JPH08279487A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JPH08279487A JPH08279487A JP11815693A JP11815693A JPH08279487A JP H08279487 A JPH08279487 A JP H08279487A JP 11815693 A JP11815693 A JP 11815693A JP 11815693 A JP11815693 A JP 11815693A JP H08279487 A JPH08279487 A JP H08279487A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】Ｓｉ含有物質膜のプラズマ処理において、エッ
チング処理及び後処理を含めた処理時間を短縮可能にす
る。 【構成】エッチング室３２でＳｉ含有物質膜を臭素含有
ガスのプラズマによってエッチングした後、真空空間を
介して連続的にアッシング室３３でＯ2とＣＨＦ3との混
合ガスのプラズマによって後処理することにより、フォ
トレジスト及びフォトレジスト側壁に付着したデポ物を
除去できるとともに、エッチング処理で段差部等に残留
したＳｉ含有物質膜をＳｉＦｘの反応生成物として除去
することができるので、エッチング処理時のオーバーエ
ッチングが短縮でき、全体の処理時間を短縮することが
できる。
チング処理及び後処理を含めた処理時間を短縮可能にす
る。 【構成】エッチング室３２でＳｉ含有物質膜を臭素含有
ガスのプラズマによってエッチングした後、真空空間を
介して連続的にアッシング室３３でＯ2とＣＨＦ3との混
合ガスのプラズマによって後処理することにより、フォ
トレジスト及びフォトレジスト側壁に付着したデポ物を
除去できるとともに、エッチング処理で段差部等に残留
したＳｉ含有物質膜をＳｉＦｘの反応生成物として除去
することができるので、エッチング処理時のオーバーエ
ッチングが短縮でき、全体の処理時間を短縮することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理方法に係
り、特にＰｏｌｙ−Ｓｉ等のＳｉ含有物質膜のゲート材
料のエッチング処理に好適なプラズマ処理方法に関する
ものである。
り、特にＰｏｌｙ−Ｓｉ等のＳｉ含有物質膜のゲート材
料のエッチング処理に好適なプラズマ処理方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理は、例えば、特開平
２−９０５２１号公報に記載のように、枚葉式反応性イ
オンエッチング装置を用い、シリコン基板上にシリコン
熱酸化膜を介して多結晶シリコンを設けて形成したウェ
ハを臭化水素１２０sccm、圧力０.１Torr、ＲＦパワー
２００W、ウェハ温度２０〜１５０℃でエッチングした
後、ウェハを反応性イオンエッチング装置に真空ャンバ
ーで連結されたマイクロ波ダウンフロー処理装置に真空
中で搬送し、該マイクロ波ダウンフロー処理装置により
該ウェハをＯ2 １.５slm、ＣＦ4 ２００sccm、圧力 １.
５Torr、マイクロ波パワー １.５KW、ウェハ温度 ６０
℃で処理し、ウェハを大気中に取り出すようにしたもの
がある。
２−９０５２１号公報に記載のように、枚葉式反応性イ
オンエッチング装置を用い、シリコン基板上にシリコン
熱酸化膜を介して多結晶シリコンを設けて形成したウェ
ハを臭化水素１２０sccm、圧力０.１Torr、ＲＦパワー
２００W、ウェハ温度２０〜１５０℃でエッチングした
後、ウェハを反応性イオンエッチング装置に真空ャンバ
ーで連結されたマイクロ波ダウンフロー処理装置に真空
中で搬送し、該マイクロ波ダウンフロー処理装置により
該ウェハをＯ2 １.５slm、ＣＦ4 ２００sccm、圧力 １.
