JPH05217957A

JPH05217957A - 有機化合物膜の除去方法

Info

Publication number: JPH05217957A
Application number: JP4190993A
Authority: JP
Inventors: Sadayuki Jinbo; 定之神保; Haruki Mori; 治樹森; Mikio Nonaka; 幹男野中; Masaru Kasai; 優葛西
Original assignee: Toshiba Corp; Shibaura Engineering Works Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 1991-12-11
Filing date: 1992-07-17
Publication date: 1993-08-27

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理基体へのダメ―ジを発生させることな
く、高速かつ確実に有機化合物膜を除去することのでき
る有機化合物膜の除去方法を提供すること。【構成】被処理基体１１の表面に形成された有機化合
物膜をエッチング除去する有機化合物膜の除去方法にお
いて、被処理基体１１を反応チャンバ１０に配置し、被
処理基体１１を加熱或いは冷却しながら、チャンバ１０
内にハロゲン元素を含む活性種と水蒸気体とを導入し
て、有機化合物膜を部分的にエッチングし、次いでチャ
ンバ１０内にハロゲン元素の活性種と酸素元素の活性種
との混合ガスを導入して、残りの有機化合物膜をエッチ
ングすることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造プロセ
ス、その他の分野の表面処理に使用される有機化合物膜
の除去方法に係わり、特にハロゲン元素をエッチャント
として用いた有機化合物膜の除去方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等の製造プロセスにおける微
細加工技術、又はその他の分野の加工技術（例えば、プ
リント基板加工，コンパクトディスク，レ―ザディスク
の加工プロセス）などにおいて、感光性フォトレジスト
等の有機化合物膜の有機レジストを用いたフォトエッチ
ングプロセス（Photo Etching Process ；ＰＥＰ）は重
要かつ必須のプロセスである。この有機レジストは、こ
れをマスクとして下地の処理（エッチング，イオン打ち
込み等）が終わった段階で取り除くが、その方法として
はＨ₂ＳＯ₄とＨ₂Ｏ₂の混合溶液、或いはこれにＨ₂
Ｏを加えた溶液等に代表される溶液で除去する方法か、
これらの溶液を用いず酸素（Ｏ₂）ガスの放電中でドラ
イエッチングする方法が、現在主に用いられている。

【０００３】前者の溶液を用いたプロセスは、溶液の管
理，作業の安全性などの点に問題があり、液体を用いた
プロセスを嫌う半導体素子の製造プロセス等には不向き
である。さらに、電極材料としてのアルミニウム（Ａ
ｌ）等のパタ―ニングに有機化合物膜のフォトレジスト
を用いた場合、Ｈ₂ＳＯ₄とＨ₂Ｏ₂の混合溶液中では
Ａｌが腐食されてしまう問題もある。

【０００４】一方、後者の酸素プラズマにより有機化合
物膜を除去するドライアッシング（灰化）方法は、バレ
ル型又は平行平板型等の放電を発生せしめる反応容器中
に有機化合物膜の形成された試料（被処理基体）を配置
し、酸素ガスを放電させて有機化合物膜を剥離する方法
である。この方法によれば、前述の溶液を用いる方法に
比べ有機化合物膜を簡単に除去することができ、かつ下
地材料が金属等でもよく下地の材料を制限する必要がな
い。

【０００５】しかしながらこのドライアッシング方法
は、実用的な除去速度を得るために放電中に試料を配置
することから、試料の表面にダメ―ジを与えてしまうと
いう問題があり、さらに試料表面にレジストの残渣が残
ってしまうという問題がある。また、プラズマ中の荷電
粒子等の入射により、ＳｉＯ₂などの下地に照射損傷が
誘起される。このような工程を経てＭＯＳ型デバイスを
形成しても、その後のプロセスで残渣が悪影響を及ぼし
たり、酸化膜の絶縁耐圧が低下するなど半導体素子の特
性への悪影響が生じるという問題がある。

