JP3486292B2 - 金属メッシュヒータのクリーニング方法 - Google Patents
金属メッシュヒータのクリーニング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ化学蒸着
法（以下、ＣＶＤ法とする）によるアモルファスシリコ
ン系薄膜の成膜において、高性能の膜を形成するために
用いられる金属メッシュヒータのクリーニング方法に関
する。 【０００２】 【従来の技術】従来の金属メッシュヒータを有する高周
波式プラズマＣＶＤ装置の概略を図３に示す。 【０００３】図３において、９は反応容器である。１０
は高周波電極であり、例えば周波数１３．５６ＭＨz の
高周波電源１１に接続されている。１２は対向電極であ
り、例えばガラスまたはステンレスからなる基板１３を
保持できる構造となっている。また、通常、対向電極１
２内にはヒータが取付けられており、基板１３を加熱で
きるようになっている。 【０００４】１４は例えばステンレスからなる金属メッ
シュヒータであり、高周波電極１０と対向電極１２の中
間であって、基板１３に近い位置、例えば基板１３から
５〜３０cm程度の位置に基板１３と平行に設置されてい
る。この金属メッシュヒータ１４は、直流または交流電
源１５に接続されており、電圧を制御することにより金
属メッシュヒータ１４の温度が制御できるようになって
いる。 【０００５】高周波式プラズマＣＶＤ法によるアモルフ
ァスシリコン系薄膜の成膜では、原料ガスとして例えば
シランＳｉＨ４を用いる。反応容器９内を真空排気した
後、０．１〜数Torr程度の圧力になるようにシランＳｉ
Ｈ４を導入し、高周波電力を供給すると、電子が加速さ
れ、いわゆるグロー放電プラズマが発生する。 【０００６】シランＳｉＨ４は、プラズマ中で分解して
エネルギー的に活性な励起種（ラジカル）となり、ラジ
カルが基板１３の表面に輸送されて表面拡散した後、薄
膜に取り込まれる。表面での反応を促進するため、基板
１３は通常１００〜２００℃程度に加熱されている。こ
のようにして形成される薄膜の特性は、膜表面に輸送さ
れるラジカルの種類、濃度およびそのエネルギーに依存
する。 【０００７】金属メッシュヒータ１４は、この温度が図
４に示すように成膜前および成膜中、一定温度、たとえ
ば３５０℃に保持されており、基板１３付近でラジカル
を熱的に励起し、そのエネルギーを制御し、膜特性を向
上させる機能を有する。 【０００８】例えば、原料ガスとしてシランＳｉＨ４を
用いて水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）薄
膜を形成する場合、金属メッシュヒータ１４を用いない
従来方法の場合の薄膜中の欠陥密度は１０15〜１０16個
／cm3 であるのに対し、金属メッシュヒータ１４を用い
てプラズマ中のＳｉＨ４ラジカルの回転エネルギーの温
度を３００℃以上に制御すると、薄膜中の欠陥密度は１
０14個／cm3 台に低下する。 【０００９】なお、薄膜中の欠陥密度は、薄膜の光学的
および電気的特性と関連しており、太陽電池や薄膜トラ
ンジスタなどの半導体デバイス材料としては、低欠陥密
度膜が要求される。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】従来のアモルファスシ
リコン系薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の金
属メッシュヒータにおいては、以下の課題があった。 【００１１】（１）金属メッシュヒータの線材自体にも
膜が成長するため、成膜時間の増加とともに開口面積が
１mm2 程度の金属メッシュの開口率が低下する。このた
め、成膜時間の増加とともに基板に成長する薄膜の成膜
速度が低下する。 【００１２】（２）また、金属メッシュヒータの表面に
膜が付着すると、金属メッシュヒータによるラジカルの
加熱効果が低減する。 【００１３】（３）金属メッシュヒータの線材に付着し
た膜は、薄膜の成膜前後あるいは成膜中に金属メッシュ
ヒータの線材から剥離・脱落し、その一部は基板表面に
付着する。付着した膜の破片（フレーク）は薄膜のピン
ホールの原因となるため、フレークが存在する薄膜をデ
バイスに用いた場合、そのデバイスの特性は著しく低下
する。 【００１４】このような課題を解決する手段の１つとし
て、薄膜の成膜前に反応容器を大気開放し、金属メッシ
ュヒータを洗浄あるいは清掃する方法がある。しかし、
この方法の場合、大気開放および真空排気に長時間を要
するとともに反応容器の内壁が大気成分を吸着するた
め、その後の成膜過程において、薄膜中に酸素あるいは
窒素が不純物として混入し、薄膜の特性が低下するとい
う課題があった。 【００１５】本発明は、上記の課題を解決しようとする
もので、金属メッシュヒータ本来の特徴を維持するため
