JPH04242920A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04242920A JPH04242920A JP30091A JP30091A JPH04242920A JP H04242920 A JPH04242920 A JP H04242920A JP 30091 A JP30091 A JP 30091A JP 30091 A JP30091 A JP 30091A JP H04242920 A JPH04242920 A JP H04242920A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
に係り、詳しくは、半導体ウエハのような被処理物上の
レジストをプラズマによって灰化処理する工程を有する
半導体装置の製造方法に関する。
ることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの
壁に付着したH2 O成分の除去を行うことができ、安
定したアッシングレートを得ることができるようにレジ
ストをアッシング処理する工程を有する半導体装置の製
造方法が要求されている。
いたレジストのドライアッシング方法としては、プラズ
マ中の荷電粒子の衝突によるダメージを半導体ウエハに
与えること無く、効率良くレジストを灰化することが要
求されている。この荷電粒子のダメージを避けるために
プラズマからウエハを離したダウンストリームアッシン
グプロセス(プラズマの下流でのアッシングプロセス)
が使われてきており、このダウンストリームアッシング
プロセスは、O2 ガスを主に用いる。O2 ガスのみ
を用いる、O2 ガスダウンストリームアッシングプロ
セスにおいてアッシング反応に寄与する反応種は、中性
粒子である酸素原子であることが例えばJ.MCook
,B.W.Benson:J.Electrochem
.Soc.,130.(1983)2459で確認され
ている。
ッシングは、化学反応だけでレジストをアッシングする
ことができるという利点があるが、アッシングレートが
低く、アッシングレートのウエハ温度依存が大きい等の
問題がある。
2 ガスにCF4 ガスを添加して行うO2 +CF4
ガスダウンストリームアッシングプロセスや、O2
ガスにC2 F6 ガスを添加して行うO2 +C2
F6 ガスダウンストリームアッシングプロセス等が提
案された。
ンストリームアッシングにおいて、O2 プラズマにC
F4 、C2 F6 等のガスを適量添加すると、■ア
ッシングレートが上昇し、■アッシング反応の活性化エ
ネルギーが下がる(アッシングレートのウエハ温度依存
が小さくなる)等と上記問題を解決することができると
いう効果がある。これらの効果が現れるのは、プラズマ
中で生成される酸素原子が増加すること、プラズマ中で
生成されたフッ素原子がアッシング反応に寄与すること
等によるものと推定される。このため、従来O2 +C
F4 ガスダウンストリームアッシングプロセス、O2
+C2 F6 ガスダウンストリームアッシングプロ
セスが良く用いられてきた。
用いたアッシングプロセスでは、フッ素原子がアッシン
グ反応に寄与するだけでなく、下地がSiO2 等の酸
化膜である場合、その下地の酸化膜までもエッチングし
てしまい、選択比が悪いという問題がある。そこで上記
した■■の効果をもち、しかもフッ素原子を含まないプ
ロセス、または、フッ素原子による下地の酸化膜のエッ
チングを防止できるプロセスであるO2 +H2 Oガ
スダウンストリームアッシングプロセス(フッ素原子を
含まない)、O2 +H2 O+N2 ガスダウンスト
リームアッシングプロセス(フッ素原子を含まない)、
O2 +H2O+CF4 ガスダウンストリームアッシ
ングプロセス(フッ素原子の酸化膜エッチングを水素原
子で防止できる)等の、少なくともO2 +H2 Oガ
スを含むプロセスガスを用いるダウンストリームアッシ
ング方法が提案された。
た従来の少なくともO2 +H2 Oガスを含むプロセ
スを用いるダウンストリームアッシング方法では、この
アッシング方法を連続して用いる場合、前回のアッシン
グ時に真空チャンバーの壁に付着したH2 O成分が、
次工程で行うアッシング処理のプラズマ放電時に、プロ
セスガスとともにプラズマ化して実質のガス混合比を変
えてしまい、設定したアッシングレートに制御できない
ことが不規則に生じるという問題があった。
なくなった場合にのみ、O2 ガスプラズマによるプラ
ズマ放電領域のクリーニングが行われたが、クリーニン
グ時間が5分程度もかかってしまい、装置の稼働率とス
ループットを下げてしまうという問題があった。以下、
具体的に図面を用いて説明する。
ームアッシングプロセスのアッシング特性を示しており
、流量比H2 O/(O2 +H2 O)%に対するア
ッシングレートの変化を示す図である。
H2 O/(O2 +H2 O)%を0から10%に変
化させると急激に上昇しており、10%を越えると緩や
かに減少していることが判る。そして、この図5から、
O2 +H2 Oガスダウンストリームアッシングプロ
セスは、プラズマ中のO2 +H2 Oガス混合比を一
定に保つことがアッシングレートを設定値通りに制御す
るために重要であることが判る。
ならない場合は、O2 +H2 Oガス混合比が制御で
きていない可能性が高い。そこで、アッシングレートが
設定値通りの場合のプラズマの発光スペクトルとアッシ
ングレートが制御できずに設定値のアッシングレートが
20%減少した場合のプラズマの発光スペクトルと比較
してみた。図6はO2 +H2 Oガス流量比をH2
O/(O2 +H2 O)%=10%に設定して図5に
対応した設定通りのアッシングレート( 1.3μm/
分)が得られている場合の発光スペクトルを示す図であ
る。図7はO2 +H2 Oガス流量比をH2 O/(
O2 +H2 O)%=10%に設定しているにも関わ
らず、アッシングレートの設定値が制御できず設定値よ
り約20%アッシングレートが減少した( 1.0μm
/分)場合の発光スペクトル図を示す図である。
アッシングレートの場合(図6)と設定値より約20%
アッシングレートが減少した場合(図7)では、発光ス
ペクトルの図形が違っていることが判る。設定値より約
20%アッシングレートが減少した場合(図7)では、
設定通りのアッシングレートの場合(図6)より水素原
子の発光(4861Å)の発光強度が著しく増加してい
ることと、OHの発光(3063Å)の発光強度も増加
していることが判る。
の量が、設定通りのアッシングレートの場合(図6)よ
り多くなっていることが推定できる。そこで、図8にO
