JPH06181190A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06181190A JPH06181190A JP4333233A JP33323392A JPH06181190A JP H06181190 A JPH06181190 A JP H06181190A JP 4333233 A JP4333233 A JP 4333233A JP 33323392 A JP33323392 A JP 33323392A JP H06181190 A JPH06181190 A JP H06181190A
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- oxide film
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング後の形状が異方性の形状となり、微
細加工技術に対応できるエッチングを提供する。 【構成】エッチング室にガスを導入し、ガスをプラズマ
化してシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチン
グ装置において、ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガスとＣ
ｌ2 ガスの混合ガスを用いることによって、シリコン酸
化膜に対して選択比の高いエッチングを行ない、異方性
の形状を得る。 【効果】ＦＣｌというインターハロゲンを生成してエッ
チングを行なうためシリコン酸化膜に対して選択比の高
いシリコン窒化膜のエッチングができる。また、高選択
比であるためイオンの集中によって選択比の悪くなる部
分に対しても下地シリコン酸化膜に対して残膜を十分に
確保できる。更に、ウエハの置かれている電極に高周波
を印加してプラズマを引き込むため、異方性のエッチン
グができる。
細加工技術に対応できるエッチングを提供する。 【構成】エッチング室にガスを導入し、ガスをプラズマ
化してシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチン
グ装置において、ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガスとＣ
ｌ2 ガスの混合ガスを用いることによって、シリコン酸
化膜に対して選択比の高いエッチングを行ない、異方性
の形状を得る。 【効果】ＦＣｌというインターハロゲンを生成してエッ
チングを行なうためシリコン酸化膜に対して選択比の高
いシリコン窒化膜のエッチングができる。また、高選択
比であるためイオンの集中によって選択比の悪くなる部
分に対しても下地シリコン酸化膜に対して残膜を十分に
確保できる。更に、ウエハの置かれている電極に高周波
を印加してプラズマを引き込むため、異方性のエッチン
グができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
おいて、特にエッチングガスに関するものである。
おいて、特にエッチングガスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン窒化膜は例えばＮＦ3 や
Ｃｌ2 のようなガスを単体で用い、図２、図３に示すよ
うなドライエッチング装置を用いて異方性のエッチング
を行っていた。このような装置ではウエハの置かれてい
る電極に高周波を印加するために、プラズマがウエハ上
に引き込まれ異方性のエッチングとなる。しかしながら
ＮＦ3 やＣｌ2 のようなガスを単体で用い、ウエハの置
かれている電極に高周波を印加すると、シリコン窒化膜
とシリコン酸化膜の選択比が悪くなり、シリコン酸化膜
の残膜が確保されず、デバイス特性などに悪い影響を与
えることになる。よって、近年のＬＳＩの微細加工技術
には対応できないという問題を抱えていた。
Ｃｌ2 のようなガスを単体で用い、図２、図３に示すよ
うなドライエッチング装置を用いて異方性のエッチング
を行っていた。このような装置ではウエハの置かれてい
る電極に高周波を印加するために、プラズマがウエハ上
に引き込まれ異方性のエッチングとなる。しかしながら
ＮＦ3 やＣｌ2 のようなガスを単体で用い、ウエハの置
かれている電極に高周波を印加すると、シリコン窒化膜
とシリコン酸化膜の選択比が悪くなり、シリコン酸化膜
の残膜が確保されず、デバイス特性などに悪い影響を与
