KR101302805B1 - 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치 - Google Patents

반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시형태는, 생산성을 향상시킬 수 있는 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치를 제공한다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 기판의 주면에 반사층을 형성하는 공정과, 상기 반사층의 위에 흡수층을 형성하는 공정과, 상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과, 상기 흡수층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 반사층을 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법이 제공된다.

Description

반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치{METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTIVE MASK AND APPARATUS FOR MANUFACTURING REFLECTIVE MASK}
후술하는 실시형태는, 개략적으로 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치에 관한 것이다.
극단 자외선(EUV : Extreme Ultra Violet)을 이용하여 미세한 패턴의 전사를 행하는 EUV 리소그래피법이 제안되어 있다.
이 EUV 리소그래피법에 이용되는 반사형 마스크의 제조에 있어서는, 기판의 주면(主面)에, 반사층, 캡핑층(스토퍼층 등으로도 칭해짐), 흡수층을 순차 형성하고, 흡수층을 에칭 처리함으로써, 원하는 패턴을 갖는 패턴 영역을 형성하고 있다. 그리고, 흡수층과 캡핑층과 반사층을 에칭 처리함으로써, 패턴 영역을 둘러싼 차광 영역(차광 프레임 등으로도 칭해짐)을 형성하고 있다.
그러나, 반사층, 캡핑층, 흡수층을 에칭 처리할 때의 치수 제어성이 낮거나, 레지스트 패턴의 재형성이 필요해지거나 하여 생산성이 낮다는 문제가 있다.
일본 공개 특허 공보 제2009-212220호
본 발명의 실시형태는, 생산성을 향상시킬 수 있는 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치를 제공한다.
실시형태에 따르면, 기판의 주면에 반사층을 형성하는 공정과, 상기 반사층의 위에 흡수층을 형성하는 공정과, 상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과, 상기 흡수층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 반사층을 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리하는 반사형 마스크의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치를 이용하면 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 마스크 블랭크를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법을 예시하기 위한 모식적인 공정 단면도이다. 도 2의 (a) 내지 (c)는 패턴 영역의 형성을 예시하기 위한 모식적인 공정 단면도이고, 도 2의 (d) 내지 (h)는 차광 영역의 형성을 예시하기 위한 모식적인 공정 단면도이다.
도 3은 에칭 처리에 있어서의 에칭률의 변동을 예시하기 위한 모식적인 그래프도이다.
도 4는 불소와 산소를 포함하는 가스를 이용한 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 5는 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용한 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 6은 염소와 산소를 포함하는 가스에 불소를 포함하는 가스를 첨가한 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 7은 염소와 산소를 포함하는 가스인 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 8은 제2 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 9는 제3 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식적인 레이아웃도이다.
도 10은 제1 처리부를 예시하기 위한 모식적인 단면도로서, 구획부가 상승한 상태를 나타내고 있다.
도 11은 제1 처리부를 예시하기 위한 모식적인 단면도로서, 구획부가 하강한 상태를 나타내고 있다.
도 12는 제2 처리부를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대하여 예시한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 적절하게 생략한다.
[제1 실시형태]
(마스크 블랭크의 제조)
도 1은, 마스크 블랭크를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다.
우선, 반사형 마스크(210)의 제조에 이용하는 마스크 블랭크(200)를 제조한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 마스크 블랭크(200)에 마련된 기판(201)의 한쪽의 주면에는, 반사층(202), 캡핑층(203), 흡수층(204)이 이 순서로 적층되도록 형성되어 있다. 또한, 기판(201)의 다른쪽의 주면에는, 도전층(205)이 형성되어 있다.
기판(201)은, 투명 재료로 형성되어 있다. 기판(201)은, 예를 들면 저열팽창 재료(LTEM : Low Thermal Expansion Material)나 석영 등으로 형성되는 것으로 할 수 있다.
반사층(202)은, 노광광인 극단 자외선을 반사시키기 위해서 형성된다. 반사층(202)은, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층이 교대로 적층되도록 하여 형성되어 있다. 반사층(202)은, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층의 쌍이, 40쌍 내지 50쌍 정도 적층된 것으로 할 수 있다.
캡핑층(203)은, 반사층(202)을 보호하기 위해서 형성된다. 캡핑층(203)은, 예를 들면 실리콘(Si), 루테늄(Ru), 산화티탄(TiO) 등을 포함하는 것으로 할 수 있다. 또한, 캡핑층(203)을 실리콘(Si)으로 형성하는 경우에는, 반사층(202)의 최상층이 되는 실리콘(Si)층을 두껍게 형성하여 캡핑층(203)으로 할 수도 있다.
흡수층(204)은, 노광광인 극단 자외선의 반사를 억제하기 위해서 형성된다. 흡수층(204)은, 흡수체층(204a)과 반사 방지층(204b)을 갖는다.
흡수체층(204a)은, 노광광인 극단 자외선을 흡수한다. 흡수체층(204a)은, 예를 들면 탄탈의 질화물[예를 들면, 탄탈붕소 질화물(TaBN), 질화탄탈(TaN) 등]이나 크롬의 질화물[예를 들면, 질화크롬(CrN) 등] 등을 포함하는 것으로 할 수 있다.
반사 방지층(204b)은, 파장 250 ㎚ 근방의 검사광에 대한 반사 방지층(AR 층)으로서 기능한다. 반사 방지층(204b)은, 예를 들면 탄탈의 산화물[예를 들면, 탄탈붕소 산화물(TaBO), 산화탄탈(TaO) 등]이나 크롬의 산화물[예를 들면, 산화크롬(CrOx) 등] 등을 포함하는 것으로 할 수 있다.
도전층(205)은, 정전 척에 의한 반사형 마스크의 유지가 가능해지도록 하기 위해서 형성된다. 도전층(205)은, 예를 들면 질화크롬(CrN) 등을 포함하는 것으로 할 수 있다.
반사층(202), 캡핑층(203), 흡수층(204), 도전층(205)의 형성에는, 스퍼터링법 등의 이미 알려진 성막법을 적용할 수 있다.
예를 들면, 마스크 블랭크(200)의 제조에 있어서는, 기판(201)의 주면에 반사층(202)을 형성하는 공정, 반사층(202)의 위에 흡수층(204)을 형성하는 공정, 반사층(202)과 흡수층(204)의 사이에 캡핑층(203)을 형성하는 공정 등을 마련하도록 할 수 있다.
예를 들면, 스퍼터링법 등을 이용하여, 280 ㎚ 정도의 총두께를 갖는 반사층(202)을 형성하고, 10 ㎚ 정도의 두께를 갖는 캡핑층(203)을 형성하며, 70 ㎚ 정도의 총두께를 갖는 흡수층(204)을 형성하고, 10 ㎚ 정도의 두께를 갖는 도전층(205)을 형성하도록 할 수 있다. 다만, 각 층의 두께는 예시를 한 것으로 한정되는 것은 아니며 적절하게 변경할 수 있다. 또한, 스퍼터링법을 이용하는 경우의 성막조건 등에는 이미 알려진 기술을 적용시킬 수 있기 때문에, 성막 조건 등의 상세한 설명은 생략한다.
또한, 캡핑층(203)과 흡수체층(204a)과의 사이에 도시하지 않은 버퍼층을 형성하도록 할 수 있다. 도시하지 않은 버퍼층은, 흡수체층(204a), 반사 방지층(204b)을 에칭 처리하여 패턴을 형성할 때, 에칭 스톱층으로서 기능한다. 도시하지 않은 버퍼층은, 예를 들면 크롬(Cr) 등을 포함하는 것으로 할 수 있다. 또한, 캡핑층(203)을 루테늄(Ru)으로 형성하는 경우에는, 도시하지 않은 버퍼층을 마련할 필요는 없다. 또한, 반사 방지층(204b)을 크롬의 산화물로 형성하는 경우에는, 도시하지 않은 버퍼층을 크롬 이외의 에칭 스톱층으로서 기능할 수 있는 재료로 형성하도록 할 수 있다.
(반사형 마스크의 제조)
다음에, 이렇게 하여 제조된 마스크 블랭크(200)로부터 반사형 마스크(210)를 제조한다.
또한, 여기서는, 일례로서, 기판(201)이 저열팽창 재료(LTEM)로 형성되고, 반사층(202)이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 가지며, 캡핑층(203)이 실리콘(Si)으로 형성되고, 흡수체층(204a)이 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성되며, 반사 방지층(204b)이 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성되어 있는 경우를 예시한다.
도 2는, 제1 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법을 예시하기 위한 모식적인 공정 단면도이다. 또한, 도 2의 (a) 내지 (c)는 패턴 영역의 형성을 예시하기 위한 모식적인 공정 단면도이고, 도 2의 (d) 내지 (h)는 차광 영역의 형성을 예시하기 위한 모식적인 공정 단면도이다.
(패턴 영역의 형성)
우선, 패턴 영역(216)의 형성을 예시한다.
도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 흡수체층(204a)의 표면에 EB 레지스트(전자선 직접 묘화용 레지스트)(211)를 도포한다. 그리고, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴(예를 들면, 회로 패턴 등)을 묘화하고, 노광후 베이크(PEB; Post Exposure Bake), 현상 등을 행함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)을 순차 에칭 처리한다.
여기서, 흡수체층(204a), 반사 방지층(204b)을 동일한 처리 환경 내(예를 들면, 동일한 처리 용기 내)에 있어서 순차 에칭 처리할 수 있다.
그러나, 하나의 층을 에칭 처리했을 때에 생성된 부생성물이 처리 환경 내에 잔류하고, 다른 층을 에칭 처리할 때에 잔류한 부생성물이 분해됨으로써 발생한 반응 생성물에 의해, 다른 층을 에칭 처리할 때의 치수 제어성이나 에칭 처리의 안정성이 저하될 우려가 있다.
그리고, 에칭 처리에 있어서의 치수 제어성이나 에칭 처리의 안정성이 저하되면 반사형 마스크에 결함부가 생기는 경우가 있다. 이 경우, 결함부는 패턴을 형성하는 기체(예를 들면, 웨이퍼나 유리 기판 등)에 그대로 전사되어 버리기 때문에, 불량품이 대량으로 발생하는 요인이 된다.
도 3은, 에칭 처리에 있어서의 에칭률의 변동을 예시하기 위한 모식적인 그래프도이다.
또한, 도 3 중의 C는, 동일한 처리 환경 내에서 상층부터 순차 에칭 처리를 행하는 경우이다. 이 경우, C1은 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성된 반사 방지층(204b)을 에칭 처리하는 경우이고, C2는 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성된 흡수체층(204a)을 에칭 처리하는 경우이다.
