JPH0125222B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0125222B2 JPH0125222B2 JP55111232A JP11123280A JPH0125222B2 JP H0125222 B2 JPH0125222 B2 JP H0125222B2 JP 55111232 A JP55111232 A JP 55111232A JP 11123280 A JP11123280 A JP 11123280A JP H0125222 B2 JPH0125222 B2 JP H0125222B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- photoresist film
- reaction tube
- substrate
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマ処理法を用いたホトレジス
ト膜の除去方法に関するものである。
ト膜の除去方法に関するものである。
半導体集積回路IC等の半導体装置をシリコンSi
等の半導体基板上に形成する場合、例えばSi基板
上に二酸化シリコンSiO2等の絶縁膜を形成した
のち、該酸化膜上にホトレジスト膜を被着し、該
ホトレジスト膜を所定のパターンに露光、現像
し、該パターニングされたホトレジスト膜をマス
クとして下層の酸化膜を所定のパターンにエツチ
ングして成形し、その後パターニングした酸化膜
をマスクとしてSi基板に特定の素子形成用不純物
を導入して半導体装置とする工程がとられてい
る。
等の半導体基板上に形成する場合、例えばSi基板
上に二酸化シリコンSiO2等の絶縁膜を形成した
のち、該酸化膜上にホトレジスト膜を被着し、該
ホトレジスト膜を所定のパターンに露光、現像
し、該パターニングされたホトレジスト膜をマス
クとして下層の酸化膜を所定のパターンにエツチ
ングして成形し、その後パターニングした酸化膜
をマスクとしてSi基板に特定の素子形成用不純物
を導入して半導体装置とする工程がとられてい
る。
ここで近来前記ホトレジスト膜をエツチングし
て所定のパターンに形成する場合、前記ホトレジ
スト膜を所定のパターンで露光したのち、該露光
したホトレジスト膜を有する半導体基板を反応管
に挿入し、次いで反応管内に導入された反応ガス
を高周波電力により励起してガスプラズマを発生
させ、発生したガスプラズマの照射によつてホト
レジスト膜を灰化処理したり、該ホトレジスト膜
をマスクとして前記酸化膜等をエツチングするガ
スプラズマ処理法が一般に用いられている。
て所定のパターンに形成する場合、前記ホトレジ
スト膜を所定のパターンで露光したのち、該露光
したホトレジスト膜を有する半導体基板を反応管
に挿入し、次いで反応管内に導入された反応ガス
を高周波電力により励起してガスプラズマを発生
させ、発生したガスプラズマの照射によつてホト
レジスト膜を灰化処理したり、該ホトレジスト膜
をマスクとして前記酸化膜等をエツチングするガ
スプラズマ処理法が一般に用いられている。
このプラズマ処理法は、従来のようにホトレジ
スト膜を除去する際に、硫酸H2SO4等の処理液
を用いる必要がなく、したがつて該処理液を用い
るための作業上の危険性が伴なわない。
スト膜を除去する際に、硫酸H2SO4等の処理液
を用いる必要がなく、したがつて該処理液を用い
るための作業上の危険性が伴なわない。
更に除去処理後の廃液処理の問題も除去され、
また微細なパターンを形成し得る等の利点がある
ので、半導体製造工業において広く用いられてい
る。
また微細なパターンを形成し得る等の利点がある
ので、半導体製造工業において広く用いられてい
る。
ここで前記反応管内へ導入された灰化処理用の
ガスを効率良く励起するために、最近は、高周波
電源の周波数を高くする傾向にあり、例えばマイ
クロ波発振器が用いられている。
ガスを効率良く励起するために、最近は、高周波
電源の周波数を高くする傾向にあり、例えばマイ
クロ波発振器が用いられている。
このようなマイクロ波発振器を用いて被処理基
板に被着したホトレジスト膜を灰化して除去する
場合の反応装置の概略の断面図を第１図にそのＹ
−Y′断面図を第２図に示す。
板に被着したホトレジスト膜を灰化して除去する
場合の反応装置の概略の断面図を第１図にそのＹ
−Y′断面図を第２図に示す。
第１図、第２図において１は表面に灰化処理さ
れるべきホトレジスト膜が被着された被処理基板
（シリコンSi基板）２を収容する石英よりなる反
応管であり、前記Si基板２は石英の基板ホルダー
３上に互いに主面を対向して立てて載置されてい
る。前記反応管１には、その上部に例れば酸素
O2からなる酸化性ガスを導入するガス導入管４
が配設されまた下部には使用したガスを排出する
排出管５が配設されている。また前記ガス導入管
４およびガス排出管５はそれぞれ分岐して前記反
応管１の管軸方向に沿つた複数の箇所において該
反応管１と接続されている。前記反応管の一端に
封止され、他端は基板ホルダを出し入れするため
に開放されており、その開放端は例えば石英製の
キヤツプ６によつて密閉可能とされる。該キヤツ
プ６はステンレス等よりなる筐体７に取りつけら
れ、支持される。また前記反応管の上部におい
て、高周波を発振して反応ガスを励起させるマイ
クロ波発振器８が筐体７の長手方向のほぼ中央に
設置されている。更に該反応管１は支持台９によ
つて筐体７に取り付けられている。
