JP2012129505A - 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。
【選択図】図２

Description

後述する実施形態は、概ね、反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置に関する。

極端紫外線(ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet)を用いて微細なパターンの転写を行うＥＵＶリソグラフィ法が提案されている。
このＥＵＶリソグラフィ法に用いられる反射型マスクの製造においては、基板の主面に、反射層、キャッピング層、（ストッパ層などとも称される）、吸収層を順次形成し、吸収層をエッチング処理することで、所望のパターンを有するパターン領域を形成している。そして、吸収層とキャッピング層と反射層とをエッチング処理することで、パターン領域を囲む遮光領域（遮光枠などとも称される）を形成している。
しかしながら、反射層、キャッピング層、吸収層をエッチング処理する際の寸法制御性が低かったり、レジストパターンの再形成が必要になったりして生産性が低いという問題がある。

特開２００９−２１２２２０号公報

本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。

実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。

マスクブランクを例示するための模式断面図である。 第１の実施形態に係る反射型マスクの製造方法を例示するための模式工程断面図である。（ａ）〜（ｃ）はパターン領域の形成を例示するための模式工程断面図、（ｄ）〜（ｈ）は遮光領域の形成を例示するための模式工程断面図である。 エッチング処理におけるエッチングレートの変動を例示するための模式グラフ図である。 フッ素と酸素とを含むガスを用いた場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。 塩素と酸素とを含むガスを用いた場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。 塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガスを添加した場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。 塩素と酸素とを含むガスの場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。 第２の実施形態に係る反射型マスクの製造装置を例示するための模式断面図である。 第３の実施形態に係る反射型マスクの製造装置を例示するための模式レイアウト図である。 第１の処理部を例示するための模式断面図であり、区画部が上昇した状態を表している。 第１の処理部を例示するための模式断面図であり、区画部が下降した状態を表している。 第２の処理部を例示するための模式断面図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

[第１の実施形態]
（マスクブランクの製造）
図１は、マスクブランクを例示するための模式断面図である。
まず、反射型マスク２１０の製造に用いるマスクブランク２００を製造する。
図１に示すように、マスクブランク２００に設けられた基板２０１の一方の主面には、反射層２０２、キャッピング層２０３、吸収層２０４がこの順で積層されるようにして形成されている。また、基板２０１の他方の主面には、導電層２０５が形成されている。

基板２０１は、透明材料から形成されている。基板２０１は、例えば、低熱膨張材料（ＬＴＥＭ；Low Thermal Expansion Material）や石英などから形成されるものとすることができる。
反射層２０２は、露光光である極端紫外線を反射させるために形成される。反射層２０２は、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とが交互に積層されるようにして形成されている。反射層２０２は、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層との対が、４０対〜５０対程度積層されたものとすることができる。

キャッピング層２０３は、反射層２０２を保護するために形成される。キャッピング層２０３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、酸化チタン（ＴｉＯ）などを含むものとすることができる。なお、キャッピング層２０３をシリコン（Ｓｉ）から形成する場合には、反射層２０２の最上層となるシリコン（Ｓｉ）層を厚めに形成してキャッピング層２０３とすることもできる。

吸収層２０４は、露光光である極端紫外線の反射を抑制するために形成される。吸収層２０４は、吸収体層２０４ａと反射防止層２０４ｂとを有する。
吸収体層２０４ａは、露光光である極端紫外線を吸収する。吸収体層２０４ａは、例えば、タンタルの窒化物（例えば、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）など）やクロムの窒化物（例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）など）などを含むものとすることができる。
反射防止層２０４ｂは、波長２５０ｎｍ近傍の検査光に対する反射防止層（ＡＲ層）として機能する。反射防止層２０４ｂは、例えば、タンタルの酸化物（例えば、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）、酸化タンタル（ＴａＯ）など）やクロムの酸化物（例えば、酸化クロム（ＣｒＯｘ）など）などを含むものとすることができる。

導電層２０５は、静電チャックによる反射型マスクの保持が可能となるようにするために形成される。導電層２０５は、例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）などを含むものとすることができる。

反射層２０２、キャッピング層２０３、吸収層２０４、導電層２０５の形成には、スパッタリング法などの既知の成膜法を適用することができる。
例えば、マスクブランク２００の製造においては、基板２０１の主面に反射層２０２を形成する工程、反射層２０２の上に吸収層２０４を形成する工程、反射層２０２と吸収層２０４との間にキャッピング層２０３を形成する工程などを設けるようにすることができる。
例えば、スパッタリング法などを用いて、２８０ｎｍ程度の総厚みを有する反射層２０２を形成し、１０ｎｍ程度の厚みを有するキャッピング層２０３を形成し、７０ｎｍ程度の総厚みを有する吸収層２０４を形成し、１０ｎｍ程度の厚みを有する導電層２０５を形成するようにすることができる。ただし、各層の厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。なお、スパッタリング法を用いる場合の成膜条件などには既知の技術を適用させることができるので、成膜条件などの詳細は省略する。

なお、キャッピング層２０３と吸収体層２０４ａとの間に図示しないバッファー層を形成するようにすることができる。図示しないバッファー層は、吸収体層２０４ａ、反射防止層２０４ｂをエッチング処理してパターンを形成する際、エッチングストップ層として機能する。図示しないバッファー層は、例えば、クロム（Ｃｒ）などを含むものとすることができる。なお、キャッピング層２０３をルテニウム（Ｒｕ）から形成する場合には、図示しないバッファー層を設ける必要はない。また、反射防止層２０４ｂをクロムの酸化物から形成する場合には、図示しないバッファー層をクロム以外のエッチングストップ層として機能することができる材料から形成するようにすることができる。

（反射型マスクの製造）
次に、この様にして製造されたマスクブランク２００から反射型マスク２１０を製造する。
なお、ここでは、一例として、基板２０１が低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）から形成され、反射層２０２がモリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを有し、キャッピング層２０３がシリコン（Ｓｉ）から形成され、吸収体層２０４ａがタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成され、反射防止層２０４ｂがタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成されている場合を例示する。

図２は、第１の実施形態に係る反射型マスクの製造方法を例示するための模式工程断面図である。なお、図２（ａ）〜（ｃ）はパターン領域の形成を例示するための模式工程断面図、図２（ｄ）〜（ｈ）は遮光領域の形成を例示するための模式工程断面図である。

（パターン領域の形成）
まず、パターン領域２１６の形成を例示する。
図２（ａ）に示すように、吸収体層２０４ａの表面にＥＢレジスト（電子線直接描画用のレジスト）２１１を塗布する。そして、電子線描画装置を用いて所望のパターン（例えば、回路パターンなど）を描画し、ポスト・エクスポージャー・ベーク（ＰＥＢ；Post Exposure Bake）、現像などを行うことで所望のレジストパターンを形成する。

次に、図２（ｂ）に示すように、反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａを順次エッチング処理する。
ここで、吸収体層２０４ａ、反射防止層２０４ｂを同一の処理環境内（例えば、同一の処理容器内）において順次エッチング処理することができる。

しかしながら、一の層をエッチング処理した際に生成された副生成物が処理環境内に残留し、他の層をエッチング処理する際に残留した副生成物が分解されることで発生した反応生成物により、他の層をエッチング処理する際の寸法制御性やエッチング処理の安定性が低下するおそれがある。
そして、エッチング処理における寸法制御性やエッチング処理の安定性が低下すると反射型マスクに欠陥部が生じる場合がある。この場合、欠陥部はパターンを形成する基体（例えば、ウェーハやガラス基板など）にそのまま転写されてしまうので、不良品が大量に発生する要因となる。

図３は、エッチング処理におけるエッチングレートの変動を例示するための模式グラフ図である。
なお、図３中のＣは、同一の処理環境内において上層より順次エッチング処理を行なう場合である。この場合、Ｃ１はタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成された反射防止層２０４ｂをエッチング処理する場合、Ｃ２はタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成された吸収体層２０４ａをエッチング処理する場合である。
また、図３中のＤは、吸収体層２０４ａと反射防止層２０４ｂとを異なる処理環境内（例えば、異なる処理容器内）においてエッチング処理する場合である。この場合、Ｄ１はタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成された反射防止層２０４ｂをエッチング処理する場合、Ｄ２はタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成された吸収体層２０４ａをエッチング処理する場合である。

