JPH04343423A - ダメージフリードライエッチング方法 - Google Patents

ダメージフリードライエッチング方法

Info

Publication number
JPH04343423A
JPH04343423A JP3145641A JP14564191A JPH04343423A JP H04343423 A JPH04343423 A JP H04343423A JP 3145641 A JP3145641 A JP 3145641A JP 14564191 A JP14564191 A JP 14564191A JP H04343423 A JPH04343423 A JP H04343423A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etched
sulfur
substrate
etching
damage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3145641A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Sato
淳一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP3145641A priority Critical patent/JPH04343423A/ja
Publication of JPH04343423A publication Critical patent/JPH04343423A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置等の製造
の際に利用されるドライエッチング方法に関し、特にイ
オン照射を使用しないダメージフリーのドライエッチン
グ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】これまでのドライエッチング技術に主流
は、反応ガスを低温プラズマ化し生成したイオン種、電
子、ラジカルで被エッチング基板をエッチングするとい
うものであった。
【0003】しかしながら、このような荷電粒子により
エッチングを行うと、被エッチング基板に結晶欠陥が発
生したり、また、被エッチング基板のチャージアップが
生じ、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が生ずる等の種々の基板
のダメージが発生するという問題がある。今後も半導体
素子の微細化、高集積化という技術の流れにおいては、
この問題がますます顕在化するものと考えられる。
【0004】このため、基板にダメージを与えないドラ
イエッチング方法として、荷電粒子を利用しない方法が
考えられる。このような方法として光エッチング技術が
ある。この技術は、電気的に中性のラジカルだけをエッ
チャントとしてエッチング室に輸送して光照射し、被エ
ッチング基板のエッチングを行うものである。また、こ
の光エッチング技術においては、良好な異方性エッチン
グ加工を実現するために、エッチャントの他にメタクリ
ル酸メチルのポリマーを基板の全面に堆積し、次いで被
エッチング領域にエキシマレーザーを照射することによ
り被エッチング領域のポリマーを分解除去する一方で、
光が照射されない側壁に堆積したポリマーを側壁保護膜
として利用することにより異方性エッチング加工を実現
することも提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
光エッチング技術においては、側壁保護膜としてメタク
リル酸メチルポリマーを使用しているので、エッチング
終了後に側壁をカバーしていたポリマーを完全に除去す
ることが困難であり、ダストが生じるという問題があっ
た。
【0006】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、容易に除去できる側壁保
護膜を利用し、異方性エッチングが可能なダメージフリ
ーのドライエッチング方法を提供することを目的とする
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、ハロゲン化イオウを含む反応ガスの
プラズマを生成する工程;該プラズマ中の荷電粒子を除
去し、残余のハロゲンラジカル及びイオウラジカルをエ
ッチング室に導入し、表面にフォトレジストパターンが
形成された被エッチング基板上にイオウ層を形成する工
程;被エッチング基板に光を照射することにより少なく
ともその被エッチング領域のイオウ層を昇華除去する工
程;及びイオウ層が除去された被エッチング領域をハロ
ゲンラジカルでエッチングする工程を含むことを特徴と
するダメージフリードライエッチング方法を提供する。
【0008】この発明においては、反応ガスとしてハロ
ゲン化イオウを用い、それを低温プラズマ化する。プラ
ズマ化により生じたイオウラジカルは低温、好ましくは
0℃以下に冷却された被エッチング基板に容易に堆積し
、また、常温以上の温度では容易に昇華する性質を有す
るものである。この発明においては、このような性質を
有するイオウを、異方性エッチング加工を実現するため
の側壁保護膜として利用する。なお、ハロゲン化イオウ
の低温プラズマ化で同時に生じたイオン等の荷電粒子お
よび電気的に中性のハロゲンラジカルの内、ハロゲンラ
ジカルをエッチャントとして利用する。そして、異方性
エッチング加工を実現するためには、側壁に堆積したイ
オウ層は保護膜として残存させ、被エッチング領域に堆
積したイオウ層を除去することにより、被エッチング領
域表面の分子のみとエッチャントとが反応できるように
しなければならないが、この発明においては、被エッチ
