JPH04242920A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04242920A JPH04242920A JP30091A JP30091A JPH04242920A JP H04242920 A JPH04242920 A JP H04242920A JP 30091 A JP30091 A JP 30091A JP 30091 A JP30091 A JP 30091A JP H04242920 A JPH04242920 A JP H04242920A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、半導体ウエハのような被処理物上の
レジストをプラズマによって灰化処理する工程を有する
半導体装置の製造方法に関する。
に係り、詳しくは、半導体ウエハのような被処理物上の
レジストをプラズマによって灰化処理する工程を有する
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近時、装置の稼働率とスループットを下げ
ることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの
壁に付着したＨ２ Ｏ成分の除去を行うことができ、安
定したアッシングレートを得ることができるようにレジ
ストをアッシング処理する工程を有する半導体装置の製
造方法が要求されている。
ることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの
壁に付着したＨ２ Ｏ成分の除去を行うことができ、安
定したアッシングレートを得ることができるようにレジ
ストをアッシング処理する工程を有する半導体装置の製
造方法が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】半導体製造工程における、プラズマを用
いたレジストのドライアッシング方法としては、プラズ
マ中の荷電粒子の衝突によるダメージを半導体ウエハに
与えること無く、効率良くレジストを灰化することが要
求されている。この荷電粒子のダメージを避けるために
プラズマからウエハを離したダウンストリームアッシン
グプロセス（プラズマの下流でのアッシングプロセス）
が使われてきており、このダウンストリームアッシング
プロセスは、Ｏ２ ガスを主に用いる。Ｏ２ ガスのみ
を用いる、Ｏ２ ガスダウンストリームアッシングプロ
セスにおいてアッシング反応に寄与する反応種は、中性
粒子である酸素原子であることが例えばＪ．ＭＣｏｏｋ
，Ｂ．Ｗ．Ｂｅｎｓｏｎ：Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ
．Ｓｏｃ．，１３０．（１９８３）２４５９で確認され
ている。
いたレジストのドライアッシング方法としては、プラズ
マ中の荷電粒子の衝突によるダメージを半導体ウエハに
与えること無く、効率良くレジストを灰化することが要
求されている。この荷電粒子のダメージを避けるために
プラズマからウエハを離したダウンストリームアッシン
グプロセス（プラズマの下流でのアッシングプロセス）
が使われてきており、このダウンストリームアッシング
プロセスは、Ｏ２ ガスを主に用いる。Ｏ２ ガスのみ
を用いる、Ｏ２ ガスダウンストリームアッシングプロ
セスにおいてアッシング反応に寄与する反応種は、中性
粒子である酸素原子であることが例えばＪ．ＭＣｏｏｋ
，Ｂ．Ｗ．Ｂｅｎｓｏｎ：Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ
．Ｓｏｃ．，１３０．（１９８３）２４５９で確認され
ている。
【０００４】ところが、このＯ２ ダウンストリームア
ッシングは、化学反応だけでレジストをアッシングする
ことができるという利点があるが、アッシングレートが
低く、アッシングレートのウエハ温度依存が大きい等の
問題がある。
ッシングは、化学反応だけでレジストをアッシングする
ことができるという利点があるが、アッシングレートが
低く、アッシングレートのウエハ温度依存が大きい等の
問題がある。
【０００５】そこで、これらの問題に対処するため、Ｏ
２ ガスにＣＦ４ ガスを添加して行うＯ２ ＋ＣＦ４
ガスダウンストリームアッシングプロセスや、Ｏ２
ガスにＣ２ Ｆ６ ガスを添加して行うＯ２ ＋Ｃ２
Ｆ６ ガスダウンストリームアッシングプロセス等が提
案された。
２ ガスにＣＦ４ ガスを添加して行うＯ２ ＋ＣＦ４
ガスダウンストリームアッシングプロセスや、Ｏ２
ガスにＣ２ Ｆ６ ガスを添加して行うＯ２ ＋Ｃ２
Ｆ６ ガスダウンストリームアッシングプロセス等が提
案された。
【０００６】このように、Ｏ２ ガスを主に用いるダウ
ンストリームアッシングにおいて、Ｏ２ プラズマにＣ
Ｆ４ 、Ｃ２ Ｆ６ 等のガスを適量添加すると、■ア
ッシングレートが上昇し、■アッシング反応の活性化エ
ネルギーが下がる（アッシングレートのウエハ温度依存
が小さくなる）等と上記問題を解決することができると
いう効果がある。これらの効果が現れるのは、プラズマ
中で生成される酸素原子が増加すること、プラズマ中で
生成されたフッ素原子がアッシング反応に寄与すること
等によるものと推定される。このため、従来Ｏ２ ＋Ｃ
Ｆ４ ガスダウンストリームアッシングプロセス、Ｏ２
＋Ｃ２ Ｆ６ ガスダウンストリームアッシングプロ
セスが良く用いられてきた。
ンストリームアッシングにおいて、Ｏ２ プラズマにＣ
Ｆ４ 、Ｃ２ Ｆ６ 等のガスを適量添加すると、■ア
ッシングレートが上昇し、■アッシング反応の活性化エ
ネルギーが下がる（アッシングレートのウエハ温度依存
が小さくなる）等と上記問題を解決することができると
いう効果がある。これらの効果が現れるのは、プラズマ
中で生成される酸素原子が増加すること、プラズマ中で
生成されたフッ素原子がアッシング反応に寄与すること
等によるものと推定される。このため、従来Ｏ２ ＋Ｃ
Ｆ４ ガスダウンストリームアッシングプロセス、Ｏ２
＋Ｃ２ Ｆ６ ガスダウンストリームアッシングプロ
セスが良く用いられてきた。
【０００７】ところが、ＣＦ４ 、Ｃ２ Ｆ６ ガスを
用いたアッシングプロセスでは、フッ素原子がアッシン
グ反応に寄与するだけでなく、下地がＳｉＯ２ 等の酸
化膜である場合、その下地の酸化膜までもエッチングし
てしまい、選択比が悪いという問題がある。そこで上記
した■■の効果をもち、しかもフッ素原子を含まないプ
ロセス、または、フッ素原子による下地の酸化膜のエッ
チングを防止できるプロセスであるＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガ
スダウンストリームアッシングプロセス（フッ素原子を
含まない）、Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンスト
リームアッシングプロセス（フッ素原子を含まない）、
Ｏ２ ＋Ｈ２Ｏ＋ＣＦ４ ガスダウンストリームアッシ
ングプロセス（フッ素原子の酸化膜エッチングを水素原
子で防止できる）等の、少なくともＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガ
スを含むプロセスガスを用いるダウンストリームアッシ
ング方法が提案された。
用いたアッシングプロセスでは、フッ素原子がアッシン
グ反応に寄与するだけでなく、下地がＳｉＯ２ 等の酸
化膜である場合、その下地の酸化膜までもエッチングし
てしまい、選択比が悪いという問題がある。そこで上記
した■■の効果をもち、しかもフッ素原子を含まないプ
ロセス、または、フッ素原子による下地の酸化膜のエッ
チングを防止できるプロセスであるＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガ
スダウンストリームアッシングプロセス（フッ素原子を
