JPH01287285A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH01287285A JPH01287285A JP63117211A JP11721188A JPH01287285A JP H01287285 A JPH01287285 A JP H01287285A JP 63117211 A JP63117211 A JP 63117211A JP 11721188 A JP11721188 A JP 11721188A JP H01287285 A JPH01287285 A JP H01287285A
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- dry etching
- electrode
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 19
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、平行平板電極を有するドライエツチング装置
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
近年、半導体ウェハなどに代表されるパターン形成にお
いては、素子の高集積化、微細化に伴って高精度なエツ
チングを行うだめに、平行平板電極によるドライエツチ
ング装置が用いられている。
いては、素子の高集積化、微細化に伴って高精度なエツ
チングを行うだめに、平行平板電極によるドライエツチ
ング装置が用いられている。
以下図面を参照しながら、従来のドライエツチング装置
の反応容器の構成の一例について説明する。
の反応容器の構成の一例について説明する。
第７図は、従来のドライエツチング装置の反応容器の構
成を示すものである。第７図において１は反応容器で内
部を真空に保っている。２は上部′電極で下部電極３と
の電極間距離を可変にするため上下動可能にとりつけて
あり、反応容器１内において一列の平行平板電極を構成
し、下部電極３上にウェハ４を置き′直棒のいずれか一
方に１３．５６ＭＨｚ の高周波電力を印加しドライ
エツチングするものである。
成を示すものである。第７図において１は反応容器で内
部を真空に保っている。２は上部′電極で下部電極３と
の電極間距離を可変にするため上下動可能にとりつけて
あり、反応容器１内において一列の平行平板電極を構成
し、下部電極３上にウェハ４を置き′直棒のいずれか一
方に１３．５６ＭＨｚ の高周波電力を印加しドライ
エツチングするものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成は、電極間距離の変更は
容易だが、電極間距離の寸法再現性が悪くエツチングの
再現性を悪化させる。寸だ、上部電極可動部から発生し
たダストがウェハ上に乗り微細パターンの欠陥を生じる
という問題点を有していた。本発明は、上記問題点に鑑
みエツチングの再現性を改善し、ダストの発生を押えだ
ドライエツチング装置の反応容器を提供するものである
。
容易だが、電極間距離の寸法再現性が悪くエツチングの
再現性を悪化させる。寸だ、上部電極可動部から発生し
たダストがウェハ上に乗り微細パターンの欠陥を生じる
という問題点を有していた。本発明は、上記問題点に鑑
みエツチングの再現性を改善し、ダストの発生を押えだ
ドライエツチング装置の反応容器を提供するものである
。
課題を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明は、平行平板方式の
ドライエツチング装置に於いて、真空容器を分割し各々
に電極を固定し、分割部に特定の厚さを持った１個また
は複数個のリンクを重ねて挟みこむという構成を備えた
ものである。
ドライエツチング装置に於いて、真空容器を分割し各々
に電極を固定し、分割部に特定の厚さを持った１個また
は複数個のリンクを重ねて挟みこむという構成を備えた
ものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、特定の厚さを持つリン
グを用いることによって電極間距離が一定となり、さら
には上部電極を固定できることによって可動部からの摩
耗によるダストの発生を無くすことができた。
グを用いることによって電極間距離が一定となり、さら
には上部電極を固定できることによって可動部からの摩
耗によるダストの発生を無くすことができた。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例の構成を示すものであり
、特定の厚さを持つリング（電極間隔調整リング）を１
個または複数個重ねて反応容器間に挟みこむことで電極
間距離を一定とし、さらには上部電極を固定式としたも
のである。
、特定の厚さを持つリング（電極間隔調整リング）を１
個または複数個重ねて反応容器間に挟みこむことで電極
間距離を一定とし、さらには上部電極を固定式としたも
のである。
第１図において５は分割された反応容器の一方である下
部容器でヌテンレスまたは、アルミニウムで構成したも
のである、６ｉｄ下部電極であり、ウェハ了を載置する
。８はアルミナなどの絶縁体５１１、−７ であり、下部電極６を下部容器５から絶縁するものであ