に真空中で実施可能な金属メッシュヒータのクリーニン
グ方法を提供するものである。 【００１６】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る金属メッシュヒータのクリーニング方法は、プラズ
マ化学蒸着方法によりアモルファスシリコン系薄膜が成
膜される基板の表面の近傍に配設され、上記薄膜の成膜
時に電力が供給されて発熱する金属メッシュヒータにお
いて、上記薄膜の成膜前に、上記金属メッシュヒータに
所定値の範囲で周期的に変化する電力を供給し、所定の
温度範囲の温度サイクルを複数回形成させ、金属メッシ
ュヒータの表面に付着した膜を剥離させることを特徴と
している。 【００１７】本発明は、本発明者らが前記の課題を解決
するために鋭意研究を重ねた結果、反応容器内に基板を
セットする前に、金属メッシュヒータ表面に付着した膜
を強制的に剥離することにより、薄膜の成膜中に基板表
面にフレークが付着するのを防止できることを見出した
ことによるものである。 【００１８】上記において、金属メッシュヒータに供給
する電力を周期的に変化させ、金属メッシュヒータの温
度を周期的に変動させると、金属メッシュヒータの線材
と金属メッシュヒータに付着しているアモルファスシリ
コン系の膜との熱膨張係数の差により、付着力の弱い膜
を剥離・脱落させることができる。 【００１９】そのため、基板をセットする前に金属メッ
シュヒータに付着していた膜は、金属メッシュヒータに
周期的に変化する電力を供給し、温度サイクルを形成さ
せることにより除かれ、薄膜の成膜中に、金属メッシュ
ヒータに付着していた膜が剥離・脱落して基板表面に付
着し、成膜されるアモルファスシリコン系薄膜の膜質を
低下させることを防止することができる。 【００２０】本発明においては、金属メッシュヒータの
付着膜の除去が真空中で行われるため、反応容器内への
大気成分の吸着がなく、高品質の膜形成が可能であり、
また、薄膜の成膜前に短時間で実施できるため、高い生
産性を維持することができ、クリーニングのための新た
な設備を必要としないため、低コストのクリーニングが
可能となる。 【００２１】 【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態に係る金属
メッシュヒータを有したプラズマＣＶＤ装置について、
図１により説明する。 【００２２】図１に示す本実施形態に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置は、従来の装置と同様に高周波電源８が接続され
た高周波電極７と、同電極７と対向して配設され同電極
７との対向面に基板３が配設される対向電極６と、同対
向電極６と上記高周波電極７の間に配設され交流電源５
が接続された金属メッシュヒータ４とが内部に設けられ
て形成された反応容器が成膜室２として使用され、この
成膜室２に隣接してロードロック室１が形成されたもの
である。 【００２３】なお、上記成膜室２は、この内部を真空状
態に保ったまゝ、基板３をロードロック室１から搬入し
て、対向電極６面にセットするための図示しない機構を
有するものである。 【００２４】本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置を用
いて行う水素化アモルファスシリコン薄膜のガラス基板
上への形成については、次のように行った。基板３を成
膜室２にセットする前に、まず、ロードロック室１およ
び成膜室２内が１０-7Torrとなるまで真空排気した。 【００２５】次に、金属メッシュヒータ４に交流電源５
より電力を供給し、加熱した。その際、供給する電力を
０〜５００Ｗの範囲で周期的に変化させ、図２（ａ）に
示すように、約３００℃の温度サイクルを１０回与え
た。 【００２６】次に、金属メッシュヒータ４に５００Ｗの
電力を供給し、温度を安定させるために２０分間そのま
ま保持した。その後、予め有機溶剤で洗浄したガラス基
板３をロードロック室１から成膜室２に搬送し、対向電
極６の基板ホルダーにセットした。なお、対向電極６の
図示しないヒータは、予め所定の温度となるように制御
した。 【００２７】次に、成膜室２に水素Ｈ２で希釈したシラ
ンＳｉＨ４ガスを毎分５００cm3 の流量で導入し、圧力
０．１Torrに調整した後、高周波電極７に高周波電源８
より１００Ｗの高周波電力を供給してグロー放電プラズ
マを発生させ、ガラス基板３の表面に水素化アモルファ
スシリコンａ−Ｓｉ：Ｈ薄膜の成膜を１時間行った。 【００２８】このようにして形成した薄膜の膜厚は、約
８０００Åであった。薄膜の欠陥密度は２×１０14個／
cm3 と低く、太陽電池材料として良好な特性を有してい
た。また、高輝度ライトのもとで薄膜表面を観察したと
ころ、フレークやパーティクルなどは全く認められなか
った。同条件で１０回成膜を繰り返したが、フレークの