含まない）、Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンスト
リームアッシングプロセス（フッ素原子を含まない）、
Ｏ２ ＋Ｈ２Ｏ＋ＣＦ４ ガスダウンストリームアッシ
ングプロセス（フッ素原子の酸化膜エッチングを水素原
子で防止できる）等の、少なくともＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガ
スを含むプロセスガスを用いるダウンストリームアッシ
ング方法が提案された。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の少なくともＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガスを含むプロセ
スを用いるダウンストリームアッシング方法では、この
アッシング方法を連続して用いる場合、前回のアッシン
グ時に真空チャンバーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分が、
次工程で行うアッシング処理のプラズマ放電時に、プロ
セスガスとともにプラズマ化して実質のガス混合比を変
えてしまい、設定したアッシングレートに制御できない
ことが不規則に生じるという問題があった。
た従来の少なくともＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガスを含むプロセ
スを用いるダウンストリームアッシング方法では、この
アッシング方法を連続して用いる場合、前回のアッシン
グ時に真空チャンバーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分が、
次工程で行うアッシング処理のプラズマ放電時に、プロ
セスガスとともにプラズマ化して実質のガス混合比を変
えてしまい、設定したアッシングレートに制御できない
ことが不規則に生じるという問題があった。
【０００９】この対策としてアッシングレートが安定し
なくなった場合にのみ、Ｏ２ ガスプラズマによるプラ
ズマ放電領域のクリーニングが行われたが、クリーニン
グ時間が５分程度もかかってしまい、装置の稼働率とス
ループットを下げてしまうという問題があった。以下、
具体的に図面を用いて説明する。
なくなった場合にのみ、Ｏ２ ガスプラズマによるプラ
ズマ放電領域のクリーニングが行われたが、クリーニン
グ時間が５分程度もかかってしまい、装置の稼働率とス
ループットを下げてしまうという問題があった。以下、
具体的に図面を用いて説明する。
【００１０】図５はＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリ
ームアッシングプロセスのアッシング特性を示しており
、流量比Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％に対するア
ッシングレートの変化を示す図である。
ームアッシングプロセスのアッシング特性を示しており
、流量比Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％に対するア
ッシングレートの変化を示す図である。
【００１１】この図５から、アッシングレートは流量比
Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％を０から１０％に変
化させると急激に上昇しており、１０％を越えると緩や
かに減少していることが判る。そして、この図５から、
Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロ
セスは、プラズマ中のＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス混合比を一
定に保つことがアッシングレートを設定値通りに制御す
るために重要であることが判る。
Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％を０から１０％に変
化させると急激に上昇しており、１０％を越えると緩や
かに減少していることが判る。そして、この図５から、
Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロ
セスは、プラズマ中のＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス混合比を一
定に保つことがアッシングレートを設定値通りに制御す
るために重要であることが判る。
【００１２】従って、アッシングレートが設定値通りに
ならない場合は、Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガス混合比が制御で
きていない可能性が高い。そこで、アッシングレートが
設定値通りの場合のプラズマの発光スペクトルとアッシ
ングレートが制御できずに設定値のアッシングレートが
２０％減少した場合のプラズマの発光スペクトルと比較
してみた。図６はＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス流量比をＨ２
Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％に設定して図５に
対応した設定通りのアッシングレート（ １．３μｍ／
分）が得られている場合の発光スペクトルを示す図であ
る。図７はＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス流量比をＨ２ Ｏ／（
Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％に設定しているにも関わ
らず、アッシングレートの設定値が制御できず設定値よ
り約２０％アッシングレートが減少した（ １．０μｍ
／分）場合の発光スペクトル図を示す図である。
ならない場合は、Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガス混合比が制御で
きていない可能性が高い。そこで、アッシングレートが
設定値通りの場合のプラズマの発光スペクトルとアッシ
ングレートが制御できずに設定値のアッシングレートが
２０％減少した場合のプラズマの発光スペクトルと比較
してみた。図６はＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス流量比をＨ２
Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％に設定して図５に
対応した設定通りのアッシングレート（ １．３μｍ／
分）が得られている場合の発光スペクトルを示す図であ
る。図７はＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス流量比をＨ２ Ｏ／（
Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％に設定しているにも関わ
らず、アッシングレートの設定値が制御できず設定値よ
り約２０％アッシングレートが減少した（ １．０μｍ
／分）場合の発光スペクトル図を示す図である。
【００１３】この図６、７から判るように、設定通りの
アッシングレートの場合（図６）と設定値より約２０％
アッシングレートが減少した場合（図７）では、発光ス
ペクトルの図形が違っていることが判る。設定値より約
２０％アッシングレートが減少した場合（図７）では、
設定通りのアッシングレートの場合（図６）より水素原
子の発光（４８６１Å）の発光強度が著しく増加してい
ることと、ＯＨの発光（３０６３Å）の発光強度も増加
していることが判る。
アッシングレートの場合（図６）と設定値より約２０％
アッシングレートが減少した場合（図７）では、発光ス
ペクトルの図形が違っていることが判る。設定値より約