2 +H2 Oガス流量比をH2 O/(O2 +H2
O)%=20%に設定して図5に対応した設定通りの
アッシングレート( 1.0μm/分)が得られている
場合の発光スペクトルを示す。異常の場合の図7と図8
の発光スペクトルの図形を比較してみると、ほとんど同
じであることが判る。
ッシングレートが減少した場合のプラズマ中のガス混合
比は、H2 O/(O2 +H2 O)%=20%に近
い混合比になっていると考えられる。
行われているため、プラズマ発生領域でのO2 ガスと
H2 Oガスの混合比を制御できなくしている原因は、
プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの壁に付着した
H2 O成分がアッシング処理後も残留し、次のアッシ
ング時にプラズマ化して、実質のH2 O/(O2 +
H2 O)%の割合を設定値よりも大きくしているもの
と考えられる。なお、このために生じるアッシングレー
トの安定しない状態は、特に、連続してアッシング処理
を行う場合に不規則に起きる。
ットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チ
ャンバーの壁に付着したH2 O成分の除去を行うこと
ができ、安定したアッシングレートを得ることができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的としている
。
の製造方法は上記目的達成のため、レジストをアッシン
グ処理する工程を有する半導体装置の製造方法において
、該レジストを少なくともO2 ガスとH2 Oガスの
混合ガスを含むプロセスガスによってアッシング処理し
、次いで、該レジストを更に少なくともH2 Oガスを
含まないプロセスガスによってアッシング処理する工程
を含むものである。
にはO2 ガス、H2 Oガス及びN2 ガスの混合ガ
スや、O2 ガス、H2 Oガス及びN2 Oガスの混
合ガス等が挙げられる。
セスガスにはO2 ガスとN2 ガスの混合ガスや、O
2 ガスとN2 Oガスの混合ガス等が挙げられる。
は、極力装置の稼働率とスループットを落とさずに、真
空チャンバーのプラズマ発生領域を囲む壁に付着したH
2 O成分を除去することが望ましい。本発明では、第
1ステップで少なくともO2 ガスとH2 Oガスの混
合ガスを含むプロセスガスによるダウンストリームアッ
シングを行う。そして、次の第2ステップで、少なくと
もH2 Oガスを含まないプロセスガスを用いるダウン
ストリームアッシングでアッシング処理を行いながら、
第1ステップにおいてプラズマ放電領域の真空チャンバ
ーの壁に付着したH2 O成分を少なくともH2 Oガ
スを含まないガスのプラズマで除去するようにしたため
、装置の稼働率とスループットを落とさずに安定したア
ッシングレートを得ることができる。
ステップに、少なくともO2 ガスとH2 Oガスの混
合ガスを含むプロセスガスによるダウンストリームアッ
シングを用いてアッシング処理を行う。そして、次の第
2ステップで、少なくともH2 Oガスを含まないプロ
セスガスを用いるダウンストリームアッシングプロセス
でアッシング処理を行いながら、第1ステップにおいて
プラズマ放電領域の真空チャンバーの壁に付着したH2
O成分を少なくともH2 Oガスを含まないガスのプ
ラズマで除去する。この過程を、例えば第1ステップで
O2 +H2 Oガスダウンストリームプロセスによる
アッシング処理を54秒行い、第2ステップでO2 ガ
スダウンストリームアッシングプロセスによるアッシン
グ処理を6秒行った場合について、プラズマからの発光
スペクトルを調べた結果を、図1〜3に示す。
スダウンストリームプロセスのアッシング処理を行って
いる時の発光スペクトルを示す図である。この時のガス
流量比は、O2 /(O2 +H2 O)%=10%で
ある。図2は第2ステップのO2 ガスダウンストリー
ムアッシングプロセスを行っている時の発光スペクトル
を示す図であり、第2ステップが開始されて3秒経過し
た時の発光スペクトルを示す図である。第2ステップの
図2の場合では第1ステップの図1の場合の発光スペク
トルの図形と比べて、水素原子の発光(4861Å)の
発光強度とOHの発光(3063Å)の発光強度とが著
しく減少していることが判る。
トリームアッシングプロセスの終了直前の発光スペクト
ルを示す図であり、第2ステップが開始されて6秒経過
した時の発光スペクトルを示す図である。図3に示す発
光スペクトルからO2 ガスプラズマのみを発光させた
ときの形と略同じである。従って、第2ステップを行う
ことにより、プラズマ発生部のH2 O成分が除去され
ていることが判る。
は約 1.3μm/分であり、第2ステップ中のアッシ
ングレートは約 1.0μm/分であった。これらのこ
とから、第1ステップでは、図5における流量比がO2
/(O2 +H2 O)%=10%の条件でアッシン
グ処理が進み、第2ステップでは図5における流量比が
O2 /(O2 +H2 O)%=10%から0%の条
件でアッシング処理が進んでいると考えられる。
理とプラズマ発生部のクリーニングが同時に進んでいる
と考えられる。以上の条件で6インチウエハに約1.2
6μm塗布したレジストが60秒で剥離することができ
た。一方、O2 +H2 Oガスダウンストリームアッ
シングプロセスのみを用いた場合、同じ試料が58秒で
アッシングできる。従って、スループットを約3%程度
下げることにより、安定したプロセスを供給できる。
置を示す概略図である。図4において、1はウエハ、2
はウエハ1を載置するステージ、3は反応室、4はプラ
ズマ生成室、5は石英等からなるマイクロ波透過窓、6
はマイクロ波導波管、7は光ファイバーである。
置を用いて下記条件■に示す2ステップアッシングの条
件でアッシング処理を行ったところ、6インチウエハに
約1.26μm塗布したレジストを60秒で剥離するこ
とができる。
2 Oガスダウンストリームアッシングプロセス(条件
■の第1ステップに相当)のみを用いた場合、同じ試料
が58秒でアッシングできる。
ことにより、安定したプロセスを供給できる。また、約
1000枚の6インチウエハのアッシング処理を行った
が、アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 Oガスダウンストリームアッシング(ア
ッシングレート:約 1.3μm/分) 圧力:0.8 Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ アッシング時間:54秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.0μm/