【０００６】このような試料表面への残渣又はダメ―ジ
の問題は、バレル型と平行板型いずれのアッシング装置
を用いた場合にも起こる。また、後のプロセスで問題と
ならないように有機化合物膜の残渣を完全に除去するた
めには、約１時間以上の長時間の酸素アッシングを行う
必要があるが、このような長時間のアッシングを行うと
試料へのダメ―ジが益々増加してしまう。さらに、有機
化合物膜を除去するための処理に時間がかかるのは、製
造プロセスとして不利である。

【０００７】そこで、このような問題を解決するため
に、弗素等のハロゲン元素を含むガスを励起することに
より生じるハロゲン元素のラジカルと、水蒸気体或いは
水素元素を含むガスとを有機化合物膜の形成された被処
理基体に供給することにより、有機化合物膜を除去する
方法が提案されている。この方法では、被処理基体をガ
スを励起する領域から分離する構成をとることができ、
酸素プラズマアッシング等のようにプロセス中に被処理
基体にダメ―ジを与えることはない。さらに、放電やイ
オン衝撃に晒された有機レジストであっても、残渣を残
すことなく完全に除去することができる。

【０００８】しかしながらこの方法では、ハロゲン元素
等のラジカルと、水蒸気体等の反応により生成される活
性種が、有機化合物膜と反応し灰化が行われるため、ハ
ロゲン元素等と水蒸気体等が良好に混合し、効率良く活
性種が生成されている領域でしか有機化合物膜を除去す
ることができない。このため、灰化速度が遅く実用的な
除去速度を得るのは困難であった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、被処
理基体へのダメージを発生させることなく有機化合物膜
を除去するには、ハロゲン元素のラジカルと水蒸気体或
いは水素元素を含むガスとを用いるのが望ましいが、こ
の方法では有機化合物膜を高速かつ確実に除去するのは
困難であった。

【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、被処理基体へのダメ―
ジを発生させることなく、高速かつ確実に有機化合物膜
を除去することのできる有機化合物膜の除去方法を提供
することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、有機化
合物膜のエッチャントとして、ハロゲン元素を含む活性
種と酸素元素を含む活性種との混合ガスを用いることに
ある。

【００１２】即ち、本発明（請求項１）は、被処理基体
の表面に形成された有機化合物膜をエッチング除去する
有機化合物膜の除去方法において、被処理基体を反応容
器内で所定温度に制御（加熱或いは冷却）しながら、ハ
ロゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種との混
合ガスに晒すことにより、有機化合物膜をエッチングす
ることを特徴とする。

【００１３】また、本発明（請求項２）は、被処理基体
の表面に形成された有機化合物膜をエッチング除去する
有機化合物膜の除去方法において、被処理基体を反応容
器内に配置し、被処理基体を所定温度に制御しながら、
容器内にハロゲン元素を含む活性種と水素元素を含むガ
スとを導入して、有機化合物膜を部分的にエッチング
し、次いで容器内にハロゲン元素を含む活性種と酸素元
素を含む活性種との混合ガスを導入して、残りの有機化
合物膜をエッチングすることを特徴とする。

【００１４】また、本発明（請求項５）は、被処理基体
の表面に形成された有機化合物膜をエッチング除去する
有機化合物膜の除去方法において、表面に有機化合物膜
が形成された被処理基体を、反応容器内で所定温度に制
御しながらハロゲン元素を含むガスと水素元素を含むガ
スとの混合ガスに晒すことにより、有機化合物膜をエッ
チングした後、被処理基体を水に晒すことを特徴とす
る。

【００１５】また、本発明（請求項６）は、被処理基体
の表面に形成された有機化合物膜をエッチング除去する
有機化合物膜の除去方法において、被処理基体上に形成
された有機化合物膜をハロゲン元素を含まないガスを用
いて除去した後、ハロゲン元素を含むガス、又はハロゲ
ン元素を含むガスと酸素元素若しくは水素元素を含むガ
スとの混合ガスに晒し、次いで被処理基体を水に晒すこ
とを特徴とする。