れるべきホトレジスト膜が被着された被処理基板
（シリコンSi基板）２を収容する石英よりなる反
応管であり、前記Si基板２は石英の基板ホルダー
３上に互いに主面を対向して立てて載置されてい
る。前記反応管１には、その上部に例れば酸素
O2からなる酸化性ガスを導入するガス導入管４
が配設されまた下部には使用したガスを排出する
排出管５が配設されている。また前記ガス導入管
４およびガス排出管５はそれぞれ分岐して前記反
応管１の管軸方向に沿つた複数の箇所において該
反応管１と接続されている。前記反応管の一端に
封止され、他端は基板ホルダを出し入れするため
に開放されており、その開放端は例えば石英製の
キヤツプ６によつて密閉可能とされる。該キヤツ
プ６はステンレス等よりなる筐体７に取りつけら
れ、支持される。また前記反応管の上部におい
て、高周波を発振して反応ガスを励起させるマイ
クロ波発振器８が筐体７の長手方向のほぼ中央に
設置されている。更に該反応管１は支持台９によ
つて筐体７に取り付けられている。
従来このようなプラズマ処理装置を用いて、基
板上に被着したホトレジスト膜を灰化処理して除
去する場合、ホトレジスト膜を被着したSi基板２
を基板ホルダ３に設置したのち、キヤツプ６を開
いて反応管１の内部に設置する。その後ガス導入
管４の入り口を閉じ、ガス排出管５の出口より反
応管内を排気したのち、酸化性ガスとしての酸素
O2ガスを反応管１内に0.1〜1.0〔Torr〕の比較的
低い圧力で導入したのち、マイクロ波発振器８を
作動させてO2ガスを励起させてO2ガスプラズマ
を形成し、このO2ガスプラズマによつてSi基板
上のホトレジスト膜を灰化して除去していた。
板上に被着したホトレジスト膜を灰化処理して除
去する場合、ホトレジスト膜を被着したSi基板２
を基板ホルダ３に設置したのち、キヤツプ６を開
いて反応管１の内部に設置する。その後ガス導入
管４の入り口を閉じ、ガス排出管５の出口より反
応管内を排気したのち、酸化性ガスとしての酸素
O2ガスを反応管１内に0.1〜1.0〔Torr〕の比較的
低い圧力で導入したのち、マイクロ波発振器８を
作動させてO2ガスを励起させてO2ガスプラズマ
を形成し、このO2ガスプラズマによつてSi基板
上のホトレジスト膜を灰化して除去していた。
しかしながら、前記したようにO2ガスを低圧
の状態で反応管内に導入し、マイクロ波発振器で
O2ガスを励起してO2ガスプラズマを形成し、こ
のO2ガスプラズマによつてホトレジスト膜を灰
化して除去した場合、基板表面がガスプラズマの
粒子によつて損傷をうけるといつた欠点を生じて
いた。
の状態で反応管内に導入し、マイクロ波発振器で
O2ガスを励起してO2ガスプラズマを形成し、こ
のO2ガスプラズマによつてホトレジスト膜を灰
化して除去した場合、基板表面がガスプラズマの
粒子によつて損傷をうけるといつた欠点を生じて
いた。
例えば、Si基板上にSi酸化膜を形成し、その上
にホトレジスト膜を形成して、該ホトレジスト膜
を反応管に導入した0.1〜1.0〔Torr〕のO2ガスを
用いてガスプラズマを生じさせ、このガスプラズ
マでホトレジスト膜を灰化し、その後該ホトレジ
スト膜下のSi酸化膜上にゲート電極を形成して
MOS型ダイオードを形成したところ、MOS型ダ
イオードのフラツトバンド電圧は−3.0〔Ｖ〕とい
う大きな値となつてしまつていた。つまりこのよ
うに反応管内に導入されるO2ガスの圧力が低い
場合、形成されるO2ガスプラズマのエネルギー
が大きく、このためSi基板表面に到達したガスプ
ラズマ粒子によりSi基板表面に損傷を生ずる。そ
のために形成される素子の特性が劣化するといつ
た不都合を生じる。
にホトレジスト膜を形成して、該ホトレジスト膜
を反応管に導入した0.1〜1.0〔Torr〕のO2ガスを
用いてガスプラズマを生じさせ、このガスプラズ
マでホトレジスト膜を灰化し、その後該ホトレジ
スト膜下のSi酸化膜上にゲート電極を形成して
MOS型ダイオードを形成したところ、MOS型ダ
イオードのフラツトバンド電圧は−3.0〔Ｖ〕とい
う大きな値となつてしまつていた。つまりこのよ
うに反応管内に導入されるO2ガスの圧力が低い
場合、形成されるO2ガスプラズマのエネルギー
が大きく、このためSi基板表面に到達したガスプ
ラズマ粒子によりSi基板表面に損傷を生ずる。そ
のために形成される素子の特性が劣化するといつ
た不都合を生じる。
本発明は上記した欠点を除去し、反応管内に密
度が高く均一なガスプラズマを生じさせ、このガ
スプラズマによつて基板表面に損傷を生じさせな
いようにして基板上のホトレジスト膜を灰化除去
するホトレジスト膜の除去方法を提供することを
目的とするものである。
度が高く均一なガスプラズマを生じさせ、このガ
スプラズマによつて基板表面に損傷を生じさせな
いようにして基板上のホトレジスト膜を灰化除去
するホトレジスト膜の除去方法を提供することを
目的とするものである。
かかる目的を達成するためのホトレジスト膜の
除去方法は、反応管内にホトレジスト膜を被着せ
る基板を挿入し、次いで前記反応管内に酸化性ガ
スを導入し、前記酸化性ガスをマイクロ波により
励起してプラズマ化し、前記プラズマによつてホ
トレジスト膜を灰化除去する方法において、前記
酸化性ガスの反応管内における圧力を10〔Torr〕
以上の圧力とすることを特徴とするものである。
この時該酸化性ガスの反応管内における圧力の上
限は酸化の制御性等から20〔Torr〕とされる。
除去方法は、反応管内にホトレジスト膜を被着せ