２０％アッシングレートが減少した場合（図７）では、
設定通りのアッシングレートの場合（図６）より水素原
子の発光（４８６１Å）の発光強度が著しく増加してい
ることと、ＯＨの発光（３０６３Å）の発光強度も増加
していることが判る。
【００１４】このことから、プラズマ中のＨ２ Ｏガス
の量が、設定通りのアッシングレートの場合（図６）よ
り多くなっていることが推定できる。そこで、図８にＯ
２ ＋Ｈ２ Ｏガス流量比をＨ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２
Ｏ）％＝２０％に設定して図５に対応した設定通りの
アッシングレート（ １．０μｍ／分）が得られている
場合の発光スペクトルを示す。異常の場合の図７と図８
の発光スペクトルの図形を比較してみると、ほとんど同
じであることが判る。
の量が、設定通りのアッシングレートの場合（図６）よ
り多くなっていることが推定できる。そこで、図８にＯ
２ ＋Ｈ２ Ｏガス流量比をＨ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２
Ｏ）％＝２０％に設定して図５に対応した設定通りの
アッシングレート（ １．０μｍ／分）が得られている
場合の発光スペクトルを示す。異常の場合の図７と図８
の発光スペクトルの図形を比較してみると、ほとんど同
じであることが判る。
【００１５】従って、図７に示す設定値より約２０％ア
ッシングレートが減少した場合のプラズマ中のガス混合
比は、Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝２０％に近
い混合比になっていると考えられる。
ッシングレートが減少した場合のプラズマ中のガス混合
比は、Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝２０％に近
い混合比になっていると考えられる。
【００１６】図７と図８のガス供給は、設定通り確実に
行われているため、プラズマ発生領域でのＯ２ ガスと
Ｈ２ Ｏガスの混合比を制御できなくしている原因は、
プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの壁に付着した
Ｈ２ Ｏ成分がアッシング処理後も残留し、次のアッシ
ング時にプラズマ化して、実質のＨ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋
Ｈ２ Ｏ）％の割合を設定値よりも大きくしているもの
と考えられる。なお、このために生じるアッシングレー
トの安定しない状態は、特に、連続してアッシング処理
を行う場合に不規則に起きる。
行われているため、プラズマ発生領域でのＯ２ ガスと
Ｈ２ Ｏガスの混合比を制御できなくしている原因は、
プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの壁に付着した
Ｈ２ Ｏ成分がアッシング処理後も残留し、次のアッシ
ング時にプラズマ化して、実質のＨ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋
Ｈ２ Ｏ）％の割合を設定値よりも大きくしているもの
と考えられる。なお、このために生じるアッシングレー
トの安定しない状態は、特に、連続してアッシング処理
を行う場合に不規則に起きる。
【００１７】そこで本発明は、装置の稼働率とスループ
ットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チ
ャンバーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分の除去を行うこと
ができ、安定したアッシングレートを得ることができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的としている
。
ットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チ
ャンバーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分の除去を行うこと
ができ、安定したアッシングレートを得ることができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的としている
。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は上記目的達成のため、レジストをアッシン
グ処理する工程を有する半導体装置の製造方法において
、該レジストを少なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの
混合ガスを含むプロセスガスによってアッシング処理し
、次いで、該レジストを更に少なくともＨ２ Ｏガスを
含まないプロセスガスによってアッシング処理する工程
を含むものである。
の製造方法は上記目的達成のため、レジストをアッシン
グ処理する工程を有する半導体装置の製造方法において
、該レジストを少なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの
混合ガスを含むプロセスガスによってアッシング処理し
、次いで、該レジストを更に少なくともＨ２ Ｏガスを
含まないプロセスガスによってアッシング処理する工程
を含むものである。
【００１９】本発明に係る混合ガスを含むプロセスガス
にはＯ２ ガス、Ｈ２ Ｏガス及びＮ２ ガスの混合ガ
スや、Ｏ２ ガス、Ｈ２ Ｏガス及びＮ２ Ｏガスの混
合ガス等が挙げられる。
にはＯ２ ガス、Ｈ２ Ｏガス及びＮ２ ガスの混合ガ
スや、Ｏ２ ガス、Ｈ２ Ｏガス及びＮ２ Ｏガスの混
合ガス等が挙げられる。
【００２０】本発明に係るＨ２ Ｏガスを含まないプロ
セスガスにはＯ２ ガスとＮ２ ガスの混合ガスや、Ｏ
２ ガスとＮ２ Ｏガスの混合ガス等が挙げられる。
セスガスにはＯ２ ガスとＮ２ ガスの混合ガスや、Ｏ
２ ガスとＮ２ Ｏガスの混合ガス等が挙げられる。
【００２１】
【作用】アッシングレートを常に安定させる手段として
は、極力装置の稼働率とスループットを落とさずに、真
空チャンバーのプラズマ発生領域を囲む壁に付着したＨ
２ Ｏ成分を除去することが望ましい。本発明では、第
１ステップで少なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの混
合ガスを含むプロセスガスによるダウンストリームアッ
シングを行う。そして、次の第２ステップで、少なくと
もＨ２ Ｏガスを含まないプロセスガスを用いるダウン
ストリームアッシングでアッシング処理を行いながら、
第１ステップにおいてプラズマ放電領域の真空チャンバ
ーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分を少なくともＨ２ Ｏガ
スを含まないガスのプラズマで除去するようにしたため
、装置の稼働率とスループットを落とさずに安定したア
ッシングレートを得ることができる。
は、極力装置の稼働率とスループットを落とさずに、真
空チャンバーのプラズマ発生領域を囲む壁に付着したＨ
２ Ｏ成分を除去することが望ましい。本発明では、第
１ステップで少なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの混
合ガスを含むプロセスガスによるダウンストリームアッ
シングを行う。そして、次の第２ステップで、少なくと
もＨ２ Ｏガスを含まないプロセスガスを用いるダウン
ストリームアッシングでアッシング処理を行いながら、
第１ステップにおいてプラズマ放電領域の真空チャンバ
ーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分を少なくともＨ２ Ｏガ
スを含まないガスのプラズマで除去するようにしたため
、装置の稼働率とスループットを落とさずに安定したア
