JPS63129630A - プラズマｃｖｄ薄膜形成法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ薄膜形成法Info
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- JPS63129630A JPS63129630A JP27743186A JP27743186A JPS63129630A JP S63129630 A JPS63129630 A JP S63129630A JP 27743186 A JP27743186 A JP 27743186A JP 27743186 A JP27743186 A JP 27743186A JP S63129630 A JPS63129630 A JP S63129630A
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- plasma
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- plasma etching
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- plasma cvd
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、反応ガスを電気的エネルギーを利用して活性
化し、プラズマ反応により低温で、例えばシリコン基板
表面に窒化シリコン膜、Ｍ化シリコン膜などを生成する
プラズマＣＶＤＩ膜形成法に間する。
化し、プラズマ反応により低温で、例えばシリコン基板
表面に窒化シリコン膜、Ｍ化シリコン膜などを生成する
プラズマＣＶＤＩ膜形成法に間する。
プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成したのち、装置内に
も付着したＣＶＤ反応生成物の薄膜を除去するためプラ
ズマエツチング工程を付加していた。
も付着したＣＶＤ反応生成物の薄膜を除去するためプラ
ズマエツチング工程を付加していた。
上述のようにプラズマエツチング工程を行ったのちに、
エツチング工程により生じたポリマー等の堆積物が残る
。このポリマーは、例えばＣＦａ系ガスと酸素とを用い
てプラズマエツチングを行った場合、Ｃ，Ｆ、Ｏにより
形成される。この堆積物が、￥１８形成工程と付着した
反応生成物のエツチング工程とを繰り返すことにより装
置内に蓄積され、シリコン基板の表面に付着する微粒子
発生の原因となり、半導体素子の製造歩留り、 （１０
１性を大きく低下させていた。
エツチング工程により生じたポリマー等の堆積物が残る
。このポリマーは、例えばＣＦａ系ガスと酸素とを用い
てプラズマエツチングを行った場合、Ｃ，Ｆ、Ｏにより
形成される。この堆積物が、￥１８形成工程と付着した
反応生成物のエツチング工程とを繰り返すことにより装
置内に蓄積され、シリコン基板の表面に付着する微粒子
発生の原因となり、半導体素子の製造歩留り、 （１０
１性を大きく低下させていた。
本発明の目的は、プラズマＣＶＤ装置中置内のプラズマ
エツチング工程により生ずるポリマー等に基づく歩留り
、信頼性の低下を防いだプラズマｃｖＤＩＩＩ！形成法
を提供するεとにある。
エツチング工程により生ずるポリマー等に基づく歩留り
、信頼性の低下を防いだプラズマｃｖＤＩＩＩ！形成法
を提供するεとにある。
上述の目的達成のために、本発明によれば、プラズマＣ
ＶＤ装置による薄膜形成後に、装置内に付着したＣＶＤ
反応生成物を除去するためのプラズマエッチング工程と
、プラズマエツチング工程。
ＶＤ装置による薄膜形成後に、装置内に付着したＣＶＤ
反応生成物を除去するためのプラズマエッチング工程と
、プラズマエツチング工程。
で生じた堆積物を除去するための酸素プラズマを用いた
エツチング工程と付加するものとする。
エツチング工程と付加するものとする。
酸素プラズマを用いたプラズマエンチング工程により、
ＣＶＤ反応生成物除去のためのプラズマエツチング工程
により生じたポリマー等の堆積物が除去され、微粒子発
生が阻止される。
ＣＶＤ反応生成物除去のためのプラズマエツチング工程
により生じたポリマー等の堆積物が除去され、微粒子発
生が阻止される。
第１図はプラズマＣＶＤ装置を示し、反応槽１内にはヒ
ータ２を備えた支持台３に対向して高周波電極４が配置
され、支持台３の中央には反応ガス導入口５．外側には
真空排気口６が設けられている。この装置の支持台３の
上にシリコン基板７を載せ、反応槽１内を排気口６より
真空排気し、Ｎ８に２０％の５ｉｎｓを混合したガスを
９００ｓｃｃｍ＋ １００％のＮＨＩＮｌガス００ｓｃ
ｃｍ、 Ｎｌガスを１０００ｓｅｃｓ＋導入口５より導
入し、真空度０．４ Ｔｏｒｒ＋ ヒータ２により加熱
される基板温度３００℃、高周波入力１． ｌ Ｉ［Ｉ