る基板を挿入し、次いで前記反応管内に酸化性ガ
スを導入し、前記酸化性ガスをマイクロ波により
励起してプラズマ化し、前記プラズマによつてホ
トレジスト膜を灰化除去する方法において、前記
酸化性ガスの反応管内における圧力を10〔Torr〕
以上の圧力とすることを特徴とするものである。
この時該酸化性ガスの反応管内における圧力の上
限は酸化の制御性等から20〔Torr〕とされる。
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
前記第１図および第２図に示したプラズマ処理
装置において、表面にSi酸化膜を形成したのち、
その上にホトレジスト膜（東京応化製商品名
OMR）を約１〔μm〕の厚さに付着した直径４寸
のシリコンSi基板２を20枚、基板ホルダー３上に
配置したのち、キヤツプ６を開いて該基板ホルダ
ー３を反応管１の内部へ挿入配置した。その後ガ
ス導入管４の入り口を閉じて、ガス排出管５の出
口より反応管内を排気したのち、酸化性ガスとし
ての酸素O2ガスを15〔Torr〕の圧力で挿入し、
2.45〔GHz〕の周波数、出力600〔Ｗ〕で動作する
マイクロ波発振器を15分間作動させてSi基板上の
ホトレジスト膜を灰化処理した。その後該ホトレ
ジスト膜の下のSi酸化膜上にゲート電極を形成し
てMOS型ダイオードを形成した。
装置において、表面にSi酸化膜を形成したのち、
その上にホトレジスト膜（東京応化製商品名
OMR）を約１〔μm〕の厚さに付着した直径４寸
のシリコンSi基板２を20枚、基板ホルダー３上に
配置したのち、キヤツプ６を開いて該基板ホルダ
ー３を反応管１の内部へ挿入配置した。その後ガ
ス導入管４の入り口を閉じて、ガス排出管５の出
口より反応管内を排気したのち、酸化性ガスとし
ての酸素O2ガスを15〔Torr〕の圧力で挿入し、
2.45〔GHz〕の周波数、出力600〔Ｗ〕で動作する
マイクロ波発振器を15分間作動させてSi基板上の
ホトレジスト膜を灰化処理した。その後該ホトレ
ジスト膜の下のSi酸化膜上にゲート電極を形成し
てMOS型ダイオードを形成した。
このようにして形成したMOS型ダイオードの
フラツトバンド電圧を測定したところ−0.2〔Ｖ〕
の値を示し、従来の如くO2ガスの圧力を0.1〜1.0
〔Torr〕とした場合に比較して特性が大幅に向上
していた。これは、本発明にかかる方法によれ
ば、O2ガス圧が高く、よつてプラズマの発生効
率が高く、ホトレジストの灰化がすみやかに行な
われて、Si基板への損傷が微かであることによ
る。
フラツトバンド電圧を測定したところ−0.2〔Ｖ〕
の値を示し、従来の如くO2ガスの圧力を0.1〜1.0
〔Torr〕とした場合に比較して特性が大幅に向上
していた。これは、本発明にかかる方法によれ
ば、O2ガス圧が高く、よつてプラズマの発生効
率が高く、ホトレジストの灰化がすみやかに行な
われて、Si基板への損傷が微かであることによ
る。
以上述べたようにマイクロ波を用いたガスプラ
ズマ酸化法により基板上に被着したホトレジスト
膜を灰化除去する場合、反応管に導入する反応用
ガスの圧力を高くして反応管内に導入することで
反応管内に密度が高く、かつ均一なガスプラズマ
が発生し、基板の表面を損傷することなくホトレ
ジスト膜が除去でき、このような方法を用いて半
導体装置を形成すれば、形成される半導体装置の
特性が向上する。
ズマ酸化法により基板上に被着したホトレジスト
膜を灰化除去する場合、反応管に導入する反応用
ガスの圧力を高くして反応管内に導入することで
反応管内に密度が高く、かつ均一なガスプラズマ
が発生し、基板の表面を損傷することなくホトレ
ジスト膜が除去でき、このような方法を用いて半
導体装置を形成すれば、形成される半導体装置の
特性が向上する。
第１図および第２図はマイクロ波プラズマエツ
チング装置の概略の構成を示す断面図である。 図において１は反応管、２は被処理半導体基
板、３は基板ホルダー、４はガス導入管、５はガ
ス排気管、６はキヤツプ、７は筐体、８はマイク
ロ波発振器、９は支持台を示す。
チング装置の概略の構成を示す断面図である。 図において１は反応管、２は被処理半導体基
板、３は基板ホルダー、４はガス導入管、５はガ
ス排気管、６はキヤツプ、７は筐体、８はマイク
ロ波発振器、９は支持台を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応管内に、ホトレジスト膜を被着させる被
処理基板を挿入し、次いで前記反応管内に酸化性
ガスを導入し、前記酸化性ガスをマイクロ波によ
り励起して、前記反応管内をプラズマ化し、前記
プラズマによつてホトレジスト膜を灰化除去する
方法において、前記酸化性ガスの反応管内におけ
る圧力を10〔Torr〕以上20〔Torr〕以下の圧力と
することを特徴とするホトレジスト膜の除去方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123280A JPS5735322A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Removal of photo-resist film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123280A JPS5735322A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Removal of photo-resist film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735322A JPS5735322A (en) | 1982-02-25 |