ング領域に形成されたイオウ層に光を照射することによ
り加熱して昇華除去し、これにより異方性エッチング加
工を可能としている。
【0009】また、この発明のダメージフリードライエ
ッチング方法は、被エッチング基板にダメージを与える
ような荷電粒子を用いてエッチングしていないのでダメ
ージフリーのエッチングが可能となる。
【0010】以下、この発明のダメージフリードライエ
ッチング方法を図面を参照しながら説明する。
【0011】図1は、この発明のダメージフリードライ
エッチング方法を実施するための装置としてマイクロ波
プラズマエッチング装置を使用した例である。まず、反
応ガスとしてのハロゲン化イオウをガスソース(図示せ
ず)からMFC1を通して予備放電室2に導入する。こ
こで、ハロゲン化イオウとしては、プラズマ化されるこ
とにより、堆積性のイオウラジカルとエッチャントとな
るハロゲンラジカルを生成するものを使用する。このよ
うなハロゲン化イオウとしては、好ましくはS2F2、
SF2,SF4、S2F10、S3Cl2、S2Cl2
、SCl2、SCl4、SCl5、S2Cl10、SO
Cl2などがある。これらは単独でも或いは混合物とし
て使用してもよい。その他に、水素、アルゴン、窒素等
のガスを適宜混合してもよい。
【0012】予備放電室2に導入したハロゲン化ガスを
、マイクロ波発生装置12からの2.45GHzのマイ
クロ波で放電させプラズマ3を生成させる。これにより
、種々のイオン種とイオウラジカルやハロゲンラジカル
とが生成する。これらを、図中破線矢印で示すようにガ
ス流に乗せ輸送管4を通して、排気手段5で排気された
エッチング室6に移送する。荷電粒子はこの輸送中に消
滅する。その他に、輸送管3に代えて、荷電粒子トラッ
プ用電極等の荷電粒子を除去する手段を適宜選択して使
用することができる。
【0013】エッチング室6には、サセプター7が設け
られ、そのうえに被エッチング基板8が載置されている
。サセプター7は必要に応じて冷却手段9により冷却す
る。特にイオウを堆積させる場合に冷却する必要がある
。また、エッチング室6の被エッチング基板8の真上に
は、光透過窓10が設けられている。この光透過窓10
の外側には外部光源11が設けられている。この外部光
源11から光透過窓10を通して、被エッチング基板8
の被エッチング領域にコーリーメートした光(図中hν
で示す)を照射する。外部光源11としては、照射によ
りイオウを加熱して昇華除去できる光源を使用する。 このような光源として、例えばArFエキシマレーザ−
などを使用することができる。
【0014】
【作用】図2は、レジストマスク25が形成された被エ
ッチング基板8を異方性エッチングする場合の作用を示
す図である。図1で説明したように、外部光源11から
光を照射された被エッチング基板8において、被エッチ
ング領域26上に堆積していたイオウ21が加熱される
ことにより昇華除去されて、被エッチング領域26表面
の分子がエッチャントであるハロゲンラジカル22と反
応できるようになる。反応後の反応生成物23は、被エ
ッチング基板表面から脱離する。
【0015】一方、光が照射されない側壁部にはイオウ
が堆積するので、イオウからなる側壁保護膜24で保護
された状態となる。これにより、異方性エッチング加工
が可能となる。
【0016】なお、この発明のダメージフリードライエ
ッチング方法は、マイクロ波プラズマエッチング装置の
他、マグネトロンRIE装置等の低温プラズマを利用す
るドライエッチング装置に適用できる。
【0017】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づき具体的に説
明する。しかしこの発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
【0018】実施例1 SiO2上に形成されたポリシリコン層を有する半導体
基板を、図1に示した有磁場マイクロ波プラズマエッチ
ング装置に入れ、S2F2流量30SCCM、ガス圧0
.2Torr、マイクロ波出力500W、基板温度−3
0℃、ArFエキシマレーザー照射という条件で、ポリ
シリコン層のドライエッチングをおこなった。
【0019】その結果、下地SiO2との選択比が無限
大で、基板の損傷がない異方性エッチングができた。
【0020】実施例2 SiO2上に形成されたアルミニウム配線層を有する半
導体基板を、図1に示した有磁場マイクロ波プラズマエ
ッチング装置に入れ、S2Cl2流量100SCCM、
ガス圧0.2Torr、マイクロ波出力500W、基板
温度−10℃、ArFエキシマレーザー照射という条件
で、アルミニウム配線層のドライエッチングをおこなっ
た。
【0021】その結果、下地SiO2との選択比が無限
大で、基板の損傷がない異方性エッチングができた。
【0022】
【発明の効果】この発明のダメージフリードライエッチ
ング方法によれば、エッチング終了後に容易に除去でき
る側壁保護膜を使用しているので、ダストのない異方性
エッチング加工ができる。しかも荷電粒子を利用してい
ないので、被エッチング基板にダメージを与えることな
くエッチングできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明のダメージフリードライエッ
チング方法を実施するための装置を示す図である。
【図2】図2は、この発明のダメージフリードライエッ
チング方法によって被エッチング基板が異方性エッチン
グされる様子を示す図である。
【符号の説明】
3  プラズマ 6  エッチング室 8  被エッチング基板 11  外部光源 21  イオウ 22  ハロゲンラジカル 23  反応生成物 24  側壁保護膜 25  レジストマスク 26  被エッチング領域