또한, 도 3 중의 D는, 흡수체층(204a)과 반사 방지층(204b)을 상이한 처리 환경 내(예를 들면, 다른 처리 용기 내)에 있어서 에칭 처리하는 경우이다. 이 경우, D1은 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성된 반사 방지층(204b)을 에칭 처리하는 경우이고, D2는 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성된 흡수체층(204a)을 에칭 처리하는 경우이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, C2에 있어서의 에칭률의 변동폭은 큰 것이 된다. 여기서, 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성된 반사 방지층(204b)을 에칭 처리하는 경우에는 부생성물이 비교적 많이 생성된다. 이 때문에, 반사 방지층(204b)을 에칭 처리했을 때에 생성된 부생성물이 처리 환경 내에 잔류하고, 흡수체층(204a)을 에칭 처리할 때에, 잔류하고 있던 부생성물이 분해됨으로써 발생한 반응 생성물에 의해 C2에 있어서의 에칭률의 변동폭이 큰 것이 된다.
한편, 흡수체층(204a)을 에칭 처리하는 경우에는 부생성물의 생성량이 적어진다. 이 때문에, 반사 방지층(204b)을 에칭 처리할 때에는, 흡수체층(204a)을 에칭 처리했을 때에 생성된 부생성물의 영향도 작아진다.
또한, 반사 방지층(204b)을 에칭 처리하는 경우에 부생성물이 많이 생성되었다고 해도, 다음에 행하는 반사 방지층(204b)의 에칭 처리에 대한 영향은 작은 것이 된다.
즉, 생성된 부생성물의 성분은 그 에칭 처리에 있어서 이용되는 것을 구성하는 원소로 이루어지기 때문에, 다음에 행하는 에칭 처리에 있어서 부생성물이 분해되어 반응 생성물이 발생했다고 해도 에칭 처리에 대한 영향은 작은 것이 된다.
이 때문에, C2에 있어서의 에칭률의 변동폭에 비교해서, C1에 있어서의 에칭률의 변동폭은 작은 것이 된다.
그러나, C2에 있어서의 에칭률의 변동폭이 크면, 에칭 처리를 행할 때의 치수 제어성이나 에칭 처리의 안정성이 낮아지는 것에 변함이 없다.
이에 비하여, D1, D2의 경우는, 에칭률의 변동폭을 어떤 경우에서도 작게 할 수 있다.
즉, 흡수체층(204a)과 반사 방지층(204b)을 상이한 처리 환경 내에 있어서 에칭 처리를 행하도록 하면, 패턴을 형성할 때의 치수 제어성이나 에칭 처리의 안정성을 향상시킬 수 있다.
이하에 있어서는, 일례로서, 흡수체층(204a)과 반사 방지층(204b)을 상이한 처리 환경 내에 있어서 에칭 처리하는 경우에 대하여 예시한다.
우선, 제1 에칭 처리[반사 방지층(204b)의 에칭 처리]를 행한다.
이 경우, 불소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다.
불소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스를 예시할 수 있다.
이 에칭 처리에 있어서는, 발생시킨 플라즈마(P)에 의해 불소를 포함하는 가스가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온, 전자 등의 반응 생성물이 생성된다. 이 생성된 반응 생성물이, EB 레지스트(211)의 개구부(211a)를 통해 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성된 반사 방지층(204b)에 공급됨으로써 에칭 처리가 실시된다. 제1 에칭 처리는, 흡수체층(204a)의 표면이 노출될 때까지 행해진다. 즉, 마스크 블랭크(200)(피처리물)에 형성된 반사 방지층(204b)이 소정의 형상이 되도록 에칭 처리된다.
다음에, 제1 에칭 처리가 실시된 마스크 블랭크(200)를 제1 에칭 처리를 행하는 환경(제1 환경)으로부터 이격된 제2 에칭 처리를 행하는 환경(제2 환경)으로 이동시킨다.
이 경우, 제1 에칭 처리에 있어서 생성된 부생성물이 제2 에칭 처리를 행하는 환경에 침입하지 않도록, 제1 에칭 처리를 행하는 환경과 제2 에칭 처리를 행하는 환경이 이격되어 있다.
또한, 제1 에칭 처리를 행하는 환경으로부터 제2 에칭 처리를 행하는 환경으로 이동시킬 때에, 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성된 흡수체층(204a)이 노출된 표면이 산소에 폭로되면, 흡수체층(204a)의 표면이 산화되어 안정된 에칭 처리를 할 수 없게 될 우려가 있다. 이 때문에, 제1 에칭 처리를 행하는 환경으로부터 제2 에칭 처리를 행하는 환경으로 이동시킬 때에는, 대기보다도 산소 농도가 낮은 환경(예를 들면, 감압 환경이나 불활성 가스 등으로 퍼지된 환경 등)을 통해 이동을 행하도록 하는 것이 바람직하다.
다음에, 제2 에칭 처리[흡수체층(204a)의 에칭 처리]를 행한다.
이 경우, 염소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등이나 이들의 혼합 가스 등을 예시할 수 있다.
이 에칭 처리에 있어서는, 발생시킨 플라즈마(P)에 의해 염소를 포함하는 가스가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온, 전자 등의 반응 생성물이 생성된다. 이 생성된 반응 생성물이, EB 레지스트(211)의 개구부(211a), 제1 에칭 처리가 실시된 부분을 통해 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성된 흡수체층(204a)에 공급됨으로써 에칭 처리가 실시된다. 제2 에칭 처리는, 캡핑층(203)의 표면이 노출될 때까지 행해진다.
즉, 반사 방지층(204b)의 아래쪽에 형성된 흡수체층(204a)이 소정의 형상이 되도록 에칭 처리된다.
다음에, 도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, EB 레지스트(211)를 제거한다.
이 경우, 산소를 포함하는 가스를 이용한 건식 애싱 처리로 할 수도 있고, 약물을 이용한 습식 애싱 처리로 할 수도 있다.
또한, EB 레지스트(211)를 제거한 후, 필요에 따라서, 결함 검사나 결함부의 수정 등을 행하도록 할 수 있도 있다.
이상과 같이 하여, 패턴 영역(216)이 형성된다.
(차광 영역의 형성)
다음에, 차광 영역(217)의 형성을 예시한다.
차광 영역(217)은, 패턴 영역(216)을 둘러싸도록 형성되는 프레임 형상의 영역이며, 패턴을 전사할 때에 노광광이 인접하는 영역으로 새어나가지 않도록 하기 위해서 형성된다.
우선, 도 2의 (d)에 나타내는 바와 같이, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a) 및 노출된 캡핑층(203)의 표면에 레지스트(212)를 도포한다. 그리고, 레이저광 등을 이용하여 원하는 패턴을 묘화하고, 노광후 베이크, 현상 등을 행함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성한다. 이 경우, 패턴 영역(216)을 둘러싸도록 프레임 형상의 영역(212a)을 패터닝한다.
여기서, 에칭 처리를 행하면 레지스트(212)도 제거되게 된다. 이 때문에, 에칭 마스크인 레지스트 패턴의 재형성이 필요해지는 경우가 있다.
이 경우, 레지스트(212)의 도포, 패턴의 묘화, 노광후 베이크, 현상 등을 반복 행하도록 하면 생산성이 현저히 저하되게 된다.
또한, 반사층(202)을 에칭 처리할 때에는, 몰리브덴(Mo)층에 대한 에칭률과 실리콘(Si)층에 대한 에칭률의 차이가 적어지도록 하는 것이 바람직하다. 몰리브덴(Mo)층에 대한 에칭률과 실리콘(Si)층에 대한 에칭률의 차이가 커지면, 에칭률이 큰 쪽의 층의 에칭량이 많아지기 때문에, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 될 우려가 있다. 그리고, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 되면, 반사형 마스크의 품질이 저하되거나, 파손 등이 생겨 파티클이 발생하거나 할 우려가 있다.
도 4는, 불소와 산소를 포함하는 가스를 이용한 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
또한, 도 4는, 불소계의 가스로서 CF4를 이용하고, 산소(O2)의 첨가량을 변화시킨 경우의 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 레지스트에 대한 에칭률의 변화를 예시하기 위한 그래프도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 불소계의 가스만을 이용하여 에칭 처리를 행하도록 하면, 몰리브덴(Mo)에 대한 에칭률과 실리콘(Si)에 대한 에칭률의 차이가 너무 커진다.
이 경우, 산소의 첨가량을 증가시키면, 몰리브덴(Mo)에 대한 에칭률과 실리콘(Si)에 대한 에칭률의 차이를 작게 할 수 있다. 예를 들면, 산소의 첨가량을 50 vol%로 하면, 몰리브덴(Mo)에 대한 에칭률과 실리콘(Si)에 대한 에칭률을 동일한 정도로 할 수 있다.
그러나, 산소의 첨가량을 증가시키면, 레지스트에 대한 에칭률이 커지고, 전술한 레지스트 패턴의 재형성이 필요해진다.
본 발명자들은 검토 결과, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하고, 산소의 첨가량을 제어하면, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 레지스트에 대한 에칭률을 적절한 것으로 할 수 있다는 지견을 얻었다.
도 5는, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용한 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
또한, 도 5는, 일례로서, 염소계의 가스로서 Cl2를 이용하고, 산소(O2)의 첨가량을 변화시킨 경우의 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 레지스트에 대한 에칭률의 변화를 예시하기 위한 그래프도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 하면, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 되는 것을 억제할 수 있을 정도로, 몰리브덴(Mo)에 대한 에칭률과 실리콘(Si)에 대한 에칭률의 차이를 작게 할 수 있다.
또한, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 하면, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 되는 것을 억제할 수 있고, 또한 적어도 레지스트 패턴의 재형성의 횟수를 저감시킬 수 있다.
이 경우, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 레지스트에 대한 각각의 에칭률을 고려하여 레지스트의 두께를 설정하면, 레지스트 패턴의 재형성을 행하는 일없이 차광 영역(217)을 형성할 수 있다.
다음에, 도 2의 (e)로 되돌아가 차광 영역(217)의 형성에 대하여 더 예시한다.
도 2의 (e)에 나타내는 바와 같이, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)을 순차 에칭 처리한다. 에칭 처리는, 캡핑층(203)의 표면이 노출될 때까지 행해진다.
반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)의 에칭 처리는, 도 2의 (b)에 있어서 예시를 한 것과 동일하게 할 수 있다.