る。９は反応容器のもう一方である上部容器で、１ｏは
上部電極であり、１つはアルミナなどの絶縁体である。
部容器でヌテンレスまたは、アルミニウムで構成したも
のである、６ｉｄ下部電極であり、ウェハ了を載置する
。８はアルミナなどの絶縁体５１１、−７ であり、下部電極６を下部容器５から絶縁するものであ
る。９は反応容器のもう一方である上部容器で、１ｏは
上部電極であり、１つはアルミナなどの絶縁体である。
１２は電極間調整リングで５．１０．１５．２０．３０
，４０，５０ｍｍなどの特定の厚さを持ったもので、１
個または複数個の重ね合わせにより電極間距離を選択す
るもので、内周部に重ね合わせの位置決め部が設けであ
る。１３ば０リングであり真空シールとなっている。上
記各部品は、各々Ｏリングにより真空シールされ、反応
室にはガス供給手段１４と、真空排気口１５と、電極に
接続した高周波電力の供給手段１６とが接続されている
。
，４０，５０ｍｍなどの特定の厚さを持ったもので、１
個または複数個の重ね合わせにより電極間距離を選択す
るもので、内周部に重ね合わせの位置決め部が設けであ
る。１３ば０リングであり真空シールとなっている。上
記各部品は、各々Ｏリングにより真空シールされ、反応
室にはガス供給手段１４と、真空排気口１５と、電極に
接続した高周波電力の供給手段１６とが接続されている
。
本発明は上記した構成により、特定の厚さを持つリング
１２により電極間距離を決め以降は固定トスるため、エ
ツチングパラメータの１つである電極間距離が固定され
、エツチングの再現性を向」ニすることができる。また
上部電極１０を固定とすることで、摩耗によるダストの
発生を無くすことができる。
１２により電極間距離を決め以降は固定トスるため、エ
ツチングパラメータの１つである電極間距離が固定され
、エツチングの再現性を向」ニすることができる。また
上部電極１０を固定とすることで、摩耗によるダストの
発生を無くすことができる。
６ 、−＞
第２図は本発明の第２の実施例における電極間調整リン
グの構成を示すものであり、反応容器内壁を加熱するこ
とでドライエツチングによる反応生成物の再付着を防止
する。
グの構成を示すものであり、反応容器内壁を加熱するこ
とでドライエツチングによる反応生成物の再付着を防止
する。
第２図において１７はヒータであシ、１８は電極間調整
リングであり、特定の厚さの電極間調整リング１２と組
み合わせも可能であり、リングの内周部は真空容器内壁
を覆うよう（精成したものである。ヒータ１７は−に極
間調整リング１８内に複数本挿入してあシ例えばアルミ
ニウム膜のドライエツチングでは約１００℃に湿度調節
している。
リングであり、特定の厚さの電極間調整リング１２と組
み合わせも可能であり、リングの内周部は真空容器内壁
を覆うよう（精成したものである。ヒータ１７は−に極
間調整リング１８内に複数本挿入してあシ例えばアルミ
ニウム膜のドライエツチングでは約１００℃に湿度調節
している。
アルミニウム膜を塩素系ガスによりドライエツチングす
るとＡｌＣｌ３の反応生成物が反応容器内に再付着する
ため、加熱した電極間調整リング１８により気化させる
ことで反応容器内を清浄な状態に保つことができ、エツ
チングの再現性を確保できる。ここで加熱手段をヒータ
としたが加熱した液体を循環させてもよい。なお、第１
の実施例と共通の部分は共通符号を付して、その説明を
省略する（以下、第３の実施例〜第６の実施例につい７
・・−７ でも同様である。）。
るとＡｌＣｌ３の反応生成物が反応容器内に再付着する
ため、加熱した電極間調整リング１８により気化させる
ことで反応容器内を清浄な状態に保つことができ、エツ
チングの再現性を確保できる。ここで加熱手段をヒータ
としたが加熱した液体を循環させてもよい。なお、第１
の実施例と共通の部分は共通符号を付して、その説明を
省略する（以下、第３の実施例〜第６の実施例につい７
・・−７ でも同様である。）。
第３図は本発明の第３の実施例における電極間調整リン
クの構成を示すものであり、電極間調整リング内周部に
複数のガス吹出し穴を設はウェハ面上に均一にガスを供
給するものである。
クの構成を示すものであり、電極間調整リング内周部に
複数のガス吹出し穴を設はウェハ面上に均一にガスを供
給するものである。
第３図において１９は電極間調整リングであり内周部に
複数のエツチングガス吹出し穴２０が設けである。１４
はエツチングガスの供給手段である。下部電極上のウェ
ハ面上に均一にエツチングガスを供給することで、ドラ
イエツチングの均一性が向上するものである。
複数のエツチングガス吹出し穴２０が設けである。１４
はエツチングガスの供給手段である。下部電極上のウェ
ハ面上に均一にエツチングガスを供給することで、ドラ
イエツチングの均一性が向上するものである。
第４図は本発明の第４の実施例における電極間調整リン
グの構成を示すものであり、一対の平行平板電極間に第
３の電極を設けることでエツチングパラメータの自由度
を増すものである。
グの構成を示すものであり、一対の平行平板電極間に第
３の電極を設けることでエツチングパラメータの自由度
を増すものである。
第４図において２１は第３の電極としての作用をも営む
電極間調整リングであり」二部電極１０と、下部電極６
