JPS62219912A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS62219912A JPS62219912A JP6258886A JP6258886A JPS62219912A JP S62219912 A JPS62219912 A JP S62219912A JP 6258886 A JP6258886 A JP 6258886A JP 6258886 A JP6258886 A JP 6258886A JP S62219912 A JPS62219912 A JP S62219912A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 23
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- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。
半導体装置等の製造工程の一つであるシリコン基板（以
下ウェハと云う）上に５ｉ０２、Ｓ ｉ： Ｎ４ 、Ｐ
ＳＧなどの絶縁膜やアモルファスＳｔなどの半導体膜の
形成に従来からプラズマＣＶＤ装置が使われている。
下ウェハと云う）上に５ｉ０２、Ｓ ｉ： Ｎ４ 、Ｐ
ＳＧなどの絶縁膜やアモルファスＳｔなどの半導体膜の
形成に従来からプラズマＣＶＤ装置が使われている。
［従来技術］
従来用いられているプラズマＣＶＤ装置は第２図に示す
ように、アルミニュームまたはカーボンなどで形成され
た平行平板状電極１．２を設け、これらの間にウェハ３
を平行に置きウェハ３をヒータ等の加熱源４にて３００
〜４００℃に加熱すると共に、電極１．２間に高周波電
力を印加しつつノズル５から反応を起こすためのガスを
流し、このガスをプラズマ放電によって励起させ、ウェ
ハ３の表面に薄膜を形成させるようになっていた。
ように、アルミニュームまたはカーボンなどで形成され
た平行平板状電極１．２を設け、これらの間にウェハ３
を平行に置きウェハ３をヒータ等の加熱源４にて３００
〜４００℃に加熱すると共に、電極１．２間に高周波電
力を印加しつつノズル５から反応を起こすためのガスを
流し、このガスをプラズマ放電によって励起させ、ウェ
ハ３の表面に薄膜を形成させるようになっていた。
このような装置においては、プラズマ中にて活性化され
た反応ガス分子が反応室６全体に充満し、反応室６内壁
に付着堆積し、放置しておくと、再現性という点で間通
が有る為取り除かなくてはならなかった。しかし、内壁
の形状が複雑であるような場合、上記の作業は、非常に
困難であり、また時間のかかる作業であった。従って一
回あるいは数回処理を終了すると、上記のような作業を
行なう為に長時間装置を停止しなければならず非常に効
率が悪いという欠点があった。
た反応ガス分子が反応室６全体に充満し、反応室６内壁
に付着堆積し、放置しておくと、再現性という点で間通
が有る為取り除かなくてはならなかった。しかし、内壁
の形状が複雑であるような場合、上記の作業は、非常に
困難であり、また時間のかかる作業であった。従って一
回あるいは数回処理を終了すると、上記のような作業を
行なう為に長時間装置を停止しなければならず非常に効
率が悪いという欠点があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、平行平板形プラズマＣＶＤ装置におけ
るプラズマ放電の安定性を生かし、かつウェハ以外のと
ころで行なわれる無駄な堆積を極力省きバッチ当りの処
理枚数を多くしたプラズマＣＶＤ装置を提供することに
ある。
るプラズマ放電の安定性を生かし、かつウェハ以外のと
ころで行なわれる無駄な堆積を極力省きバッチ当りの処
理枚数を多くしたプラズマＣＶＤ装置を提供することに
ある。
［発明の要点］
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、プラズマＣＶＤ装置に
おいて、第１の半球状電極と、それより半径の大きなか
つ前記半球状電極と同心の第２の半球状電極により一つ
の電極対をなし、さらに第２の半球状電極の内面側にウ
ェハ取付具を設けたことを特徴にしている。
おいて、第１の半球状電極と、それより半径の大きなか
つ前記半球状電極と同心の第２の半球状電極により一つ
の電極対をなし、さらに第２の半球状電極の内面側にウ
ェハ取付具を設けたことを特徴にしている。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例を示した第１図について説明する
。カーボン或いはアルミ酸の内側電極１１は半球状であ
り、その下面に取り付けた管１２がロータリー接手１３
を介して不図示のガス源へ結ばれたガス供給管１４にＪ
ｉｉ続されていることにより、多数のガスの吹出口１５
から必要時ガスを吹き出すようになっている。管１２は
これに固着した歯車１６が不図示の電動機に接続された
歯車１７に噛み合っていることにより内側電極１２を回
転させるようになっており、また管１２はこれに接続し
た電線１８がアースされていることにより内側電極１１
をグランド電位にするようになっている。
。カーボン或いはアルミ酸の内側電極１１は半球状であ
り、その下面に取り付けた管１２がロータリー接手１３
を介して不図示のガス源へ結ばれたガス供給管１４にＪ
ｉｉ続されていることにより、多数のガスの吹出口１５
から必要時ガスを吹き出すようになっている。管１２は
これに固着した歯車１６が不図示の電動機に接続された
歯車１７に噛み合っていることにより内側電極１２を回
転させるようになっており、また管１２はこれに接続し
