JPH0670988B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0670988B2 JPH0670988B2 JP62215292A JP21529287A JPH0670988B2 JP H0670988 B2 JPH0670988 B2 JP H0670988B2 JP 62215292 A JP62215292 A JP 62215292A JP 21529287 A JP21529287 A JP 21529287A JP H0670988 B2 JPH0670988 B2 JP H0670988B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- dry etching
- etching method
- organic polymer
- polymer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は有機高分子膜の灰化方法を改良したドライエッ
チング方法に関する。
チング方法に関する。
（従来の技術） 半導体集積回路の製造に際しは、感光性樹脂を用いる写
真蝕刻法によりパターンを形成することが多い。
真蝕刻法によりパターンを形成することが多い。
この場合、感光性樹脂としてはポジ型、ネガ型等各種の
レジストが用いられており、このレジストをマスクとし
て下地薄膜のエッチングを行い、パターンを形成する。
レジストが用いられており、このレジストをマスクとし
て下地薄膜のエッチングを行い、パターンを形成する。
エッチング後、レジストは剥離される。このレジストの
剥離は、古くは被処理基体を硫酸と過酸化水素の混合液
中で煮沸することにより行われていたが、操作性がよく
ない上に危険であること等の理由から、最近では、酸素
プラズマを利用したプラズマ灰化法が広く用いられるよ
うになってきた。
剥離は、古くは被処理基体を硫酸と過酸化水素の混合液
中で煮沸することにより行われていたが、操作性がよく
ない上に危険であること等の理由から、最近では、酸素
プラズマを利用したプラズマ灰化法が広く用いられるよ
うになってきた。
酸素プラズマ灰化法は、石英製の円筒型真空容器内にレ
ジストのついた試料を入れ、容器内を真空に排気した
後、酸素を導入し、真空容器の回りに巻かれたコイルを
介して誘導結合的に、または真空容器の両側に設けられ
た平板電極により容量的に、高周波電力を印加して酸素
プラズマを発生させ、生じた酸素原子や酸素イオンの作
用によりレジストを燃やしてしまう方法である。
ジストのついた試料を入れ、容器内を真空に排気した
後、酸素を導入し、真空容器の回りに巻かれたコイルを
介して誘導結合的に、または真空容器の両側に設けられ
た平板電極により容量的に、高周波電力を印加して酸素
プラズマを発生させ、生じた酸素原子や酸素イオンの作
用によりレジストを燃やしてしまう方法である。
（発明が解決しようとする問題点） 上述の酸素プラズマ灰化法では、パターンの中央部に残
留物が残るという難点があり、有機高分子膜を完全に除
去できないという欠点があった。
留物が残るという難点があり、有機高分子膜を完全に除
去できないという欠点があった。
これに変わる新方法として、活性化されたフッ素を含む
ガスと、水素と酸素を含むガスを作用させる方法があ
る。この方法によれば、残渣なく有機高分子膜を灰化す
ることができるが、灰化速度がばらつくという難点があ
った。
ガスと、水素と酸素を含むガスを作用させる方法があ
る。この方法によれば、残渣なく有機高分子膜を灰化す
ることができるが、灰化速度がばらつくという難点があ
った。
本発明は上記事情を考慮してされたもので、有機高分子
膜を完全に除去することができ、信頼性及び歩留の向上
をはかり得る有機高分子膜の剥離工程を備えたドライエ
ッチング方法を提供することを目的とするものである。
膜を完全に除去することができ、信頼性及び歩留の向上
をはかり得る有機高分子膜の剥離工程を備えたドライエ
ッチング方法を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の特徴は、ガスを活性化する手段を有する真空容
器内の載置台上に有機高分子膜を有する被処理基体を載
置し、活性化されたNF3ガスからなる第１のガスと、酸
素と水素を含んだ第２のガスとを混合して得られる反応
ガスを被処理基体に作用させて有機高分子膜を剥離させ
るドライエッチング方法において、前記第１のガスの混
合ガスに占める割合を40％以上80％以下の範囲に設定す
ることを特徴とするものである。
器内の載置台上に有機高分子膜を有する被処理基体を載
置し、活性化されたNF3ガスからなる第１のガスと、酸
素と水素を含んだ第２のガスとを混合して得られる反応
ガスを被処理基体に作用させて有機高分子膜を剥離させ
るドライエッチング方法において、前記第１のガスの混
合ガスに占める割合を40％以上80％以下の範囲に設定す
ることを特徴とするものである。
（作用） 第１のガスの混合比を上記のように制御して有機高分子
膜の灰化を行うと、再現性よく、しかも高速の灰化速度
が得られる。
膜の灰化を行うと、再現性よく、しかも高速の灰化速度
が得られる。
（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明において使用されるドライエッチング装
置を例示したもので、真空容器１内には被処理物（ウェ
ハ）２が載置台３上に載置されている。被処理物２の上
方に開口するガスノズル４には放電管５を介して第１ガ
ス導入管６が連結されている。放電管５には導波管７を
介してマイクロ波電力が供給される。また、ノズル４内
に同心的に配置した小ノズル８には第２ガス導入管９が
接続されている。10はガス排出管を示す。
置を例示したもので、真空容器１内には被処理物（ウェ
ハ）２が載置台３上に載置されている。被処理物２の上
方に開口するガスノズル４には放電管５を介して第１ガ
ス導入管６が連結されている。放電管５には導波管７を