【００１６】また、本発明の望ましい実施態様として
は、次の (1)〜(6) があげられる。 (1) ハロゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種
を、反応容器とは別の領域により励起して反応容器内に
供給すること。 (2) ハロゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種
との濃度比Ｓを、 0.01＜Ｓ＜ 0.5の範囲に設定したこ
と。

【００１７】(3) ハロゲン元素を含む活性種が弗素原子
であって、その原料ガスとして、ＳＦ₆，ＮＦ₃，ＣＦ
₄，Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，或いはＢＦ₃，ＸｅＦ₆，Ｆ
₂からなるガス群のいずれかを用いたこと。 (4) 水素元素を含むガスとして、水蒸気体，アルコー
ル，ハイドロカーボン等を用いたこと。 (5) 被処理基体の制御温度を、３０〜８０℃の範囲に設
定したこと。

【００１８】(6) ハロゲン元素を含む活性種と水素元素
を含むガスによるエッチングと、ハロゲン元素を含む活
性種と酸素元素を含む活性種との混合ガスによるエッチ
ングとを、交互に２回以上行うこと。

【００１９】(7) 有機化合物膜はＡｌ薄膜上に形成され
たレジストであり、このレジストをマスクとして用いＡ
ｌ薄膜をパターニングしたのち、レジストを前述した工
程により除去すること。

【００２０】

【作用】半導体製造プロセスにおいて、アルミニウム或
いは多結晶シリコン等の電極材をレジストマスクを用い
てエッチングすると、エッチング中にイオン衝撃により
レジストマスク表面が改質してしまい、エッチング終了
後にレジストを除去しても、改質したレジスト表面が残
渣として残りやすくなる。また、異方性エッチングを行
うため側壁にレジスト材料が混在した反応生成物等の側
壁保護膜を形成することなどあり、その側壁保護膜もレ
ジスト除去後に残ってしまうことがある。このような改
質したレジストや側壁保護膜は、酸素プラズマアッシン
グやこれまでのダウンフロ―方式のアッシングでは除去
困難である。

【００２１】これに対し、本発明のように基板温度を制
御し、ハロゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性
種との混合ガスを用いたダウンフロ―方式のアッシング
を行うことにより、前記改質したレジストや側壁保護膜
の除去も可能になる。そしてこの場合、酸素プラズマア
ッシングを行う方法とは異なり、被処理基体にダメージ
が発生する等の不都合はない。

【００２２】また、残渣の除去が容易なハロゲン元素を
含む活性種と水蒸気体或いは水素元素を含むガスとによ
る第１のエッチング工程と、エッチング速度が速いハロ
ゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種との混合
ガスによる第２のエッチング工程とを併用することによ
り、有機化合物膜を高速かつ確実に除去することがで
き、かつ残渣を確実に除去することが可能となる。ま
た、本発明の方法で有機化合物膜を除去した後に水洗処
理を行うことによって、残渣をより確実に除去すること
が可能となる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。図１は、本発明の一実施例方法に使用したエ
ッチング装置の概略構成を示す断面図である。

【００２４】図中１０は反応チャンバであり、このチャ
ンバ１０内には被処理基体１１を載置する試料台１２が
収容されている。試料台１２には、熱媒体を流すための
配管１３が接続されており、この熱媒体の選択により被
処理基体１１を加熱或いは冷却できるものとなってい
る。また、チャンバ１０内は、排気口１４から真空排気
されるようになっている。