또한, 패턴 영역(216)의 형성 시에 차광 영역(217)의 흡수체층(204a), 반사 방지층(204b)을 동시에 에칭 처리하는 것도 가능하다.
다음에, 도 2의 (f)에 나타내는 바와 같이, 캡핑층(203)을 에칭 처리한다.
여기서, 캡핑층(203)이 실리콘(Si)으로 형성되어 있는 경우에는, 염소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다. 캡핑층(203)의 표면에 산화실리콘의 막이 형성되어 있는 경우에는, 산소를 포함하는 가스를 이용한 것에서는 산화실리콘의 막을 제거하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 이러한 경우에는, 염소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
혹은, 불소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행함으로써, 캡핑층(203)의 표면에 형성된 산화실리콘의 막을 제거할 수도 있다.
다음에, 도 2의 (g)에 나타내는 바와 같이, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 갖는 반사층(202)을 에칭 처리한다.
이 경우, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하고, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 한다. 이러한 산소의 첨가량으로 하면, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 되는 것을 억제할 수 있다.
염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
또한, 예를 들면 흡수층(204)의 총두께가 70 ㎚ 정도, 캡핑층(203)의 두께가 10 ㎚ 정도, 반사층(202)의 총두께가 280 ㎚ 정도이면, 레지스트의 두께를 420 ㎚ 이상으로 하고, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 함으로써, 적어도 레지스트 패턴의 재형성의 횟수를 대폭 저감시킬 수 있다.
여기서, 반사층(202)에서의 실리콘(Si)층이 성막시에 산화되어 있거나, 에칭 가스 중의 산소에 의해 산화되거나 하여, 산화실리콘(SiO2)층으로 변질되어 있는 경우가 있다.
염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하는 것은, 산화실리콘(SiO2)층에 대한 선택비가 커지는 가스 조건이다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭률이 매우 낮아지고, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사(殘渣)가 되어 남을 가능성이 있다.
이러한 경우에는, 염소와 산소를 포함하는 가스에, 불소를 포함하는 가스(예를 들면, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스)를 더 첨가함으로써, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭률을 올리도록 할 수 있다.
그리고, 불소를 포함하는 가스를 첨가하는 경우에 있어서, 염소를 포함하는 가스에 대한 첨가량을 조정함으로써, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭률로 제거할 수 있게 된다.
도 6은, 염소와 산소를 포함하는 가스에 불소를 포함하는 가스를 첨가한 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 7은, 염소와 산소를 포함하는 가스의 경우의 에칭률을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 6에서 알 수 있듯이, 염소에 대한 불소를 포함하는 가스인 CF4의 첨가량을, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하로 하면, 레지스트에 대한 선택비를 유지한 채로, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭률로 제거할 수 있다.
또한, 도 6에 있어서, 전체 가스(염소와 산소와 불소를 포함하는 가스)에 대한 산소를 포함하는 가스의 비율은 20 vol% 정도로 하고 있다.
또한, 도 7에 나타내는 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리한 경우와 비교하여, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭률을 10배 가까이 높게 할 수 있다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사가 되지 않는 에칭 처리를 행할 수 있다.
또한, 패턴 영역(216)의 형성의 경우와 마찬가지로 하여, 상이한 처리 환경 내에 있어서 각 층을 에칭 처리하도록 할 수 있다.
이 경우, 패턴 영역(216)의 흡수체층(204a)을 에칭 처리한 처리 환경 내에 있어서 차광 영역(217)의 흡수체층(204a)을 에칭 처리할 수 있다. 또한, 패턴 영역(216)의 반사 방지층(204b)을 에칭 처리한 처리 환경 내에 있어서 차광 영역(217)의 반사 방지층(204b) 혹은 캡핑층(203)을 에칭 처리할 수 있다.
그리고, 이들과는 상이한 처리 환경 내에 있어서 반사층(202)을 에칭 처리하도록 할 수 있다.
또한, 캡핑층(203)이 실리콘(Si)으로 형성되어 있는 경우에는, 반사층(202)을 에칭 처리하는 환경에 있어서 캡핑층(203)을 에칭 처리하도록 할 수 있다.
이렇게 하면, 차광 영역(217)을 형성할 때의 치수 제어성이나 처리의 안정성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 도 2의 (h)에 나타내는 바와 같이, 레지스트(212)를 제거한다.
이 경우, 산소를 포함하는 가스를 이용한 건식 애싱 처리로 할 수도 있고, 약물을 이용한 습식 애싱 처리로 할 수도 있다.
이 경우, 캡핑층(203)이 루테늄(Ru)으로 형성되어 있는 경우에는, 산소를 포함하는 가스를 이용한 건식 애싱 처리를 행함으로써 캡핑층(203)에 손상이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 캡핑층(203)이 루테늄(Ru)으로 형성되어 있는 경우에는, 산소를 포함하지 않는 가스를 이용한 건식 애싱 처리를 행하도록 하는 것이 바람직하다.
이상과 같이 하여, 차광 영역(217)을 형성함으로써, 반사형 마스크(210)가 제조된다.
[제2 실시형태]
도 8은, 제2 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 8에 예시를 하는 반사형 마스크의 제조 장치는, 이주파 플라즈마 에칭 장치이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 제조 장치(160)에는, 처리 용기(161)(제4 처리 용기의 일례에 상당함), 처리 용기(161)에 마련된 반입 반출구(179)를 폐쇄하는 게이트 밸브(177), 처리 용기(161)의 내부에 복수의 처리 가스(G)를 선택적으로 공급하는 가스 공급부(168)(제4 공급부의 일례에 상당함), 처리 용기(161)의 내부를 배기하는 배기부(169)(제4 배기부의 일례에 싱당함) 등이 마련되어 있다.
처리 용기(161)는, 알루미늄 등의 도전성 재료로 형성되며 감압 분위기를 유지 가능하게 되어 있다. 처리 용기(161)의 천장 중앙부분에는, 처리 가스(G)를 도입하기 위한 처리 가스 도입구(162)가 마련되어 있다.
처리 가스(G)는, 가스 공급부(168)로부터 처리 가스 도입구(162)를 통해 처리 용기(161)의 내부에 공급된다. 처리 용기(161)의 내부에 공급될 때, 처리 가스(G)는, 도시하지 않은 처리 가스 조정부에 의해 유량이나 압력 등이 조정된다.
또한, 가스 공급부(168)에는 도시하지 않은 전환부가 마련되어, 처리 용기(161)의 내부에 공급되는 처리 가스(G)의 종류가 전환되도록 되어 있다. 예를 들면, 전술한 반사층(202), 캡핑층(203), 흡수체층(204a), 반사 방지층(204b)을 에칭 처리할 때에, 각각의 에칭 처리에 적합한 처리 가스(G)를 공급할 수 있도록 되어 있다.
처리 용기(161)의 천장 부분으로서, 처리 가스 도입구(162)의 직경 외측 방향 부분에는 유전체 재료(예를 들면, 석영 등)로 이루어지는 유전체창(21)이 마련되어 있다. 유전체창(21)의 표면에는 도전체로 이루어지는 코일(20)이 설치되어 있다. 코일(20)의 일단은 접지되고(도시하지 않음), 타단은 정합기(16a)를 통해 고주파 전원(6c)에 접속되어 있다.
처리 용기(161)의 내부에는, 피처리물(W)을 에칭 처리하기 위한 공간인 처리 공간(163)이 설치되어 있다. 피처리물(W)은, 예를 들면 전술한 마스크 블랭크(200)로 할 수 있다.
처리 공간(163)의 아래쪽에는 전극부(4)가 마련되어 있다. 전극부(4)에는 고주파 전원(6b)이 정합기(16)를 통해 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(161)는 접지되어 있다.
제조 장치(160)는, 상부에 유도결합형 전극을 갖고, 하부에 용량결합형 전극을 갖는 이주파 플라즈마 에칭 장치이다. 즉, 전극부(4)와 처리 용기(161)가 용량결합형 전극을 구성하고, 또한 코일(20)이 유도결합형 전극을 구성한다.
고주파 전원(6b)은, 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 1 KW 정도의 고주파 전력을 전극부(4)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
고주파 전원(6c)은, 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 3 KW 정도의 고주파 전력을 코일(20)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
정합기(16, 16a)에는 도시하지 않은 튜닝 회로가 내장되어 있고, 도시하지 않은 튜닝 회로에서 반사파를 제어함으로써 플라즈마(P)를 제어할 수 있도록 되어 있다.
제조 장치(160)에 있어서는, 전극부(4), 처리 용기(161), 고주파 전원(6b), 고주파 전원(6c), 코일(20) 등이, 처리 용기(161)의 내부에 플라즈마(P)를 발생시키는 플라즈마 발생부(제4 플라즈마 발생부의 일례에 상당함)로 된다.
전극부(4)는 주위가 절연 링(5)으로 덮여져 있다. 전극부(4)에는 피처리물(W)이 배치 가능하고, 피처리물(W)을 유지하기 위한 유지 기구(도시하지 않음)나 피처리물(W)의 전달부(도시하지 않음) 등이 내장되어 있다.
처리 용기(161)의 바닥부에는 배기구(167)가 마련되고, 배기구(167)에는 압력 컨트롤러(8)를 통해 진공 펌프 등과 같은 배기부(169)가 접속되어 있다. 배기부(169)는, 처리 용기(161)의 내부가 소정의 압력이 되도록 배기한다. 처리 용기(161)의 측벽에는, 피처리물(W)을 반입 반출하기 위한 반입 반출구(179)가 마련되고, 반입 반출구(179)를 기밀하게 폐쇄할 수 있도록 게이트 밸브(177)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(177)는, O링과 같은 시일 부재(174)를 구비하는 도어(173)를 갖고, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개폐된다. 도어(173)가 닫혔을 때에는, 시일 부재(174)가 반입 반출구(179)의 벽면에 눌려지고, 반입 반출구(179)는 기밀하게 폐쇄된다.
또한, 후술하는 구획부(12), 승강부(11)를 더 설치하도록 할 수도 있다.
[반사형 마스크의 제조 장치(160)의 작용]
다음에, 제조 장치(160)의 작용에 대해서 예시한다.
이 경우, 일례로서, 피처리물(W)을 마스크 블랭크(200)로 하고, 마스크 블랭크(200)에 에칭 처리를 실시하여 반사형 마스크(210)를 제조하는 경우를 예로 들어 설명한다.