５Torr、マイクロ波パワー １.５KW、ウェハ温度 ６０
℃で処理し、ウェハを大気中に取り出すようにしたもの
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、被エ
ッチング面が段差構造を有している場合について配慮さ
れておらず、ウェハ処理の時間短縮が充分行えなかっ
た。すなわち、図３に示すような段差面に二点鎖線で示
すようにポリシリコン膜２が形成され、ポリシリコン膜
２上にフォトレジスト３をマスクとして形成された被エ
ッチング面をエッチング処理する際、通常は段差部にポ
リシリコン２ａが残りやすくなるので、オーバーエッチ
ングによりポリシリコン２ａを除去している。このた
め、オーバーエッチング時間部の処理時間が余分に必要
となると共に、オーバーエッチングによりダメージを与
えるという心配があった。
ッチング面が段差構造を有している場合について配慮さ
れておらず、ウェハ処理の時間短縮が充分行えなかっ
た。すなわち、図３に示すような段差面に二点鎖線で示
すようにポリシリコン膜２が形成され、ポリシリコン膜
２上にフォトレジスト３をマスクとして形成された被エ
ッチング面をエッチング処理する際、通常は段差部にポ
リシリコン２ａが残りやすくなるので、オーバーエッチ
ングによりポリシリコン２ａを除去している。このた
め、オーバーエッチング時間部の処理時間が余分に必要
となると共に、オーバーエッチングによりダメージを与
えるという心配があった。
【０００４】本発明の目的は、Ｓｉ含有物質膜のプラズ
マ処理において、エッチング処理及び後処理を含めた処
理時間を短縮することのできるプラズマ処理方法を提供
することにある。
マ処理において、エッチング処理及び後処理を含めた処
理時間を短縮することのできるプラズマ処理方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、Ｓｉ含有物質膜を臭素含有ガスのプラズマによって
エッチングした後、真空雰囲気で連続してＯ2とＣＨＦ3
との混合ガスのプラズマによって後処理するようにした
ものである。
め、Ｓｉ含有物質膜を臭素含有ガスのプラズマによって
エッチングした後、真空雰囲気で連続してＯ2とＣＨＦ3
との混合ガスのプラズマによって後処理するようにした
ものである。
【０００６】
【作用】Ｓｉ含有物質膜を臭素含有ガスのプラズマによ
ってエッチングした後、真空雰囲気で連続してＯ2とＣ
ＨＦ3との混合ガスのプラズマによって後処理すること
により、フォトレジスト及びフォトレジスト側壁に付着
したデポ物を除去できるとともに、エッチング処理で段
差部等に残留したＳｉ含有物質膜をＳｉＦｘの反応生成
物として除去することができるので、エッチング処理時
のオーバーエッチングが短縮でき全体の処理時間を短縮
することができる。
ってエッチングした後、真空雰囲気で連続してＯ2とＣ
ＨＦ3との混合ガスのプラズマによって後処理すること
により、フォトレジスト及びフォトレジスト側壁に付着
したデポ物を除去できるとともに、エッチング処理で段
差部等に残留したＳｉ含有物質膜をＳｉＦｘの反応生成
物として除去することができるので、エッチング処理時
のオーバーエッチングが短縮でき全体の処理時間を短縮
することができる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１から図４により説明
する。図４に本発明を実施するための装置構成の一例を
示す。本装置は、この場合、有磁場マイクロ波プラズマ
技術を用いたエッチング装置と、該装置に真空空間で連
結されたダウンフロー式マイクロ波プラズマ技術を用い
た後処理装置とで構成される。真空室１０には、ロード
ロック室１３を形成するロード側フタ１１及びロード側
ステージ１２と、エッチング室３２を形成するベルジャ
１６及び仕切板１４と一体のベローズ１５と、後処理室
３３を形成するベルジャ２４及び仕切板２２と一体のベ
ローズ２３と、アンロードロック室３１を形成するアン
ロード側フタ２９及びアンロード側ステージ３０と、エ
ッチング室３２内に配置される試料台電極１９と、後処
理室３３内に配置される試料台２７とが設けられてい
る。
する。図４に本発明を実施するための装置構成の一例を
示す。本装置は、この場合、有磁場マイクロ波プラズマ
技術を用いたエッチング装置と、該装置に真空空間で連
結されたダウンフロー式マイクロ波プラズマ技術を用い
た後処理装置とで構成される。真空室１０には、ロード
ロック室１３を形成するロード側フタ１１及びロード側
ステージ１２と、エッチング室３２を形成するベルジャ
１６及び仕切板１４と一体のベローズ１５と、後処理室
３３を形成するベルジャ２４及び仕切板２２と一体のベ
ローズ２３と、アンロードロック室３１を形成するアン
ロード側フタ２９及びアンロード側ステージ３０と、エ
ッチング室３２内に配置される試料台電極１９と、後処
理室３３内に配置される試料台２７とが設けられてい
る。
【０００８】エッチング装置は、ベルジャ１６と、ベル
ジャ１６を囲んで設けた導波管１７及びコイル１８と、
試料台電極１９と、試料台電極１９に接続された高周波
電源２０及び静電吸着用の直流電源２１とから構成され
る。静電吸着用の直流電源２１は、試料台電極１９に配
置されたウェハ３５の保持に用いられる。導波管１７
は、端部にマイクロ波を発振するマグネトロンを有す
る。
ジャ１６を囲んで設けた導波管１７及びコイル１８と、
試料台電極１９と、試料台電極１９に接続された高周波
電源２０及び静電吸着用の直流電源２１とから構成され
る。静電吸着用の直流電源２１は、試料台電極１９に配
置されたウェハ３５の保持に用いられる。導波管１７
は、端部にマイクロ波を発振するマグネトロンを有す
る。
【０００９】後処理装置は、ベルジャ２４と、ベルジャ