【００２５】チャンバ１には、弗素等のハロゲン元素を
含む活性種と酸素元素を含む活性種を供給するための第
１のガス供給パイプ２１が接続されている。パイプ２１
の一端はチャンバ１０内で被処理基体１１に対向するノ
ズル２２と接続され、他端２３はチャンバ１０外に導出
されている。活性種のチャンバ１０内への供給は、パイ
プ２１の他端２３から弗素等のハロゲン元素を含むガス
と酸素元素を含むガスを導入し、マイクロ波電源２４に
接続された放電管２５内を通すことによりガスを励起し
たのち、パイプ２１の一端側のノズル２２より行われ
る。

【００２６】また、チャンバ１には、水蒸気体，水素ガ
ス，或いは水素元素を含む化合物ガスを導入するための
第２のガス供給パイプ２６が接続され、水素ガスを含む
化合物ガスのチャンバ１０内への供給はノズル２２を介
して行われる。ノズル２２の内部は、パイプ２１から供
給されたガスとパイプ２６から供給されたガスが混ざら
ないようになっており、ガスの吹き出し口は複数の二重
管からなっている。

【００２７】なお、チャンバ１０内に水蒸気体を導入す
る場合、パイプ２６を水（Ｈ₂Ｏ）を溜めたベッセル２
７と接続し、このベッセル２７を加熱することにより水
蒸気体を反応チャンバ１０内に送るようになっている。
また、水素ガス或いは水素元素を含むガスを導入する場
合には、ベッセル２７を介さずに、直接ガスを導入する
ようにしてもよい。

【００２８】次に、上記装置を用い、有機化合物膜とし
て半導体基板上のフォトレジストを除去する第１の実施
例方法について説明する。ここでは、ハロゲン元素であ
る弗素を含むガスとしてＮＦ₃ガスを用い、酸素元素を
含むガスとして酸素（Ｏ₂）を用いた場合について述べ
る。

【００２９】図２は、図１に示した装置のチャンバ１０
内に収容する被処理基体のエッチングプロセスを示す斜
視断面図である。ここで用いる被処理基体は、図２
（ａ）に示すようにＭＯＳＩＣの製造工程において、半
導体基板３１上に絶縁膜３２を介して形成されたＡｌ配
線３３を、有機化合物であるフォトレジスト３４をマス
クとしてＲＩＥによりエッチングして形成したものであ
る。

【００３０】図２（ａ）に示す被処理基体を図１に示し
た装置のチャンバ１０内に収容し、チャンバ１０内にＮ
Ｆ₃ガスとＯ₂ガスの混合ガスを第１のガス供給パイプ
２１から供給し、放電管２５でガスを励起し、これによ
り生成される弗素素（Ｆ）ラジカルと酸素（Ｏ）ラジカ
ルをチャンバ１０内に導入する。また、被処理基体１１
は、試料台１２を介して４０℃に温度制御されている。
ここで、ＮＦ₃ガス及びＯ₂ガスの流量はそれぞれ２０
sccm及び７００sccmとしたが、ＮＦ₃ガス及びＯ₂ガス
の流量は、所要のエッチング速度と選択比が得られる範
囲で適宜変更することができる。

【００３１】上記条件により、フォトレジスト３４のエ
ッチング処理を行ったところ、レジスト３４の除去速度
は２μｍ／min と高速であり、その処理時間は約１分間
であった。その結果、図２（ｂ）に示す如く、Ａｌ配線
３３上に形成されたレジスト３４の残渣は全く見られ
ず、完全に除去されていることが確認できた。

【００３２】次に、本発明の第２の実施例方法として、
ＮＦ₃ガスを第１のガス供給パイプ２１から供給し、放
電管２５でガスを励起して生成される弗素素（Ｆ）ラジ
カルをチャンバ１０内に導入すると共に、第２のガス供
給パイプ２６から水蒸気体をチャンバ１０内に導入した
場合について述べる。

【００３３】用いた被処理基体は前記図２（ａ）に示し
たものであり、試料台１２を介して４０℃に温度制御さ
れている。ここで、ＮＦ₃ガス及びＨ₂Ｏの流量はそれ
ぞれ５００sccm及び２０００sccmとしたが、ＮＦ₃ガス
及びＨ₂Ｏの流量は、所要のエッチング速度と選択比が
得られる範囲で適宜変更することができる。

