JPS6210308B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はドライエツチング装置に係り、特に被
処理物の載置手段を改良したドライエツチング装
置に関する。

〔発明の技術的背景およびその問題点〕

第７図は従来のケミカルドライエツチング装置
を示したもので、真空容器１の内部には、被処理
物２を載置する載置台３が配設され、上記真空容
器１の上面には、エツチングガスを真空容器内に
均一に導入するためのガス分散管４が取り付けら
れており、このガス分散管４には、ガス導入管５
が接続されている。このガス導入管５の中途部に
は、石英管からなる放電管６が介設されており、
この放電管６に導波管７を介して高周波出力８を
印加することによりプラズマを発生させるように
なされている。また、上記真空容器１の下面に
は、図示しない真空ポンプに接続されるガス排出
管９がマニホールド１０を介して接続されてい
る。

上記装置においては、載置台３の上面に被処理
物２を載置し、ガス排出管９を介して真空容器１
の真空排気を行なう。その後、ガス導入管５によ
りCF₄等のエツチングガスを送り、真空容器１内
を所定圧力のガス雰囲気とし、放電管６に高周波
出力８を印加することによりガスプラズマを発生
させる。そして、このガスプラズマの発生により
エツチングガスとしてのフツ素ラジカルが生成さ
れ、真空容器１内の被処理物２のエツチングを行
なうようになされる。上記装置の場合、エツチン
グ処理と、プラズマ発生とを別個の室で行なうた
め、被処理物がプラズマの照射による損傷を受け
ることがないという利点を有している。

しかし、上記装置では、被処理物２を平面的に
並べて載置するため、１回のエツチング工程にお
ける処理枚数が少なく生産効率が悪いという問題
があり、このことは、近年における被処理物の大
口径化に伴ない特に顕著となつていた。また、上
記問題を解決するためには、真空容器を大型にす
る必要があるが処理時間や設備費等の面で好まし
くないという問題がある。

〔発明の目的〕

本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
真空容器を大型にすることなく、被処理物の生産
効率を高めることのできるドライエツチング装置
を提供することを目的とするものである。

〔発明の概要〕

上記目的達成のため本発明に係るドライエツチ
ング装置は、真空容器内部にエツチングガスを送
るガス導入管および上記エツチングガスを排気す
るガス排出管を設け、上記ガス導入管の中途部に
プラズマ発生装置を介設してなるドライエツチン
グ装置において、上記真空容器内部に被処理物を
多段に載置する載置棚を設けるとともに、この載
置棚に上記各被処理物の間に各被処理物を仕切る
遮蔽板を設けたことをその特徴とするものであ
る。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図乃至第６図を参
照し、第７図と同一部分には同一符号を付して説
明する。

第１図は本発明の一実施例を示したもので、ガ
ス導入管５およびガス排出管９は、真空容器１の
側面に対向して設けられており、真空容器１の内
部には、被処理物２を水平に多段に載置する載置
棚１１が設けられている。この載置棚１１は、下
面にシヤフト１２が取付けられた支持台１３上に
載置されており、上記シヤフト１２の端部は真空
容器１の下面を貫通してモータ１４に接続され、
エツチング中に支持台１３を回転させるようにな
されている。また、第２図に示すように上記載置
棚１１の対向する側面には、所定間隔をもつて支
持溝１５，１５…が形成されており、この支持溝
１５には、被処理物２を多段に載置するととも
に、この各被処理物２の間にAl製の遮蔽板１
６，１６…を載置し、各被処理物２を遮蔽板１６
により仕切るようになされている。

本実施例においては、載置棚１１に被処理物２
を載置することにより、多数枚の被処理物２を一
度にしかも均一にエツチングすることができる。

次に、第３図に示すように、基板１７の上面に
熱酸化法による100Å厚の熱酸化膜１８を形成
し、この熱酸化膜１８の上面にシラン（SiH₄）の
熱分解による減圧気相成長法により多結晶シリコ
ン層１９を堆積した後、1000℃のリン拡散したも
のをポジ型レジスト２０でマスク形成してなる被
処理物を用いて、CF₄ガス流量が100SCCM、O₂
ガス流量が100SCCM、エツチング圧力が15Pa、
高周波出力が800Wの条件下で行なつた実験結果
を第４図乃至第６図に示す。

第４図は遮蔽板を用いない場合のエツチング速
度を示したもので、被処理物を載置棚の中央部に
１枚載置したときに比べて、25枚載置したときは
エツチングの均一性が低下しているのがわかる。
これは、エツチング時における化学反応により、
被処理物の温度が上昇し、被処理物から放射され
る赤外線による輻射熱により隣接する被処理物が
加熱されてしまうためである。しかし、遮蔽板を
用いると、第５図に示すように、被処理物を25枚
載置した場合でも、極めて高いエツチングの均一
性を得ることができることがわかる。このこと
は、第６図に示す被処理物の温度変化をみるとわ
かるように、遮蔽板による輻射熱の熱遮断効果が
高いことに起因するものである。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明に係るドライエツチン
グ装置は、真空容器の内部に、被処理物を多段に
載置するとともに、各被処理物の間を仕切る遮蔽
板を有する載置棚を設けるようにしたので、真空
容器を大型化することなく、多数枚の被処理物を
一度にエツチングすることができ、生産効率を著
しく向上させることができる。また、多段に載置
された被処理物のエツチングの均一性を損なう要
因である輻射熱を、遮蔽板により遮断することが
できるので、エツチングの均一性が極めて良好と
なる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明の一実施例を示した
もので、第１図は概略構成図、第２図は載置棚部
分の縦断面図、第３図は被処理物の拡大断面図、
第４図および第５図は被処理物の位置とエツチン
グ速度との関係を示すそれぞれ線図、第６図はエ
ツチング時の被処理物の温度変化を示す線図、第
７図は従来のドライエツチング装置を示す概略構
成図である。 １……真空容器、２……被処理物、３……載置
台、４……ガス分散管、５……ガス導入管、６…
…放電管、７……導波管、８……高周波出力、９
……ガス排出管、１０……マンホールド、１１…
…載置棚、１２……シヤフト、１３……支持台、
１４……モータ、１５……支持溝、１６……遮蔽
板、１７……基板、１８……熱酸化膜、１９……
シリコン層、２０……ポジ型レジスト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 真空容器内部にエツチングガスを送るガス導
   入管および上記エツチングガスを排気するガス排
   出管を設け、上記ガス導入管の中途部にプラズマ
   発生装置を介設してなるドライエツチング装置に
   おいて、上記真空容器内部に被処理物を多段に載
   置する載置棚を設けるとともに、この載置棚に上
   記各被処理物の間に各被処理物を仕切る遮蔽板を
   設けたことを特徴とするドライエツチング装置。