図３に示すように、Ｃ２におけるエッチングレートの変動幅は大きなものとなる。ここで、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成された反射防止層２０４ｂをエッチング処理する場合には副生成物が比較的多く生成される。そのため、反射防止層２０４ｂをエッチング処理した際に生成された副生成物が処理環境内に残留し、吸収体層２０４ａをエッチング処理する際に、残留していた副生成物が分解されることで発生した反応生成物によりＣ２におけるエッチングレートの変動幅が大きなものとなる。

一方、吸収体層２０４ａをエッチング処理する場合には副生成物の生成量が少なくなる。そのため、反射防止層２０４ｂをエッチング処理する際には、吸収体層２０４ａをエッチング処理した際に生成された副生成物の影響も小さくなる。

また、反射防止層２０４ｂをエッチング処理する場合に副生成物が多く生成されたとしても、次に行う反射防止層２０４ｂのエッチング処理に対する影響は小さなものとなる。 すなわち、生成された副生成物の成分はそのエッチング処理において用いられるものを構成する元素からなるので、次に行うエッチング処理において副生成物が分解されて反応生成物が発生したとしてもエッチング処理に対する影響は小さなものとなる。
そのため、Ｃ２におけるエッチングレートの変動幅に比べて、Ｃ１におけるエッチングレートの変動幅は小さなものとなる。
しかしながら、Ｃ２におけるエッチングレートの変動幅が大きければ、エッチング処理を行う際の寸法制御性やエッチング処理の安定性が低くなることに変わりはない。

これに対して、Ｄ１、Ｄ２の場合は、エッチングレートの変動幅をいずれの場合も小さくすることができる。
すなわち、吸収体層２０４ａと反射防止層２０４ｂとを異なる処理環境内においてエッチング処理を行なうようにすれば、パターンを形成する際の寸法制御性やエッチング処理の安定性を向上させることができる。

以下においては、一例として、吸収体層２０４ａと反射防止層２０４ｂとを異なる処理環境内においてエッチング処理する場合について例示をする。
まず、第１のエッチング処理（反射防止層２０４ｂのエッチング処理）を行う。
この場合、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。フッ素を含むガスとしては、例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガスを例示することができる。

このエッチング処理においては、発生させたプラズマＰによりフッ素を含むガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、ＥＢレジスト２１１の開口部２１１ａを介してタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成された反射防止層２０４ｂに供給されることでエッチング処理が施される。第１のエッチング処理は、吸収体層２０４ａの表面が露出するまで行われる。すなわち、マスクブランク２００（被処理物）に形成された反射防止層２０４ｂが所定の形状となるようにエッチング処理される。

次に、第１のエッチング処理が施されたマスクブランク２００を第１のエッチング処理を行う環境（第１の環境）から離隔された第２のエッチング処理を行う環境（第２の環境）に移動させる。
この場合、第１のエッチング処理において生成された副生成物が第２のエッチング処理を行う環境に侵入しないように、第１のエッチング処理を行う環境と第２のエッチング処理を行う環境とが離隔されている。

また、第１のエッチング処理を行う環境から第２のエッチング処理を行う環境に移動させる際に、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成された吸収体層２０４ａの露出した表面が酸素に暴露されると、吸収体層２０４ａの表面が酸化して安定したエッチング処理ができなくなるおそれがある。そのため、第１のエッチング処理を行う環境から第２のエッチング処理を行う環境に移動させる際には、大気よりも酸素濃度が低い環境（例えば、減圧環境や不活性ガスなどでパージされた環境など）を介して移動を行うようにすることが好ましい。

次に、第２のエッチング処理（吸収体層２０４ａのエッチング処理）を行う。
この場合、塩素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどやこれらの混合ガスなどを例示することができる。

このエッチング処理においては、発生させたプラズマＰにより塩素を含むガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、ＥＢレジスト２１１の開口部２１１ａ、第１のエッチング処理が施された部分を介してタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成された吸収体層２０４ａに供給されることでエッチング処理が施される。第２のエッチング処理は、キャッピング層２０３の表面が露出するまで行われる。
すなわち、反射防止層２０４ｂの下方に形成された吸収体層２０４ａが所定の形状となるようにエッチング処理される。

次に、図２（ｃ）に示すように、ＥＢレジスト２１１を除去する。
この場合、酸素を含むガスを用いたドライアッシング処理とすることもできるし、薬液を用いたウェットアッシング処理とすることもできる。
なお、ＥＢレジスト２１１を除去した後、必要に応じて、欠陥検査や欠陥部の修正などを行うようにすることもできる。
以上のようにして、パターン領域２１６が形成される。

（遮光領域の形成）
次に、遮光領域２１７の形成を例示する。
遮光領域２１７は、パターン領域２１６を囲むように形成される枠状の領域であり、パターンを転写する際に露光光が隣接する領域に漏れないようにするために形成される。

まず、図２（ｄ）に示すように、反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａ及び露出したキャッピング層２０３の表面にレジスト２１２を塗布する。そして、レーザ光などを用いて所望のパターンを描画し、ポスト・エクスポージャー・ベーク、現像などを行うことで所望のレジストパターンを形成する。この場合、パターン領域２１６を囲むように枠状の領域２１２ａをパターニングする。

ここで、エッチング処理を行うとレジスト２１２も除去されることになる。そのため、エッチングマスクであるレジストパターンの再形成が必要となる場合がある。
この場合、レジスト２１２の塗布、パターンの描画、ポスト・エクスポージャー・ベーク、現像などを繰り返し行うようにすれば生産性が著しく低下することになる。
また、反射層２０２をエッチング処理する際には、モリブデン（Ｍｏ）層に対するエッチングレートとシリコン（Ｓｉ）層に対するエッチングレートとの差が少なくなる様にすることが好ましい。モリブデン（Ｍｏ）層に対するエッチングレートとシリコン（Ｓｉ）層に対するエッチングレートとの差が大きくなれば、エッチングレートが大きい方の層のエッチング量が多くなるので、エッチング処理された面が櫛歯状となるおそれがある。そして、エッチング処理された面が櫛歯状となれば、反射型マスクの品質が低下したり、折損などが生じてパーティクルが発生したりするおそれがある。

図４は、フッ素と酸素とを含むガスを用いた場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。
なお、図４は、フッ素系のガスとしてＣＦ_４を用い、酸素（Ｏ_２）の添加量を変化させた場合のモリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、レジストに対するエッチングレートの変化を例示するためのグラフ図である。

図４に示すように、フッ素系のガスのみを用いてエッチング処理を行うようにすれば、モリブデン（Ｍｏ）に対するエッチングレートとシリコン（Ｓｉ）に対するエッチングレートとの差が大きくなりすぎる。
この場合、酸素の添加量を増加させれば、モリブデン（Ｍｏ）に対するエッチングレートとシリコン（Ｓｉ）に対するエッチングレートとの差を小さくすることができる。例えば、酸素の添加量を５０ｖｏｌ％とすれば、モリブデン（Ｍｏ）に対するエッチングレートとシリコン（Ｓｉ）に対するエッチングレートとを同程度とすることができる。
しかしながら、酸素の添加量を増加させれば、レジストに対するエッチングレートが大きくなり、前述したレジストパターンの再形成が必要となる。

本発明者らは検討の結果、塩素と酸素とを含むガスを用い、酸素の添加量を制御すれば、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、レジストに対するエッチングレートを適切なものとすることができるとの知見を得た。
図５は、塩素と酸素とを含むガスを用いた場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。
なお、図５は、一例として、塩素系のガスとしてＣｌ_２を用い、酸素（Ｏ_２）の添加量を変化させた場合のモリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、レジストに対するエッチングレートの変化を例示するためのグラフ図である。

図５に示すように、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる程度に、モリブデン（Ｍｏ）に対するエッチングレートとシリコン（Ｓｉ）に対するエッチングレートとの差を小さくすることができる。

またさらに、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができ、且つ、少なくともレジストパターンの再形成の回数を低減させることができる。
この場合、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、レジストに対するそれぞれのエッチングレートを考慮してレジストの厚みを設定すれば、レジストパターンの再形成を行うことなく遮光領域２１７を形成することができる。

次に、図２（ｅ）に戻って遮光領域２１７の形成についてさらに例示をする。
図２（ｅ）に示すように、反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａを順次エッチング処理する。エッチング処理は、キャッピング層２０３の表面が露出するまで行われる。
反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａのエッチング処理は、図２（ｂ）において例示をしたものと同様とすることができる。
なお、パターン領域２１６の形成の際に遮光領域２１７の吸収体層２０４ａ、反射防止層２０４ｂを同時にエッチング処理することも可能である。