ッシングレートを得ることができる。
【００２２】更に、具体的に説明する。本発明では第１
ステップに、少なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの混
合ガスを含むプロセスガスによるダウンストリームアッ
シングを用いてアッシング処理を行う。そして、次の第
２ステップで、少なくともＨ２ Ｏガスを含まないプロ
セスガスを用いるダウンストリームアッシングプロセス
でアッシング処理を行いながら、第１ステップにおいて
プラズマ放電領域の真空チャンバーの壁に付着したＨ２
Ｏ成分を少なくともＨ２ Ｏガスを含まないガスのプ
ラズマで除去する。この過程を、例えば第１ステップで
Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームプロセスによる
アッシング処理を５４秒行い、第２ステップでＯ２ ガ
スダウンストリームアッシングプロセスによるアッシン
グ処理を６秒行った場合について、プラズマからの発光
スペクトルを調べた結果を、図１〜３に示す。
ステップに、少なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの混
合ガスを含むプロセスガスによるダウンストリームアッ
シングを用いてアッシング処理を行う。そして、次の第
２ステップで、少なくともＨ２ Ｏガスを含まないプロ
セスガスを用いるダウンストリームアッシングプロセス
でアッシング処理を行いながら、第１ステップにおいて
プラズマ放電領域の真空チャンバーの壁に付着したＨ２
Ｏ成分を少なくともＨ２ Ｏガスを含まないガスのプ
ラズマで除去する。この過程を、例えば第１ステップで
Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームプロセスによる
アッシング処理を５４秒行い、第２ステップでＯ２ ガ
スダウンストリームアッシングプロセスによるアッシン
グ処理を６秒行った場合について、プラズマからの発光
スペクトルを調べた結果を、図１〜３に示す。
【００２３】図１は第１ステップのＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガ
スダウンストリームプロセスのアッシング処理を行って
いる時の発光スペクトルを示す図である。この時のガス
流量比は、Ｏ２ ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％で
ある。図２は第２ステップのＯ２ ガスダウンストリー
ムアッシングプロセスを行っている時の発光スペクトル
を示す図であり、第２ステップが開始されて３秒経過し
た時の発光スペクトルを示す図である。第２ステップの
図２の場合では第１ステップの図１の場合の発光スペク
トルの図形と比べて、水素原子の発光（４８６１Å）の
発光強度とＯＨの発光（３０６３Å）の発光強度とが著
しく減少していることが判る。
スダウンストリームプロセスのアッシング処理を行って
いる時の発光スペクトルを示す図である。この時のガス
流量比は、Ｏ２ ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％で
ある。図２は第２ステップのＯ２ ガスダウンストリー
ムアッシングプロセスを行っている時の発光スペクトル
を示す図であり、第２ステップが開始されて３秒経過し
た時の発光スペクトルを示す図である。第２ステップの
図２の場合では第１ステップの図１の場合の発光スペク
トルの図形と比べて、水素原子の発光（４８６１Å）の
発光強度とＯＨの発光（３０６３Å）の発光強度とが著
しく減少していることが判る。
【００２４】図３は第２ステップのＯ２ ガスダウンス
トリームアッシングプロセスの終了直前の発光スペクト
ルを示す図であり、第２ステップが開始されて６秒経過
した時の発光スペクトルを示す図である。図３に示す発
光スペクトルからＯ２ ガスプラズマのみを発光させた
ときの形と略同じである。従って、第２ステップを行う
ことにより、プラズマ発生部のＨ２ Ｏ成分が除去され
ていることが判る。
トリームアッシングプロセスの終了直前の発光スペクト
ルを示す図であり、第２ステップが開始されて６秒経過
した時の発光スペクトルを示す図である。図３に示す発
光スペクトルからＯ２ ガスプラズマのみを発光させた
ときの形と略同じである。従って、第２ステップを行う
ことにより、プラズマ発生部のＨ２ Ｏ成分が除去され
ていることが判る。
【００２５】なお、第１ステップ中のアッシングレート
は約 １．３μｍ／分であり、第２ステップ中のアッシ
ングレートは約 １．０μｍ／分であった。これらのこ
とから、第１ステップでは、図５における流量比がＯ２
／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％の条件でアッシン
グ処理が進み、第２ステップでは図５における流量比が
Ｏ２ ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％から０％の条
件でアッシング処理が進んでいると考えられる。
は約 １．３μｍ／分であり、第２ステップ中のアッシ
ングレートは約 １．０μｍ／分であった。これらのこ
とから、第１ステップでは、図５における流量比がＯ２
／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％の条件でアッシン
グ処理が進み、第２ステップでは図５における流量比が
Ｏ２ ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％から０％の条
件でアッシング処理が進んでいると考えられる。
【００２６】従って、第２ステップでは、アッシング処
理とプラズマ発生部のクリーニングが同時に進んでいる
と考えられる。以上の条件で６インチウエハに約１．２
６μｍ塗布したレジストが６０秒で剥離することができ
た。一方、Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シングプロセスのみを用いた場合、同じ試料が５８秒で
アッシングできる。従って、スループットを約３％程度
下げることにより、安定したプロセスを供給できる。
理とプラズマ発生部のクリーニングが同時に進んでいる
と考えられる。以上の条件で６インチウエハに約１．２
６μｍ塗布したレジストが６０秒で剥離することができ
た。一方、Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シングプロセスのみを用いた場合、同じ試料が５８秒で
アッシングできる。従って、スループットを約３％程度
下げることにより、安定したプロセスを供給できる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
（第１の実施例）図４はダウンストリームアッシング装
置を示す概略図である。図４において、１はウエハ、２
はウエハ１を載置するステージ、３は反応室、４はプラ
ズマ生成室、５は石英等からなるマイクロ波透過窓、６
はマイクロ波導波管、７は光ファイバーである。
置を示す概略図である。図４において、１はウエハ、２
はウエハ１を載置するステージ、３は反応室、４はプラ
ズマ生成室、５は石英等からなるマイクロ波透過窓、６
はマイクロ波導波管、７は光ファイバーである。
【００２８】図４に示すダウンストリームアッシング装
置を用いて下記条件■に示す２ステップアッシングの条
件でアッシング処理を行ったところ、６インチウエハに
約１．２６μｍ塗布したレジストを６０秒で剥離するこ
とができる。
置を用いて下記条件■に示す２ステップアッシングの条
件でアッシング処理を行ったところ、６インチウエハに
約１．２６μｍ塗布したレジストを６０秒で剥離するこ
とができる。
【００２９】一方、下記条件■に示す条件のＯ２ ＋Ｈ