えることになる。よって、近年のＬＳＩの微細加工技術
には対応できないという問題を抱えていた。
【０００３】ここで例をあげる。熱酸化法により膜厚２
００（Å）で形成されたシリコン酸化膜３に１４００
（Å）の膜厚のシリコン窒化膜２をＣＶＤ法により形成
し、フォトレジスト１によりパターニングしたウエハ
（図５ａ）のエッチングについて述べる。図２に示すド
ライエッチング装置は一般的にＥＣＲ型プラズマエッチ
ャーと呼ばれ、５はガス導入口、６はガス排気口、７は
高周波電源、８はマイクロ波導入管、９はソレノイドコ
イル、１０はエッチング室、１１はウエハ、１２は下部
電極、１３はマイクロ波発生装置を表わしている。この
装置において、ＮＦ3 単体をガス導入口５より４０（Ｓ
ＣＣＭ）導入し、エッチング室１０内の圧力を０．０３
（Ｔｏｒｒ）のもとで、コイル電流を１４０（Ａ）かけ
て磁場を発生させて、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）パ
ワーを３５０（Ｗ）、高周波電源７より高周波（１３．
５６ＭＨｚ）を１２０（Ｗ）印加して、シリコン窒化膜
２のエッチングを行った。このときのエッチング速度は
１１００（Å／ｍｉｎ）、均一性は２．０（％）、対酸
化膜選択比は１．９であった。その結果、エッチング時
間は７６秒で異方性の形状となったが下地であるシリコ
ン酸化膜の残膜は確保できなかった（図５ｂ）。また、
Ｃｌ2 単体をガス導入口５より６０（ＳＣＣＭ）導入
し、エッチング室１０内の圧力を０．０１（Ｔｏｒｒ）
のもとで、コイル電流を１４０（Ａ）かけて磁場を発生
させ、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）パワーを４５０
（Ｗ）、高周波７（１３．５６ＭＨｚ）を１００（Ｗ）
印加して、シリコン窒化膜２のエッチングを行った。こ
のときのエッチング速度は１６００（Å／ｍｉｎ）、均
一性は１３．３（％）、対酸化膜選択比は７．９であっ
た。その結果、エッチング時間は５２秒で異方性の形状
となったがＣｌ2 単体ではプラズマが安定せず、均一性
が極端に悪くなり、下地であるシリコン酸化膜３の残膜
が十分に確保できなかった（図５ｂ）。また、真空度を
上げるとプラズマは安定するが、パターンエッヂでイオ
ンの集中が起きるため下地であるシリコン酸化膜３は無
くなってしまった。
００（Å）で形成されたシリコン酸化膜３に１４００
（Å）の膜厚のシリコン窒化膜２をＣＶＤ法により形成
し、フォトレジスト１によりパターニングしたウエハ
（図５ａ）のエッチングについて述べる。図２に示すド
ライエッチング装置は一般的にＥＣＲ型プラズマエッチ
ャーと呼ばれ、５はガス導入口、６はガス排気口、７は
高周波電源、８はマイクロ波導入管、９はソレノイドコ
イル、１０はエッチング室、１１はウエハ、１２は下部
電極、１３はマイクロ波発生装置を表わしている。この
装置において、ＮＦ3 単体をガス導入口５より４０（Ｓ
ＣＣＭ）導入し、エッチング室１０内の圧力を０．０３
（Ｔｏｒｒ）のもとで、コイル電流を１４０（Ａ）かけ
て磁場を発生させて、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）パ
ワーを３５０（Ｗ）、高周波電源７より高周波（１３．
５６ＭＨｚ）を１２０（Ｗ）印加して、シリコン窒化膜
２のエッチングを行った。このときのエッチング速度は
１１００（Å／ｍｉｎ）、均一性は２．０（％）、対酸
化膜選択比は１．９であった。その結果、エッチング時
間は７６秒で異方性の形状となったが下地であるシリコ
ン酸化膜の残膜は確保できなかった（図５ｂ）。また、
Ｃｌ2 単体をガス導入口５より６０（ＳＣＣＭ）導入
し、エッチング室１０内の圧力を０．０１（Ｔｏｒｒ）
のもとで、コイル電流を１４０（Ａ）かけて磁場を発生
させ、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）パワーを４５０
（Ｗ）、高周波７（１３．５６ＭＨｚ）を１００（Ｗ）
印加して、シリコン窒化膜２のエッチングを行った。こ
のときのエッチング速度は１６００（Å／ｍｉｎ）、均
一性は１３．３（％）、対酸化膜選択比は７．９であっ
た。その結果、エッチング時間は５２秒で異方性の形状
となったがＣｌ2 単体ではプラズマが安定せず、均一性
が極端に悪くなり、下地であるシリコン酸化膜３の残膜
が十分に確保できなかった（図５ｂ）。また、真空度を