た電線１８がアースされていることにより内側電極１１
をグランド電位にするようになっている。
内側電極１１の外側にはこれと同心かつその半径を大き
くした半球状のカーボン或いはアルミ酸の外側電極２１
が設けてあり、その内面には多数の座ぐりが加工されて
おり、そこにウェハ２２をバネ状の保持具２３によりセ
ットするようになっている。なお、ウェハ２２はダ円形
に見えるがこれは斜に見たためで実際は円形であり、そ
の−側にはオリエンテーションフラッ）２２Ａが形成さ
れている。また外側電極２１は電線２４により高周波電
源２５へ接続されており、かつ内側電極１１との間に反
応室２６を形成し、内側電極１１から吹き出されたガス
を反応室２６外へ排出するためのガスの排出口２７が多
数段けである。
くした半球状のカーボン或いはアルミ酸の外側電極２１
が設けてあり、その内面には多数の座ぐりが加工されて
おり、そこにウェハ２２をバネ状の保持具２３によりセ
ットするようになっている。なお、ウェハ２２はダ円形
に見えるがこれは斜に見たためで実際は円形であり、そ
の−側にはオリエンテーションフラッ）２２Ａが形成さ
れている。また外側電極２１は電線２４により高周波電
源２５へ接続されており、かつ内側電極１１との間に反
応室２６を形成し、内側電極１１から吹き出されたガス
を反応室２６外へ排出するためのガスの排出口２７が多
数段けである。
外側電極２１のさらに外側にはこれとの間にガスの排出
路３１を形成すると共に、これと同心かつ半径の大きい
石英製の外チャンバー３２が設置されており、外チャン
バー３２は直接そして外側電極２１はその下面に置かれ
たＡ碍子３３を介して金属性の、下チヤンバ−３４上に
載置されている。上記した排出路３１は下チヤンバ−３
４に設けた排気口３５により外気に連通しており、外チ
ャンバー３２と下チヤンバ−３４とはボルト３６により
固定されている。さらに外チャンバー３２の外側には反
射鏡３７を有するランプ３８が股、けであることにより
外側電極２１とウェハ２２とはランプ３８により照射さ
れるようになっている０図において３９は電線２４を下
チヤンバ−３４に対して電気絶縁的に支持しかつ電線２
４の貫通部を気密にするための碍子であり４０ないし４
２はパツキンである。
路３１を形成すると共に、これと同心かつ半径の大きい
石英製の外チャンバー３２が設置されており、外チャン
バー３２は直接そして外側電極２１はその下面に置かれ
たＡ碍子３３を介して金属性の、下チヤンバ−３４上に
載置されている。上記した排出路３１は下チヤンバ−３
４に設けた排気口３５により外気に連通しており、外チ
ャンバー３２と下チヤンバ−３４とはボルト３６により
固定されている。さらに外チャンバー３２の外側には反
射鏡３７を有するランプ３８が股、けであることにより
外側電極２１とウェハ２２とはランプ３８により照射さ
れるようになっている０図において３９は電線２４を下
チヤンバ−３４に対して電気絶縁的に支持しかつ電線２
４の貫通部を気密にするための碍子であり４０ないし４
２はパツキンである。
次に前述した実施例の動作を説明する。先づポルト３６
を外し外チャンバー３２を取り出してから外側電極２１
を取り出し、その内面へ多数のウェハ２２を保持具２３
によりセットする。その後外側電極２１と外チャンバー
３２とを図示の位置に置いた後ボルト３６により外チャ
ンバー３２を下チヤンバ−３４に固定する０次いで反応
のためのガスをガス供給管１４から’ｉｌ？１２を通し
て内側電極１１内部へ入れ、ここから吹出口１５により
反応室２６へ吹き出させる。
を外し外チャンバー３２を取り出してから外側電極２１
を取り出し、その内面へ多数のウェハ２２を保持具２３
によりセットする。その後外側電極２１と外チャンバー
３２とを図示の位置に置いた後ボルト３６により外チャ
ンバー３２を下チヤンバ−３４に固定する０次いで反応
のためのガスをガス供給管１４から’ｉｌ？１２を通し
て内側電極１１内部へ入れ、ここから吹出口１５により
反応室２６へ吹き出させる。
同時に高周波電源２５をＯＮすることにより外側電極２
１と内側電極１１との間へ高周波を印加すると１両電極
２１と１１との間の反応室２６内のガスはプラズマ化さ
れる。そしてこのプラズマにより多数のウェハ２２の表
面上でＣＶＤが起きる。なお、このときガス吹田口１５
は回転しかりウェハ２２はランプ３８により加熱されて
いるため良質のＣＶＤ膜が得られる。また反応室２６に
流入したガスは反応の結果生成された反応後のガスとな
って、未反応に終った一部ガスと共に排出λ 口３７から排出路３１および排気口３５を通って外部へ
排気される。
１と内側電極１１との間へ高周波を印加すると１両電極
２１と１１との間の反応室２６内のガスはプラズマ化さ
れる。そしてこのプラズマにより多数のウェハ２２の表
面上でＣＶＤが起きる。なお、このときガス吹田口１５
は回転しかりウェハ２２はランプ３８により加熱されて
いるため良質のＣＶＤ膜が得られる。また反応室２６に
流入したガスは反応の結果生成された反応後のガスとな
って、未反応に終った一部ガスと共に排出λ 口３７から排出路３１および排気口３５を通って外部へ
排気される。
なお前記説明では１５を吹出口、そして２７を排出口に
したが、１５を排出口、２７を吹出口にしてもよい、ま
た外側電極２１を不図示の把持具により外チャンバー３
２へ固定するようにすれば、ウェハ２２の交換時外側電
極２１を外チャンバー３２と共に取り外すことが可能に
なって操作本発明のプラズマＣＶＤ装置は以上説明した
ように、従来の平行平板形プラズマＣＶＤ装置のプラズ
マ生成部を基本にしているためこれと同様に均一なプラ
ズマを得ることができる。また生成されたプラズマを覆