２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス（条件
■の第１ステップに相当）のみを用いた場合、同じ試料
が５８秒でアッシングできる。
２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス（条件
■の第１ステップに相当）のみを用いた場合、同じ試料
が５８秒でアッシングできる。
【００３０】従って、スループットを約３％程度下げる
ことにより、安定したプロセスを供給できる。また、約
１０００枚の６インチウエハのアッシング処理を行った
が、アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシング（ア
ッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧力：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：５４秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．０μｍ／
分） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シング（アッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧
力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：６０秒 （第２の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレ
ジストを７６秒で剥離することができる。
ことにより、安定したプロセスを供給できる。また、約
１０００枚の６インチウエハのアッシング処理を行った
が、アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシング（ア
ッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧力：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：５４秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．０μｍ／
分） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シング（アッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧
力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：６０秒 （第２の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレ
ジストを７６秒で剥離することができる。
【００３１】一方、下記条件■ に示す条件のＯ２ ＋
Ｈ２Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス （下
記条件■ の第１ステップに相当） のみを用いた場合
、同じ試料が７６秒でアッシングできる。
Ｈ２Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス （下
記条件■ の第１ステップに相当） のみを用いた場合
、同じ試料が７６秒でアッシングできる。
【００３２】従って、スループットを全く下げること無
く、安定したプロセスを供給できる。また、約１０００
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。
く、安定したプロセスを供給できる。また、約１０００
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。
【００３３】条件■ 第１ステップＯ２ ＋Ｈ２
Ｏガスダウンストリームアッシング（アッシングレート
約 １．０μｍ／分） 圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：７０秒 第２ステップ （アッシングレート約 １．０μｍ／分
） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力： ０
．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームア
ッシング （アッシングレート約 １．０μｍ／分） 圧力： ０
．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：７６秒 （第３の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレ
ジストを４７秒で剥離することができる。
Ｏガスダウンストリームアッシング（アッシングレート
約 １．０μｍ／分） 圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：７０秒 第２ステップ （アッシングレート約 １．０μｍ／分
） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力： ０
．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームア
ッシング （アッシングレート約 １．０μｍ／分） 圧力： ０
．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ アッシング時間：７６秒 （第３の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレ
ジストを４７秒で剥離することができる。
【００３４】一方、下記条件■ に示す条件のＯ２ ＋
Ｈ２Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■ の第１ステップに相当） のみを用
いた場合、同じ試料が４３秒でアッシングできる。
Ｈ２Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■ の第１ステップに相当） のみを用
いた場合、同じ試料が４３秒でアッシングできる。
【００３５】従って、スループットを約８％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：３７秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．２μｍ／
分） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：１０秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームア
ッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒 （第４の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレ
ジストを４７秒で剥離することができる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：３７秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．２μｍ／
分） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：１０秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームア
ッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒 （第４の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレ
ジストを４７秒で剥離することができる。
【００３６】一方、下記条件■ に示す条件のＯ２ ＋
Ｈ２Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■ の第１ステップに相当） のみを用
いた場合、同じ試料が４３秒でアッシングできる。
Ｈ２Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■ の第１ステップに相当） のみを用
いた場合、同じ試料が４３秒でアッシングできる。
【００３７】従って、スループットを約８％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １５０ｃｃ／分 Ｎ２ ガス ５０ｃｃ／分 アッシング時間：３７秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：１０秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームア
ッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１５０ｃｃ／分 Ｎ２ ガス ５０ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒 （第５の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを６０秒で剥離することができる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １５０ｃｃ／分 Ｎ２ ガス ５０ｃｃ／分 アッシング時間：３７秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ガスダウンストリームアッシング圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：１０秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームア
ッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１５０ｃｃ／分 Ｎ２ ガス ５０ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒 （第５の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを６０秒で剥離することができる。
【００３８】一方、下記条件■に示す条件のＯ２ ＋Ｈ
２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス （下
記条件■の第１ステップに相当） のみを用いた場合、
同じ試料が６０秒でアッシングできる。
２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス （下
記条件■の第１ステップに相当） のみを用いた場合、
同じ試料が６０秒でアッシングできる。
【００３９】従って、スループットを全く下げること無
く、安定したプロセスを供給できる。また、約１０００
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシング（ア
ッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧力：０．８
Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 アッシング時間：５４秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシング
圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シング（アッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧
力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 アッシング時間：６０秒 （第６の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを６０秒で剥離することができる。
く、安定したプロセスを供給できる。また、約１０００
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシング（ア
ッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧力：０．８
Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 アッシング時間：５４秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシング
圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス １０００ｃｃ／分アッシング
時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シング（アッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧
力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 アッシング時間：６０秒 （第６の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを６０秒で剥離することができる。
【００４０】一方、下記条件■に示す条件のＯ２ ＋Ｈ
２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス （下
記条件■の第１ステップに相当） のみを用いた場合、
同じ試料が６０秒でアッシングできる。
２ Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス （下
記条件■の第１ステップに相当） のみを用いた場合、
同じ試料が６０秒でアッシングできる。
【００４１】従って、スループットを全く下げること無
く、安定したプロセスを供給できる。また、約１０００
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシング（ア
ッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧力：０．８
Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 アッシング時間：５４秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ Ｏガスダウンストリームアッシン
グ圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｎ２ ガス
： １００ｃｃ／分 アッシング時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シング（アッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧
力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 アッシング時間：６０秒 （第７の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを４６秒で剥離することができる。
く、安定したプロセスを供給できる。また、約１０００
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッシング（ア
ッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧力：０．８
Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 アッシング時間：５４秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ Ｏガスダウンストリームアッシン
グ圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｎ２ ガス
： １００ｃｃ／分 アッシング時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏガスダウンストリームアッ
シング（アッシングレート：約 １．３μｍ／分） 圧
力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 アッシング時間：６０秒 （第７の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを４６秒で剥離することができる。
【００４２】一方、下記条件■に示す条件のＯ２ ＋Ｈ
２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■の第１ステップに相当） のみを用い
た場合、同じ試料が４４秒でアッシングできる。
２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■の第１ステップに相当） のみを用い
た場合、同じ試料が４４秒でアッシングできる。
【００４３】従って、スループットを約４％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４０秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシング
圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｎ２ ガス
１００ｃｃ／分 アッシング時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリ
ームアッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒 （第８の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを４６秒で剥離することができる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４０秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシング
圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｎ２ ガス
１００ｃｃ／分 アッシング時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリ
ームアッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒 （第８の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約１．２６μｍ塗布したレジ
ストを４６秒で剥離することができる。
【００４４】一方、下記条件■に示す条件のＯ２ ＋Ｈ
２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■の第１ステップに相当） のみを用い
た場合、同じ試料が４４秒でアッシングできる。
２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス （下記条件■の第１ステップに相当） のみを用い
た場合、同じ試料が４４秒でアッシングできる。
【００４５】従って、スループットを約４％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４０秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシング
圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｎ２ Ｏガ
ス： １００ｃｃ／分 アッシング時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリ
ームアッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒
により、安定したプロセスを供給できる。また、約１０
００枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第１ステップ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシ
ング（アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力
：０．８ Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００ｃｃ／分Ｈ２ Ｏガ
ス １００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４０秒 第２ステップ （アッシングレート：約 １．３μｍ／
分） Ｏ２ ＋Ｎ２ ガスダウンストリームアッシング
圧力： ０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ９００ｃｃ／分Ｎ２ Ｏガ
ス： １００ｃｃ／分 アッシング時間：６秒 条件■ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ＋Ｎ２ ガスダウンストリ
ームアッシング （アッシングレート：約 １．７μｍ／分） 圧力：
０．８Ｔｏｒｒ マイクロ波出力： １．５ｋｗ ステージ温度： １６０℃ ガス流量：Ｏ２ ガス ８００／分Ｈ２ Ｏガス
１００ｃｃ／分 Ｎ２ ガス １００ｃｃ／分 アッシング時間：４４秒
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、装置の稼働率とスルー
プットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空
チャンバーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分の除去を行うこ
とができ、安定したアッシングレートを得ることができ
るという効果がある。
プットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空
チャンバーの壁に付着したＨ２ Ｏ成分の除去を行うこ
とができ、安定したアッシングレートを得ることができ
るという効果がある。
【図１】本発明の第１ステップのＯ２ ＋Ｈ２ Ｏガス
ダウンストリームアッシングを行った時の発光スペクト
ルを示す図である。
ダウンストリームアッシングを行った時の発光スペクト
ルを示す図である。
【図２】本発明のＯ２ ガスダウンストリームアッシン
グを行った時の発光スペクトルを示す図である。
グを行った時の発光スペクトルを示す図である。
【図３】本発明のＯ２ ガスダウンストリームアッシン
グ終了直前の発光スペクトルを示す図である。
グ終了直前の発光スペクトルを示す図である。
【図４】本発明に用いたダウンストリームアッシング装
置を示す概略図である。
置を示す概略図である。
【図５】Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％に対するア
ッシングレートを示す図である。
ッシングレートを示す図である。
【図６】Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％に