또한, 일례로서, 기판(201)이 저열팽창 재료(LTEM)로 형성되고, 반사층(202)이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 가지며, 캡핑층(203)이 실리콘(Si)으로 형성되고, 흡수체층(204a)이 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성되며, 반사 방지층(204b)이 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성되어 있는 경우를 예시한다.
우선, 전술한 패턴 영역(216)의 형성을 행한다.
게이트 밸브(177)의 도어(173)를, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개방한다.
도시하지 않은 반송부에 의해, 반입 반출구(179)로부터 마스크 블랭크(200)를 처리 용기 내에 반입한다. 마스크 블랭크(200)는 전극부(4) 상에 배치되고, 전극부(4)에 내장된 도시하지 않은 유지 기구에 의해 유지된다.
도시하지 않은 반송부를 처리 용기(161)의 밖으로 후퇴시킨다.
도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 게이트 밸브(177)의 도어(173)를 폐쇄한다.
배기부(169)에 의해 처리 용기(161) 내를 배기한다.
그리고, 전술한 반사 방지층(204b)의 에칭 처리를 행한다.
이 경우, 불소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다.
즉, 우선, 가스 공급부(168)로부터 처리 가스 도입구(162)를 통해 처리 공간(163) 내에 불소를 포함하는 가스가 공급된다. 불소를 포함하는 가스는, 예를 들면 CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 또한, 불소를 포함하는 가스의 유량은 60 sccm 정도로 할 수 있다.
다음에, 고주파 전원(6c)으로부터 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 코일(20)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(6b)으로부터 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 전극부(4)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(6c)과 고주파 전원(6b)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수가 동일하게 되도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 고주파 전원(6c)과 고주파 전원(6b)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수를 13.56 MHz로 할 수 있다.
또한, 고주파 전원(6c)은 3 KW 정도의 고주파 전력을 인가하고, 고주파 전원(6b)은 1 KW 정도의 고주파 전력을 인가하는 것으로 할 수 있다.
그렇게 하면, 전극부(4)와 처리 용기(161)가 용량결합형 전극을 구성하기 때문에, 전극부(4)와 처리 용기(161)의 사이에 방전이 발생한다. 또한, 코일(20)이 유도결합형 전극을 구성하기 때문에, 코일(20)로부터 유전체창(21)을 통해 고주파 전력이 처리 용기(161)의 내부에 도입된다. 이 때문에, 전극부(4)와 처리 용기(161)의 사이에 생긴 방전과, 처리 용기(161)의 내부에 도입된 고주파 전력에 의해 처리 공간(163)에 플라즈마(P)가 발생한다. 발생한 플라즈마(P)에 의해 불소를 포함하는 가스가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온, 전자 등의 반응 생성물이 생성된다. 이 생성된 반응 생성물이, 처리 공간(163) 내를 하강하여 마스크 블랭크(200)에 도달하고, 에칭 처리가 실시된다. 또한, 플라즈마(P)의 제어는, 정합기(16, 16a)에 내장되어 있는 도시하지 않은 튜닝 회로로 반사파를 제어함으로써 행한다. 또한, 잔여 불소를 포함하는 가스나 반응 생성물, 부생성물의 대부분은, 배기구(167)로부터 처리 용기(161) 밖으로 배출된다.
이 에칭 처리에 있어서는, 반사 방지층(204b)의 표면에 형성된 레지스트 패턴에 기초하여, 반사 방지층(204b)의 일부가 제거된다. 즉, 반사 방지층(204b) 중, EB 레지스트(211)에 덮여져 있지 않은 부분이 제거된다.
반사 방지층(204b)의 에칭 처리가 종료하면, 처리 용기(161) 안이 배기된다. 그리고, 다음에, 흡수체층(204a)에 대하여 에칭 처리가 실시된다.
이 경우, 가스 공급부(168)에 마련된 도시하지 않은 전환부에 의해, 공급되는 처리 가스(G)의 종류가 전환된다. 즉, 가스 공급부(168)로부터 염소를 포함하는 가스가 공급되고, 염소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리가 실시된다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스의 유량은 180 sccm 정도로 할 수 있다.
그리고, 반사 방지층(204b)의 경우와 마찬가지로 하여, 반사 방지층(204b)의 표면에 형성된 레지스트 패턴에 기초하여 흡수체층(204a)의 일부가 제거된다. 즉, 흡수체층(204a) 중, EB 레지스트(211)에 덮여져 있지 않은 부분이 제거된다.
이상과 같이 하여, 패턴 영역(216)의 형성이 행해진다.
패턴 영역(216)의 형성이 종료되면, 처리 용기(161) 내의 압력과 게이트 밸브(177)의 도어(173)의 외측의 압력이 거의 동일해지도록, 처리 가스 도입구(162)로부터 퍼지 가스 등이 도입된다.
그리고, 게이트 밸브(177)의 도어(173)를 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개방한다.
도시하지 않은 반송부에 의해, 패턴 영역(216)이 형성된 마스크 블랭크(200)를 반출한다.
처리 용기(161)의 밖으로 반출된 마스크 블랭크(200)는, 잔여 EB 레지스트(211)의 제거가 행해지고, 필요에 따라서, 결함 검사나 결함부의 수정 등이 행해진다.
다음에, 전술한 차광 영역(217)의 형성을 행한다.
우선, 처리 용기(161)의 밖에 있어서, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a) 및 노출된 캡핑층(203)의 표면에 레지스트(212)를 도포하고, 패턴의 묘화, 노출후 베이크, 현상 등을 행함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 전술한 바와 마찬가지로 하여, 마스크 블랭크(200)를 처리 용기 내에 반입한다.
그리고, 전술한 것과 마찬가지로 하여, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a), 캡핑층(203), 반사층(202)을 순차 에칭 처리한다.
이 경우, 전술한 바와 같이 반사층(202)의 에칭 처리에는, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하고, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 할 수 있다. 이러한 산소의 첨가량으로 하면, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 예를 들면 흡수층(204)의 총두께가 70 ㎚ 정도, 캡핑층(203)의 두께가 10 ㎚ 정도, 반사층(202)의 총두께가 280 ㎚ 정도, 레지스트의 두께가 420 ㎚ 이상이면, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 할 수 있다. 이러한 산소의 첨가량으로 하면, 적어도 레지스트 패턴의 재형성의 횟수를 대폭 저감시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 반사층(202)에 있어서, 실리콘(Si)층이 산화되어 산화실리콘(SiO2)층이 형성되어 있는 경우에는, 염소와 산소를 포함하는 가스에 불소를 포함하는 가스(예를 들면, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스)를 더 첨가할 수 있다.
이 경우, 염소에 대한 불소를 포함하는 가스인 CF4의 첨가량을, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하로 할 수 있다.
그렇게 하면, 레지스트에 대한 선택비를 유지한 채로, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭률로 제거할 수 있다.
또한, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리한 경우와 비교하여, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭률을 10배 가까이 높게 할 수 있다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사가 되지 않는 에칭 처리를 행할 수 있다.
또한, 반입이나 반출에 관련되는 작용, 플라즈마를 발생시키는 것에 관련되는 작용 등은, 패턴 영역(216)을 형성하는 경우와 마찬가지이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
[제3 실시형태]
도 9는, 제3 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식적인 레이아웃도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 반사형 마스크의 제조 장치(100)에는, 로드록부(110), 트랜스퍼부(120), 반송부(130), 제1 처리부(140), 제2 처리부(150), 제3 처리부(180)가 마련되어 있다.
로드록부(110)와 트랜스퍼부(120), 트랜스퍼부(120)와 제1 처리부(140), 트랜스퍼부(120)와 제2 처리부(150), 트랜스퍼부(120)와 제3 처리부(180)의 사이의 벽면에는 반입 반출구가 형성되어 있다. 그리고, 각 반입 반출구를 통해 로드록부(110)와 트랜스퍼부(120), 트랜스퍼부(120)와 제1 처리부(140), 트랜스퍼부(120)와 제2 처리부(150), 트랜스퍼부(120)와 제3 처리부(180)가 그 내부 공간이 연통되도록 접속되어 있다. 또한, 로드록부(110), 트랜스퍼부(120), 제1 처리부(140), 제2 처리부(150), 제3 처리부(180)는, 감압 분위기를 유지할 수 있도록 기밀 구조로 되어 있다.
그리고, 트랜스퍼부(120)에는, 압력 컨트롤러(8)를 통해 진공 펌프 등과 같은 트랜스퍼 배기부(129)가 접속되어 있다.
트랜스퍼 배기부(129)는, 트랜스퍼부(120)의 내부가 소정의 압력이 되도록 배기한다.
그리고, 트랜스퍼부(120)의 내부에 피처리물(W)[예를 들면, 마스크 블랭크(200)]이 있는 경우에는, 트랜스퍼 배기부(129)는, 트랜스퍼부(120)의 내부를 배기하여, 트랜스퍼부(120)의 내부의 산소 농도를 대기의 산소 농도보다도 낮게 한다.
또한, 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부(128)를 마련하여, 불활성 가스 공급부(128)로부터 트랜스퍼부(120)의 내부에 불활성 가스를 공급하도록 할 수도 있다. 트랜스퍼부(120)의 내부를 불활성 가스 등으로 퍼지하도록 하면, 트랜스퍼부(120)의 내부의 산소 농도를 대기의 산소 농도보다도 낮게 할 수 있다.
그리고, 트랜스퍼부(120)의 내부에 피처리물(W)[예를 들면, 마스크 블랭크(200)]이 있는 경우에는, 불활성 가스 공급부(128)는, 트랜스퍼부(120)의 내부를 불활성 가스로 퍼지하여, 트랜스퍼부(120)의 내부의 산소 농도를 대기의 산소 농도보다도 낮게 한다.
트랜스퍼부(120)의 내부의 산소 농도를 대기의 산소 농도보다도 낮게 하면, 피처리물(W)의 표면이 산화되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 에칭 처리의 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 로드록부(110)에는, 도시하지 않은 압력 컨트롤러를 통해 진공 펌프 등과 같은 도시하지 않은 배기부가 접속되어 있다.
또한, 로드록부(110)는 반드시 필요하지는 않고, 필요에 따라서 적절하게 설치하도록 하면 좋다.
또한, 각 반입 반출구를 기밀하게 폐쇄하기 위한 게이트 밸브가 설치되어 있다(예를 들면, 도 10 등을 참조).