うような形状にウェハを配置するため１回のセットで多
数のウェハ処理が可能であり、生産性を高くすると共に
小さなパワーで多数のウェハ処理が可能である。さらに
従来の平行平板形プラズマＣＶＤ装置において、２枚の
平板の縁端で起っていた影響を電極を半球状にすること
により改善することが可能になる等の利点を有する。
したが、１５を排出口、２７を吹出口にしてもよい、ま
た外側電極２１を不図示の把持具により外チャンバー３
２へ固定するようにすれば、ウェハ２２の交換時外側電
極２１を外チャンバー３２と共に取り外すことが可能に
なって操作本発明のプラズマＣＶＤ装置は以上説明した
ように、従来の平行平板形プラズマＣＶＤ装置のプラズ
マ生成部を基本にしているためこれと同様に均一なプラ
ズマを得ることができる。また生成されたプラズマを覆
うような形状にウェハを配置するため１回のセットで多
数のウェハ処理が可能であり、生産性を高くすると共に
小さなパワーで多数のウェハ処理が可能である。さらに
従来の平行平板形プラズマＣＶＤ装置において、２枚の
平板の縁端で起っていた影響を電極を半球状にすること
により改善することが可能になる等の利点を有する。
第１図は本５１．ＩＪ１１の一実施例の断面図、第２図
は従来例の断面図である。 １１・・・第１の半球状電極、２１・・・第２の半球状
電極、２２・・・ウェハ、２３・・・ウェハ保持具。
は従来例の断面図である。 １１・・・第１の半球状電極、２１・・・第２の半球状
電極、２２・・・ウェハ、２３・・・ウェハ保持具。
Claims (3)
- （１）プラズマＣＶＤ装置において、第１の半球状電極
と、それより半径の大きなかつ前記半球状電極と同心の
第２の半球状電極により一つの電極対を成し、さらに第
２の半球状電極の内面側にウェハ保持具を設けたことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置 - （２）ウェハ保持具の取付けられた第２の半球状電極を
回転可能にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のプラズマＣＶＤ装置 - （３）ウェハ保持具の取付けられた第２の半球状電極が
容易に着脱可能に取付けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258886A JPS62219912A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258886A JPS62219912A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219912A true JPS62219912A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13204630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6258886A Pending JPS62219912A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219912A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439524A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US5779849A (en) * | 1994-06-02 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
| US5997686A (en) * | 1992-07-27 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Process for setting a working rate distribution in an etching or plasma CVD apparatus |
| JP2009266887A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6258886A patent/JPS62219912A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997686A (en) * | 1992-07-27 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Process for setting a working rate distribution in an etching or plasma CVD apparatus |
| US5439524A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US5503881A (en) * | 1993-04-05 | 1996-04-02 | Vlsi Technology, Inc. | Method of processing a semiconductor wafer |
| US5779849A (en) * | 1994-06-02 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
| JP2009266887A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 半導体製造装置 |
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