上げるとプラズマは安定するが、パターンエッヂでイオ
ンの集中が起きるため下地であるシリコン酸化膜３は無
くなってしまった。
【０００４】このように従来のエッチング方法では異方
性の形状で、下地のシリコン酸化膜との選択比が良いシ
リコン窒化膜のエッチングが実現できず、サブミクロン
微細加工技術に対応できないという問題を抱えていた。
性の形状で、下地のシリコン酸化膜との選択比が良いシ
リコン窒化膜のエッチングが実現できず、サブミクロン
微細加工技術に対応できないという問題を抱えていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のド
ライエッチング方法ではシリコン窒化膜のエッチング後
のシリコン酸化膜の残膜が確保できないために、サブミ
クロン微細加工には対応できないという課題を有してい
た。
ライエッチング方法ではシリコン窒化膜のエッチング後
のシリコン酸化膜の残膜が確保できないために、サブミ
クロン微細加工には対応できないという課題を有してい
た。
【０００６】本発明はこのような課題を解決するもので
ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガスとＣｌ2 ガスを混合し
たガスをプラズマ化してエッチングを行い、シリコン窒
化膜とシリコン酸化膜の選択比が高く、異方性の形状を
得る方法を提供することを目的とする。
ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガスとＣｌ2 ガスを混合し
たガスをプラズマ化してエッチングを行い、シリコン窒
化膜とシリコン酸化膜の選択比が高く、異方性の形状を
得る方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、エッチング室にガスを導入し、ガスをプラズ
マ化してシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチ
ング装置において、ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガスと
Ｃｌ2 ガスの混合ガスでエッチングを行なうことを特徴
とする。
造方法は、エッチング室にガスを導入し、ガスをプラズ
マ化してシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチ
ング装置において、ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガスと
Ｃｌ2 ガスの混合ガスでエッチングを行なうことを特徴
とする。
【０００８】
【作用】本発明の方法はエッチングガスにＮＦ3 ガス等
のフッ素を含むガスとＣｌ2 ガスを混合したガスを用
い、これらのガスをプラズマ化することによってＦＣｌ
というインターハロゲンを生成する。このＦＣｌという
インターハロゲンはシリコン窒化膜とは反応するが、シ
リコン酸化膜とは反応しないためシリコン酸化膜に対し
て選択比の高いシリコン窒化膜のエッチングができ、ま
た高選択比であるためイオンの集中によって選択比の悪
くなる部分に対してもエッチング後の下地のシリコン酸
化膜を十分に確保することができる。更に、ウエハの置
かれている電極に高周波を印加してプラズマを引き込む
ために、異方性のエッチングができる。
のフッ素を含むガスとＣｌ2 ガスを混合したガスを用
い、これらのガスをプラズマ化することによってＦＣｌ
というインターハロゲンを生成する。このＦＣｌという
インターハロゲンはシリコン窒化膜とは反応するが、シ
リコン酸化膜とは反応しないためシリコン酸化膜に対し
て選択比の高いシリコン窒化膜のエッチングができ、ま
た高選択比であるためイオンの集中によって選択比の悪
くなる部分に対してもエッチング後の下地のシリコン酸
化膜を十分に確保することができる。更に、ウエハの置
かれている電極に高周波を印加してプラズマを引き込む
ために、異方性のエッチングができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明について実施例に基づき詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】図２、図３は本実施例で用いたドライエッ
チング装置の概略図である。図２は一般的にＥＣＲ型プ
ラズマエッチャーと呼ばれ、５はガス導入口、６はガス
排気口、７は高周波電源、８はマイクロ波導入管、９は