【００３４】上記条件により、フォトレジスト３４のエ
ッチング処理を行ったところ、レジスト３４の除去速度
は４００ｎｍ／min であり、その処理時間は約５分間で
あった。その結果、図２（ｂ）に示す如く、Ａｌ配線３
３上に形成されたレジスト３４の残渣は全く見られず、
完全に除去されていることが確認できた。

【００３５】前記ＮＦ₃／Ｏ₂を用いたプロセスと前記
ＮＦ₃／Ｈ₂Ｏを用いたプロセスは共に、被処理基体の
温度を３０℃〜８０℃の範囲で制御することにより、そ
れぞれ単独のプロセスでレジストを完全に除去すること
ができるが、これらのプロセスを組み合わせて用いても
よい。図３に、被処理基体の温度と残渣の量との関係を
示す。横軸が被処理基体の温度、縦軸が残渣の量であ
る。この図３に示すように、被処理基体の温度３０〜８
０℃の範囲で残渣が完全に除去できることが確認でき
た。なお、図３に示した残渣の量は、レジスト除去後の
電子顕微鏡写真により相対的に判断したものである。

【００３６】次に、本発明の第３の実施例方法として、
ＮＦ₃／Ｈ₂Ｏを用いたエッチングプロセスとＮＦ₃／
Ｏ₂を用いたエッチングプロセスを組み合わせた場合に
ついて述べる。用いた被処理基体は前記図２（ａ）に示
したものであり、試料台１２を介して４０℃に温度制御
されている。

【００３７】ＮＦ₃／Ｈ₂Ｏプロセスは、ＮＦ₃／Ｏ₂
プロセスに比べて残渣の除去能力という点で優れている
が、レジストの除去速度が遅く、スループットの点で問
題がある。そこで、残渣の原因となる、エッチング時に
イオン衝撃を受けて改質したレジスト表面層のみＮＦ₃
／Ｈ₂Ｏプロセスで除去し、残りのレジストは除去速度
の速いＮＦ₃／Ｏ₂プロセスで除去する２段階の工程か
らなるプロセスを行った。

【００３８】まず、第１の工程として、ＮＦ₃を５００
sccm，Ｈ₂Ｏを２０００sccmの流量で、フォトレジスト
３４をその途中までエッチングする。このとき、レジス
ト３４のエッチング速度は遅いものの、レジスト表面層
の残渣は確実に除去される。次いで、第２の工程とし
て、ＮＦ₃を２０sccm、Ｏ₂を７００sccmの流量で、残
りのレジスト３４のエッチングを行った。このとき、レ
ジスト２４のエッチング速度は第１の工程よりも格段に
速くなる。なお、チャンバ１０内の圧力は、第１の工程
では４０Ｐａ、第２の工程では２６．６Ｐａとした。

【００３９】第１の工程と第２の工程による合計のレジ
スト除去量は一定として、全レジスト量の何割を第１の
工程で除去すれば残渣なくレジストを除去できるかを確
認した。その結果を、図４に示す。横軸は全レジスト量
に対する第１の工程で除去したレジストの割合、縦軸は
残渣の量である。図４に示すように、全レジスト量の２
５％以上のレジストを第１の工程で除去することによ
り、残渣なくレジストを除去できることが確認できた。

【００４０】このように本実施例方法によれば、最初に
残渣の除去に有効なＮＦ₃／Ｈ₂Ｏを用いたエッチング
プロセスを行い、次いでエッチング速度の速いＮＦ₃／
Ｏ₂を用いたエッチングプロセスを行うことにより、レ
ジストを高速に除去することができると共に、残渣を確
実に除去することができる。そしてこの場合、酸素プラ
ズマアッシングを行う方法とは異なり、被処理基体にダ
メージを与えることもないので、各種半導体素子の製造
に有効に利用することができる。また、第２の工程にお
いてＦラジカルとＯラジカルは混合した状態でチャンバ
１０内に導入しているので、被処理基体の表面でこれら
のラジカルが不均一になることはなく、このことからエ
ッチングを均一性良く行うことができる。