반송부(130)는, 트랜스퍼부(120) 내에 마련되어 있다. 반송부(130)는, 반사형 마스크의 제조 장치(100)의 외부에 마련된 도시하지 않은 반송 장치, 제1 처리부(140), 제2 처리부(150), 제3 처리부(180) 등의 사이에 있어서 피처리물(W)[예를 들면, 마스크 블랭크(200)]의 전달이나 반송 등을 행한다. 반송부(130)는, 예를 들면 피처리물(W)을 파지, 반송할 수 있는 로보트 장치 등으로 할 수 있다.
제1 처리부(140), 제2 처리부(150), 제3 처리부(180)의 구성은, 에칭 처리의 대상이 되는 부분의 재료에 따라서 변경할 수 있다. 또한, 반사형 마스크의 제조 장치(100)에 3개의 처리부가 마련되는 경우를 예시했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 처리부의 수는 적절하게 변경할 수 있다.
이 경우, 에칭 처리의 대상이 되는 부분의 재료별로 처리부를 마련하도록 할 수 있다. 예를 들면, 에칭 처리의 대상이 되는 부분이 탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 경우에 이용되는 처리부와, 에칭 처리의 대상이 되는 부분이 탄탈붕소 질화물(TaBN)을 포함하는 경우에 이용되는 처리부와, 에칭 처리의 대상이 되는 부분이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 갖는 경우에 이용되는 처리부를 마련하도록 할 수 있다.
여기서는, 일례로서, 에칭 처리의 대상이 되는 부분이 탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 경우에 제1 처리부(140)를 이용하고, 에칭 처리의 대상이 되는 부분이 탄탈붕소 질화물(TaBN)을 포함하는 경우에 제2 처리부(150)를 이용하며, 에칭 처리의 대상이 되는 부분이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 갖는 경우에 제3 처리부(180)를 이용하는 것으로 한다.
도 10, 도 11은, 제1 처리부를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다. 또한, 도 10, 도 11은, 도 9에 있어서의 A-A 화살표 방향에서 본 단면을 나타낸 모식적인 단면도이다. 또한, 도 10은 구획부가 상승한 상태, 도 11은 구획부가 하강한 상태를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다.
제1 처리부(140)는, 알루미늄 등의 도전성 재료로 형성되며 감압 분위기를 유지 가능한 처리 용기(1)(제1 처리 용기의 일례에 상당함)를 구비하고 있다. 처리 용기(1)의 천장 중앙 부분에는, 처리 가스(G1)(제1 가스의 일례에 상당함)를 도입하기 위한 처리 가스 도입구(2)가 마련되어 있다. 처리 가스(G1)는, 가스 공급부(18)(제1 공급부의 일례에 상당함)로부터 처리 가스 도입구(2)를 통해 처리 용기(1)의 내부에 공급된다. 처리 용기(1)의 내부에 공급될 때, 처리 가스(G1)는, 도시하지 않은 처리 가스 조정부에 의해 유량이나 압력 등이 조정된다.
여기서, 제1 처리부(140)에 있어서, 탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 층[예를 들면, 반사 방지층(204b)]을 에칭 처리하는 경우에는, 처리 가스(G1)는 불소를 포함하는 가스로 할 수 있다. 예를 들면, 처리 가스(G1)는, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 또한, 처리 가스(G1)의 유량은 60 sccm 정도로 할 수 있다.
처리 용기(1)의 천장 부분으로서, 처리 가스 도입구(2)의 직경 외측 방향 부분에는 유전체 재료(예를 들면, 석영 등)로 이루어지는 유전체창(21)이 마련되어 있다. 유전체창(21)의 표면에는 도전체로 이루어지는 코일(20)이 설치되어 있다. 코일(20)의 일단은 접지되고(도시하지 않음), 타단은 정합기(16a)를 통해 고주파 전원(6a)에 접속되어 있다.
처리 용기(1)의 내부에는, 피처리물(W)을 에칭 처리하기 위한 공간인 처리 공간(3)이 마련되어 있다. 처리 공간(3)의 아래쪽에는 전극부(4)가 마련되어 있다. 전극부(4)에는 고주파 전원(6b)이 정합기(16)를 통해 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(1)는 접지되어 있다.
제1 처리부(140)는, 상부에 유도 결합형 전극을 갖고, 하부에 용량 결합형 전극을 갖는 이주파 플라즈마 에칭 장치이다. 즉, 전극부(4)와 처리 용기(1)가 용량 결합형 전극을 구성하고, 또한 코일(20)이 유도 결합형 전극을 구성한다.
고주파 전원(6a)은, 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 3 KW 정도의 고주파 전력을 코일(20)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
고주파 전원(6b)은, 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 1 KW 정도의 고주파 전력을 전극부(4)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
정합기(16, 16a)에는 도시하지 않은 튜닝 회로가 내장되어 있고, 도시하지 않은 튜닝 회로로 반사파를 제어함으로써 플라즈마(P)를 제어할 수 있도록 되어 있다.
제1 처리부(140)에 있어서는, 전극부(4), 처리 용기(1), 고주파 전원(6a), 고주파 전원(6b), 코일(20) 등이, 처리 용기(1)의 내부에 플라즈마(P)를 발생시키는 플라즈마 발생부(제1 플라즈마 발생부의 일례에 상당함)로 된다.
전극부(4)는, 주위가 절연 링(5)으로 덮여져 있다. 전극부(4)에는 피처리물(W)이 배치 가능하고, 피처리물(W)을 유지하기 위한 유지 기구(도시하지 않음)나 피처리물(W)의 전달부(도시하지 않음) 등이 내장되어 있다.
처리 용기(1)의 바닥부에는 배기구(7)가 마련되고, 배기구(7)에는 압력 컨트롤러(8)를 통해 진공 펌프 등과 같은 배기부(19)(제1 배기부의 일례에 상당함)가 접속되어 있다. 배기부(19)는, 처리 용기(1)의 내부가 소정의 압력이 되도록 배기한다. 처리 용기(1)의 측벽에는, 피처리물(W)을 반입 반출하기 위한 반입 반출구(9)(제1 반입 반출구의 일례에 상당함)가 마련되고, 반입 반출구(9)를 기밀하게 폐쇄할 수 있도록 게이트 밸브(17)(제1 게이트 밸브의 일례에 상당함)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(17)는, O링과 같은 시일 부재(14)를 구비하는 도어(13)를 갖고, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개폐된다. 도어(13)가 폐쇄될 때에는, 시일 부재(14)가 반입 반출구(9)의 벽면에 눌려지고, 반입 반출구(9)는 기밀하게 폐쇄된다.
전극부(4)의 외측에는, 구획부(12)가 마련되어 있다. 제1 처리부(140)에 있어서는, 불소를 포함하는 가스를 이용하여 탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 층을 에칭 처리한다. 이 경우, 탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 층을 에칭 처리했을 때에 부생성물이 비교적 많이 생성된다. 따라서, 제1 처리부(140)에 있어서는, 피처리물(W)에 형성된 탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 층을 제거할 때에 처리 공간(3)을 구획하는 구획부(12)를 마련하고 있다. 즉, 구획부(12)를 마련함으로써, 구획부(12)의 외부에 있는 처리 용기(1)의 측벽이나 바닥부 등에 부생성물이 부착되는 것을 억제할 수 있도록 되어 있다. 또한, 구획부(12)의 내벽 등에도 부생성물이 부착되지만, 구획부(12)를 교환하거나 구획부(12)를 떼내어 청소하거나 할 수 있기 때문에, 유지 보수 시간을 대폭 단축할 수 있다. 또한, 구획부(12)를 마련함으로써 외부로부터 처리 공간(3)에 파티클 등이 침입하는 것을 억제할 수도 있다.
구획부(12)에는, 측면부(12a), 바닥부(12b), 레그부(12c)가 마련되어 있다. 측면부(12a)는 원통형상이며, 처리 용기(1)의 내벽에 근접하도록 마련되어 있다. 바닥부(12b)는 원판형상이며, 외주부의 단부면은 측면부(12a)의 하단면 부근에 고착되어 있고, 내주측의 단부면은 절연링에 근접하도록 되어 있다. 또한, 측면부(12a), 바닥부(12b)의 형태는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니고 적절하게 변경할 수 있다. 예를 들면, 측면부(12a)를 다각형의 통형상으로 하거나, 바닥부(12b)를 다각형의 판형상으로 하거나 할 수 있다.
레그부(12c)의 일단은, 바닥부(12b)에 접속되어 있고, 타단은 승강부(11)에 접속되어 있다. 레그부(12c)는 원기둥 형상이지만 이것에 한정되는 것이 아니고, 단면이 다각형인 기둥형상, 원통형상 등이어도 좋다. 승강부(11)의 동력원은, 예를 들면 모터, 에어 실린더, 유압 실린더 등으로 할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니고 동일한 기능을 갖는 구동원으로 해도 좋다. 구획부(12)의 상승단 위치와 하강단 위치는, 도시하지 않은 검출기로부터의 신호로 제어할 수도 있고, 타이머 등을 이용하여 시간에 의해 제어할 수도 있다.
구획부(12)의 상승단 위치(도 10)에서는, 측면부(12a)의 상부 단부면과 처리 용기(1)의 천장 부분과의 사이에, 약간 간극이 생기도록 되어 있는 것이 바람직하다. 이것은, 측면부(12a)의 상부 단부면과 처리 용기(1)의 천장 부분이 접촉하면 파티클 등의 오염물이 발생할 우려가 있기 때문이다. 또한, 이때, 바닥부(12b)의 표면[처리 공간(3)측의 면]은, 전극부(4)의 표면 위치와 동일하거나, 혹은 그보다 낮은 위치에 있다.
구획부(12)의 하강단 위치(도 11)에서는, 측면부(12a)의 상부 단부면의 위치는, 피처리물(W)의 반입 반출을 고려하여, 전극부(4)의 표면 위치와 동일하거나, 혹은 약간 낮은 위치에 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 도시하지 않은 피처리물(W)의 전달부에 맞추어 적절하게 변경할 수 있다. 또한, 이때, 바닥부(12b)와 처리 용기(1)의 바닥부의 사이에 간극이 생기도록 되어 있는 것이 바람직하다. 이것은, 바닥부(12b)와 처리 용기(1)의 바닥부가 접촉하면, 파티클 등의 오염물이 발생할 우려가 있기 때문이다.
다음에, 제2 처리부(150)에 대해서 예시한다.
도 12는, 제2 처리부를 예시하기 위한 모식적인 단면도이다. 또한, 도 12는, 도 9에 있어서의 B-B 화살표 방향에서 본 단면을 나타낸 모식적인 단면도이다.