ソレノイドコイル、１０はエッチング室、１１はウエ
ハ、１２は下部電極、１３はマイクロ波発生装置を表わ
している。図３は一般的にカソード結合の平行平板型プ
ラズマエッチャーと呼ばれ、５はガス導入口、６はガス
排気口、７は高周波電源、１０はエッチング室、１１は
ウエハ、１２は下部電極、１４は上部電極を表わしてい
る。実施例では熱酸化法により膜厚２００（Å）で形成
されたシリコン酸化膜３に１４００（Å）の膜厚のシリ
コン窒化膜２をＣＶＤ法により形成し、フォトレジスト
１によりパターニングしたウエハ（図１ａ）のエッチン
グについて述べる。
チング装置の概略図である。図２は一般的にＥＣＲ型プ
ラズマエッチャーと呼ばれ、５はガス導入口、６はガス
排気口、７は高周波電源、８はマイクロ波導入管、９は
ソレノイドコイル、１０はエッチング室、１１はウエ
ハ、１２は下部電極、１３はマイクロ波発生装置を表わ
している。図３は一般的にカソード結合の平行平板型プ
ラズマエッチャーと呼ばれ、５はガス導入口、６はガス
排気口、７は高周波電源、１０はエッチング室、１１は
ウエハ、１２は下部電極、１４は上部電極を表わしてい
る。実施例では熱酸化法により膜厚２００（Å）で形成
されたシリコン酸化膜３に１４００（Å）の膜厚のシリ
コン窒化膜２をＣＶＤ法により形成し、フォトレジスト
１によりパターニングしたウエハ（図１ａ）のエッチン
グについて述べる。
【００１１】第１の実施例として、図２に示すドライエ
ッチング装置を用いた場合について述べる。エッチング
ガスとしてＮＦ3 ガスを２０（ＳＣＣＭ）、Ｃｌ2 ガス
を５０（ＳＣＣＭ）エッチング室１０にガス導入口５よ
り導入し、エッチング室１０内の圧力を０．０３（Ｔｏ
ｒｒ）として、コイル電流を１４０（Ａ）かけて磁場を
発生させ、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）パワーを４０
０（Ｗ）、高周波電源７より高周波（１３．５６ＭＨ
ｚ）を１００（Ｗ）印加してエッチングを行った。この
とき７０３（ｎｍ）の波長のプラズマ発光をモニター
し、エッチング中の発光強度の最高値より発光強度が１
５（％）下がったところでシリコン窒化膜２のエッチン
グの終点を判定し、その後同じ条件でオーバーエッチン
グを行った。本実施例では５９秒で終点を判定し、２秒
のオーバーエッチングを行った。その後、フォトレジス
ト１を除去し，エッチング工程を終了した。エッチング
速度は１３５０（Å／ｍｉｎ）、均一性は２．４
（％）、対酸化膜選択比は１８．９であった。その結
果、シリコン窒化膜２のエッチング残りもなく、エッチ
ング後の形状も異方性で、下地のシリコン酸化膜３の残
膜も１５０（Å）程度確保できた（図１ｂ）。
ッチング装置を用いた場合について述べる。エッチング
ガスとしてＮＦ3 ガスを２０（ＳＣＣＭ）、Ｃｌ2 ガス
を５０（ＳＣＣＭ）エッチング室１０にガス導入口５よ
り導入し、エッチング室１０内の圧力を０．０３（Ｔｏ
ｒｒ）として、コイル電流を１４０（Ａ）かけて磁場を
発生させ、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）パワーを４０
０（Ｗ）、高周波電源７より高周波（１３．５６ＭＨ
ｚ）を１００（Ｗ）印加してエッチングを行った。この
とき７０３（ｎｍ）の波長のプラズマ発光をモニター
し、エッチング中の発光強度の最高値より発光強度が１
５（％）下がったところでシリコン窒化膜２のエッチン
グの終点を判定し、その後同じ条件でオーバーエッチン
グを行った。本実施例では５９秒で終点を判定し、２秒
のオーバーエッチングを行った。その後、フォトレジス
ト１を除去し，エッチング工程を終了した。エッチング
速度は１３５０（Å／ｍｉｎ）、均一性は２．４
（％）、対酸化膜選択比は１８．９であった。その結
果、シリコン窒化膜２のエッチング残りもなく、エッチ
ング後の形状も異方性で、下地のシリコン酸化膜３の残
膜も１５０（Å）程度確保できた（図１ｂ）。
【００１２】第２の実施例として、図３に示すドライエ
ッチング装置を用いた場合について述べる。エッチング
ガスとしてＮＦ3 ガスを２０（ＳＣＣＭ）、Ｃｌ2 ガス
を６０（ＳＣＣＭ）エッチング室１０にガス導入口５よ
り導入し、エッチング室１０内の圧力を０．８０（Ｔｏ
ｒｒ）として、高周波（１３．５６ＭＨｚ）を５００
（Ｗ）印加してエッチングを行った。エッチングの終点
は第１の実施例と同様な方法で行った。本実施例では４