分) O2 ガスダウンストリームアッシング圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 1000cc/分アッシング
時間:6秒 条件■ O2 +H2 Oガスダウンストリームアッ
シング(アッシングレート:約 1.3μm/分) 圧
力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ アッシング時間:60秒 (第2の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレ
ジストを76秒で剥離することができる。
H2Oガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件■ の第1ステップに相当) のみを用いた場合
、同じ試料が76秒でアッシングできる。
く、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。
Oガスダウンストリームアッシング(アッシングレート
約 1.0μm/分) 圧力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ アッシング時間:70秒 第2ステップ (アッシングレート約 1.0μm/分
) O2 ガスダウンストリームアッシング圧力: 0
.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 1000cc/分アッシング
時間:6秒 条件■ O2 +H2 Oガスダウンストリームア
ッシング (アッシングレート約 1.0μm/分) 圧力: 0
.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ アッシング時間:76秒 (第3の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレ
ジストを47秒で剥離することができる。
H2O+N2 ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス (下記条件■ の第1ステップに相当) のみを用
いた場合、同じ試料が43秒でアッシングできる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約10
00枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 O+N2 ガスダウンストリームアッシ
ング(アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力
:0.8 Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800cc/分H2 Oガ
ス 100cc/分 N2 ガス 100cc/分 アッシング時間:37秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.2μm/
分) O2 ガスダウンストリームアッシング圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 1000cc/分アッシング
時間:10秒 条件■ O2 +H2 Oガスダウンストリームア
ッシング (アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800/分H2 Oガス
100cc/分 N2 ガス 100cc/分 アッシング時間:44秒 (第4の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■ に示
す2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレ
ジストを47秒で剥離することができる。
H2O+N2 ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス (下記条件■ の第1ステップに相当) のみを用
いた場合、同じ試料が43秒でアッシングできる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約10
00枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 O+N2 ガスダウンストリームアッシ
ング(アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力
:0.8 Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800cc/分H2 Oガ
ス 150cc/分 N2 ガス 50cc/分 アッシング時間:37秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.3μm/
分) O2 ガスダウンストリームアッシング圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 1000cc/分アッシング
時間:10秒 条件■ O2 +H2 Oガスダウンストリームア
ッシング (アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800/分H2 Oガス
150cc/分 N2 ガス 50cc/分 アッシング時間:44秒 (第5の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレジ
ストを60秒で剥離することができる。
2 Oガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件■の第1ステップに相当) のみを用いた場合、
同じ試料が60秒でアッシングできる。
く、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 Oガスダウンストリームアッシング(ア
ッシングレート:約 1.3μm/分) 圧力:0.8
Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900cc/分H2 Oガ
ス 100cc/分 アッシング時間:54秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.3μm/
分) O2 +N2 ガスダウンストリームアッシング
圧力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 1000cc/分アッシング