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ハロゲン化イオウを含む反応ガスのプ
    ラズマを生成する工程;該プラズマ中の荷電粒子を除去
    し、残余のハロゲンラジカル及びイオウラジカルをエッ
    チング室に導入し、表面にフォトレジストパターンが形
    成された被エッチング基板上にイオウ層を形成する工程
    ;被エッチング基板に光を照射することにより少なくと
    もその被エッチング領域のイオウ層を昇華除去する工程
    ;及びイオウ層が除去された被エッチング領域をハロゲ
    ンラジカルでエッチングする工程を含むことを特徴とす
    るダメージフリードライエッチング方法。
  2. 【請求項2】  ハロゲン化イオウが、S2F2、SF
    2,SF4、S2F10、S3Cl2、S2Cl2、S
    Cl2、SCl4、SCl5、S2Cl10及びSOC
    l2からなる群より選択される少なくとも1種の化合物
    を含むものである請求項1記載のダメージフリードライ
    エッチング方法。
JP3145641A 1991-05-21 1991-05-21 ダメージフリードライエッチング方法 Pending JPH04343423A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3145641A JPH04343423A (ja) 1991-05-21 1991-05-21 ダメージフリードライエッチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3145641A JPH04343423A (ja) 1991-05-21 1991-05-21 ダメージフリードライエッチング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04343423A true JPH04343423A (ja) 1992-11-30

Family

ID=15389712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3145641A Pending JPH04343423A (ja) 1991-05-21 1991-05-21 ダメージフリードライエッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04343423A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378653A (en) * 1992-04-08 1995-01-03 Sony Corporation Method of forming aluminum based pattern
WO2021230109A1 (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社クリエイティブコーティングス Ald方法及びald装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378653A (en) * 1992-04-08 1995-01-03 Sony Corporation Method of forming aluminum based pattern
WO2021230109A1 (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社クリエイティブコーティングス Ald方法及びald装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5380397A (en) Method of treating samples
US5266154A (en) Dry etching method
EP0909988A1 (en) Photolithographic processing method
JPH07153746A (ja) ドライエッチング室のクリーニング方法
US5362361A (en) Dry etching method
JPH03261138A (ja) 半導体装置のクリーニング方法およびクリーニング装置
KR0175688B1 (ko) 산소가스 전처리를 갖는 플라즈마 애싱방법
JP2874263B2 (ja) シリコン化合物系からなる被エッチング膜のエッチング方法
JP2001507515A (ja) 表面からの異物のレーザ除去
JPS63141316A (ja) 表面処理方法
JPH04343423A (ja) ダメージフリードライエッチング方法
JPH0793293B2 (ja) 後処理方法
JPH01200628A (ja) ドライエッチング方法
JP2000012521A (ja) プラズマアッシング方法
JP3104840B2 (ja) 試料の後処理方法
JP3038984B2 (ja) ドライエッチング方法
KR920007449B1 (ko) 반도체가공에 있어서의 표면처리방법 및 그 장치
JPH03155621A (ja) ドライエッチング方法
JPH04242920A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3403595B2 (ja) 配線材料の加工方法
JP3357951B2 (ja) ドライエッチング方法
JP2728483B2 (ja) 試料後処理方法と装置
JPH07118475B2 (ja) 基板表面処理方法
JPH05217957A (ja) 有機化合物膜の除去方法
JP2709188B2 (ja) 半導体デバイスの微細加工方法およびその装置