JPS61127877A

JPS61127877A - ドライエツチング装置

Info

Publication number: JPS61127877A
Application number: JP25011784A
Authority: JP
Inventors: Mikio Nonaka; 幹男野中; Yoshikazu Maegaki; 嘉一前垣; Osamu Watanabe; 修渡辺; Masahiro Shibagaki; 柴垣　正弘
Original assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date: 1984-11-27
Filing date: 1984-11-27
Publication date: 1986-06-16
Also published as: JPS6210308B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明はドライエツチング装置に係り、特に被処理物の
載置手段を改良したドライエツチング装置に関する。

〔発明の技術的背景およびその問題点〕第７図は従来の
ケミカルドライエツチング装置を示したもので、真空容
器１の内部には、被処理物２を載置する載置台３が配設
され、上記真空容器１の上面には、エツチングガスを真
空容器内に均一に導入するためのガス分散管４が取り付
けられており、このガス分散管４には、ガス導入管５が
接続されている。このガス導入管５の中途部には、石英
管からなる放電管６が介設されており、この放電管６に
導波管７を介して高周波出力８を印加することによりプ
ラズマを発生させるようになされている。また、上記真
空容器１の下面には、図示しない真空ポンプに接続され
るガス排出管９がマニホールド１０を介して接続されて
いる。

上記装置においては、載置台３の上面に被処理物２を載
置し、ガス排出管９を介して真空容器１の真空排気を行
なう。その後、ガス導入管５によりＣＦ４等のエツチン
グガスを送り、真空容器１内を所定圧力のガス雰囲気と
し、放電管６に高周波出力８を印加することによりガス
プラズマを発生させる。そして、このガスプラズマの発
生によりエツチングガスとしてのフッ素ラジカルが生成
され、真空容器１内の被処理物２のエツチングを行なう
ようになされる。上記装置の場合、エツチング処理と、
プラズマ発生とを別個の室で行なうため、被処理物がプ
ラズマの照射による損傷を受りることかないという利点
を有している。

しかし、上記装置では、被処理物２を平面的に並べて載
置するため、１回のエツチング工程における処理枚数が
少なく生産効率が悪いという問題があり、このことは、
近年における被処理物の大口径化に伴ない特に顕著とな
っていた。また、上記問題を解決するためには、真空容
器を大型にする必要があるが処理時間や設僑費等の面で
好ましくないという問題がある。

〔発明の目的〕

本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、真空容器
を大型にすることなく、被処理物の生産効率を高めるこ
とのできるドライエツチング装置を提供することを目的
とするものである。

〔発明の概要〕上記目的達成のため本発明に係るドライエツチング装置
は、真空容器内部にエツチングガスを送るガス導入管お
よび上記エツチングガスを排気するガス排出管を設け、
上記ガス導入管の中途部にプラズマ発生装置を介設して
なるドライエツチング装置において、上記真空容器内部
に被処理物を多段に載置する載置棚を設けるとともに、
この載置棚に上記各被処理物の間に各被処理物を仕切る
遮蔽板を設けたことをその特徴とするものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図乃至第６図を参照し、第
７図と同一部分には同一符号を付して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示したもので、ガス導入管
５およびガス排出管９は、真空容器１の側面に対向して
設けられており、真空容器１の内部には、被処理物２を
水平に多段にＭ置する載置棚１１が設けられている。こ
の載ｔａｌ１１１は、下面にシャフト１２が取付けられ
た支持台１３上に載置されており、上記シャフト１２の
端部は真空容器１の下面を貫通してモータ１４に接続さ
れ、エツチング中に支持台１３を回転させるようになさ
れている。また、第２図に示すように上記載置棚１１の
対向する側面には、所定間隔をもって支持溝１５．１５
・・・が形成されており、この支持溝１５には、被処理
物２を多段に載置するとともに、この各被処理物２の間
にＡｇ製の遮蔽板１６゜１６・・・を載置し、各被処理
物２を遮蔽板１６により仕切るようになされている。

本実施例においては、載置棚１１に被処理物２を載置す
ることにより、多数枚の被処理物２を一度にしかも均一
にエツチングすることができる。

次に、第３図に示すように、基板１７の上面に熱酸化法
による１００人厚０熱酸化膜１８を形成し、この熱酸化
膜１８の上面にシラン（ＳｉＨ４）の熱分解による減圧
気相成長法により多結晶シリコン層１９を堆積した後、
１０００℃のリン拡散したものをポジ型レジスト２０で
マスク形成してなる被処理物を用いて、ＣＦ４ガス流吊
が１１００８ＣＣ，０２ガス流量が１１００５ＣＣ、エ
ツチング圧力が１５Ｐａ、高周波出力が８００Ｗの条件
下で行なった実験結果を第４図乃至第６図に示す。

第４図は遮蔽板を用いない場合のエツチング速度を示し
たもので、被処理物を載置棚の中央部に１枚載置したと
きに比べて、２５枚載置したときはエツチングの均一性
が低下しているのがわかる。

これは、エツチング時における化学反応により、被処理
物の温度が上昇し、被処理物から放射される赤外線によ
る輻射熱により隣接する被処理物が加熱されてしまうた
めである。しかし、遮蔽板を用いると、第５図に示すよ
うに、被処理物を２５枚載置した場合でも、極めて高い
エツチングの均一性を得ることができることがわかる。

このことは、第６図に示す被処理物の温度変化をみると
わかるように、遮蔽板による輻射熱の熱遮断効果が高い
ことに起因するものである。

（発明の効果）以上述べたように本発明に係るドライエツチング装置は
、真空容器の内部に、被処理物を多段に載置するととも
に、各被処理物の間を仕切る遮蔽板を有する載置棚を設
けるようにしたので、真空容器を大型化することなく、
多数枚の被処理物を一度にエツチングすることができ、
生産効率を著しく向上させることができる。また、多段
に載置された被処理物のエツチングの均一性を損なう要
因である輻射熱を、遮蔽板により遮断することができる
ので、゛エツチングの均一性が極めて良好となる等の効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明の一実施例を示したもので、
第１図は概略構成図、第２図は載Ｎ８部分の縦断面図、
第３図は被処理物の拡大断面図、第４図および第５図は
被処理物の位置とエツチング速度との関係を示すそれぞ
れ線図、第６図はエツチング時の被処理物の温度変化を
示す線図、第７図は従来のドライエツチング装置を示す
概略構成図である。１・・・真空容器、２・・・被処理物、３・・・載置台
、４・・・ガス分散管、５・・・ガス導入管、６・・・
放電管、７・・・導波管、８・・・高周波出力、９・・
・ガス排出管、１０・・・マンホールド、１１・・・載
置棚、１２・・・シＶフト、１３・・・支持台、１４・
・・モータ、１５・・・支持溝、１６・・・遮蔽板、１
７・・・基板１．１８・・・熱酸化膜、１９・・・シリ
コン層。２０・・・ポジ型レジスト。出願人代理人　　猪　　股　　　　清応３目第６目エヅナングル１間　（介）第４目 ×１０２諷護′Ｒ春装置　（ｃｍｌ６５図ＭＪＩＬ理物値置［装ｍｌ

Claims

【特許請求の範囲】

真空容器内部にエッチングガスを送るガス導入管および
上記エッチングガスを排気するガス排出管を設け、上記
ガス導入管の中途部にプラズマ発生装置を介設してなる
ドライエッチング装置において、上記真空容器内部に被
処理物を多段に載置する載置棚を設けるとともに、この
載置棚に上記各被処理物の間に各被処理物を仕切る遮蔽
板を設けたことを特徴とするドライエッチング装置。