次に、図２（ｆ）に示すように、キャッピング層２０３をエッチング処理する。
ここで、キャッピング層２０３がシリコン（Ｓｉ）から形成されている場合には、塩素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。キャッピング層２０３の表面に酸化シリコンの膜が形成されている場合には、酸素を含むガスを用いたのでは酸化シリコンの膜を除去することが困難である。そのため、この様な場合には、塩素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどを例示することができる。
あるいは、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うことで、キャッピング層２０３の表面に形成された酸化シリコンの膜を除去することもできる。

次に、図２（ｇ）に示すように、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを有する反射層２０２をエッチング処理する。
この場合、塩素と酸素とを含むガスを用い、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とする。このような酸素の添加量とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる。
塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどを例示することができる。
また、例えば、吸収層２０４の総厚みが７０ｎｍ程度、キャッピング層２０３の厚みが１０ｎｍ程度、反射層２０２の総厚みが２８０ｎｍ程度であれば、レジストの厚みを４２０ｎｍ以上とし、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることで、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。
ここで、反射層２０２におけるシリコン（Ｓｉ）層が成膜時に酸化していたり、エッチングガス中の酸素により酸化したりして、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層に変質している場合がある。
塩素と酸素とを含むガスを用いることは、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層に対する選択比が大きくなるガス条件である。そのため、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のエッチングレートが非常に低くなり、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が残渣となって残る可能性がある。
この様な場合には、塩素と酸素とを含むガスに、フッ素を含むガス（例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガス）をさらに添加することによって、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のエッチングレートを上げるようにすることができる。
そして、フッ素を含むガスを添加する場合において、塩素を含むガスに対する添加量を調整することで、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）をほぼ同じエッチングレートで除去することができるようになる。
図６は、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガスを添加した場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。
図７は、塩素と酸素とを含むガスの場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。
図６から分かるように、塩素に対するフッ素を含むガスであるＣＦ_４の添加量を、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下にすると、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）をほぼ同じエッチングレートで除去することができる。
なお、図６における、全ガス（塩素と酸素とフッ素を含むガス）に対する酸素を含むガスの割合は２０ｖｏｌ％程度としている。
さらに、図７に示す塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のエッチングレートを１０倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。

また、パターン領域２１６の形成の場合と同様にして、異なる処理環境内において各層をエッチング処理するようにすることができる。
この場合、パターン領域２１６の吸収体層２０４ａをエッチング処理した処理環境内において遮光領域２１７の吸収体層２０４ａをエッチング処理することができる。また、パターン領域２１６の反射防止層２０４ｂをエッチング処理した処理環境内において遮光領域２１７の反射防止層２０４ｂあるいはキャッピング層２０３をエッチング処理することができる。

そして、これらとは異なる処理環境内において反射層２０２をエッチング処理するようにすることができる。
また、キャッピング層２０３がシリコン（Ｓｉ）から形成されている場合には、反射層２０２をエッチング処理する環境においてキャッピング層２０３をエッチング処理するようにすることができる。
この様にすれば、遮光領域２１７を形成する際の寸法制御性や処理の安定性を向上させることができる。

次に、図２（ｈ）に示すように、レジスト２１２を除去する。
この場合、酸素を含むガスを用いたドライアッシング処理とすることもできるし、薬液を用いたウェットアッシング処理とすることもできる。
この場合、キャッピング層２０３がルテニウム（Ｒｕ）から形成されている場合には、酸素を含むガスを用いたドライアッシング処理を行うことでキャッピング層２０３にダメージが発生するおそれがある。そのため、キャッピング層２０３がルテニウム（Ｒｕ）から形成されている場合には、酸素を含まないガスを用いたドライアッシング処理を行うようにすることが好ましい。
以上のようにして、遮光領域２１７を形成することで、反射型マスク２１０が製造される。

[第２の実施形態]
図８は、第２の実施形態に係る反射型マスクの製造装置を例示するための模式断面図である。
図８に例示をする反射型マスクの製造装置は、二周波プラズマエッチング装置である。 図８に示すように、製造装置１６０には、処理容器１６１（第４の処理容器の一例に相当する）、処理容器１６１に設けられた搬入搬出口１７９を閉鎖するゲートバルブ１７７、処理容器１６１の内部に複数の処理ガスＧを選択的に供給するガス供給部１６８（第４の供給部の一例に相当する）、処理容器１６１の内部を排気する排気部１６９（第４の排気部の一例に相当する）などが設けられている。

処理容器１６１は、アルミニウムなどの導電性材料で形成され減圧雰囲気を維持可能となっている。処理容器１６１の天井中央部分には、処理ガスＧを導入するための処理ガス導入口１６２が設けられている。
処理ガスＧは、ガス供給部１６８から処理ガス導入口１６２を介して処理容器１６１の内部に供給される。処理容器１６１の内部に供給される際、処理ガスＧは、図示しない処理ガス調整部により流量や圧力などが調整される。
また、ガス供給部１６８には図示しない切換部が設けられ、処理容器１６１の内部に供給される処理ガスＧの種類が切り替えられるようになっている。例えば、前述した反射層２０２、キャッピング層２０３、吸収体層２０４ａ、反射防止層２０４ｂをエッチング処理する際に、それぞれのエッチング処理に適した処理ガスＧが供給できるようになっている。

処理容器１６１の天井部分であって、処理ガス導入口１６２の径外方向部分には誘電体材料（例えば、石英など）からなる誘電体窓２１が設けられている。誘電体窓２１の表面には導電体からなるコイル２０が設けられている。コイル２０の一端は接地され（図示せず）、他端は、整合器１６ａを介して高周波電源６ｃに接続されている。

処理容器１６１の内部には、被処理物Ｗをエッチング処理するための空間である処理空間１６３が設けられている。被処理物Ｗは、例えば、前述したマスクブランク２００とすることができる。
処理空間１６３の下方には電極部４が設けられている。電極部４には高周波電源６ｂが整合器１６を介して接続されている。また、処理容器１６１は接地されている。
製造装置１６０は、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマエッチング装置である。すなわち、電極部４と処理容器１６１とが容量結合型電極を構成し、また、コイル２０が誘導結合型電極を構成する。

高周波電源６ｂは、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有し、１ＫＷ程度の高周波電力を電極部４に印加するものとすることができる。
高周波電源６ｃは、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有し、３ＫＷ程度の高周波電力をコイル２０に印加するものとすることができる。
整合器１６、１６ａには図示しないチューニング回路が内蔵されており、図示しないチューニング回路で反射波を制御することによりプラズマＰを制御することができるようになっている。
製造装置１６０においては、電極部４、処理容器１６１、高周波電源６ｂ、高周波電源６ｃ、コイル２０などが、処理容器１６１の内部にプラズマＰを発生させるプラズマ発生部（第４のプラズマ発生部の一例に相当する）となる。

電極部４は、周囲を絶縁リング５で覆われている。電極部４には被処理物Ｗが載置可能であり、被処理物Ｗを保持するための保持機構（図示せず）や被処理物Ｗの受け渡し部（図示せず）などが内蔵されている。

処理容器１６１の底部には排気口１６７が設けられ、排気口１６７には圧力コントローラ８を介して真空ポンプなどのような排気部１６９が接続されている。排気部１６９は、処理容器１６１の内部が所定の圧力となるように排気する。処理容器１６１の側壁には、被処理物Ｗを搬入搬出するための搬入搬出口１７９が設けられ、搬入搬出口１７９を気密に閉鎖できるようゲートバルブ１７７が設けられている。ゲートバルブ１７７は、Ｏ（オー）リングのようなシール部材１７４を備える扉１７３を有し、図示しないゲート開閉機構により開閉される。扉１７３が閉まった時には、シール部材１７４が搬入搬出口１７９の壁面に押しつけられ、搬入搬出口１７９は気密に閉鎖される。
なお、後述する区画部１２、昇降部１１をさらに設けるようにすることもできる。

（反射型マスクの製造装置１６０の作用）
次に、製造装置１６０の作用について例示をする。
この場合、一例として、被処理物Ｗをマスクブランク２００とし、マスクブランク２００にエッチング処理を施して反射型マスク２１０を製造する場合を例に挙げて説明する。 また、一例として、基板２０１が低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）から形成され、反射層２０２がモリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを有し、キャッピング層２０３がシリコン（Ｓｉ）から形成され、吸収体層２０４ａがタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成され、反射防止層２０４ｂがタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成されている場合を例示する。