時間:6秒 条件■ O2 +H2 Oガスダウンストリームアッ
シング(アッシングレート:約 1.3μm/分) 圧
力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900/分H2 Oガス
100cc/分 アッシング時間:60秒 (第6の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレジ
ストを60秒で剥離することができる。
2 Oガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件■の第1ステップに相当) のみを用いた場合、
同じ試料が60秒でアッシングできる。
く、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 Oガスダウンストリームアッシング(ア
ッシングレート:約 1.3μm/分) 圧力:0.8
Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900cc/分H2 Oガ
ス 100cc/分 アッシング時間:54秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.3μm/
分) O2 +N2 Oガスダウンストリームアッシン
グ圧力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900cc/分N2 ガス
: 100cc/分 アッシング時間:6秒 条件■ O2 +H2 Oガスダウンストリームアッ
シング(アッシングレート:約 1.3μm/分) 圧
力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900cc/分H2 Oガ
ス 100cc/分 アッシング時間:60秒 (第7の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレジ
ストを46秒で剥離することができる。
2 O+N2 ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス (下記条件■の第1ステップに相当) のみを用い
た場合、同じ試料が44秒でアッシングできる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約10
00枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 O+N2 ガスダウンストリームアッシ
ング(アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力
:0.8 Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800cc/分H2 Oガ
ス 100cc/分 N2 ガス 100cc/分 アッシング時間:40秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.3μm/
分) O2 +N2 ガスダウンストリームアッシング
圧力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900cc/分N2 ガス
100cc/分 アッシング時間:6秒 条件■ O2 +H2 O+N2 ガスダウンストリ
ームアッシング (アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800/分H2 Oガス
100cc/分 N2 ガス 100cc/分 アッシング時間:44秒 (第8の実施例)第1の実施例と同様、図4に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件■に示す
2ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、6インチウエハに約1.26μm塗布したレジ
ストを46秒で剥離することができる。
2 O+N2 ガスダウンストリームアッシングプロセ
ス (下記条件■の第1ステップに相当) のみを用い
た場合、同じ試料が44秒でアッシングできる。
により、安定したプロセスを供給できる。また、約10
00枚の6インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件■ 第1ステップ O2 +H2 O+N2 ガスダウンストリームアッシ
ング(アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力
:0.8 Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800cc/分H2 Oガ
ス 100cc/分 N2 ガス 100cc/分 アッシング時間:40秒 第2ステップ (アッシングレート:約 1.3μm/
分) O2 +N2 ガスダウンストリームアッシング
圧力: 0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 900cc/分N2 Oガ
ス: 100cc/分 アッシング時間:6秒 条件■ O2 +H2 O+N2 ガスダウンストリ
ームアッシング (アッシングレート:約 1.7μm/分) 圧力:
0.8Torr マイクロ波出力: 1.5kw ステージ温度: 160℃ ガス流量:O2 ガス 800/分H2 Oガス
100cc/分 N2 ガス 100cc/分 アッシング時間:44秒
プットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空
チャンバーの壁に付着したH2 O成分の除去を行うこ
とができ、安定したアッシングレートを得ることができ
るという効果がある。
ダウンストリームアッシングを行った時の発光スペクト
ルを示す図である。
グを行った時の発光スペクトルを示す図である。
グ終了直前の発光スペクトルを示す図である。
置を示す概略図である。
ッシングレートを示す図である。
設定して図5に対応した設定通りのアッシングレート(
1.3μm/分) が得られている場合のプラズマか
らの発光スペクトルを示す図である。
設定しているにも関わらず、アッシングレートの設定値
が制御できずに設定値より20%低い値( 1.0 μ
m/分) になっている場合の発光スペクトルを示す図
である。
%に設定して図5に対応した設定通りのアッシングレー
ト( 1.0μm/分) が得られている場合のプラズ