２４を囲んで設けた導波管２６と、試料台２７と、試料
台２７に配置されたウェハ３６を保持させるウェハ押え
２８とから構成される。導波管２６は、端部にマイクロ
波を発振するマグネトロンを有する。ベルジャ２４内に
は、プラズマ中のラジカルのみを通過させるパンチメタ
ル２５が設けられている。
２４を囲んで設けた導波管２６と、試料台２７と、試料
台２７に配置されたウェハ３６を保持させるウェハ押え
２８とから構成される。導波管２６は、端部にマイクロ
波を発振するマグネトロンを有する。ベルジャ２４内に
は、プラズマ中のラジカルのみを通過させるパンチメタ
ル２５が設けられている。
【００１０】上記のように構成された装置は、ロード側
フタ１１，ロード側ステージ１２，仕切板１４，仕切板
２２アンロード側フタ２９及びアンロード側ステージ３
０がそれぞれ上下し、ロードロック室１３，エッチング
室３２，後処理室３３及びアンロードロック室３１を形
成する。ウェハは、ロードロック室１３，エッチング室
３２，後処理室３３，アンロードロック室３１の順に図
示を省略した搬送装置によって搬送され、エッチング処
理及び後処理される。
フタ１１，ロード側ステージ１２，仕切板１４，仕切板
２２アンロード側フタ２９及びアンロード側ステージ３
０がそれぞれ上下し、ロードロック室１３，エッチング
室３２，後処理室３３及びアンロードロック室３１を形
成する。ウェハは、ロードロック室１３，エッチング室
３２，後処理室３３，アンロードロック室３１の順に図
示を省略した搬送装置によって搬送され、エッチング処
理及び後処理される。
【００１１】エッチング室３２では、この場合、ＨＢｒ
１２０SCCMとＯ2 ４SCCMとの混合ガスをエッチングガ
スとし、圧力 ０.０１Torr、マイクロ波電力 ０.７KW、
高周波電力 ２５W、ウェハ温度 ２０℃で、エッチング
処理を行う。これにより、図１(ａ)ないし(ｃ)に示すよ
うにエッチング処理が進む。図１(ａ)は、エッチング開
始前を示し、シリコン基板上に酸化膜１を介してポリシ
リコン２が膜付けされ、さらにフォトレジスト３がマス
クとして形成されている。図１(ｂ)は、エッチングが開
始され、ポリシリコン２とプラズマ中の活性粒子とが反
応して、反応生成物ＳｉＢｒｘとなって除去されエッチ
ングが進行する。この際に、反応生成物ＳｉＢｒｘの一
部はデポ物となってレジスト側面に付着する。図１(ｃ)
は、ポリシリコンのエッチングが終了した状態を示す。
なお、エッチングガスにＯ2を加えることにより、酸化
膜１のエッチング速度が抑制される。
１２０SCCMとＯ2 ４SCCMとの混合ガスをエッチングガ
スとし、圧力 ０.０１Torr、マイクロ波電力 ０.７KW、
高周波電力 ２５W、ウェハ温度 ２０℃で、エッチング
処理を行う。これにより、図１(ａ)ないし(ｃ)に示すよ
うにエッチング処理が進む。図１(ａ)は、エッチング開
始前を示し、シリコン基板上に酸化膜１を介してポリシ
リコン２が膜付けされ、さらにフォトレジスト３がマス
クとして形成されている。図１(ｂ)は、エッチングが開
始され、ポリシリコン２とプラズマ中の活性粒子とが反
応して、反応生成物ＳｉＢｒｘとなって除去されエッチ
ングが進行する。この際に、反応生成物ＳｉＢｒｘの一
部はデポ物となってレジスト側面に付着する。図１(ｃ)
は、ポリシリコンのエッチングが終了した状態を示す。
なお、エッチングガスにＯ2を加えることにより、酸化
膜１のエッチング速度が抑制される。
【００１２】次に、後処理室３３では、この場合、Ｏ2
３００SCCMとＣＨＦ3 １５SCCMとの混合ガスをアッシン
グガスとし、圧力 ０.７Torr、マイクロ波電力１０００
W、ウェハ温度 ２５℃で、アッシング処理を行う。これ
により、図２に示すようにレジストが除去され、エッチ
ングされた後のポリシリコン２が残る。この際に、フォ
トレジストは、パンチメタル２５を通過した酸素ラジカ
ルと反応して、反応生成物ＣＯとなって除去される。ま
た、フォトレジストの側壁に付着したデポ物ＳｉＢｒｘ
は、同様に弗素ラジカルと反応してＳｉＦｘ等のかたち
で除去され、残渣のないアッシング処理が行える。
３００SCCMとＣＨＦ3 １５SCCMとの混合ガスをアッシン
グガスとし、圧力 ０.７Torr、マイクロ波電力１０００
W、ウェハ温度 ２５℃で、アッシング処理を行う。これ
により、図２に示すようにレジストが除去され、エッチ
ングされた後のポリシリコン２が残る。この際に、フォ
トレジストは、パンチメタル２５を通過した酸素ラジカ
ルと反応して、反応生成物ＣＯとなって除去される。ま
た、フォトレジストの側壁に付着したデポ物ＳｉＢｒｘ
は、同様に弗素ラジカルと反応してＳｉＦｘ等のかたち
で除去され、残渣のないアッシング処理が行える。
【００１３】また、被エッチング面が図３に示すように
段差を有している場合、エッチング処理での段差部の残
りのポリシリコン２ａを除去するオーバーエッチングを
やめ、エッチング後にポリシリコン２ａを残しておいて
も、後処理において、ポリシリコン２ａと弗素ラジカル
を反応させて、ＳｉＦｘの形で除去させることができ、
エッチング処理時のオーバーエッチング時間を短縮させ
ることができる。
段差を有している場合、エッチング処理での段差部の残
りのポリシリコン２ａを除去するオーバーエッチングを
やめ、エッチング後にポリシリコン２ａを残しておいて
も、後処理において、ポリシリコン２ａと弗素ラジカル
を反応させて、ＳｉＦｘの形で除去させることができ、
エッチング処理時のオーバーエッチング時間を短縮させ
ることができる。
【００１４】さらに、本装置の運転において特異な点
は、エッチング室３２でのエッチング処理の際に、ウェ
ハ３５を試料台電極１９に静電吸着させて保持しエッチ
ング処理を行い、エッチングが終了して静電吸着用の直