도 12에 예시하는 제2 처리부(150)도 이주파 플라즈마 에칭 장치이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 제2 처리부(150)에도 처리 용기(1a)(제2 처리 용기의 일례에 상당함), 처리 용기(1a)에 마련된 반입 반출구(9a)(제2 반입 반출구의 일례에 상당함)를 폐쇄하는 게이트 밸브(17a)(제2 게이트 밸브의 일례에 상당함), 처리 용기(1a)의 내부에 염소를 포함하는 가스를 공급하는 가스 공급부(18a)(제2 공급부의 일례에 상당함), 처리 용기(1a)의 내부를 배기하는 배기부(19a)(제2 배기부의 일례에 상당함) 등이 마련되어 있다.
또한, 제2 처리부(150)에 있어서는, 전극부(4), 처리 용기(1a), 고주파 전원(6b), 고주파 전원(6c), 코일(20) 등이, 처리 용기(1a)의 내부에 플라즈마(P)를 발생시키는 플라즈마 발생부(제2 플라즈마 발생부의 일례에 상당함)로 된다.
또한, 제1 처리부(140), 제2 처리부(150), 후술하는 제3 처리부(180)에 대하여, 하나의 배기부를 마련하도록 할 수 있다. 또한, 배기부를 겸용화한 경우라도, 제1 처리부(140), 제2 처리부(150), 제3 처리부(180)에 각각 마련된 압력 컨트롤러(8)에 의해 배기량이나 배기 속도 등을 개별적으로 제어할 수 있다.
제2 처리부(150)의 주된 구성은, 제1 처리부(140)의 주된 구성과 동일하게 할 수 있기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
제2 처리부(150)에 있어서, 탄탈붕소 질화물(TaBN)을 포함하는 층[예를 들면, 흡수체층(204a)]을 에칭 처리하는 경우에는, 처리 가스(G2)(제2 가스의 일례에 상당함)는 염소를 포함하는 가스로 할 수 있다. 예를 들면, 처리 가스(G2)는, Cl2, CCl4, HCl 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다.
여기서, 염소를 포함하는 가스를 이용하여 탄탈붕소 질화물(TaBN)을 포함하는 층을 에칭 처리하는 경우에는, 생성되는 부생성물이 적어진다. 즉, 처리 용기(1a)의 측벽이나 바닥부 등에 부착되는 부생성물이 적어진다. 이 때문에, 제2 처리부(150)에 있어서는, 구획부(12)와 승강부(11)를 설치하지 않도록 할 수 있다.
구획부(12)와 승강부(11)를 설치하지 않도록 하면, 처리 가스(G2)의 배기가 보다 원활해진다. 이 때문에, 처리 가스(G2)의 유량, 배기량을 많게 할 수 있으므로, 에칭 제거된 것을 빠르게 배출시킬 수 있다. 즉, 처리 가스(G2)의 유량, 배기량을 많게 함으로써, 한번 에칭 제거된 것이, 에칭 처리된 부분 등에 재부착하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 에칭 처리에 있어서의 치수 제어성을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 처리 가스(G2)의 유량은 180 sccm 정도로 할 수 있다.
또한, 구획부(12)와 승강부(11)를 설치하도록 하면, 외부로부터 처리 공간(3)에 파티클 등이 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 전술한 것과 마가찬가지로, 구획부(12)와 승강부(11)를 설치하도록 해도 좋다.
코일(20)에 접속되는 고주파 전원(6c)은, 전술한 고주파 전원(6a)보다도 적은 고주파 전력을 인가하는 것으로 할 수 있다. 예를 들면, 고주파 전원(6c)은, 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 1 KW 정도의 고주파 전력을 코일(20)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
또한, 전술한 고주파 전원(6a)을 코일(20)에 접속하여, 인가하는 고주파 전력을 제어하도록 해도 좋다.
다음에, 제3 처리부(180)에 대해서 예시한다.
제3 처리부(180)의 구성은, 제2 처리부(150)의 구성과 마찬가지로 할 수 있다. 즉, 도시 및 구성의 설명은 생략하지만, 제3 처리부(180)에도, 처리 용기(1a)(제3 처리 용기의 일례에 상당함), 처리 용기(1a)에 마련된 반입 반출구(9a)(제3 반입 반출구의 일례에 상당함)를 폐쇄하는 게이트 밸브(17a)(제3 게이트 밸브의 일례에 상당함), 처리 용기(1a)의 내부에 염소와 산소를 포함하는 가스(제3 가스의 일례에 상당함) 또는 염소를 포함하는 가스(제4 가스의 일례에 상당함)를 공급하는 가스 공급부(18a)(제3 공급부의 일례에 상당함), 처리 용기(1a)의 내부를 배기하는 배기부(19a)(제3 배기부의 일례에 상당함) 등이 마련되어 있다.
이 경우, 제3 처리부(180)에 있어서도, 도시를 생략한 전극부(4), 처리 용기(1), 고주파 전원(6a), 고주파 전원(6b), 코일(20) 등이, 처리 용기(1)의 내부에 플라즈마(P)를 발생시키는 플라즈마 발생부(제3 플라즈마 발생부의 일례에 상당함)가 된다.
또한, 제3 처리부(180)에도, 구획부(12)와 승강부(11)를 설치하도록 해도 좋다.
다만, 제3 처리부(180)에 있어서는, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층이 교대로 적층된 층[예를 들면, 반사층(202)]을 에칭 처리하기 때문에, 공급되는 처리 가스의 종류가 상이하다.
이 경우, 처리 가스는 염소와 산소를 포함하는 가스로 할 수 있다. 그리고, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
또한, 예를 들면 전술한 흡수층(204)의 총두께가 70 ㎚ 정도, 캡핑층(203)의 두께가 10 ㎚ 정도, 반사층(202)의 총두께가 280 ㎚ 정도, 레지스트의 두께가 420 ㎚ 이상이면, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 함으로써 적어도 레지스트 패턴의 재형성의 횟수를 대폭 저감시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 반사층(202)에 있어서, 실리콘(Si)층이 산화되어 산화실리콘(SiO2)층이 형성되어 있는 경우에는, 염소와 산소를 포함하는 가스에 불소를 포함하는 가스(예를 들면, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스)를 또한 첨가할 수 있다.
이 경우, 염소에 대한 불소를 포함하는 가스인 CF4의 첨가량을, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하로 할 수 있다.
그렇게 하면, 레지스트에 대한 선택비를 유지한 채로, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭률로 제거할 수 있다.
또한, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리한 경우와 비교하여, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭률을 10배 가까이 높일 수 있다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사가 되지 않는 에칭 처리를 행할 수 있다.
또한, 전술한 캡핑층(203)이 실리콘(Si)으로 형성되어 있는 경우에는, 제3 처리부(180)에 있어서 캡핑층(203)을 에칭 처리할 수 있다. 이 경우, 처리 가스는, 염소를 포함하는 가스로 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
또한, 캡핑층(203)의 표면에 산화실리콘의 막이 형성되어 있는 경우에는, 산소를 포함하는 가스를 이용한 것에서는 산화실리콘의 막을 제거하는 것이 곤란해진다. 이 때문에, 이러한 경우에도, 처리 가스로서 염소를 포함하는 가스를 이용할 수 있다.
혹은, 불소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 함으로써, 캡핑층(203)의 표면에 형성된 산화실리콘의 막을 제거할 수도 있다.
[반사형 마스크의 제조 장치(100)의 작용]
다음에, 반사형 마스크의 제조 장치(100)의 작용에 대해서 예시한다.
이 경우, 일례로서, 피처리물(W)을 마스크 블랭크(200)로 하고, 마스크 블랭크(200)에 에칭 처리를 실시하여 반사형 마스크(210)를 제조하는 경우를 예로 들어 설명한다.
또한, 일례로서, 기판(201)이 저열팽창 재료(LTEM)로 형성되고, 반사층(202)이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 가지며, 캡핑층(203)이 실리콘(Si)으로 형성되고, 흡수체층(204a)이 탄탈붕소 질화물(TaBN)로 형성되며, 반사 방지층(204b)이 탄탈붕소 산화물(TaBO)로 형성되어 있는 경우를 예시한다.
또한, 로드록부(110), 트랜스퍼부(120), 반송부(130)의 기본적인 작용은, 이미 알려진 기술과 동일하다고 할 수 있기 때문에, 이들의 작용에 관한 설명은 생략한다.
우선, 전술한 패턴 영역(216)을 형성한다.
제1 처리부(140)에 있어서, 반사 방지층(204b)[탄탈붕소 산화물(TaBO)을 포함하는 층]에 대한 에칭 처리가 실시된다.
제1 처리부(140)에 있어서, 승강부(11)에 의해 구획부(12)를 상승단 위치까지 상승시킨다(도 10 참조).
게이트 밸브(17)의 도어(13)를, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개방한다. 이때, 도어(13)나 시일 부재(14)에 부착된 파티클이나 오염물 등이 비산하는 경우가 있지만, 구획부(12)에 의해 처리 공간(3)을 구획할 수 있기 때문에, 파티클이나 오염물 등이 처리 공간(3) 내에 확산하는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 구획부(12)를 하강시킨다(도 11 참조). 게이트 밸브(17)의 도어(13)가 개방되었을 때에 비산한 파티클 등이 침강한 후에, 구획부(12)를 하강시킴으로써, 처리 공간(3) 내에 파티클 등이 침입하는 것을 억제할 수 있다.
반송부(130)에 의해, 반입 반출구(9)로부터 마스크 블랭크(200)를 처리 용기 내에 반입한다. 마스크 블랭크(200)는 전극부(4) 상에 배치되고, 전극부(4)에 내장된 도시하지 않은 유지 기구에 의해 유지된다.
반송부(130)를 처리 용기(1)의 밖으로 후퇴시킨다.
승강부(11)에 의해 구획부(12)를 상승단 위치까지 상승시킨다(도 10 참조).
게이트 밸브(17)의 도어(13)를 폐쇄한다. 도어(13)가 폐쇄될 때에 파티클 등의 오염물이 발생하는 경우가 있지만, 구획부(12)에 의해 처리 공간(3)을 구획할 수 있기 때문에, 파티클이나 오염물이 처리 공간(3) 내에 확산하는 것을 억제할 수 있다.