５秒で終点を判定し、２秒のオーバーエッチングを行っ
た。その後、フォトレジスト１を除去し，エッチング工
程を終了した。エッチング速度は１８６０（Å／ｍｉ
ｎ）、均一性は２．９（％）、対酸化膜選択比は２３．
７であった。その結果、シリコン窒化膜２のエッチング
残りもなく、エッチング後の形状も異方性で、下地のシ
リコン酸化膜３の残膜も１４０（Å）程度確保できた
（図１ｂ）。
ッチング装置を用いた場合について述べる。エッチング
ガスとしてＮＦ3 ガスを２０（ＳＣＣＭ）、Ｃｌ2 ガス
を６０（ＳＣＣＭ）エッチング室１０にガス導入口５よ
り導入し、エッチング室１０内の圧力を０．８０（Ｔｏ
ｒｒ）として、高周波（１３．５６ＭＨｚ）を５００
（Ｗ）印加してエッチングを行った。エッチングの終点
は第１の実施例と同様な方法で行った。本実施例では４
５秒で終点を判定し、２秒のオーバーエッチングを行っ
た。その後、フォトレジスト１を除去し，エッチング工
程を終了した。エッチング速度は１８６０（Å／ｍｉ
ｎ）、均一性は２．９（％）、対酸化膜選択比は２３．
７であった。その結果、シリコン窒化膜２のエッチング
残りもなく、エッチング後の形状も異方性で、下地のシ
リコン酸化膜３の残膜も１４０（Å）程度確保できた
（図１ｂ）。
【００１３】また図４において、本発明に於けるＣｌ2
ガス添加量とエッチング速度及び対酸化膜選択比の関係
を示す。このようにＣｌ2 ガスを少量でも加えることに
より対酸化膜選択比が向上することが分かる。これらは
エッチングガスにＮＦ3 ガスなどのフッ素を含むガスと
Ｃｌ2 ガスを混合したガスを用いるため、これらのガス
をプラズマ化することによってＦＣｌというインターハ
ロゲンが生成される。このＦＣｌというインターハロゲ
ンはシリコン窒化膜とは反応するが、シリコン酸化膜と
は反応しないため、シリコン酸化膜に対して選択比の高
いエッチングができる。また、ウエハの置かれている電
極に高周波を印加してプラズマを引き込むために、異方
性のエッチングができる。よってエッチングの残りも無
く、高選択比であるためイオンの集中によって選択比の
悪くなる部分に対しても下地のシリコン酸化膜３に対し
て残膜が十分に確保され、エッチング後の形状が異方性
で微細加工技術に対応できるエッチングが実現できた。
ガス添加量とエッチング速度及び対酸化膜選択比の関係
を示す。このようにＣｌ2 ガスを少量でも加えることに
より対酸化膜選択比が向上することが分かる。これらは
エッチングガスにＮＦ3 ガスなどのフッ素を含むガスと
Ｃｌ2 ガスを混合したガスを用いるため、これらのガス
をプラズマ化することによってＦＣｌというインターハ
ロゲンが生成される。このＦＣｌというインターハロゲ
ンはシリコン窒化膜とは反応するが、シリコン酸化膜と
は反応しないため、シリコン酸化膜に対して選択比の高
いエッチングができる。また、ウエハの置かれている電
極に高周波を印加してプラズマを引き込むために、異方
性のエッチングができる。よってエッチングの残りも無
く、高選択比であるためイオンの集中によって選択比の
悪くなる部分に対しても下地のシリコン酸化膜３に対し
て残膜が十分に確保され、エッチング後の形状が異方性
で微細加工技術に対応できるエッチングが実現できた。
【００１４】以上、本発明の実施例を図面に基づいて例
を示したが、本発明はウエハの置かれている電極に高周
波を印加する構造の装置で、フッ素を含むガス、例えば
ＮＦ3ガスやＳＦ6ガス、とＣｌ2 ガスを混合したガスを
使用すれば実現でき、エッチング条件・装置などもこれ
に限るものではない。
を示したが、本発明はウエハの置かれている電極に高周
波を印加する構造の装置で、フッ素を含むガス、例えば
ＮＦ3ガスやＳＦ6ガス、とＣｌ2 ガスを混合したガスを
使用すれば実現でき、エッチング条件・装置などもこれ
に限るものではない。
【００１５】
【発明の効果】本発明はエッチング室にガスを導入し、
ガスをプラズマ化してシリコン窒化膜をエッチングする
ドライエッチング方法でウエハの置かれている電極に高
周波を印加する構造の装置において、ＮＦ3 ガス等のフ
ッ素を含むガスとＣｌ2 ガスを混合したガスを用いるこ
とによって、ＦＣｌというインターハロゲンを生成して
エッチングを行なうためシリコン酸化膜に対して選択比
の高いシリコン窒化膜のエッチングができるという効果
を有している。また、高選択比であるためイオンの集中
によって選択比の悪くなる部分に対しても下地シリコン
酸化膜に対して残膜を十分に確保でき、更に、ウエハの