まず、前述したパターン領域２１６の形成を行う。
ゲートバルブ１７７の扉１７３を、図示しないゲート開閉機構により開く。
図示しない搬送部により、搬入搬出口１７９からマスクブランク２００を処理容器内に搬入する。マスクブランク２００は電極部４上に載置され、電極部４に内蔵された図示しない保持機構により保持される。

図示しない搬送部を処理容器１６１の外に退避させる。
図示しないゲート開閉機構によりゲートバルブ１７７の扉１７３を閉じる。
排気部１６９により処理容器１６１内を排気する。

そして、前述した反射防止層２０４ｂのエッチング処理を行う。
この場合、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。 すなわち、まず、ガス供給部１６８から処理ガス導入口１６２を介して処理空間１６３内にフッ素を含むガスが供給される。フッ素を含むガスは、例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガスとすることができる。また、フッ素を含むガスの流量は６０ｓｃｃｍ程度とすることができる。
次に、高周波電源６ｃより１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力がコイル２０に印加される。また、高周波電源６ｂより１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力が電極部４に印加される。なお、高周波電源６ｃと高周波電源６ｂとから印加される高周波電力の周波数が同じとなるようにすることが好ましい。例えば、高周波電源６ｃと高周波電源６ｂとから印加される高周波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚとすることができる。
また、高周波電源６ｃは３ＫＷ程度の高周波電力を印加し、高周波電源６ｂは１ＫＷ程度の高周波電力を印加するものとすることができる。

すると、電極部４と処理容器１６１と、が容量結合型電極を構成するので、電極部４と処理容器１６１との間に放電が起こる。また、コイル２０が誘導結合型電極を構成するので、コイル２０から誘電体窓２１を介して高周波電力が処理容器１６１の内部に導入される。そのため、電極部４と処理容器１６１との間に生じた放電と、処理容器１６１の内部に導入された高周波電力により処理空間１６３にプラズマＰが発生する。発生したプラズマＰによりフッ素を含むガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、処理空間１６３内を下降してマスクブランク２００に到達し、エッチング処理が施される。なお、プラズマＰの制御は、整合器１６、１６ａに内蔵されている図示しないチューニング回路で反射波を制御することにより行う。 また、残余のフッ素を含むガスや反応生成物、副生成物の多くは、排気口１６７から処理容器１６１外に排出される。

このエッチング処理においては、反射防止層２０４ｂの表面に形成されたレジストパターンに基づいて、反射防止層２０４ｂの一部が除去される。すなわち、反射防止層２０４ｂのうち、ＥＢレジスト２１１に覆われていない部分が除去される。

反射防止層２０４ｂのエッチング処理が終了すると、処理容器１６１内が排気される。そして、次に、吸収体層２０４ａに対してエッチング処理が施される。
この場合、ガス供給部１６８に設けられた図示しない切換部により、供給される処理ガスＧの種類が切り替えられる。すなわち、ガス供給部１６８から塩素を含むガスが供給され、塩素を含むガスを用いたエッチング処理が施される。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどやこれらの混合ガスとすることができる。塩素を含むガスの流量は１８０ｓｃｃｍ程度とすることができる。

そして、反射防止層２０４ｂの場合と同様にして、反射防止層２０４ｂの表面に形成されたレジストパターンに基づいて、吸収体層２０４ａの一部が除去される。すなわち、吸収体層２０４ａのうち、ＥＢレジスト２１１に覆われていない部分が除去される。
以上のようにして、パターン領域２１６の形成が行われる。

パターン領域２１６の形成が終了すると、処理容器１６１内の圧力とゲートバルブ１７７の扉１７３の外側の圧力とがほぼ等しくなるように、処理ガス導入口１６２からパージガスなどが導入される。
そして、ゲートバルブ１７７の扉１７３を図示しないゲート開閉機構により開く。
図示しない搬送部により、パターン領域２１６が形成されたマスクブランク２００を搬出する。

処理容器１６１の外に搬出されたマスクブランク２００は、残余のＥＢレジスト２１１の除去が行われ、必要に応じて、欠陥検査や欠陥部の修正などが行われる。

次に、前述した遮光領域２１７の形成を行う。
まず、処理容器１６１の外において、反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａ及び露出したキャッピング層２０３の表面にレジスト２１２を塗布し、パターンの描画、ポスト・エクスポージャー・ベーク、現像などを行うことで所望のレジストパターンを形成する。

次に、前述したものと同様にして、マスクブランク２００を処理容器内に搬入する。
そして、前述したものと同様にして、反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａ、キャッピング層２０３、反射層２０２を順次エッチング処理する。

この場合、前述したように反射層２０２のエッチング処理には、塩素と酸素とを含むガスを用い、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることができる。このような酸素の添加量とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる。
また、例えば、吸収層２０４の総厚みが７０ｎｍ程度、キャッピング層２０３の厚みが１０ｎｍ程度、反射層２０２の総厚みが２８０ｎｍ程度、レジストの厚みが４２０ｎｍ以上であれば、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることができる。このような酸素の添加量とすれば、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。
また、前述したように、反射層２０２において、シリコン（Ｓｉ）層が酸化され酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が形成されている場合には、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガス（例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガス）をさらに添加することができる。
この場合、塩素に対するフッ素を含むガスであるＣＦ_４の添加量を、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下にすることができる。
そのようにすれば、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）をほぼ同じエッチングレートで除去することができる。
さらに、塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のエッチングレートを１０倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。

なお、搬入や搬出に関連する作用、プラズマを発生させることに関連する作用などは、パターン領域２１６を形成する場合と同様であるため詳細な説明は省略する。

[第３の実施形態]
図９は、第３の実施形態に係る反射型マスクの製造装置を例示するための模式レイアウト図である。
図９に示すように、反射型マスクの製造装置１００には、ロードロック部１１０、トランスファー部１２０、搬送部１３０、第１の処理部１４０、第２の処理部１５０、第３の処理部１８０が設けられている。
ロードロック部１１０とトランスファー部１２０、トランスファー部１２０と第１の処理部１４０、トランスファー部１２０と第２の処理部１５０、トランスファー部１２０と第３の処理部１８０との間の壁面には搬入搬出口が形成されている。そして、各搬入搬出口を介してロードロック部１１０とトランスファー部１２０、トランスファー部１２０と第１の処理部１４０、トランスファー部１２０と第２の処理部１５０、トランスファー部１２０と第３の処理部１８０とがその内部空間を連通させるようにして接続されている。なお、ロードロック部１１０、トランスファー部１２０、第１の処理部１４０、第２の処理部１５０、第３の処理部１８０は、減圧雰囲気を維持することができるように気密構造となっている。
そして、トランスファー部１２０には、圧力コントローラ８を介して真空ポンプなどのようなトランスファー排気部１２９が接続されている。
トランスファー排気部１２９は、トランスファー部１２０の内部が所定の圧力となるように排気する。
そして、トランスファー部１２０の内部に被処理物Ｗ（例えば、マスクブランク２００）がある場合には、トランスファー排気部１２９は、トランスファー部１２０の内部を排気して、トランスファー部１２０の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする。
また、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１２８を設け、不活性ガス供給部１２８からトランスファー部１２０の内部に不活性ガスを供給するようにすることもできる。トランスファー部１２０の内部を不活性ガスなどでパージするようにすれば、トランスファー部１２０の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くすることができる。
そして、トランスファー部１２０の内部に被処理物Ｗ（例えば、マスクブランク２００）がある場合には、不活性ガス供給部１２８は、トランスファー部１２０の内部を不活性ガスでパージして、トランスファー部１２０の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする。
トランスファー部１２０の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くすれば、被処理物Ｗの表面が酸化されることを抑制することができる。そのため、エッチング処理の安定性を向上させることができる。
また、ロードロック部１１０には、図示しない圧力コントローラを介して真空ポンプなどのような図示しない排気部が接続されている。
なお、ロードロック部１１０は必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすればよい。
また、各搬入搬出口を気密に閉鎖するためのゲートバルブが設けられている（例えば、図１０などを参照）。

搬送部１３０は、トランスファー部１２０内に設けられている。搬送部１３０は、反射型マスクの製造装置１００の外部に設けられた図示しない搬送装置、第１の処理部１４０、第２の処理部１５０、第３の処理部１８０などの間における被処理物Ｗ（例えば、マスクブランク２００）の受け渡しや搬送などを行う。搬送部１３０は、例えば、被処理物Ｗを把持、搬送することのできるロボット装置などとすることができる。