発生は認められなかった。また、成膜速度は一定であっ
た。 【００２９】比較のため、薄膜の成膜前に金属メッシュ
ヒータ４に温度サイクルを与えるプロセスを省略した従
来方法で成膜を実施した。成膜条件は、上記と同一とし
た。この場合、高輝度ライト下での観察の結果、２回目
の成膜から基板表面に多数のフレークが認められ、その
量は成膜回数とともに増加した。 【００３０】基板表面に付着したフレークを光学顕微鏡
で観察したところ、金属メッシュに等しい曲率を有して
おり、金属メッシュヒータ４から剥離したものであるこ
とが確認された。薄膜中の欠陥密度は６×１０15個／cm
3 であり、温度サイクルを与えた場合に比べ、１桁以上
大きかった。また、成膜速度は成膜毎に約３％程度低下
していた。 【００３１】上記金属メッシュヒータ４の温度サイクル
の温度範囲については、実験結果より１００℃以上５０
０℃以下が望ましいことが判った。１００℃以下ではク
リーニング効果が認められないためであり、５００℃以
上の場合はクリーニング効果はあるものの、金属メッシ
ュヒータ４の変形を引き起こす可能性があるためであ
る。 【００３２】また、温度サイクルの回数については、実
験により図２（ｂ）に示す実験結果を得ており、３回以
下の場合、クリーニング効果がきわめて少なく、少なく
とも３回以上必要であることが判った。 【００３３】 【発明の効果】本発明の金属メッシュヒータのクリーニ
ング方法は、アモルファスシリコン系薄膜の成膜前に、
これが成膜される基板の表面近傍に配設された金属メッ
シュヒータに周期的に変化する電力を供給し、所定の温
度範囲の温度サイクルを形成させ、金属メッシュヒータ
の表面に付着した膜を剥離させることによって、成膜中
に基板表面への膜の破片の付着による薄膜の膜質低下の
防止が可能となり、また、成膜前に短時間でクリーニン
グすることができるとともに、金属メッシュの開口率が
変化せず常に安定した成膜速度を維持することができる
ため、生産性の向上が可能となり、金属メッシュヒータ
の付着膜の除去が真空中で実施されるため、薄膜への大
気成分の混入がなく、優れた特性を有するアモルファス
シリコン系薄膜を形成することが可能となる。
法（以下、ＣＶＤ法とする）によるアモルファスシリコ
ン系薄膜の成膜において、高性能の膜を形成するために
用いられる金属メッシュヒータのクリーニング方法に関
する。 【０００２】 【従来の技術】従来の金属メッシュヒータを有する高周
波式プラズマＣＶＤ装置の概略を図３に示す。 【０００３】図３において、９は反応容器である。１０
は高周波電極であり、例えば周波数１３．５６ＭＨz の
高周波電源１１に接続されている。１２は対向電極であ
り、例えばガラスまたはステンレスからなる基板１３を
保持できる構造となっている。また、通常、対向電極１
２内にはヒータが取付けられており、基板１３を加熱で
きるようになっている。 【０００４】１４は例えばステンレスからなる金属メッ
シュヒータであり、高周波電極１０と対向電極１２の中
間であって、基板１３に近い位置、例えば基板１３から
５〜３０cm程度の位置に基板１３と平行に設置されてい
る。この金属メッシュヒータ１４は、直流または交流電
源１５に接続されており、電圧を制御することにより金
属メッシュヒータ１４の温度が制御できるようになって
いる。 【０００５】高周波式プラズマＣＶＤ法によるアモルフ
ァスシリコン系薄膜の成膜では、原料ガスとして例えば
シランＳｉＨ４を用いる。反応容器９内を真空排気した
後、０．１〜数Torr程度の圧力になるようにシランＳｉ
Ｈ４を導入し、高周波電力を供給すると、電子が加速さ
れ、いわゆるグロー放電プラズマが発生する。 【０００６】シランＳｉＨ４は、プラズマ中で分解して
エネルギー的に活性な励起種（ラジカル）となり、ラジ
カルが基板１３の表面に輸送されて表面拡散した後、薄
膜に取り込まれる。表面での反応を促進するため、基板
１３は通常１００〜２００℃程度に加熱されている。こ
のようにして形成される薄膜の特性は、膜表面に輸送さ
れるラジカルの種類、濃度およびそのエネルギーに依存
する。 【０００７】金属メッシュヒータ１４は、この温度が図
４に示すように成膜前および成膜中、一定温度、たとえ
ば３５０℃に保持されており、基板１３付近でラジカル
を熱的に励起し、そのエネルギーを制御し、膜特性を向
上させる機能を有する。 【０００８】例えば、原料ガスとしてシランＳｉＨ４を
用いて水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）薄
膜を形成する場合、金属メッシュヒータ１４を用いない
従来方法の場合の薄膜中の欠陥密度は１０15〜１０16個
／cm3 であるのに対し、金属メッシュヒータ１４を用い
てプラズマ中のＳｉＨ４ラジカルの回転エネルギーの温
度を３００℃以上に制御すると、薄膜中の欠陥密度は１