置かれている電極に高周波を印加してプラズマを引き込
むために、異方性のエッチングができるという効果を有
している。
ガスをプラズマ化してシリコン窒化膜をエッチングする
ドライエッチング方法でウエハの置かれている電極に高
周波を印加する構造の装置において、ＮＦ3 ガス等のフ
ッ素を含むガスとＣｌ2 ガスを混合したガスを用いるこ
とによって、ＦＣｌというインターハロゲンを生成して
エッチングを行なうためシリコン酸化膜に対して選択比
の高いシリコン窒化膜のエッチングができるという効果
を有している。また、高選択比であるためイオンの集中
によって選択比の悪くなる部分に対しても下地シリコン
酸化膜に対して残膜を十分に確保でき、更に、ウエハの
置かれている電極に高周波を印加してプラズマを引き込
むために、異方性のエッチングができるという効果を有
している。
【図１】 本発明の実施例における工程の断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明の第１の実施例および従来技術におい
て使用したドライエッチング装置の概略図である。
て使用したドライエッチング装置の概略図である。
【図３】 本発明の第２の実施例において使用したドラ
イエッチング装置の概略図である。
イエッチング装置の概略図である。
【図４】 本発明のドライエッチング方法の実施例で示
したグラフである。
したグラフである。
【図５】 従来技術の実施例における工程の断面図であ
る。
る。
１・・・レジスト ２・・・シリコン窒化膜 ３・・・シリコン酸化膜 ４・・・シリコン基板 ５・・・ガス導入口 ６・・・ガス排気口 ７・・・高周波電源 ８・・・マイクロ波導入管 ９・・・ソレノイドコイル １０・・・エッチング室 １１・・・ウエハ １２・・・下部電極 １３・・・マイクロ波発生装置 １４・・・上部電極
Claims (1)
- 【請求項１】エッチング室にガスを導入し、ガスをプラ
ズマ化してシリコン窒化膜をエッチングするドライエッ
チング装置において、ＮＦ3 ガス等のフッ素を含むガス
とＣｌ2 ガスの混合ガスでエッチングを行なうことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333233A JPH06181190A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333233A JPH06181190A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181190A true JPH06181190A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18263815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333233A Pending JPH06181190A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181190A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686294B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for etching silicon nitride film and manufacturing method of semiconductor device |
| KR20160075302A (ko) | 2014-12-19 | 2016-06-29 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 방법 |
| WO2019235398A1 (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
| JP2020115538A (ja) * | 2018-06-04 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4333233A patent/JPH06181190A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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