第１の処理部１４０、第２の処理部１５０、第３の処理部１８０の構成は、エッチング処理の対象となる部分の材料に応じて変更することができる。なお、反射型マスクの製造装置１００に３つの処理部が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。処理部の数は適宜変更することができる。

この場合、エッチング処理の対象となる部分の材料毎に処理部を設けるようにすることができる。例えば、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む場合に用いられる処理部と、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を含む場合に用いられる処理部と、エッチング処理の対象となる部分がモリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを有する場合に用いられる処理部と、を設けるようにすることができる。
ここでは、一例として、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む場合に第１の処理部１４０を用い、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を含む場合に第２の処理部１５０を用い、エッチング処理の対象となる部分がモリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを有する場合に第３の処理部１８０を用いるものとする。

図１０、図１１は、第１の処理部を例示するための模式断面図である。なお、図１０、図１１は、図９におけるＡ−Ａ矢視断面を表した模式断面図である。また、図１０は区画部が上昇した状態、図１１は区画部が下降した状態を例示するための模式断面図である。
第１の処理部１４０は、アルミニウムなどの導電性材料で形成され減圧雰囲気を維持可能な処理容器１（第１の処理容器の一例に相当する）を備えている。処理容器１の天井中央部分には、処理ガスＧ１（第１のガスの一例に相当する）を導入するための処理ガス導入口２が設けられている。処理ガスＧ１は、ガス供給部１８（第１の供給部の一例に相当する）から処理ガス導入口２を介して処理容器１の内部に供給される。処理容器１の内部に供給される際、処理ガスＧ１は、図示しない処理ガス調整部により流量や圧力などが調整される。

ここで、第１の処理部１４０において、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む層（例えば、反射防止層２０４ｂ）をエッチング処理する場合には、処理ガスＧ１はフッ素を含むガスとすることができる。例えば、処理ガスＧ１は、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガスとすることができる。また、処理ガスＧ１の流量は６０ｓｃｃｍ程度とすることができる。

処理容器１の天井部分であって、処理ガス導入口２の径外方向部分には誘電体材料（例えば、石英など）からなる誘電体窓２１が設けられている。誘電体窓２１の表面には導電体からなるコイル２０が設けられている。コイル２０の一端は接地され（図示せず）、他端は、整合器１６ａを介して高周波電源６ａに接続されている。

処理容器１の内部には、被処理物Ｗをエッチング処理するための空間である処理空間３が設けられている。処理空間３の下方には電極部４が設けられている。電極部４には高周波電源６ｂが整合器１６を介して接続されている。また、処理容器１は接地されている。 第１の処理部１４０は、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマエッチング装置である。すなわち、電極部４と処理容器１とが容量結合型電極を構成し、また、コイル２０が誘導結合型電極を構成する。

高周波電源６ａは、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有し、３ＫＷ程度の高周波電力をコイル２０に印加するものとすることができる。
高周波電源６ｂは、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有し、１ＫＷ程度の高周波電力を電極部４に印加するものとすることができる。
整合器１６、１６ａには図示しないチューニング回路が内蔵されており、図示しないチューニング回路で反射波を制御することによりプラズマＰを制御することができるようになっている。
第１の処理部１４０においては、電極部４、処理容器１、高周波電源６ａ、高周波電源６ｂ、コイル２０などが、処理容器１の内部にプラズマＰを発生させるプラズマ発生部（第１のプラズマ発生部の一例に相当する）となる。

電極部４は、周囲を絶縁リング５で覆われている。電極部４には被処理物Ｗが載置可能であり、被処理物Ｗを保持するための保持機構（図示せず）や被処理物Ｗの受け渡し部（図示せず）などが内蔵されている。

処理容器１の底部には排気口７が設けられ、排気口７には圧力コントローラ８を介して真空ポンプなどのような排気部１９（第１の排気部の一例に相当する）が接続されている。排気部１９は、処理容器１の内部が所定の圧力となるように排気する。処理容器１の側壁には、被処理物Ｗを搬入搬出するための搬入搬出口９（第１の搬入搬出口の一例に相当する）が設けられ、搬入搬出口９を気密に閉鎖できるようゲートバルブ１７（第１のゲートバルブの一例に相当する）が設けられている。ゲートバルブ１７は、Ｏ（オー）リングのようなシール部材１４を備える扉１３を有し、図示しないゲート開閉機構により開閉される。扉１３が閉まった時には、シール部材１４が搬入搬出口９の壁面に押しつけられ、搬入搬出口９は気密に閉鎖される。

電極部４の外側には、区画部１２が設けられている。第１の処理部１４０においては、フッ素を含むガスを用いてタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む層をエッチング処理する。この場合、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む層をエッチング処理した際に副生成物が比較的多く生成される。そこで、第１の処理部１４０においては、被処理物Ｗに形成されたタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む層を除去する際に処理空間３を画する区画部１２を設けている。すなわち、区画部１２を設けることで、区画部１２の外部にある処理容器１の側壁や底部などに副生成物が付着することを抑制することができるようになっている。なお、区画部１２の内壁などにも副生成物が付着するが、区画部１２を交換したり区画部１２を取り外して清掃したりすることができるので、メンテナンス時間を大幅に短縮することができる。また、区画部１２を設けることで外部から処理空間３にパーティクルなどが侵入することを抑制することもできる。

区画部１２には、側面部１２ａ、底部１２ｂ、脚部１２ｃが設けられている。側面部１２ａは円筒状であり、処理容器１の内壁に近接するように設けられている。底部１２ｂは円板状であり、外周部の端面は側面部１２ａの下端面付近に固着されており、内周側の端面は絶縁リング５に近接するようになっている。なお、側面部１２ａ、底部１２ｂの形態は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、側面部１２ａを多角形の筒状としたり、底部１２ｂを多角形の板状としたりすることができる。

脚部１２ｃの一端は、底部１２ｂに接続されており、他端は昇降部１１に接続されている。脚部１２ｃは円柱状であるがこれに限定されるものではなく、断面が多角形の柱状、円筒状などであってもよい。昇降部１１の動力源は、例えば、モータ、エアシリンダ、油圧シリンダなどとすることができるが、これらに限定されるものではなく同様の機能を有する駆動源としてもよい。区画部１２の上昇端位置と下降端位置は、図示しない検出器からの信号で制御することもできるし、タイマーなどを用いて時間により制御することもできる。

区画部１２の上昇端位置（図１０）では、側面部１２ａの上部端面と処理容器１の天井部分との間に、わずかに隙間が空くようになっていることが望ましい。これは、側面部１２ａの上部端面と処理容器１の天井部分とが接触すればパーティクルなどの汚染物が発生するおそれがあるからである。また、この時、底部１２ｂの表面（処理空間３側の面）は、電極部４の表面位置と同一、あるいは、それより低い位置にある。

区画部１２の下降端位置（図１１）では、側面部１２ａの上部端面の位置は、被処理物Ｗの搬入搬出を考慮して、電極部４の表面位置と同一、あるいは、若干低い位置にあるが、これに限定されるものではなく、図示しない被処理物Ｗの受け渡し部に合わせて適宜変更することができる。また、この時、底部１２ｂと処理容器１の底部との間に隙間が空くようになっていることが望ましい。これは、底部１２ｂと処理容器１の底部とが接触すると、パーティクルなどの汚染物が発生するおそれがあるからである。

次に、第２の処理部１５０について例示をする。
図１２は、第２の処理部を例示するための模式断面図である。なお、図１２は、図９におけるＢ−Ｂ矢視断面を表した模式断面図である。
図１２に例示をする第２の処理部１５０も二周波プラズマエッチング装置である。
図１２に示すように、第２の処理部１５０にも処理容器１ａ（第２の処理容器の一例に相当する）、処理容器１ａに設けられた搬入搬出口９ａ（第２の搬入搬出口の一例に相当する）を閉鎖するゲートバルブ１７ａ（第２のゲートバルブの一例に相当する）、処理容器１ａの内部に塩素を含むガスを供給するガス供給部１８ａ（第２の供給部の一例に相当する）、処理容器１ａの内部を排気する排気部１９ａ（第２の排気部の一例に相当する）などが設けられている。
また、第２の処理部１５０においては、電極部４、処理容器１ａ、高周波電源６ｂ、高周波電源６ｃ、コイル２０などが、処理容器１ａの内部にプラズマＰを発生させるプラズマ発生部（第２のプラズマ発生部の一例に相当する）となる。
また、第１の処理部１４０、第２の処理部１５０、後述する第３の処理部１８０に対して、１つの排気部を設けるようにすることができる。なお、排気部を兼用化した場合であっても、第１の処理部１４０、第２の処理部１５０、第３の処理部１８０にそれぞれ設けられた圧力コントローラ８により排気量や排気速度などを個別的に制御することができる。
第２の処理部１５０の主な構成は、第１の処理部１４０のものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。

