７との間の間隔が最小となり、
隣接する排気口の中間に対応する位置において最大とな
るような態様をもつてその環状溝１７上に配置される。
これらの実施例によつても第１図および第２図に関して
上述したのと同様の作用効果が得られることは容易に理
解されるであろう。
なお、上述したいずれの実施例においても調整板１８，
２６および３５は環状ＷｌＩｌ７に対して位置調整自在
に配置されうるものとして構成されているからその調整
板の位置を調整することにより反応容器内の反応ガス流
分布を容易に所望の如く調整することができるのである
。
２６および３５は環状ＷｌＩｌ７に対して位置調整自在
に配置されうるものとして構成されているからその調整
板の位置を調整することにより反応容器内の反応ガス流
分布を容易に所望の如く調整することができるのである
。
第１図は本発明の一実施例が適用され得る半導体気相成
長装置の要部を概略的に示す縦断面図、第２図は第１図
の矢印−の方向にみた横断面図、第３図は本発明の他の
実施例が適用され得る半導体気相成長装置の要部を概略
的に示す縦断面図、第４図は第３図の矢印一の方向にみ
た横断面図、第５図は本発明のさらに他の実施例が適用
され得る半導体気相成長装置の反応容器の横断平面図で
ある。 図中９，２１，２２，３１，３２，３３および３４は排
気口、１７は環状溝、１８，２６および３５はガス流分
布調整板を夫々示す。
長装置の要部を概略的に示す縦断面図、第２図は第１図
の矢印−の方向にみた横断面図、第３図は本発明の他の
実施例が適用され得る半導体気相成長装置の要部を概略
的に示す縦断面図、第４図は第３図の矢印一の方向にみ
た横断面図、第５図は本発明のさらに他の実施例が適用
され得る半導体気相成長装置の反応容器の横断平面図で
ある。 図中９，２１，２２，３１，３２，３３および３４は排
気口、１７は環状溝、１８，２６および３５はガス流分
布調整板を夫々示す。
Claims (1)
- １ 被処理基板を収容しうるようになされた反応容器と
、該反応容器内に反応ガスを供給する手段と、前記反応
容器からガスを排気せしめる手段とを有する半導体気相
成長装置において、前記排気手段が、前記反応容器の前
記反応ガス供給手段が設けられた内壁面に対面する内壁
面に設けられた環状溝と、該環状溝内に設けられた１ま
たは複数の排気口と、前記環状溝上に位置調整可能に設
けられたガス流分布調整板とよりなることを特徴とする
半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035779A JPS6052575B2 (ja) | 1979-06-26 | 1979-06-26 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035779A JPS6052575B2 (ja) | 1979-06-26 | 1979-06-26 | 半導体気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS564231A JPS564231A (en) | 1981-01-17 |
| JPS6052575B2 true JPS6052575B2 (ja) | 1985-11-20 |
Family
ID=13715995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8035779A Expired JPS6052575B2 (ja) | 1979-06-26 | 1979-06-26 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052575B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3758579B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2006-03-22 | 信越半導体株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
1979
- 1979-06-26 JP JP8035779A patent/JPS6052575B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS564231A (en) | 1981-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3178824B2 (ja) | 複合形単一ウエーハ用の高生産性形マルチステーシヨン方式処理装置 | |
| EP1169490B1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| TW201505076A (zh) | 透過電漿輔助製程處理基板的平面內均勻性的控制方法 | |
| JP3086970B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TW201720948A (zh) | 基板處理設備 | |
| US5855679A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP2008539596A (ja) | プラズマリアクタチャンバのためのｏリングレスタンデムスロットル弁 | |
| TW202201602A (zh) | 基板處理方法 | |
| JPS6052575B2 (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| CN113287188A (zh) | 气相生长装置 | |
| WO2023098231A1 (zh) | 一种衬底支撑装置及衬底处理设备 | |
| US10240234B2 (en) | Gas distribution apparatus for processing chambers | |
| JPH0689457B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 | |
| CN209929265U (zh) | 多区可旋转扩散器装置 | |
| JP2683671B2 (ja) | 半導体基板への成膜方法及び成膜装置 | |
| US6464791B1 (en) | Low-pressure apparatus for carrying out steps in the manufacture of a device, a method of manufacturing a device making use of such an apparatus, and a pressure control valve | |
| CN116770273A (zh) | 一种基盘加热系统及半导体设备 | |
| JPH01123413A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01287285A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| CN118854257B (zh) | 半导体工艺设备 | |
| JPH04211115A (ja) | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置ならびに該装置による薄膜形成方法 | |
| JP3072219B2 (ja) | 化学気相成長方法及びその装置 | |
| US6544339B1 (en) | Rectilinear wedge geometry for optimal process control in chemical vapor deposition and rapid thermal processing | |
| JP4627860B2 (ja) | グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱ｃｖｄ装置 | |
| JPH0527503Y2 (ja) |