流電源２１をオフした後、試料台電極１９からウェハ３
５を取り外すために、エッチング室３２内にＯ2プラズ
マを発生させ、ウェハ３５に帯電した電荷を取り除くた
めのプラズマ放電を行う点である。ウェハ３５内の除電
にＯ2プラズマを用いることにより、特別なクリーニン
グ工程を追加することなく、エッチング室内のクリーニ
ングがウェハ処理の一枚毎に行われ、エッチング処理を
連続して実施しても経時変化がなくなり、定期的なクリ
ーニング作業を極めて少なくでき、装置の稼動率を向上
させることができる。また、エッチング処理されたウェ
ハ３５がＯ2プラズマに曝されるので、アッシング作用
も行われ、後処理室３３でのアッシング処理時間を短縮
することができ、全体のスループットを向上させること
ができる。実験によれば、除電シーケンスでＯ2プラズ
マを用いない場合(例えば、Ｈｅを用いた場合)は、アッ
シング処理時間に１００secを要していたが、除電シー
ケンスでＯ2プラズマに１５sec曝すと、アッシング処理
時間が６０secに短縮され、合計で２５secの時間短縮を
図ることができた。
は、エッチング室３２でのエッチング処理の際に、ウェ
ハ３５を試料台電極１９に静電吸着させて保持しエッチ
ング処理を行い、エッチングが終了して静電吸着用の直
流電源２１をオフした後、試料台電極１９からウェハ３
５を取り外すために、エッチング室３２内にＯ2プラズ
マを発生させ、ウェハ３５に帯電した電荷を取り除くた
めのプラズマ放電を行う点である。ウェハ３５内の除電
にＯ2プラズマを用いることにより、特別なクリーニン
グ工程を追加することなく、エッチング室内のクリーニ
ングがウェハ処理の一枚毎に行われ、エッチング処理を
連続して実施しても経時変化がなくなり、定期的なクリ
ーニング作業を極めて少なくでき、装置の稼動率を向上
させることができる。また、エッチング処理されたウェ
ハ３５がＯ2プラズマに曝されるので、アッシング作用
も行われ、後処理室３３でのアッシング処理時間を短縮
することができ、全体のスループットを向上させること
ができる。実験によれば、除電シーケンスでＯ2プラズ
マを用いない場合(例えば、Ｈｅを用いた場合)は、アッ
シング処理時間に１００secを要していたが、除電シー
ケンスでＯ2プラズマに１５sec曝すと、アッシング処理
時間が６０secに短縮され、合計で２５secの時間短縮を
図ることができた。
【００１５】なお、本実施例では、Ｓｉ含有物質膜とし
てポリシリコンを例に述べたが、タングステンシリサイ
ド(ＷＳｉｘ)およびタングステンシリサイドとポリシリ
コンとの積層(ＷＳｉｘ/Ｐｏｌｙ−Ｓｉ)構造等であっ
ても良い。
てポリシリコンを例に述べたが、タングステンシリサイ
ド(ＷＳｉｘ)およびタングステンシリサイドとポリシリ
コンとの積層(ＷＳｉｘ/Ｐｏｌｙ−Ｓｉ)構造等であっ
ても良い。
【００１６】また、本実施例では、Ｓｉ含有物質膜であ
るポリシリコンを臭素含有ガスであるＨＢｒとＯ2との
混合ガスによるプラズマによってエッチングした例を述
べたが、エッチングガスとして塩素含有ガスを用いても
良い。
るポリシリコンを臭素含有ガスであるＨＢｒとＯ2との
混合ガスによるプラズマによってエッチングした例を述
べたが、エッチングガスとして塩素含有ガスを用いても
良い。
【００１７】また、エッチング装置及び後処理装置にマ
イクロ波を用いた装置を例に述べたが、同様の処理が可
能なものであれば、これに限られるものではない。
イクロ波を用いた装置を例に述べたが、同様の処理が可
能なものであれば、これに限られるものではない。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、Ｓｉ含有物質膜のプラ
ズマ処理において、エッチング処理及び後処理を含めた
処理時間を短縮することができるという効果がある。
ズマ処理において、エッチング処理及び後処理を含めた
処理時間を短縮することができるという効果がある。
【図１】本発明のプラズマ処理方法におけるエッチング
工程のエッチング状態を示す図である。
工程のエッチング状態を示す図である。
【図２】本発明のプラズマ処理方法における後処理工程
のアッシング後の状態を示す図である。
のアッシング後の状態を示す図である。
【図３】本発明のプラズマ処理方法の一例である段差構
造を有するエッチング工程のエッチング後の状態を示す
図である。
造を有するエッチング工程のエッチング後の状態を示す
図である。
【図４】本発明のプラズマ処理方法を実施するプラズマ
処理装置の一例を示す構成図である。
処理装置の一例を示す構成図である。
２…ポリシリコン、３…フォトレジスト、３２…エッチ
ング室、３３…後処理室。
ング室、３３…後処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉開 元彦 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 藤本 謙二 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内
Claims (4)
- 【請求項１】Ｓｉ含有物質膜を臭素含有ガスのプラズマ
によってエッチングした後、真空雰囲気で連続してＯ2
とＣＨＦ3との混合ガスのプラズマによって後処理する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載の臭素含有ガスがＨＢｒとＯ
2との混合ガスであるプラズマ処理方法。 - 【請求項３】請求項１記載のＳｉ含有物質膜がＰｏｌｙ
−Ｓｉ系材料であるプラズマ処理方法。 - 【請求項４】請求項１記載のＳｉ含有物質膜が段差構造