第２の処理部１５０において、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を含む層（例えば、吸収体層２０４ａ）をエッチング処理する場合には、処理ガスＧ２（第２のガスの一例に相当する）は塩素を含むガスとすることができる。例えば、処理ガスＧ２は、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどやこれらの混合ガスとすることができる。

ここで、塩素を含むガスを用いてタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を含む層をエッチング処理する場合には、生成される副生成物が少なくなる。すなわち、処理容器１ａの側壁や底部などに付着する副生成物が少なくなる。そのため、第２の処理部１５０においては、区画部１２と昇降部１１とを設けないようにすることができる。
区画部１２と昇降部１１とを設けないようにすれば、処理ガスＧ２の排気がより円滑となる。そのため、処理ガスＧ２の流量、排気量を多くすることができるので、エッチング除去されたものを速やかに排出させることができる。すなわち、処理ガスＧ２の流量、排気量を多くすることで、一度エッチング除去されたものが、エッチング処理された部分などに再付着することを抑制することができる。その結果、エッチング処理における寸法制御性を向上させることができる。
この場合、処理ガスＧ２の流量は１８０ｓｃｃｍ程度とすることができる。
なお、区画部１２と昇降部１１とを設けるようにすれば、外部から処理空間３にパーティクルなどが侵入することを抑制することができる。そのため、前述したものと同様に、区画部１２と昇降部１１とを設けるようにしてもよい。

コイル２０に接続される高周波電源６ｃは、前述した高周波電源６ａよりも少ない高周波電力を印加するものとすることができる。例えば、高周波電源６ｃは、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有し、１ＫＷ程度の高周波電力をコイル２０に印加するものとすることができる。
なお、前述した高周波電源６ａをコイル２０に接続し、印加する高周波電力を制御するようにしてもよい。

次に、第３の処理部１８０について例示をする。
第３の処理部１８０の構成は、第２の処理部１５０の構成と同様とすることができる。すなわち、図示および構成の説明は省略するが、第３の処理部１８０にも、処理容器１ａ（第３の処理容器の一例に相当する）、処理容器１ａに設けられた搬入搬出口９ａ（第３の搬入搬出口の一例に相当する）を閉鎖するゲートバルブ１７ａ（第３のゲートバルブの一例に相当する）、処理容器１ａの内部に塩素と酸素とを含むガス（第３のガスの一例に相当する）または塩素を含むガス（第４のガスの一例に相当する）を供給するガス供給部１８ａ（第３の供給部の一例に相当する）、処理容器１ａの内部を排気する排気部１９ａ（第３の排気部の一例に相当する）などが設けられている。
この場合、第３の処理部１８０においても、図示を省略した電極部４、処理容器１、高周波電源６ａ、高周波電源６ｂ、コイル２０などが、処理容器１の内部にプラズマＰを発生させるプラズマ発生部（第３のプラズマ発生部の一例に相当する）となる。
なお、第３の処理部１８０にも、区画部１２と昇降部１１とを設けるようにしてもよい。
ただし、第３の処理部１８０においては、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とが交互に積層された層（例えば、反射層２０２）をエッチング処理するため、供給される処理ガスの種類が異なる。

この場合、処理ガスは塩素と酸素とを含むガスとすることができる。そして、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどを例示することができる。
また、例えば、前述した吸収層２０４の総厚みが７０ｎｍ程度、キャッピング層２０３の厚みが１０ｎｍ程度、反射層２０２の総厚みが２８０ｎｍ程度、レジストの厚みが４２０ｎｍ以上であれば、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることで、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。
また、前述したように、反射層２０２において、シリコン（Ｓｉ）層が酸化され酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が形成されている場合には、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガス（例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガス）をさらに添加することができる。
この場合、塩素に対するフッ素を含むガスであるＣＦ_４の添加量を、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下にすることができる。
そのようにすれば、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）をほぼ同じエッチングレートで除去することができる。
さらに、塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のエッチングレートを１０倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。

また、前述したキャッピング層２０３がシリコン（Ｓｉ）から形成されている場合には、第３の処理部１８０においてキャッピング層２０３をエッチング処理することができる。この場合、処理ガスは、塩素を含むガスとすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどを例示することができる。
なお、キャッピング層２０３の表面に酸化シリコンの膜が形成されている場合には、酸素を含むガスを用いたのでは酸化シリコンの膜を除去することが困難となる。そのため、この様な場合にも、処理ガスとして塩素を含むガスを用いることができる。
あるいは、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うことで、キャッピング層２０３の表面に形成された酸化シリコンの膜を除去することもできる。

（反射型マスクの製造装置１００の作用）
次に、反射型マスクの製造装置１００の作用について例示をする。
この場合、一例として、被処理物Ｗをマスクブランク２００とし、マスクブランク２００にエッチング処理を施して反射型マスク２１０を製造する場合を例に挙げて説明する。 また、一例として、基板２０１が低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）から形成され、反射層２０２がモリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを有し、キャッピング層２０３がシリコン（Ｓｉ）から形成され、吸収体層２０４ａがタンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）から形成され、反射防止層２０４ｂがタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）から形成されている場合を例示する。

なお、ロードロック部１１０、トランスファー部１２０、搬送部１３０の基本的な作用は、既知の技術と同様とすることができるので、これらの作用に関する説明は省略する。

まず、前述したパターン領域２１６を形成する。
第１の処理部１４０において、反射防止層２０４ｂ（タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）を含む層）に対するエッチング処理が施される。
第１の処理部１４０において、昇降部１１により区画部１２を上昇端位置まで上昇させる（図１０参照）。
ゲートバルブ１７の扉１３を、図示しないゲート開閉機構により開く。この時、扉１３やシール部材１４に付着したパーティクルや汚染物などが飛散することがあるが、区画部１２により処理空間３を区画することができるので、パーティクルや汚染物などが処理空間３内に拡散することを抑制することができる。

次に、区画部１２を下降させる（図１１参照）。ゲートバルブ１７の扉１３が開いた時に飛散したパーティクルなどが沈降した後に、区画部１２を下降させることにより、処理空間３内にパーティクルなどが侵入することを抑制することができる。

搬送部１３０により、搬入搬出口９からマスクブランク２００を処理容器内に搬入する。マスクブランク２００は電極部４上に載置され、電極部４に内蔵された図示しない保持機構により保持される。
搬送部１３０を処理容器１の外に退避させる。
昇降部１１により区画部１２を上昇端位置まで上昇させる（図１０参照）。

ゲートバルブ１７の扉１３を閉じる。扉１３が閉じたときにパーティクルなどの汚染物が発生することがあるが、区画部１２により処理空間３を区画することができるので、パーティクルや汚染物が処理空間３内に拡散することを抑制することができる。
処理容器１内を排気する。この時、区画部１２の外側においても排気流の流れが形成される。そのため、扉１３が開くことにより発生したパーティクルなどの汚染物は、区画部１２の外側に形成された排気流に乗り、排気口７から処理容器１外に排出される。
また、区画部１２の内側の処理空間３は、底部１２ｂの内周側の端面と絶縁リング５との間に形成される隙間を介して排気される。この際、区画部１２によりプラズマ処理部３が区画されているので、区画部１２の外側に存在するパーティクルなどの汚染物が処理空間３内に侵入することが抑制される。

次に、フッ素を含むガスを用いて反射防止層２０４ｂをエッチング処理する。
すなわち、まず、ガス供給部１８から処理ガス導入口２を介して処理空間３内に処理ガスＧ１が供給される。処理ガスＧ１はフッ素を含むガスとすることができる。例えば、処理ガスＧ１は、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガスとすることができる。また、処理ガスＧ１の流量は６０ｓｃｃｍ程度とすることができる。
次に、高周波電源６ａより１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力がコイル２０に印加される。また、高周波電源６ｂより１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力が電極部４に印加される。なお、高周波電源６ａと高周波電源６ｂとから印加される高周波電力の周波数が同じとなるようにすることが好ましい。例えば、高周波電源６ａと高周波電源６ｂとから印加される高周波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚとすることができる。
また、高周波電源６ａは３ＫＷ程度の高周波電力を印加し、高周波電源６ｂは１ＫＷ程度の高周波電力を印加するものとすることができる。

