JPS6221225A - レジストのアツシング方法 - Google Patents
レジストのアツシング方法Info
- Publication number
- JPS6221225A JPS6221225A JP16030885A JP16030885A JPS6221225A JP S6221225 A JPS6221225 A JP S6221225A JP 16030885 A JP16030885 A JP 16030885A JP 16030885 A JP16030885 A JP 16030885A JP S6221225 A JPS6221225 A JP S6221225A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- ashing
- silicon
- resist pattern
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
プラズマダウンフローアッシングでシリコン板上に形成
されたレジストをアッシングする際に、真空室のシリコ
ン単結晶板窓を通して赤外線ランプ照射を行なう。
されたレジストをアッシングする際に、真空室のシリコ
ン単結晶板窓を通して赤外線ランプ照射を行なう。
本発明は、半導体装置製造におけるリソグラフィ技術、
より詳しくは、レジストのアッシング（灰化）方法の改
善に関するものである。
より詳しくは、レジストのアッシング（灰化）方法の改
善に関するものである。
半導体素子製造での微細加工のためにレジストパターン
がエツチングマスクとして使用されており、マスクとし
ての用が済んだ後でこのレジストパターンを除去（剥離
）する。この除去が溶剤を用いたウェトプロセスから酸
素プラズマを利用したドライプロセスで行なわれるよう
になってきた。
がエツチングマスクとして使用されており、マスクとし
ての用が済んだ後でこのレジストパターンを除去（剥離
）する。この除去が溶剤を用いたウェトプロセスから酸
素プラズマを利用したドライプロセスで行なわれるよう
になってきた。
レジストをプラズマダウンフローアッシングするために
は酸素（０□）ガスのみではアッシングレートが遅し゛
）ために四弗化炭素（ＣＦ４）ガスが１０〜２０％はど
添加されている（例えば、堀池他：ケミカルドライエッ
チング技術、電子材料、１９７８年３月号（Ｖｏｌ、１
Ｂ 、 Ｎａ３ ） 、 ｐ、６０−６６および７１．
参照）。このようなプラズマアッシング装置としては各
種の構造のものが知られているが、本願では、特に、レ
ジストパターンの形成された基板を収容している真空室
とこれに輸送管でもって接続されたプラズマ発生室とを
備えたブラズアッシング装置を使用する。
は酸素（０□）ガスのみではアッシングレートが遅し゛
）ために四弗化炭素（ＣＦ４）ガスが１０〜２０％はど
添加されている（例えば、堀池他：ケミカルドライエッ
チング技術、電子材料、１９７８年３月号（Ｖｏｌ、１
Ｂ 、 Ｎａ３ ） 、 ｐ、６０−６６および７１．
参照）。このようなプラズマアッシング装置としては各
種の構造のものが知られているが、本願では、特に、レ
ジストパターンの形成された基板を収容している真空室
とこれに輸送管でもって接続されたプラズマ発生室とを
備えたブラズアッシング装置を使用する。
アッシング（反応）ガス中にＣＦ ａを含有しているた
めに“プラズマ中で解離して弗素ラジカルビが生じ、こ
れがシリコンおよびその化合物を工・ノチングすること
になってしまう−すなわち、シリコンウェハ（単結晶基
板）、多結晶シリコン層あるいはアモルファスシリコン
層が露出した状態でレジストパターンをアッシング除去
するときには、露出しているシリコンをエツチングする
ことになる。
めに“プラズマ中で解離して弗素ラジカルビが生じ、こ
れがシリコンおよびその化合物を工・ノチングすること
になってしまう−すなわち、シリコンウェハ（単結晶基
板）、多結晶シリコン層あるいはアモルファスシリコン
層が露出した状態でレジストパターンをアッシング除去
するときには、露出しているシリコンをエツチングする
ことになる。
レジスト／シリコンのエッチレート比を大きくすること
、すなわち、レジストのアンシングレートを高めてレジ
ストアッシング時間を短かくしてシリコンのエツチング
を小さくすることが求められている。
、すなわち、レジストのアンシングレートを高めてレジ
ストアッシング時間を短かくしてシリコンのエツチング
を小さくすることが求められている。
〔問題点を解決するだめの手段および作用〕ｏｔガスお