に形成されたものであるプラズマ処理方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11815693A JPH08279487A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | プラズマ処理方法 |
| TW083104587A TW255839B (ja) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | |
| PCT/JP1994/000812 WO1994028578A1 (fr) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Procede de traitement au plasma |
| EP99102733A EP0938134A3 (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Plasma processing method |
| US08/553,435 US5681424A (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Plasma processing method |
| KR1019950705168A KR100363340B1 (ko) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | 플라즈마처리방법 |
| EP94915274A EP0709877A4 (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | PLASMA TREATMENT PROCESS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11815693A JPH08279487A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279487A true JPH08279487A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=14729488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11815693A Pending JPH08279487A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279487A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200182A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 付着物除去方法及び基板処理方法 |
| JP2012129505A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-07-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| JP2015060934A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| JP2015159233A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290521A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0451520A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP11815693A patent/JPH08279487A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290521A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0451520A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200182A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 付着物除去方法及び基板処理方法 |
| US8303719B2 (en) | 2008-02-20 | 2012-11-06 | Tokyo Electron Limited | Deposit removing method and substrate processing method |
| JP2012129505A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-07-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| JP2015060934A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| JP2015159233A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
| KR20160125950A (ko) * | 2014-02-25 | 2016-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 피처리체를 처리하는 방법 |
| US9911621B2 (en) | 2014-02-25 | 2018-03-06 | Tokyo Electron Limited | Method for processing target object |
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