ＩＪの条件でプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を１
．０−の厚さに基板７上に堆積させる０次いで、１０％
の０□を添加したＣＦ４ガスを３０００ｓｅｃｍ導入口
５より導入し、真空度０．７ Ｔｏｒｒ＋高周波入力１
．８に−の条件で３０分間プラズマエツチングを行い、
装置内に付着した窒化物薄膜を取り除く、ただしこの場
合、エツチングガスはＣＰａ以外にＮＦｓ、ＳＦ＊、Ｃ
＊Ｆｍ等各種のガスを利用することができる。さらにこ
の後、Ｏｔガス１０１０００ｓｃを導入し、真空度０．
３ＴＯｒｒｌ高周波入力１．０ ＫＨの条件にて５分間
放電を行う、これにより、エツチング工程で生じたポリ
マー等の堆積物を除去することができる。
ータ２を備えた支持台３に対向して高周波電極４が配置
され、支持台３の中央には反応ガス導入口５．外側には
真空排気口６が設けられている。この装置の支持台３の
上にシリコン基板７を載せ、反応槽１内を排気口６より
真空排気し、Ｎ８に２０％の５ｉｎｓを混合したガスを
９００ｓｃｃｍ＋ １００％のＮＨＩＮｌガス００ｓｃ
ｃｍ、 Ｎｌガスを１０００ｓｅｃｓ＋導入口５より導
入し、真空度０．４ Ｔｏｒｒ＋ ヒータ２により加熱
される基板温度３００℃、高周波入力１． ｌ Ｉ［Ｉ
ＩＪの条件でプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を１
．０−の厚さに基板７上に堆積させる０次いで、１０％
の０□を添加したＣＦ４ガスを３０００ｓｅｃｍ導入口
５より導入し、真空度０．７ Ｔｏｒｒ＋高周波入力１
．８に−の条件で３０分間プラズマエツチングを行い、
装置内に付着した窒化物薄膜を取り除く、ただしこの場
合、エツチングガスはＣＰａ以外にＮＦｓ、ＳＦ＊、Ｃ
＊Ｆｍ等各種のガスを利用することができる。さらにこ
の後、Ｏｔガス１０１０００ｓｃを導入し、真空度０．
３ＴＯｒｒｌ高周波入力１．０ ＫＨの条件にて５分間
放電を行う、これにより、エツチング工程で生じたポリ
マー等の堆積物を除去することができる。
プラズマＣＶＤによる窒化膜形成工程、ＣＦオ＋Ｏｔプ
ラズマによるエツチング工程を４０サイクル繰り返した
比較例と、プラズマＣＶＤによる窒化膜形成工程、ＣＰ
＊＋Ｏｘプラズマによるエツチング工程。
ラズマによるエツチング工程を４０サイクル繰り返した
比較例と、プラズマＣＶＤによる窒化膜形成工程、ＣＰ
＊＋Ｏｘプラズマによるエツチング工程。
０８プラズマによるエツチング工程により生じたポリマ
ー等を除去する工程を４０サイクル操り返した本発明の
実施例とを比較すると、粒子発生数は、１−以上の大き
さの粒子について４０サイクル目において、比較例では
基板１枚当たり３０個、実施例では基板１枚当たり１５
個と、本発明により〃にすることができた。
ー等を除去する工程を４０サイクル操り返した本発明の
実施例とを比較すると、粒子発生数は、１−以上の大き
さの粒子について４０サイクル目において、比較例では
基板１枚当たり３０個、実施例では基板１枚当たり１５
個と、本発明により〃にすることができた。
なお、プラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜が厚さ０．
４μなどの薄い場合、窒化膜形成工程を２回繰り返した
後、生成物除去のプラズマエツチング工程と、そのプラ
ズマエツチング工程で生じた堆積物を除去するプラズマ
エツチング工程の組合わせを操り返してもよい、窒化膜
形成工程の操り返し回数は、その膜厚により２回と限ら
ず、いろいろな場合がありうる。
４μなどの薄い場合、窒化膜形成工程を２回繰り返した
後、生成物除去のプラズマエツチング工程と、そのプラ
ズマエツチング工程で生じた堆積物を除去するプラズマ
エツチング工程の組合わせを操り返してもよい、窒化膜
形成工程の操り返し回数は、その膜厚により２回と限ら
ず、いろいろな場合がありうる。
本発明によれば、プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成し
た後、装置内に付着したＣＶＤ反応生成物の薄膜を、プ
ラズマエツチングする際に生じたポリマー等の堆積物を
０８ガスを用いたプラズマエツチングによって除去する
ことにより、半導体基板へ付着する微粒子の発生を押さ
えることができ、半導体阻止の歩留り、信頼性を向上さ
せることが可能となった。
た後、装置内に付着したＣＶＤ反応生成物の薄膜を、プ
ラズマエツチングする際に生じたポリマー等の堆積物を
０８ガスを用いたプラズマエツチングによって除去する
ことにより、半導体基板へ付着する微粒子の発生を押さ
えることができ、半導体阻止の歩留り、信頼性を向上さ
せることが可能となった。
第１図は本発明の実施されるプラズマＣＶＤ装置の一例
を示す断面図である。 １：反応槽、３：支持台、４：高周波電極、５：ガス導
入口、６：真空排気口、７：シリコン基板。
を示す断面図である。 １：反応槽、３：支持台、４：高周波電極、５：ガス導