처리 용기(1) 내를 배기한다. 이때, 구획부(12)의 외측에 있어서도 배기류의 흐름이 형성된다. 이 때문에, 도어(13)가 개방됨으로써 발생한 파티클 등의 오염물은, 구획부(12)의 외측에 형성된 배기류를 타고, 배기구(7)로부터 처리 용기(1) 밖으로 배출된다.
또한, 구획부(12)의 내측의 처리 공간(3)은, 바닥부(12b)의 내주측의 단부면과 절연 링(5)의 사이에 형성되는 간극을 통해 배기된다. 이때, 구획부(12)에 의해 플라즈마 처리부(3)가 구획되어 있기 때문에, 구획부(12)의 외측에 존재하는 파티클 등의 오염물이 처리 공간(3) 내에 침입하는 것이 억제된다.
다음에, 불소를 포함하는 가스를 이용하여 반사 방지층(204b)을 에칭 처리한다.
즉, 우선, 가스 공급부(18)로부터 처리 가스 도입구(2)를 통해 처리 공간(3)내에 처리 가스(G1)가 공급된다. 처리 가스(G1)는 불소를 포함하는 가스로 할 수 있다. 예를 들면, 처리 가스(G1)는, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 또한, 처리 가스(G1)의 유량은 60 sccm 정도로 할 수 있다.
다음에, 고주파 전원(6a)으로부터 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 코일(20)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(6b)으로부터 100 KHz 내지 100 MHz 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 전극부(4)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(6a)과 고주파 전원(6b)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수가 동일해지도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 고주파 전원(6a)과 고주파 전원(6b)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수를 13.56 MHz로 할 수 있다.
또한, 고주파 전원(6a)은 3 KW 정도의 고주파 전력을 인가하고, 고주파 전원(6b)은 1 KW 정도의 고주파 전력을 인가하는 것으로 할 수 있다.
그러면, 전극부(4)와 처리 용기(1)가 용량 결합형 전극을 구성하기 때문에, 전극부(4)와 처리 용기(1)의 사이에 방전이 일어난다. 또한, 코일(20)이 유도 결합형 전극을 구성하기 때문에, 코일(20)로부터 유전체창(21)을 통해 고주파 전력이 처리 용기(1)의 내부에 도입된다. 이 때문에, 전극부(4)와 처리 용기(1)의 사이에 생긴 방전과, 처리 용기(1)의 내부에 도입된 고주파 전력에 의해 처리 공간(3)에 플라즈마(P)가 발생한다. 발생한 플라즈마(P)에 의해 처리 가스(G1)가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온, 전자 등의 반응 생성물이 생성된다. 이 생성된 반응 생성물이, 처리 공간(3) 내를 하강하여 마스크 블랭크(200)의 에칭 처리의 대상 부분에 도달하고 에칭 처리가 실시된다. 또한, 플라즈마(P)의 제어는, 정합기(16, 16a)에 내장되어 있는 도시하지 않은 튜닝 회로로 반사파를 제어함으로써 행한다.
또한, 잔여 처리 가스(G1)나 반응 생성물, 부생성물의 대부분은, 바닥부(12b)의 내주측의 단부면과 절연 링(5)과의 사이에 형성되는 간극을 통해 배기구(7)로부터 처리 용기(1) 밖으로 배출된다.
제1 처리부(140)에서의 에칭 처리에 있어서는, 반사 방지층(204b)의 표면에 형성된 EB 레지스트(211)의 패턴 형상에 기초하여, 반사 방지층(204b)의 일부가 제거된다. 즉, 반사 방지층(204b) 중, EB 레지스트(211)에 덮여져 있지 않은 부분이 에칭 처리된다.
반사 방지층(204b)의 에칭 처리가 끝나면, 처리 용기(1) 내의 압력과 게이트 밸브(17)의 도어(13)의 외측의 압력이 거의 동일해지도록, 처리 가스 도입구(2)로부터 퍼지 가스 등을 도입한다. 또한, 처리 용기(1) 내의 압력을 약간 높게 해 두는 편이 도어(13)를 개방했을 때에 파티클 등의 오염물이 처리 용기(1) 내에 침입해오는 것을 억제하기 때문에 보다 바람직하다.
다음에, 게이트 밸브(17)의 도어(13)를 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개방한다. 도어(13)를 개방할 때에 파티클 등의 오염물이 발생하는 경우가 있지만, 구획부(12)에 의해 처리 공간(3)을 구획할 수 있기 때문에, 파티클이나 오염물 등이 처리 공간(3) 내로 확산하는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 구획부(12)를 하강시킨다(도 11 참조).
그리고, 반송부(13)에 의해, 반사 방지층(204b)에 에칭 처리가 실시된 마스크 블랭크(200)를 반출한다.
그 후, 다음에 에칭 처리가 실시되는 마스크 블랭크(200)가 반입되기까지의 사이에, 게이트 밸브(17)의 도어(13)를 이하의 순서로 폐쇄하도록 할 수 있다.
즉, 우선, 승강부(11)에 의해 구획부(12)를 상승단 위치까지 상승시킨다(도 10 참조).
다음에, 게이트 밸브(17)의 도어(13)를 게이트 개폐 기구에 의해 폐쇄한다. 도어(13)가 폐쇄될 때에 파티클 등의 오염물이 발생하는 경우가 있지만, 구획부(12)에 의해 처리 공간(3)을 구획할 수 있기 때문에, 파티클이나 오염물이 처리 공간(3) 내에 확산하는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 제2 처리부(150)에 있어서, 흡수체층(204a)에 대한 에칭 처리가 실시된다.
제2 처리부(150)에는, 제1 처리부(140)에 있어서 에칭 처리가 실시된 마스크 블랭크(200)가 반입된다.
즉, 반송부(130)는, 반사 방지층(204b)이 소정의 형상이 되도록 제거된 마스크 블랭크(200)를 제1 처리부(140)로부터 반출하고, 제1 처리부(140)로부터 반출한 마스크 블랭크(200)를 제2 처리부(150)에 반입한다.
제2 처리부(150)에서의 에칭 처리에 있어서는, 전술한 EB 레지스트(211)의 패턴 형상에 기초하여, 흡수체층(204a)의 일부가 제거된다. 즉, 흡수체층(204a) 중, 상측에 EB 레지스트(211)가 없는 부분이 에칭 처리된다.
이 경우, 가스 공급부(18a)로부터 처리 가스(G2)로서 염소를 포함하는 가스가 공급되고, 흡수체층(204a)에 대한 에칭 처리가 실시된다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스의 유량은 180 sccm 정도로 할 수 있다.
이상과 같이 하여, 패턴 영역(216)의 형성이 행해진다.
또한, 제2 처리부(150)의 기본적인 작용은, 제1 처리부(140)의 작용과 거의 동일하게 할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
패턴 영역(216)이 형성된 마스크 블랭크(200)는, 제2 처리부(150)로부터 반출되고, 잔여 EB 레지스트(211)가 제거된다. 그리고, 필요에 따라서, 결함 검사나 결함부의 수정 등이 행해진다.
그 후, 차광 영역(217)을 형성하기 위해서 소정의 패턴을 갖는 레지스트(212)가 마스크 블랭크(200)의 표면에 형성된다.
다음에, 차광 영역(217)을 형성한다.
우선, 전술한 패턴 영역(216)을 형성하는 경우와 마찬가지로 하여, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)에 대한 에칭 처리를 실시한다. 즉, 제1 처리부(140)에 있어서 반사 방지층(204b)에 대한 에칭 처리를 실시하고, 제2 처리부(150)에 있어서 흡수체층(204a)에 대한 에칭 처리를 실시한다.
또한, 이들 에칭 처리를 실시할 때의 제1 처리부(140)의 작용과, 제2 처리부(150)의 작용은, 전술한 것과 동일하게 할 수 있기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
다음에, 제3 처리부(180)에 있어서 캡핑층(203), 반사층(202)에 대한 에칭 처리가 순차 실시된다.
우선, 전술한 레지스트(212)의 패턴 형상에 기초하여, 캡핑층(203)의 일부가 제거된다. 즉, 캡핑층(203) 중, 위쪽에 레지스트(212)가 없는 부분이 에칭 처리된다.
이 경우, 처리 가스로서 염소를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 캡핑층(203)의 표면에 산화실리콘의 막이 형성되어 있는 경우에도, 염소를 포함하는 가스, 또는 불소를 포함하는 가스를 이용한 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다.
다음에, 반사층(202)의 일부가 제거된다. 즉, 반사층(202) 중, 위쪽에 레지스트(212)가 없는 부분이 에칭 처리된다.
이 경우, 처리 가스로서 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 염소를 포함하는 가스로서는, 예를 들면 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
또한, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 함으로써, 에칭 처리된 면이 빗살형상이 되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 예를 들면 흡수층(204)의 총두께가 70 ㎚ 정도, 캡핑층(203)의 두께가 10 ㎚ 정도, 반사층(202)의 총두께가 280 ㎚ 정도, 레지스트의 두께가 420 ㎚ 이상이면, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 함으로써, 적어도 레지스트 패턴의 재형성의 횟수를 대폭 저감시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 반사층(202)에 있어서, 실리콘(Si)층이 산화되어 산화실리콘(SiO2)층이 형성되어 있는 경우에는, 염소와 산소를 포함하는 가스에 불소를 포함하는 가스(예를 들면, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스)를 더 첨가할 수 있다.
이 경우, 염소에 대한 불소를 포함하는 가스인 CF4의 첨가량을, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하로 할 수 있다.
그렇게 하면, 레지스트에 대한 선택비를 유지한 채로, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭률로 제거할 수 있다.
또한, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리한 경우와 비교하여, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭률을 10배 가까이 높게 할 수 있다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사가 되지 않는 에칭 처리를 행할 수 있다.
또한, 제3 처리부(180)의 기본적인 작용은, 제2 처리부(150)의 작용과 거의 동일하게 할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
또한, 캡핑층(203)에 에칭 처리를 실시하는 처리부와, 반사층(202)에 에칭 처리를 실시하는 처리부를 마련하고, 각각의 처리부에서 에칭 처리를 실시하도록 할 수도 있다.
이상에 예시를 한 실시형태에 따르면, 생산성을 향상시킬 수 있는 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치를 실현할 수 있다.
이상, 본 발명의 몇 개의 실시형태를 예시했지만, 이들의 실시형태는, 예로서 제시한 것이고, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규인 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 생략, 치환, 변경 등을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형예는, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허청구의 범위에 기재된 발명 및 그것과 등가로 간주되는 것의 범위에 포함된다. 또한, 전술한 각 실시형태는, 서로 조합하여 실시할 수 있다.