間を覆い中央部に複数の貫通穴２２を設はブとものであ
る。２３は絶縁体で構成された電極間調整リンクであり
、２４は電位印加部で接地まだは直流電圧あるいは高周
波電力を印加しプラズマ状態を制御するものである。第
３の電極を設けることでエツチングパラメータの自由度
を増すことができ、任意のエツチング状態を容易に得ら
れる。
電極間調整リングであり」二部電極１０と、下部電極６
間を覆い中央部に複数の貫通穴２２を設はブとものであ
る。２３は絶縁体で構成された電極間調整リンクであり
、２４は電位印加部で接地まだは直流電圧あるいは高周
波電力を印加しプラズマ状態を制御するものである。第
３の電極を設けることでエツチングパラメータの自由度
を増すことができ、任意のエツチング状態を容易に得ら
れる。
第５図は未発明の第５の実施例における電極間調整リン
グの構成を示すものであり、電極間調整リングの内周部
に設けた複数のエツチングガスの排気穴よシ、反応容器
内のガスをウェハ上から均一に排気するものである。
グの構成を示すものであり、電極間調整リングの内周部
に設けた複数のエツチングガスの排気穴よシ、反応容器
内のガスをウェハ上から均一に排気するものである。
第５図において２５は電極間調整リングであり内周部に
複数のエツチングガス排気口２６がもうけである。２７
は電極間調整リング２５に接続した真空排気手段であシ
、真空ポンプや圧力コン１−ローラーから成る。下部電
極上のウェハ全周に対し均一にエツチングガスを排気で
き、ドライエツチングの均一性が向上する。
複数のエツチングガス排気口２６がもうけである。２７
は電極間調整リング２５に接続した真空排気手段であシ
、真空ポンプや圧力コン１−ローラーから成る。下部電
極上のウェハ全周に対し均一にエツチングガスを排気で
き、ドライエツチングの均一性が向上する。
第６図は本発明の第６の実施例における電極間調整リン
クの構成を示すものであシ、反応容器内壁を冷却するこ
とでドライエツチングによる反応９ ・〜−２ 生成物や水蒸気を吸着するものである。
クの構成を示すものであシ、反応容器内壁を冷却するこ
とでドライエツチングによる反応９ ・〜−２ 生成物や水蒸気を吸着するものである。
第６図において２８は電極間調整リングであり、リンク
の内周部は反応容器内壁を覆うよう構成したものである
。２９は冷却部で液体窒素などの冷却液を供給するもの
である。真空排気部にながれこむ反応生成物を反応容器
内壁部に吸付でき真空ポンプの劣化を防止できる。また
水蒸気などの吸着にも有効である。
の内周部は反応容器内壁を覆うよう構成したものである
。２９は冷却部で液体窒素などの冷却液を供給するもの
である。真空排気部にながれこむ反応生成物を反応容器
内壁部に吸付でき真空ポンプの劣化を防止できる。また
水蒸気などの吸着にも有効である。
発明の効果
以上のように本発明は真空反応容器を分割し各々に電極
を取付け、分割部に特定の厚さを持った１個又は復数個
のリングを組合せて挟みこむことによって、最適な電極
間距離が選択でき、以降の電極間距離によるエツチング
パラメータが固定され、エツチングの再現性を向上する
ことができる。
を取付け、分割部に特定の厚さを持った１個又は復数個
のリングを組合せて挟みこむことによって、最適な電極
間距離が選択でき、以降の電極間距離によるエツチング
パラメータが固定され、エツチングの再現性を向上する
ことができる。
まだ上部電極を固定することで摩耗によるダヌ１−の発
生源をなくし、ウェハ上へのダスト付着によるパターン
不良を無くすことができる。
生源をなくし、ウェハ上へのダスト付着によるパターン
不良を無くすことができる。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２１０、−
ッ 図は未発明の第２の実施例の断面図、第３図は本発明の
第３の実施例の断面図、第４図は本発明の第４の実施例
の断面図、第５図は本発明の第５の実施例の断面図、第
６図は本発明の第６の実施例の断面図、第７図は従来例
のドライエツチング装置における反応容器の断面図であ
る。 ５・・・・・下部反応容器、９・・・・・・上部反応容
器、１２・・・・・・電極間調整リング、１了・・・・
・・ヒータ、１８・・・・・・電極間調整リング、１９
・・・・・・電極間調整リンク、２０・・・・・・ガス
吹出し穴、２１．２３・・・・・・電極間調整リング、
２４・・・・・・電位印加部、２５・・・・・電極間調
整リング、２６・・・・・・ガス排気口、２８・・・・
・・電極間調整リンク、２９・・・・・・冷却部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名派
− 妬 マ←
ッ 図は未発明の第２の実施例の断面図、第３図は本発明の
第３の実施例の断面図、第４図は本発明の第４の実施例
の断面図、第５図は本発明の第５の実施例の断面図、第
６図は本発明の第６の実施例の断面図、第７図は従来例
のドライエツチング装置における反応容器の断面図であ
る。 ５・・・・・下部反応容器、９・・・・・・上部反応容
器、１２・・・・・・電極間調整リング、１了・・・・
・・ヒータ、１８・・・・・・電極間調整リング、１９
・・・・・・電極間調整リンク、２０・・・・・・ガス