| JPH0125222B2 true JPH0125222B2 (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=14555903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11123280A Granted JPS5735322A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Removal of photo-resist film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5735322A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656845B2 (ja) * | 1983-03-07 | 1994-07-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JPH01187202A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | Nikko Kk | アスファルト合材製造用ドラムミキシングドライヤ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501667A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 |
-
1980
- 1980-08-13 JP JP11123280A patent/JPS5735322A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501667A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735322A (en) | 1982-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4980022A (en) | Method of removing a layer of organic matter | |
| US5908319A (en) | Cleaning and stripping of photoresist from surfaces of semiconductor wafers | |
| JPH02114525A (ja) | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 | |
| WO2007148470A1 (ja) | 処理装置、処理方法及びプラズマ源 | |
| US5100504A (en) | Method of cleaning silicon surface | |
| JPS6240728A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2724165B2 (ja) | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 | |
| JPH05275326A (ja) | レジストのアッシング方法 | |
| JPH1187324A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0125222B2 (ja) | ||
| JPH03263827A (ja) | デジタルエツチング装置 | |
| JPS5936257B2 (ja) | レジスト材料の剥離方法 | |
| JPS602773B2 (ja) | ホトレジスト膜の除去方法 | |
| JP3166350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2544129B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5847466B2 (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JP2000012521A (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JPH0737780A (ja) | レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法 | |
| JPH01130526A (ja) | レジスト剥離装置 | |
| JPH0670988B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05275325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590153A (ja) | 有機化合物膜の除去方法及びそのための装置 | |
| JPH11145115A (ja) | アッシング装置のクリーニング方法 | |
| JPS62237729A (ja) | シリコン酸化物のドライエツチング方法 | |
| JPH03155621A (ja) | ドライエッチング方法 |