すると、電極部４と処理容器１と、が容量結合型電極を構成するので、電極部４と処理容器１との間に放電が起こる。また、コイル２０が誘導結合型電極を構成するので、コイル２０から誘電体窓２１を介して高周波電力が処理容器１の内部に導入される。そのため、電極部４と処理容器１との間に生じた放電と、処理容器１の内部に導入された高周波電力により処理空間３にプラズマＰが発生する。発生したプラズマＰにより処理ガスＧ１が励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、処理空間３内を下降してマスクブランク２００のエッチング処理の対象部分に到達し、エッチング処理が施される。なお、プラズマＰの制御は、整合器１６、１６ａに内蔵されている図示しないチューニング回路で反射波を制御することにより行う。
また、残余の処理ガスＧ１や反応生成物、副生成物の多くは、底部１２ｂの内周側の端面と絶縁リング５との間に形成される隙間を介して排気口７から処理容器１外に排出される。

第１の処理部１４０におけるエッチング処理においては、反射防止層２０４ｂの表面に形成されたＥＢレジスト２１１のパターン形状に基づいて、反射防止層２０４ｂの一部が除去される。すなわち、反射防止層２０４ｂのうち、ＥＢレジスト２１１に覆われていない部分がエッチング処理される。

反射防止層２０４ｂのエッチング処理が終わると、処理容器１内の圧力とゲートバルブ１７の扉１３の外側の圧力とがほぼ等しくなるように、処理ガス導入口２からパージガスなどを導入する。なお、処理容器１内の圧力を若干高めにしておいた方が、扉１３を開けたときにパーティクルなどの汚染物が処理容器１内に侵入してくるのを抑えられるのでより望ましい。

次に、ゲートバルブ１７の扉１３を図示しないゲート開閉機構により開く。扉１３を開けるときにパーティクルなどの汚染物が発生することがあるが、区画部１２により処理空間３を区画することができるので、パーティクルや汚染物などが処理空間３内に拡散することを抑制することができる。
次に、区画部１２を下降させる（図１１参照）。
そして、搬送部１３により、反射防止層２０４ｂにエッチング処理が施されたマスクブランク２００を搬出する。

この後、次にエッチング処理が施されるマスクブランク２００が搬入されるまでの間、ゲートバルブ１７の扉１３を以下の手順で閉じるようにすることができる。
すなわち、まず、昇降部１１により区画部１２を上昇端位置まで上昇させる（図１０参照）。
次に、ゲートバルブ１７の扉１３をゲート開閉機構により閉じる。扉１３が閉じたときにパーティクルなどの汚染物が発生することがあるが、区画部１２により処理空間３を区画することができるので、パーティクルや汚染物が処理空間３内に拡散することを抑制することができる。

次に、第２の処理部１５０において、吸収体層２０４ａに対するエッチング処理が施される。
第２の処理部１５０には、第１の処理部１４０においてエッチング処理が施されたマスクブランク２００が搬入される。
すなわち、搬送部１３０は、反射防止層２０４ｂが所定の形状となるように除去されたマスクブランク２００を第１の処理部１４０から搬出し、第１の処理部１４０から搬出したマスクブランク２００を第２の処理部１５０に搬入する。

第２の処理部１５０におけるエッチング処理においては、前述したＥＢレジスト２１１のパターン形状に基づいて、吸収体層２０４ａの一部が除去される。すなわち、吸収体層２０４ａのうち、上方にＥＢレジスト２１１が無い部分がエッチング処理される。
この場合、ガス供給部１８ａから処理ガスＧ２として塩素を含むガスが供給され、吸収体層２０４ａに対するエッチング処理が施される。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどやこれらの混合ガスとすることができる。塩素を含むガスの流量は１８０ｓｃｃｍ程度とすることができる。
以上のようにして、パターン領域２１６の形成が行われる。
なお、第２の処理部１５０の基本的な作用は、第１の処理部１４０の作用とほぼ同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

パターン領域２１６が形成されたマスクブランク２００は、第２の処理部１５０から搬出され、残余のＥＢレジスト２１１が除去される。そして、必要に応じて、欠陥検査や欠陥部の修正などが行われる。
その後、遮光領域２１７を形成するために所定のパターンを有するレジスト２１２がマスクブランク２００の表面に形成される。

次に、遮光領域２１７を形成する。
まず、前述したパターン領域２１６を形成する場合と同様にして、反射防止層２０４ｂ、吸収体層２０４ａに対するエッチング処理を施す。すなわち、第１の処理部１４０において反射防止層２０４ｂに対するエッチング処理を施し、第２の処理部１５０において吸収体層２０４ａに対するエッチング処理を施す。
なお、これらのエッチング処理を施す際の第１の処理部１４０の作用と、第２の処理部１５０の作用とは前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。

次に、第３の処理部１８０においてキャッピング層２０３、反射層２０２に対するエッチング処理が順次施される。
まず、前述したレジスト２１２のパターン形状に基づいて、キャッピング層２０３の一部が除去される。すなわち、キャッピング層２０３のうち、上方にレジスト２１２が無い部分がエッチング処理される。

この場合、処理ガスとして塩素を含むガスを用いることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどを例示することができる。なお、前述したように、キャッピング層２０３の表面に酸化シリコンの膜が形成されている場合にも、塩素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。

次に、反射層２０２の一部が除去される。すなわち、反射層２０２のうち、上方にレジスト２１２が無い部分がエッチング処理される。
この場合、処理ガスとして塩素と酸素とを含むガスを用いることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＨＣｌなどを例示することができる。
また、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることで、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる。
また、例えば、吸収層２０４の総厚みが７０ｎｍ程度、キャッピング層２０３の厚みが１０ｎｍ程度、反射層２０２の総厚みが２８０ｎｍ程度、レジストの厚みが４２０ｎｍ以上であれば、酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とすることで、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。
また、前述したように、反射層２０２において、シリコン（Ｓｉ）層が酸化され酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が形成されている場合には、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガス（例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３などやこれらの混合ガス）をさらに添加することができる。
この場合、塩素に対するフッ素を含むガスであるＣＦ_４の添加量を、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下にすることができる。
そのようにすれば、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）をほぼ同じエッチングレートで除去することができる。
さらに、塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のエッチングレートを１０倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。

なお、第３の処理部１８０の基本的な作用は、第２の処理部１５０の作用とほぼ同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
また、キャッピング層２０３にエッチング処理を施す処理部と、反射層２０２にエッチング処理を施す処理部とを設け、それぞれの処理部においてエッチング処理を施すようにすることもできる。

以上に例示をした実施形態によれば、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びそれと等価とみなされるものの範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

例えば、マスクブランク２００、反射型マスク２１０、製造装置１６０、製造装置１００などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

１００ 製造装置、１１０ ロードロック部、１２０ トランスファー部、１３０ 搬送部、１４０ 第１の処理部、１５０ 第２の処理部、１６０ 製造装置、１８０ 第３の処理部、２００ マスクブランク、２０１ 基板、２０２ 反射層、２０３ キャッピング層、２０４ 吸収層、２０４ａ 吸収体層、２０４ｂ 反射防止層、２０５ 導電層、２１１ ＥＢレジスト、２１６ パターン領域、２１７ 遮光領域

Claims (26)