設定して図５に対応した設定通りのアッシングレート（
１．３μｍ／分） が得られている場合のプラズマか
らの発光スペクトルを示す図である。
設定して図５に対応した設定通りのアッシングレート（
１．３μｍ／分） が得られている場合のプラズマか
らの発光スペクトルを示す図である。
【図７】Ｈ２ Ｏ／（Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ）％＝１０％に
設定しているにも関わらず、アッシングレートの設定値
が制御できずに設定値より２０％低い値（ １．０ μ
ｍ／分） になっている場合の発光スペクトルを示す図
である。
設定しているにも関わらず、アッシングレートの設定値
が制御できずに設定値より２０％低い値（ １．０ μ
ｍ／分） になっている場合の発光スペクトルを示す図
である。
【図８】Ｈ２ Ｏ／（ Ｏ２ ＋Ｈ２ Ｏ） ％＝２０
％に設定して図５に対応した設定通りのアッシングレー
ト（ １．０μｍ／分） が得られている場合のプラズ
マからの発光スペクトルを示す図である。
％に設定して図５に対応した設定通りのアッシングレー
ト（ １．０μｍ／分） が得られている場合のプラズ
マからの発光スペクトルを示す図である。
１ ウエハ
２ ステージ
３ 反応室
４ プラズマ生成室
５ マイクロ波透過窓
６ 光ファイバー
Claims (3)
- 【請求項１】 レジストをアッシング処理する工程を
有する半導体装置の製造方法において、該レジストを少
なくともＯ２ ガスとＨ２ Ｏガスの混合ガスを含むプ
ロセスガスによってアッシング処理し、次いで、該レジ
ストを更に少なくともＨ２ Ｏガスを含まないプロセス
ガスによってアッシング処理する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記の混合ガスを含むプロセスガスが
Ｏ２ ガス、Ｈ２ Ｏガス及びＮ２ ガスの混合ガスま
たはＯ２ ガス、Ｈ２ Ｏガス及びＮ２ Ｏガスの混合
ガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 前記Ｈ２ Ｏガスを含まないプロセス
ガスがＯ２ ガスとＮ２ ガスの混合ガスまたはＯ２
ガスとＮ２ Ｏガスの混合ガスであることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30091A JP2925751B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30091A JP2925751B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242920A true JPH04242920A (ja) | 1992-08-31 |
| JP2925751B2 JP2925751B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=11470052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30091A Expired - Fee Related JP2925751B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925751B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19500162A1 (de) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
| WO1999052132A1 (fr) * | 1998-04-01 | 1999-10-14 | Hitachi, Ltd. | Procede et systeme de detection du point d'extremite d'un traitement au plasma, et de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs par ces moyens |
| US6007671A (en) * | 1992-10-28 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method for hydrogen plasma down-flow processing and apparatus thereof |
| JP2002514354A (ja) * | 1997-06-11 | 2002-05-14 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 半導体の製造におけるエッチング後の積層スタック処理のための方法及び組成 |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP30091A patent/JP2925751B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007671A (en) * | 1992-10-28 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method for hydrogen plasma down-flow processing and apparatus thereof |
| WO2004093175A1 (ja) * | 1992-10-28 | 2004-10-28 | Shuzo Fujimura | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
| DE19500162A1 (de) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
| US5560803A (en) * | 1994-02-03 | 1996-10-01 | Fujitsu Limited | Plasma ashing method with oxygen pretreatment |
| DE19500162C2 (de) * | 1994-02-03 | 2001-03-29 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
| JP2002514354A (ja) * | 1997-06-11 | 2002-05-14 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 半導体の製造におけるエッチング後の積層スタック処理のための方法及び組成 |
| JP4642164B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2011-03-02 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 金属エッチング後のウェハの積層スタックの処理方法 |
| WO1999052132A1 (fr) * | 1998-04-01 | 1999-10-14 | Hitachi, Ltd. | Procede et systeme de detection du point d'extremite d'un traitement au plasma, et de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs par ces moyens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2925751B2 (ja) | 1999-07-28 |
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