【００４１】次に、本発明の第４の実施例方法として、
有機化合物膜を除去した後に行う水洗の効果について述
べる。ここで用いる被処理基体は図２（ａ）に示すもの
であるが、Ａｌ配線３３のエッチングはマグネトロンＲ
ＩＥにより行った。マグネトロンＲＩＥやＥＣＲは、通
常のＲＩＥに比べてイオン化効率が良いため、基板に到
達するラジカルに対するイオンの比率が大きい。このた
め、下地材料のスパッタリング効果が大きく、側壁付着
物の量が多くなり、残渣の量も多くなる。

【００４２】この被処理基体を用いて、第２の実施例方
法に示す有機化合物膜の除去方法と同様の方法で有機化
合物膜を除去したところ、図２（ｃ）に示すように残渣
は完全には除去できい場合があった。なお、図中３４は
残渣で図に示すようにトンネル状に残っている。

【００４３】そこで本実施例では、上記の除去工程の
後、被処理基体を５分間流水で水洗したところ、残渣を
完全に除去することができた。同様に、第１の実施例方
法及び第３の実施例方法に示した有機化合物膜の除去方
法で有機化合物膜を除去した場合でも、その後に水洗を
行うことにより残渣は除去できた。このように、残渣が
発生しやすいプロセスを経た被処理基体の残渣を除去す
るには、有機化合物膜を除去した後に水洗を行うことが
効果的であることが確認できた。

【００４４】本実施例では有機化合物膜を除去した後に
被処理基体を流水により水洗を行ったが、流水でなくて
もよく、溜め水，或いは水蒸気体に晒してもよい。ま
た、例えばＯ₂プラズマアッシャー等のハロゲン元素を
含まないガスを用いて、被処理基体上に形成された有機
化合物膜を除去した後、第１乃至第３の実施例方法に示
した有機化合物膜の除去方法、即ち弗素元素を含むガス
と酸素元素を含むガス或いは水素元素を含むガスとの混
合ガスに晒した後、水に晒すことにより残渣が除去でき
ることも確認している。なお、ここで弗素以外のハロゲ
ン元素を含むガスを用いてもよい。この場合、有機化合
物膜を除去した後に晒すガスとしては、有機化合物膜を
除去する必要がないため、弗素元素等のハロゲン元素を
含むガスならばどのようなガスを用いてもよい。

【００４５】また、本実施例では、Ａｌ配線をエッチン
グした後の有機化合物膜の除去について述べたが、これ
に限るものではなく、本発明は、配線間の接続（ヴィア
ホール）等、配線上に形成された材料をエッチングした
後の有機化合物膜の除去にも効果があることを確認して
いる。

【００４６】なお、本発明は上述した各実施例方法に限
定されるものではない。実施例ではＮＦ₃と水蒸気体
（Ｈ₂Ｏ）を用いたが、水蒸気体の代わりにＣＨ₃Ｏ
Ｈ，Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ等のアルコ―ルか、ＣＨ₄，Ｃ₂Ｈ₆
等のハイドロカ―ボンガス等の少なくとも水素元素を含
むガスを用いてもよい。また、弗素（Ｆ）等のハロゲン
元素を含む活性種を生成するガスとしては、ＣＤＥ（Ch
emical Dry Etching）に用いられるものと同様のもので
よく、例えばＮＦ₃の他に、ＳＦ₆，ＮＦ₃，ＣＦ₄，
Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈、或いはＢＦ₃，ＸｅＦ₆，Ｆ₂等
の弗素元素を含むガスや弗素以外のハロゲン元素を含む
ガスであればよい。但し、エッチング後のイオン衝撃を
受けたレジストでは、ＮＦ₃を用いた方が残渣などの除
去に効果がある。さらに、エッチングする下地材料はＡ
ｌに限らず、Ｃｕ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｚｎ
等の弗化物が水溶性の金属や、多結晶シリコン、シリコ
ン酸化膜，ＷＳｉ等でもよい。