よびＣＦ ａガスを用いたプラズマダウンフローアッシ
ングによってレジストをア・ノシングする際に、レジス
トのアッシングレート（灰化速度）を高めるたてめに、
本発明によると、真空室のシリコン単結晶板窓を通して
赤外線ランプでレジストパターンの形成されたシリコン
板を照射する。
よびＣＦ ａガスを用いたプラズマダウンフローアッシ
ングによってレジストをア・ノシングする際に、レジス
トのアッシングレート（灰化速度）を高めるたてめに、
本発明によると、真空室のシリコン単結晶板窓を通して
赤外線ランプでレジストパターンの形成されたシリコン
板を照射する。
本発明ではシリコン単結晶板を透過した赤外線なのでシ
リコンのフォノン（格子振動）を励起しない。
リコンのフォノン（格子振動）を励起しない。
一方、レジストは赤外線によって強く振動励起され、加
熱されるので、アッシングレートが高められる。したが
って、レジスト／シリコンのエッチレート比が高まる。
熱されるので、アッシングレートが高められる。したが
って、レジスト／シリコンのエッチレート比が高まる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に係るレジストのアッシングを行なう
プラズマアッシング装置の概略図である。
プラズマアッシング装置の概略図である。
このプラズマアッシング装置は、ガス流入管１および排
気管２を備えた真空室３を有する。゛ガス流入管１には
ガスプラズマ発生領域室４があり、ここに０２ガスおよ
びＣＦ ａガスが供給されかつマイクロ波あるいは高周
波電力が印加される・一方、排気管２は図示していない
真空ポンプに接続されている。本発明では真空室３の壁
体に孔があけられてそこにシリコン単結晶板（ウェハー
）５が気密に取付けられて窓となっている。この窓の外
側に赤外線ランプ６が配置されており、真空室３内部を
照射するようになっている。
気管２を備えた真空室３を有する。゛ガス流入管１には
ガスプラズマ発生領域室４があり、ここに０２ガスおよ
びＣＦ ａガスが供給されかつマイクロ波あるいは高周
波電力が印加される・一方、排気管２は図示していない
真空ポンプに接続されている。本発明では真空室３の壁
体に孔があけられてそこにシリコン単結晶板（ウェハー
）５が気密に取付けられて窓となっている。この窓の外
側に赤外線ランプ６が配置されており、真空室３内部を
照射するようになっている。
上述した装置でもって次のようにしてレジストがアッシ
ングされる。
ングされる。
まず、レジストパターン７がその上に形成されているシ
リコン基板（例えば、シリコン単結晶基板、多結晶又は
アモルファスシリコン層を有する基板）８を真空室３内
へ配置し、真空ポンプによって減圧する。ガス流入管１
のプラズマ発生領域室４内へＯｔガスとＣＦ ４ガスと
を導入し、内部圧力０．５〜２ Ｔｏｒｒでマイクロ波
電力（２，４５ＧＨｚ）を印加してガスプラズマを発生
させる。同時に、赤外線ランプ６を点灯してシリコン単
結晶板室５を通してシリコン基板８を照らす。このよう
にしてかレジストパターン７を化学的にエツチングして
レジストをアッシングする。
リコン基板（例えば、シリコン単結晶基板、多結晶又は
アモルファスシリコン層を有する基板）８を真空室３内
へ配置し、真空ポンプによって減圧する。ガス流入管１
のプラズマ発生領域室４内へＯｔガスとＣＦ ４ガスと
を導入し、内部圧力０．５〜２ Ｔｏｒｒでマイクロ波
電力（２，４５ＧＨｚ）を印加してガスプラズマを発生
させる。同時に、赤外線ランプ６を点灯してシリコン単
結晶板室５を通してシリコン基板８を照らす。このよう
にしてかレジストパターン７を化学的にエツチングして
レジストをアッシングする。
■
下記条件で上述したプラズマアッシング装置を運転して
、赤外線ランプを点灯した本発明の場合と点灯しない比
較例（従来例）の場合とでのレジスト／シリコンのエッ
チレート比を求めた。
、赤外線ランプを点灯した本発明の場合と点灯しない比
較例（従来例）の場合とでのレジスト／シリコンのエッ
チレート比を求めた。
０□ガス流量： ３ＱＯｓｃｃＭ
ＣＦ ４ガス流量： ２Ｑ ＳＣＣＭ
真空室圧カニ ０．５ Ｔｏｒｒ
マイクロ波電カニ １ｋＷ （２，４５ＭＨｚ）赤外線
ランプ：１００Ｗ レジスト：ｐＭＭＡ シリコン基板：シリコン単結晶基板（ウエノ１−）本発
明の場合でのレジスト／シリコンのエッチレート比は２
０であり、一方、比較例の場合でのエッチレート比は１
３であった。
ランプ：１００Ｗ レジスト：ｐＭＭＡ シリコン基板：シリコン単結晶基板（ウエノ１−）本発