吹出し穴、２１．２３・・・・・・電極間調整リング、
２４・・・・・・電位印加部、２５・・・・・電極間調
整リング、２６・・・・・・ガス排気口、２８・・・・
・・電極間調整リンク、２９・・・・・・冷却部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名派
− 妬 マ←
Claims (6)
- （１）平行平板方式のドライエッチング装置において、
反応容器を分割し各々に電極を取付け、分割部に特定の
厚さを持った１個または複数個のリングを挟みこむこと
を特徴とするドライエッチング装置。 - （２）リングの内周部が反応容器内壁を覆うよう構成し
、前記リング内部に発熱手段を設けた請求項１記載のド
ライエッチング装置。 - （３）リングの内周部に複数のガス吹出し穴を持つガス
供給手段を設けた請求項１記載のドライエッチング装置
。 - （４）リング内の周部で対向する電極間を覆うとともに
中央部に複数の貫通穴を設けさらに真空容器とリング間
に絶縁体を設け、リングに接地または電位を与えるよう
構成した請求項１記載のドライエッチング装置。 - （５）リングの内周部に複数のガス排気穴を持つ排気手
段を設けた請求項１記載のドライエッチング装置。 - （６）リングの内周部が反応容器の内壁を覆うように構
成し、リング内部に冷却手段を設けた請求項１記載のド
ライエッチング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117211A JP2926711B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | ドライエッチング装置 |
| KR1019890006274A KR930002675B1 (ko) | 1988-05-13 | 1989-05-10 | 드라이에칭장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117211A JP2926711B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287285A true JPH01287285A (ja) | 1989-11-17 |
| JP2926711B2 JP2926711B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=14706142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117211A Expired - Lifetime JP2926711B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | ドライエッチング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2926711B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002675B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008526026A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
| JP2008218908A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 真空容器、耐圧容器及びそれらのシール方法 |
| JP2010050479A (ja) * | 2009-10-26 | 2010-03-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6146029A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Nec Corp | プラズマ装置 |
| JPS6240829U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-11 | ||
| JPS62107439U (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-09 | ||
| JPS6393114A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63117211A patent/JP2926711B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-10 KR KR1019890006274A patent/KR930002675B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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|---|---|
| JP2926711B2 (ja) | 1999-07-28 |
| KR890017781A (ko) | 1989-12-18 |
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