マからの発光スペクトルを示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 レジストをアッシング処理する工程を
有する半導体装置の製造方法において、該レジストを少
なくともO2 ガスとH2 Oガスの混合ガスを含むプ
ロセスガスによってアッシング処理し、次いで、該レジ
ストを更に少なくともH2 Oガスを含まないプロセス
ガスによってアッシング処理する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記の混合ガスを含むプロセスガスが
O2 ガス、H2 Oガス及びN2 ガスの混合ガスま
たはO2 ガス、H2 Oガス及びN2 Oガスの混合
ガスであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項3】 前記H2 Oガスを含まないプロセス
ガスがO2 ガスとN2 ガスの混合ガスまたはO2
ガスとN2 Oガスの混合ガスであることを特徴とする
請求項1記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30091A JP2925751B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30091A JP2925751B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04242920A true JPH04242920A (ja) | 1992-08-31 |
JP2925751B2 JP2925751B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=11470052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30091A Expired - Fee Related JP2925751B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2925751B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19500162A1 (de) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
WO1999052132A1 (fr) * | 1998-04-01 | 1999-10-14 | Hitachi, Ltd. | Procede et systeme de detection du point d'extremite d'un traitement au plasma, et de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs par ces moyens |
US6007671A (en) * | 1992-10-28 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method for hydrogen plasma down-flow processing and apparatus thereof |
JP2002514354A (ja) * | 1997-06-11 | 2002-05-14 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 半導体の製造におけるエッチング後の積層スタック処理のための方法及び組成 |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP30091A patent/JP2925751B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6007671A (en) * | 1992-10-28 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method for hydrogen plasma down-flow processing and apparatus thereof |
WO2004093175A1 (ja) * | 1992-10-28 | 2004-10-28 | Shuzo Fujimura | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
DE19500162A1 (de) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
US5560803A (en) * | 1994-02-03 | 1996-10-01 | Fujitsu Limited | Plasma ashing method with oxygen pretreatment |
DE19500162C2 (de) * | 1994-02-03 | 2001-03-29 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
JP2002514354A (ja) * | 1997-06-11 | 2002-05-14 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 半導体の製造におけるエッチング後の積層スタック処理のための方法及び組成 |
JP4642164B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2011-03-02 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 金属エッチング後のウェハの積層スタックの処理方法 |
WO1999052132A1 (fr) * | 1998-04-01 | 1999-10-14 | Hitachi, Ltd. | Procede et systeme de detection du point d'extremite d'un traitement au plasma, et de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs par ces moyens |
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---|---|
JP2925751B2 (ja) | 1999-07-28 |
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