1. 基板の主面に反射層を形成する工程と、
   前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、
   前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、
   前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、
   を備え、
   前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法。
2. 前記反射層は、モリブデンを含む層と、シリコンを含む層と、を有する請求項１記載の反射型マスクの製造方法。
3. 前記遮光領域を形成する工程において、前記酸素の添加量を５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下とする請求項２記載の反射型マスクの製造方法。
4. 前記遮光領域を形成する工程において、フッ素を含むガスをさらに添加する請求項１〜３のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造方法。
5. 前記遮光領域を形成する工程において、塩素に対するフッ素を含むガスの添加量を、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下とする請求項４記載の反射型マスクの製造方法。
6. 前記吸収層は、タンタルの窒化物を含む吸収体層と、タンタルの酸化物を含む反射防止層と、を有し、
   前記パターン領域を形成する工程において、前記吸収体層と、前記反射防止層と、を相互に離隔された環境でそれぞれエッチング処理する請求項１〜５のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造方法。
7. 前記反射層は、モリブデンとシリコンとを含み、
   前記遮光領域を形成する工程において、
   前記吸収体層と、前記反射防止層と、前記反射層と、を相互に離隔された環境でそれぞれエッチング処理する請求項１〜６のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造方法。
8. 前記遮光領域を形成する工程において前記吸収体層をエッチング処理する環境は、前記パターン領域を形成する工程において前記吸収体層をエッチング処理する環境と同じ環境とされる請求項７記載の反射型マスクの製造方法。
9. 前記遮光領域を形成する工程において前記反射防止層をエッチング処理する環境は、前記パターン領域を形成する工程において前記反射防止層をエッチング処理する環境と同じ環境とされる請求項７記載の反射型マスクの製造方法。
10. 前記吸収体層をエッチング処理する環境と、前記反射防止層をエッチング処理する環境と、の間の環境の酸素濃度は、大気の酸素濃度よりも低い請求項６または７に記載の反射型マスクの製造方法。
11. 前記反射層と、前記吸収層と、の間にキャッピング層をさらに有し、
    前記遮光領域を形成する工程において、前記キャッピング層に形成された酸化膜を塩素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用いてエッチング処理する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造方法。
12. 前記キャッピング層は、シリコンを含み、
    前記キャッピング層をエッチング処理する環境は、前記遮光領域を形成する工程において前記反射層をエッチング処理する環境と同じ環境とされる請求項１１記載の反射型マスクの製造方法。
13. 一のエッチング処理において生成された副生成物が、他のエッチング処理を行う環境に侵入しないように、前記環境が相互に離隔された請求項６〜１２のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造方法。
14. 前記パターン領域を形成する工程、および、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射防止層をエッチングする際には、フッ素を含むガスを用いたプラズマエッチング処理が行われ、
    前記パターン領域を形成する工程、および、前記遮光領域を形成する工程において、前記吸収体層をエッチングする際には、塩素を含むガスを用いたプラズマエッチング処理が行われる請求項６〜１０のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造方法。
15. タンタルの酸化物を含む反射防止層と、タンタルの窒化物を含む吸収体層と、モリブデンを含む層とシリコンを含む層とを有する反射層と、を有したマスクブランクにパターン領域と、前記パターン領域を囲む遮光領域と、を形成する反射型マスクの製造装置であって、
    第１の処理容器と、
    前記第１の処理容器に設けられた第１の搬入搬出口を閉鎖する第１のゲートバルブと、
    前記第１の処理容器の内部に第１のガスを供給する第１の供給部と、
    前記第１の処理容器の内部を排気する第１の排気部と、
    前記第１の処理容器の内部にプラズマを発生させる第１のプラズマ発生部と、
    を有した第１の処理部と、
    第２の処理容器と、
    前記第２の処理容器に設けられた第２の搬入搬出口を閉鎖する第２のゲートバルブと、
    前記第２の処理容器の内部に第２のガスを供給する第２の供給部と、
    前記第２の処理容器の内部を排気する第２の排気部と、
    前記第２の処理容器の内部にプラズマを発生させる第２のプラズマ発生部と、
    を有した第２の処理部と、
    第３の処理容器と、
    前記第３の処理容器に設けられた第３の搬入搬出口を閉鎖する第３のゲートバルブと、
    前記第３の処理容器の内部に第３のガスまたは第４のガスを供給する第３の供給部と、
    前記第３の処理容器の内部を排気する第３の排気部と、
    前記第３の処理容器の内部にプラズマを発生させる第３のプラズマ発生部と、
    を有した第３の処理部と、
    を備え、
    前記第１の処理部は、前記第１の処理容器の内部において、前記反射防止層にエッチング処理を施し、
    前記第２の処理部は、前記第２の処理容器の内部において、前記吸収体層にエッチング処理を施し、
    前記第３の処理部は、前記第３の処理容器の内部において、前記反射層にエッチング処理を施し、
    前記第３の供給部は、前記反射層にエッチング処理を施す際に、塩素と酸素とを含む前記第３のガスを供給する反射型マスクの製造装置。
16. 前記第３の供給部は、前記酸素の添加量が５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下の前記第３のガスを供給する請求項１５記載の反射型マスクの製造装置。
17. 前記第３のガスは、フッ素を含むガスをさらに含む請求項１５または１６記載の反射型マスクの製造装置。
18. 前記第３のガスにおける塩素に対するフッ素を含むガスの添加量は、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下である請求項１７記載の反射型マスクの製造装置。
19. 前記マスクブランクは、前記吸収体層と、前記反射層と、の間にシリコンを含むキャッピング層をさらに有し、
    前記第３の処理部は、前記第３の処理容器の内部において、前記キャッピング層にエッチング処理を施し、
    前記第３の供給部は、前記キャッピング層に形成された酸化膜にエッチング処理を施す際に、塩素またはフッ素を含む前記第４のガスを供給する請求項１５記載の反射型マスクの製造装置。
20. 前記第１の処理容器と、前記第２の処理容器と、前記第３の処理容器と、が接続されたトランスファー部と、
    前記トランスファー部の内部に設けられ、前記マスクブランクを搬送する搬送部と、
    前記トランスファー部の内部を排気するトランスファー排気部と、
    をさらに備え、
    前記トランスファー部と前記第１の処理容器とは、前記第１のゲートバルブを介して接続され、
    前記トランスファー部と前記第２の処理容器とは、前記第２のゲートバルブを介して接続され、
    前記トランスファー部と前記第３の処理容器とは、前記第３のゲートバルブを介して接続され、
    前記トランスファー部の内部に前記マスクブランクがある場合には、前記トランスファー排気部は、前記トランスファー部の内部を排気して、前記トランスファー部の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする請求項１５〜１９のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造装置。
21. 前記第１の処理容器と、前記第２の処理容器と、前記第３の処理容器と、が接続されたトランスファー部と、
    前記トランスファー部の内部に設けられ、前記マスクブランクを搬送する搬送部と、
    前記トランスファー部の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
    をさらに備え、
    前記トランスファー部と前記第１の処理容器とは、前記第１のゲートバルブを介して接続され、
    前記トランスファー部と前記第２の処理容器とは、前記第２のゲートバルブを介して接続され、
    前記トランスファー部と前記第３の処理容器とは、前記第３のゲートバルブを介して接続され、
    前記トランスファー部の内部に前記マスクブランクがある場合には、前記不活性ガス供給部は、前記トランスファー部の内部を不活性ガスでパージして、前記トランスファー部の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする請求項１５〜１９のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造装置。
22. タンタルの酸化物を含む反射防止層と、タンタルの窒化物を含む吸収体層と、モリブデンを含む層とシリコンを含む層とを有する反射層と、を有したマスクブランクにパターン領域と、前記パターン領域を囲む遮光領域と、を形成する反射型マスクの製造装置であって、
    第４の処理容器と、
    前記第４の処理容器の内部に複数のガスを選択的に供給する第４の供給部と、
    前記第４の処理容器の内部を排気する第４の排気部と、
    前記第４の処理容器の内部にプラズマを発生させる第４のプラズマ発生部と、
    を備え、
    前記第４の処理容器の内部において、前記反射防止層と、前記吸収体層と、前記反射層と、に順次エッチング処理を施し、
    前記第４の供給部は、前記反射層にエッチング処理を施す際に、塩素と酸素とを含む前記ガスを供給する反射型マスクの製造装置。
23. 前記第４の供給部は、前記酸素の添加量が５ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下の前記塩素と酸素とを含むガスを供給する請求項２２記載の反射型マスクの製造装置。
24. 前記第４の供給部が供給するガスは、フッ素を含むガスをさらに含む請求項２２または２３に記載の反射型マスクの製造装置。
25. 前記第４の供給部が供給するガスにおける塩素に対するフッ素を含むガスの添加量は、５ｖｏｌ%以上、４０ｖｏｌ%以下である請求項２４記載の反射型マスクの製造装置。
26. 前記マスクブランクは、前記吸収体層と、前記反射層と、の間にシリコンを含むキャッピング層をさらに有し、
    前記第４の供給部は、前記キャッピング層に形成された酸化膜にエッチング処理を施す際に、塩素を含むガス、またはフッ素を含むガスを供給する請求項２２〜２４のいずれか１つに記載の反射型マスクの製造装置。

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