介してマイクロ波電力が供給される。また、ノズル４内
に同心的に配置した小ノズル８には第２ガス導入管９が
接続されている。10はガス排出管を示す。
このような構成のエッチング装置において、フッ素系ハ
ロゲン化合物から成る第１ガスとしてNF3を、また酸素
と水素を含んだ第２ガスとしてH2Oを用いる場合には、
第１ガス導入管６よりNF3ガスを流し、石英製の放電管
５内で導波管７からのマイクロ波を印加することにより
プラズマを発生させる。そこで発生したＦ＊をガスノズ
ル４を通して被処理物２の表面まで導入すると同時に、
第２ガス導入管９よりH2Oを小ノズル８を通して被処理
物２の表面に導く。
ロゲン化合物から成る第１ガスとしてNF3を、また酸素
と水素を含んだ第２ガスとしてH2Oを用いる場合には、
第１ガス導入管６よりNF3ガスを流し、石英製の放電管
５内で導波管７からのマイクロ波を印加することにより
プラズマを発生させる。そこで発生したＦ＊をガスノズ
ル４を通して被処理物２の表面まで導入すると同時に、
第２ガス導入管９よりH2Oを小ノズル８を通して被処理
物２の表面に導く。
被処理物２としては、第２図に示すようにシリコン基板
11の上面に熱酸化法により1,000オングストローム程度
の熱酸化膜12を形成し、この熱酸化膜12の表面にLP−CV
D法によりポリシリコン13を約4,000オングストローク堆
積させ、ポジ型レジスト14で膜厚1.2μ程度のマスクを
形成した後、RIE装置でポリシリコン13をエッチングし
たものを用いた。
11の上面に熱酸化法により1,000オングストローム程度
の熱酸化膜12を形成し、この熱酸化膜12の表面にLP−CV
D法によりポリシリコン13を約4,000オングストローク堆
積させ、ポジ型レジスト14で膜厚1.2μ程度のマスクを
形成した後、RIE装置でポリシリコン13をエッチングし
たものを用いた。
第３図は上記の実施例におけるポジ型レジスト14のエッ
チレートを示したものである。同図に示すごとく、（NF
3＋H2O）の流量に対してNF3の流量が70％程度の所でエ
ッチレートはピークに達し、40％以上80％の範囲で高速
のエッチレートが得られている。
チレートを示したものである。同図に示すごとく、（NF
3＋H2O）の流量に対してNF3の流量が70％程度の所でエ
ッチレートはピークに達し、40％以上80％の範囲で高速
のエッチレートが得られている。
H2Oを流さない場合のサンプルを用い、円筒型（バレル
タイプ）の酸素プラズマエッチング装置でポジ型レジス
ト14を灰化した場合にはSEM観察でポジ型レジスト14が
完全に除去できないことが認められているが、本発明に
おいてはポジ型レジスト14が完全に除去できることが判
明した。
タイプ）の酸素プラズマエッチング装置でポジ型レジス
ト14を灰化した場合にはSEM観察でポジ型レジスト14が
完全に除去できないことが認められているが、本発明に
おいてはポジ型レジスト14が完全に除去できることが判
明した。
このように本発明方法によればRIE装置でダメージを受
けたポジ型レジストでも完全に除去することができる。
けたポジ型レジストでも完全に除去することができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではない。
例えば前記実施例に示した放電室分離型ケミカルドライ
エッチング装置にかえて、第４図や第５図に示す円筒型
（バレルタイプ）のプラズマ装置や、第６図に示す平行
平板型のプラズマ装置を使用してもよく、また、ECRな
どに酸素と水素を含んだガスを添加してもよい。これら
の図中、20は高周波電力源を示し、他の構成要素は第１
図におけると同じである。
例えば前記実施例に示した放電室分離型ケミカルドライ
エッチング装置にかえて、第４図や第５図に示す円筒型
（バレルタイプ）のプラズマ装置や、第６図に示す平行
平板型のプラズマ装置を使用してもよく、また、ECRな
どに酸素と水素を含んだガスを添加してもよい。これら
の図中、20は高周波電力源を示し、他の構成要素は第１
図におけると同じである。
上述のように、本発明によれば、有機高分子膜の灰化を
完全に行うことができる。
完全に行うことができる。
第１図は本発明において使用されるエッチング装置の概
略構成図、第２図は被処理物の拡大断面図、第３図はエ
ッチング混合比とエッチング速度の関係を示す線図、第
４図は円筒型（バレルタイプ）のプラズマ発生装置の概
略横断面図、第５図はその概略縦断面図、第６図は平行
平板型のプラズマ発生装置を示す概略構成図である。 １……真空容器、２……被処理物（ウェハ）、３……載
置台、４……ガスノズル、５……放電管、６……第１ガ
ス導入管、７……導波管、８……小ノズル、９……ガス
導入管、10……ガス排出管,11……シリコン基板、12…
…熱酸化膜、13……ポリシリコン、14……レジスト、20
……高周波電力源。
略構成図、第２図は被処理物の拡大断面図、第３図はエ
ッチング混合比とエッチング速度の関係を示す線図、第
４図は円筒型（バレルタイプ）のプラズマ発生装置の概
略横断面図、第５図はその概略縦断面図、第６図は平行
平板型のプラズマ発生装置を示す概略構成図である。 １……真空容器、２……被処理物（ウェハ）、３……載
置台、４……ガスノズル、５……放電管、６……第１ガ
ス導入管、７……導波管、８……小ノズル、９……ガス
導入管、10……ガス排出管,11……シリコン基板、12…
…熱酸化膜、13……ポリシリコン、14……レジスト、20
……高周波電力源。
Claims (1)
- 【請求項１】ガスを活性化する手段を有する真空容器内
の載置台上に有機高分子膜を有する被処理基体を載置
し、活性化されたNF3ガスからなる第１のガスと、酸素
と水素を含んだ第２のガスとを混合して得られる反応ガ
スを被処理基体に作用させて有機高分子膜を剥離させる
ドライエッチング方法において、前記第１のガスの混合
ガスに占める割合を40％以上80％以下の範囲に設定した
ことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62215292A JPH0670988B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62215292A JPH0670988B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6459819A JPS6459819A (en) | 1989-03-07 |
| JPH0670988B2 true JPH0670988B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=16669905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62215292A Expired - Lifetime JPH0670988B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670988B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031530A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング装置 |
| KR100293918B1 (ko) * | 1998-05-04 | 2001-11-30 | 김영환 | 금속식각시생성된폴리머연화방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856421A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60109233A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH0614519B2 (ja) * | 1984-03-16 | 1994-02-23 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理の制御方法 |
| JPS61127877A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1987
- 1987-08-31 JP JP62215292A patent/JPH0670988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6459819A (en) | 1989-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100419972C (zh) | 用于有机硅酸盐玻璃低k介质腐蚀应用的用o2和nh3的蚀刻后光刻胶剥除 | |
| US20060201911A1 (en) | Methods of etching photoresist on substrates | |
| US20080182422A1 (en) | Methods of etching photoresist on substrates | |
| US5851302A (en) | Method for dry etching sidewall polymer | |
| JP2700316B2 (ja) | 有機物質表面の改質方法 | |
| US5908735A (en) | Method of removing polymer of semiconductor device | |
| CN113805442A (zh) | 一种去除光刻胶的方法 | |
| JPH0249425A (ja) | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 | |
| JPH1187324A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0670988B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH1187313A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| WO2003017343A1 (fr) | Procede de developpement a sec | |
| JP3263880B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP3166350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000012521A (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| KR100528266B1 (ko) | 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법 | |
| JPH08279487A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPS61247033A (ja) | テ−パエツチング方法 | |
| JPH06181190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20030000626A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| JPH042123A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS6221225A (ja) | レジストのアツシング方法 | |
| JPS63292626A (ja) | レジストの剥離方法 | |
| JPH01130526A (ja) | レジスト剥離装置 | |
| JPH0125222B2 (ja) |