入口、６：真空排気口、７：シリコン基板。
Claims (1)
- １）プラズマＣＶＤ装置による薄膜形成後に、装置内に
付着したＣＶＤ反応生成物を除去するためのプラズマエ
ッチング工程と、該プラズマエッチング工程で生じた堆
積物を除去するための酸素プラズマを用いたプラズマエ
ッチング工程とを付加することを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27743186A JPS63129630A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | プラズマｃｖｄ薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27743186A JPS63129630A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | プラズマｃｖｄ薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63129630A true JPS63129630A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17583465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27743186A Pending JPS63129630A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | プラズマｃｖｄ薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63129630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100267698B1 (ko) * | 1992-12-16 | 2000-10-16 | 히가시 데쓰로 | 에칭처리방법 및 에칭의 후처리방법 및 에칭설비 |
| WO2001066823A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Lg Electronics Inc. | Supplying and exhausting system in plasma polymerizing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477573A (en) * | 1977-11-10 | 1979-06-21 | Sony Corp | Operating method of plasma treating apparatus |
| JPS57134925A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | Plasma cvd film producer |
| JPS61247031A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP27743186A patent/JPS63129630A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477573A (en) * | 1977-11-10 | 1979-06-21 | Sony Corp | Operating method of plasma treating apparatus |
| JPS57134925A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | Plasma cvd film producer |
| JPS61247031A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100267698B1 (ko) * | 1992-12-16 | 2000-10-16 | 히가시 데쓰로 | 에칭처리방법 및 에칭의 후처리방법 및 에칭설비 |
| WO2001066823A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Lg Electronics Inc. | Supplying and exhausting system in plasma polymerizing apparatus |
| US6833120B2 (en) | 2000-03-06 | 2004-12-21 | Lg Electronics Inc. | Supplying and exhausting system in plasma polymerizing apparatus |
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