예를 들면, 마스크 블랭크(200), 반사형 마스크(210), 제조 장치(160), 제조 장치(100) 등이 구비하는 각 요소의 형상, 치수, 재질, 배치, 수 등은, 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니고 적절하게 변경할 수 있다.
100 : 제조 장치, 110 : 로드록부
120 : 트랜스퍼부, 130 : 반송부
140 : 제1 처리부, 150 : 제2 처리부
160 : 제조 장치, 180 : 제3 처리부
200 : 마스크 블랭크, 201 : 기판
202 : 반사층, 203 : 캡핑층
204 : 흡수층, 204a : 흡수체층
204b : 반사 방지층, 205 : 도전층
211 : EB 레지스트, 216 : 패턴 영역
217 : 차광 영역

Claims (26)

  1. 기판의 주면(主面)에 몰리브덴을 포함하는 층과 실리콘을 포함하는 층을 갖는 반사층을 형성하는 공정과,
    상기 반사층의 위에 흡수층을 형성하는 공정과,
    상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과,
    상기 흡수층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정
    을 포함하고, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 반사층을, 염소와 산소를 포함하되 상기 산소의 첨가량이 5 vol% 이상, 30 vol% 이하인 가스를 이용하여 에칭 처리하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 불소를 포함하는 가스를 더 첨가하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 염소에 대한 불소를 포함하는 가스의 첨가량을, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하로 하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 흡수층은, 탄탈의 질화물을 포함하는 흡수체층과, 탄탈의 산화물을 포함하는 반사 방지층을 갖고,
    상기 패턴 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 흡수체층과 상기 반사 방지층을 서로 이격된 환경에서 각각 에칭 처리하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 흡수층은, 탄탈의 질화물을 포함하는 흡수체층과, 탄탈의 산화물을 포함하는 반사 방지층을 갖고,
    상기 반사층은, 몰리브덴과 실리콘을 포함하며,
    상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서,
    상기 흡수체층과, 상기 반사 방지층과, 상기 반사층을 서로 이격된 환경에서 각각 에칭 처리하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 흡수체층을 에칭 처리하는 환경은, 상기 패턴 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 흡수체층을 에칭 처리하는 환경과 동일한 환경이 되는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 반사 방지층을 에칭 처리하는 환경은, 상기 패턴 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 반사 방지층을 에칭 처리하는 환경과 동일한 환경이 되는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 흡수체층을 에칭 처리하는 환경과, 상기 반사 방지층을 에칭 처리하는 환경 사이의 환경의 산소 농도는, 대기의 산소 농도보다도 낮은 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반사층과 상기 흡수층의 사이에 캡핑층을 더 갖고,
    상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 캡핑층에 형성된 산화막을 염소를 포함하는 가스, 또는 불소를 포함하는 가스를 이용하여 에칭 처리하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 캡핑층은, 실리콘을 포함하고,
    상기 캡핑층을 에칭 처리하는 환경은, 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 반사층을 에칭 처리하는 환경과 동일한 환경으로 되는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  13. 제6항 또는 제7항에 있어서, 하나의 에칭 처리에 있어서 생성된 부생성물이, 다른 에칭 처리를 행하는 환경에 침입하지 않도록, 상기 환경이 서로 이격된 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  14. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 패턴 영역을 형성하는 공정 및 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 반사 방지층을 에칭할 때에는, 불소를 포함하는 가스를 이용한 플라즈마 에칭 처리가 행해지고,
    상기 패턴 영역을 형성하는 공정 및 상기 차광 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 흡수체층을 에칭할 때에는, 염소를 포함하는 가스를 이용한 플라즈마 에칭 처리가 행해지는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
  15. 탄탈의 산화물을 포함하는 반사 방지층과, 탄탈의 질화물을 포함하는 흡수체층과, 몰리브덴을 포함하는 층과 실리콘을 포함하는 층을 갖는 반사층을 구비하는 마스크 블랭크에 패턴 영역과, 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 반사형 마스크의 제조 장치로서,
    제1 처리 용기와,
    상기 제1 처리 용기에 마련된 제1 반입 반출구를 폐쇄하는 제1 게이트 밸브와,
    상기 제1 처리 용기의 내부에 제1 가스를 공급하는 제1 공급부와,
    상기 제1 처리 용기의 내부를 배기하는 제1 배기부와,
    상기 제1 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 제1 플라즈마 발생부를 갖는 제1 처리부와,
    제2 처리 용기와,
    상기 제2 처리 용기에 마련된 제2 반입 반출구를 폐쇄하는 제2 게이트 밸브와,
    상기 제2 처리 용기의 내부에 제2 가스를 공급하는 제2 공급부와,
    상기 제2 처리 용기의 내부를 배기하는 제2 배기부와,
    상기 제2 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 제2 플라즈마 발생부를 갖는 제2 처리부와,
    제3 처리 용기와,
    상기 제3 처리 용기에 마련된 제3 반입 반출구를 폐쇄하는 제3 게이트 밸브와,
    상기 제3 처리 용기의 내부에 제3 가스 또는 제4 가스를 공급하는 제3 공급부와,
    상기 제3 처리 용기의 내부를 배기하는 제3 배기부와,
    상기 제3 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 제3 플라즈마 발생부를 갖는 제3 처리부
    를 구비하며,
    상기 제1 처리부는, 상기 제1 처리 용기의 내부에 있어서, 상기 반사 방지층에 에칭 처리를 실시하고,
    상기 제2 처리부는, 상기 제2 처리 용기의 내부에 있어서, 상기 흡수체층에 에칭 처리를 실시하며,
    상기 제3 처리부는, 상기 제3 처리 용기의 내부에 있어서, 상기 반사층에 에칭 처리를 실시하고,
    상기 제3 공급부는, 상기 반사층에 에칭 처리를 실시할 때에, 염소와 산소를 포함하되 상기 산소의 첨가량이 5 vol% 이상, 30 vol% 이하인 상기 제3 가스를 공급하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  16. 삭제
  17. 제15항에 있어서, 상기 제3 가스는, 불소를 포함하는 가스를 더 포함하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제3 가스에 있어서의 염소에 대한 불소를 포함하는 가스의 첨가량은, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하인 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 마스크 블랭크는, 상기 흡수체층과 상기 반사층의 사이에 실리콘을 포함하는 캡핑층을 더 갖고,
    상기 제3 처리부는, 상기 제3 처리 용기의 내부에 있어서, 상기 캡핑층에 에칭 처리를 실시하며,
    상기 제3 공급부는, 상기 캡핑층에 형성된 산화막에 에칭 처리를 실시할 때에, 염소 또는 불소를 포함하는 상기 제4 가스를 공급하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  20. 제15항에 있어서, 상기 제1 처리 용기와, 상기 제2 처리 용기와, 상기 제3 처리 용기가 접속된 트랜스퍼부와,
    상기 트랜스퍼부의 내부에 마련되고, 상기 마스크 블랭크를 반송하는 반송부와,
    상기 트랜스퍼부의 내부를 배기하는 트랜스퍼 배기부
    를 더 구비하며,
    상기 트랜스퍼부와 상기 제1 처리 용기는, 상기 제1 게이트 밸브를 통해 접속되고,
    상기 트랜스퍼부와 상기 제2 처리 용기는, 상기 제2 게이트 밸브를 통해 접속되며,
    상기 트랜스퍼부와 상기 제3 처리 용기는, 상기 제3 게이트 밸브를 통해 접속되고,
    상기 트랜스퍼부의 내부에 상기 마스크 블랭크가 있는 경우에는, 상기 트랜스퍼 배기부는, 상기 트랜스퍼부의 내부를 배기하여, 상기 트랜스퍼부의 내부의 산소 농도를 대기의 산소 농도보다도 낮게 하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  21. 제15항에 있어서, 상기 제1 처리 용기와, 상기 제2 처리 용기와, 상기 제3 처리 용기가 접속된 트랜스퍼부와,
    상기 트랜스퍼부의 내부에 마련되고, 상기 마스크 블랭크를 반송하는 반송부와,
    상기 트랜스퍼부의 내부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부
    를 더 구비하고,
    상기 트랜스퍼부와 상기 제1 처리 용기는, 상기 제1 게이트 밸브를 통해 접속되며,
    상기 트랜스퍼부와 상기 제2 처리 용기는, 상기 제2 게이트 밸브를 통해 접속되고,
    상기 트랜스퍼부와 상기 제3 처리 용기는, 상기 제3 게이트 밸브를 통해 접속되며,
    상기 트랜스퍼부의 내부에 상기 마스크 블랭크가 있는 경우에는, 상기 불활성 가스 공급부는, 상기 트랜스퍼부의 내부를 불활성 가스로 퍼지하여, 상기 트랜스퍼부의 내부의 산소 농도를 대기의 산소 농도보다도 낮게 하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  22. 탄탈의 산화물을 포함하는 반사 방지층과, 탄탈의 질화물을 포함하는 흡수체층과, 몰리브덴을 포함하는 층과 실리콘을 포함하는 층을 갖는 반사층을 구비하는 마스크 블랭크에 패턴 영역과, 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 반사형 마스크의 제조 장치로서,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기의 내부에 복수의 가스를 선택적으로 공급하는 가스 공급부와,
    상기 처리 용기의 내부를 배기하는 배기부와,
    상기 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부
    를 구비하며,
    상기 처리 용기의 내부에 있어서, 상기 반사 방지층과, 상기 흡수체층과, 상기 반사층에 순차 에칭 처리를 실시하고,
    상기 가스 공급부는, 상기 반사층에 에칭 처리를 실시할 때에, 염소와 산소를 포함하되 상기 산소의 첨가량이 5 vol% 이상, 30 vol% 이하인 상기 가스를 공급하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  23. 삭제
  24. 제22항에 있어서, 상기 가스 공급부가 공급하는 가스는, 불소를 포함하는 가스를 더 포함하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 가스 공급부가 공급하는 가스에 있어서의 염소에 대한 불소를 포함하는 가스의 첨가량은, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하인 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
  26. 제22항에 있어서, 상기 마스크 블랭크는, 상기 흡수체층과 상기 반사층의 사이에 실리콘을 포함하는 캡핑층을 더 갖고,
    상기 가스 공급부는, 상기 캡핑층에 형성된 산화막에 에칭 처리를 실시할 때에, 염소를 포함하는 가스, 또는 불소를 포함하는 가스를 공급하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
KR1020110122519A 2010-11-22 2011-11-22 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치 KR101302805B1 (ko)

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