【００４７】また、ハロゲン元素を含む活性種（Ａ）と
酸素元素を含む活性種（Ｂ）との濃度比（Ｓ＝Ａ／Ｂ）
は、仕様に応じて適宜変更可能であるが、本発明者らの
実験によれば、 0.01 ＜Ｓ＜ 0.5の範囲で良好なエッチ
ングが可能であることが確認されている。また、実施例
では、ハロゲン元素を含む活性種と水蒸気体（或いは水
素元素を含むガス）によるエッチング（第１の工程）の
後、ハロゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種
との混合ガスによるエッチング（第２の工程）を行った
が、これらの工程を交互に２回以上行うようにしてもよ
い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。

【００４８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
処理基体にダメージを与えることなく有機化合物膜を高
速且つ確実に除去することができ、各種半導体素子の製
造に有効に利用することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例方法に使用したエッチング装
置の概略構成を示す断面図、

【図２】被処理基体の具体的構造例を示す斜視断面図、

【図３】被処理基体の温度と残渣の量との関係を示す特
性図、

【図４】第１の工程で除去したレジストの割合に対する
残渣量の変化を示す特性図。

【符号の説明】

１０…反応チャンバ、１１…被処理基体、１２…試料台、１３…配管、１４…排気口、２１…第１のガス供給パイプ、２２…ノズル、２４…マイクロ波電源、２５…放電管、２６…第２のガス供給パイプ、２７…Ｈ₂Ｏベッセル、３１…半導体基板、３２…絶縁膜、３３…Ａｌ配線、３４…フォトレジスト（有機化合物膜）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者野中幹男東京都港区赤坂一丁目一番12号株式会社芝浦製作所内 (72)発明者葛西優東京都港区赤坂一丁目一番12号株式会社芝浦製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機化合物膜が表面に形成された被処理基
体を、反応容器内で所定温度に制御しながら、ハロゲン
元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種との混合ガス
に晒すことにより、前記有機化合物膜をエッチングする
ことを特徴とする有機化合物膜の除去方法。
【請求項２】表面に有機化合物膜が形成された被処理基
体を反応容器内に配置し、前記被処理基体を所定温度に
制御しながら、前記容器内にハロゲン元素を含む活性種
と水素元素を含むガスとを導入して、前記有機化合物膜
を部分的にエッチングし、次いで前記容器内にハロゲン
元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種との混合ガス
を導入して、残りの有機化合物膜をエッチングすること
を特徴とする有機化合物膜の除去方法。
【請求項３】前記被処理基体の制御温度を３０〜８０℃
の範囲に設定したことを特徴とする請求項１又は２に記
載の有機化合物膜の除去方法。
【請求項４】前記被処理基体上に形成された有機化合物
膜を除去した後に、前記被処理基体を水に晒すことを特
徴とする請求項１又は２に記載の有機化合物膜の除去方
法。
【請求項５】表面に有機化合物膜が形成された被処理基
体を、反応容器内で所定温度に制御しながらハロゲン元
素を含むガスと水素元素を含むガスとの混合ガスに晒す
ことにより、前記有機化合物膜をエッチングした後、前
記被処理基体を水に晒すことを特徴とする有機化合物膜
の除去方法。
【請求項６】被処理基体上に形成された有機化合物膜を
ハロゲン元素を含まないガスを用いて除去した後、ハロ
ゲン元素を含むガス、又はハロゲン元素を含むガスと酸
素元素若しくは水素元素を含むガスとの混合ガスに晒
し、次いで前記被処理基体を水に晒すことを特徴とする
有機化合物膜の除去方法。