明の場合でのレジスト／シリコンのエッチレート比は２
０であり、一方、比較例の場合でのエッチレート比は１
３であった。
プラズマエツチングによるレジストのアッシングで赤外
線をレジストパターンを有するシリコン基板に照射する
ことによってレジスト／シリコンのエッチレート比を大
きくすることができる。したがって、レジストのアッシ
ング時間を短かくすることができ、それだけシリコンの
エツチング量が低減される。
線をレジストパターンを有するシリコン基板に照射する
ことによってレジスト／シリコンのエッチレート比を大
きくすることができる。したがって、レジストのアッシ
ング時間を短かくすることができ、それだけシリコンの
エツチング量が低減される。
第１図は、本発明に係るレジストのアッシングを行なう
プラズマダウンフローアッシング装置の概略図である。 １・・・ガス流入管、 ３・・・真空室、 ４・・・プラズマ発生領域室、 ５・・・シリコン単結晶板、 ６・・・赤外線ランプ、 ７・・・レジストパターン、 ８・・・シリコン基板。 ○２＋こＦ４ プラズマダウンフローアッシング装置の概略図第ｉ図 ３・・・真空室 ６・・・赤外線ランプ ７２９．レジストパターン ８・・・シリコン基板
プラズマダウンフローアッシング装置の概略図である。 １・・・ガス流入管、 ３・・・真空室、 ４・・・プラズマ発生領域室、 ５・・・シリコン単結晶板、 ６・・・赤外線ランプ、 ７・・・レジストパターン、 ８・・・シリコン基板。 ○２＋こＦ４ プラズマダウンフローアッシング装置の概略図第ｉ図 ３・・・真空室 ６・・・赤外線ランプ ７２９．レジストパターン ８・・・シリコン基板
Claims (1)
- １、半導体装置の製造でのプラズマダウンフローアッシ
ングによってレジストをアッシングする方法において、
レジストパターンの形成されたシリコン板が真空室のシ
リコン単結晶板窓を通して赤外線ランプによって照射さ
れていることを特徴とするレジストのアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16030885A JPS6221225A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | レジストのアツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16030885A JPS6221225A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | レジストのアツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221225A true JPS6221225A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15712148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16030885A Pending JPS6221225A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | レジストのアツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6221225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110432U (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | ||
| CN1084304C (zh) * | 1999-11-19 | 2002-05-08 | 清华大学 | 氧化锆固溶体超细粉的合成方法 |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP16030885A patent/JPS6221225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110432U (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | ||
| CN1084304C (zh) * | 1999-11-19 | 2002-05-08 | 清华大学 | 氧化锆固溶体超细粉的合成方法 |
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