０14個／cm3 台に低下する。 【０００９】なお、薄膜中の欠陥密度は、薄膜の光学的
および電気的特性と関連しており、太陽電池や薄膜トラ
ンジスタなどの半導体デバイス材料としては、低欠陥密
度膜が要求される。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】従来のアモルファスシ
リコン系薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の金
属メッシュヒータにおいては、以下の課題があった。 【００１１】（１）金属メッシュヒータの線材自体にも
膜が成長するため、成膜時間の増加とともに開口面積が
１mm2 程度の金属メッシュの開口率が低下する。このた
め、成膜時間の増加とともに基板に成長する薄膜の成膜
速度が低下する。 【００１２】（２）また、金属メッシュヒータの表面に
膜が付着すると、金属メッシュヒータによるラジカルの
加熱効果が低減する。 【００１３】（３）金属メッシュヒータの線材に付着し
た膜は、薄膜の成膜前後あるいは成膜中に金属メッシュ
ヒータの線材から剥離・脱落し、その一部は基板表面に
付着する。付着した膜の破片（フレーク）は薄膜のピン
ホールの原因となるため、フレークが存在する薄膜をデ
バイスに用いた場合、そのデバイスの特性は著しく低下
する。 【００１４】このような課題を解決する手段の１つとし
て、薄膜の成膜前に反応容器を大気開放し、金属メッシ
ュヒータを洗浄あるいは清掃する方法がある。しかし、
この方法の場合、大気開放および真空排気に長時間を要
するとともに反応容器の内壁が大気成分を吸着するた
め、その後の成膜過程において、薄膜中に酸素あるいは
窒素が不純物として混入し、薄膜の特性が低下するとい
う課題があった。 【００１５】本発明は、上記の課題を解決しようとする
もので、金属メッシュヒータ本来の特徴を維持するため
に真空中で実施可能な金属メッシュヒータのクリーニン
グ方法を提供するものである。 【００１６】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る金属メッシュヒータのクリーニング方法は、プラズ
マ化学蒸着方法によりアモルファスシリコン系薄膜が成
膜される基板の表面の近傍に配設され、上記薄膜の成膜
時に電力が供給されて発熱する金属メッシュヒータにお
いて、上記薄膜の成膜前に、上記金属メッシュヒータに
所定値の範囲で周期的に変化する電力を供給し、所定の
温度範囲の温度サイクルを複数回形成させ、金属メッシ
ュヒータの表面に付着した膜を剥離させることを特徴と
している。 【００１７】本発明は、本発明者らが前記の課題を解決
するために鋭意研究を重ねた結果、反応容器内に基板を
セットする前に、金属メッシュヒータ表面に付着した膜
を強制的に剥離することにより、薄膜の成膜中に基板表
面にフレークが付着するのを防止できることを見出した
ことによるものである。 【００１８】上記において、金属メッシュヒータに供給
する電力を周期的に変化させ、金属メッシュヒータの温
度を周期的に変動させると、金属メッシュヒータの線材
と金属メッシュヒータに付着しているアモルファスシリ
コン系の膜との熱膨張係数の差により、付着力の弱い膜
を剥離・脱落させることができる。 【００１９】そのため、基板をセットする前に金属メッ
シュヒータに付着していた膜は、金属メッシュヒータに
周期的に変化する電力を供給し、温度サイクルを形成さ
せることにより除かれ、薄膜の成膜中に、金属メッシュ
ヒータに付着していた膜が剥離・脱落して基板表面に付
着し、成膜されるアモルファスシリコン系薄膜の膜質を
低下させることを防止することができる。 【００２０】本発明においては、金属メッシュヒータの
付着膜の除去が真空中で行われるため、反応容器内への
大気成分の吸着がなく、高品質の膜形成が可能であり、
また、薄膜の成膜前に短時間で実施できるため、高い生
産性を維持することができ、クリーニングのための新た
な設備を必要としないため、低コストのクリーニングが
可能となる。 【００２１】 【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態に係る金属
メッシュヒータを有したプラズマＣＶＤ装置について、
図１により説明する。 【００２２】図１に示す本実施形態に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置は、従来の装置と同様に高周波電源８が接続され
た高周波電極７と、同電極７と対向して配設され同電極
７との対向面に基板３が配設される対向電極６と、同対
向電極６と上記高周波電極７の間に配設され交流電源５
が接続された金属メッシュヒータ４とが内部に設けられ
て形成された反応容器が成膜室２として使用され、この
成膜室２に隣接してロードロック室１が形成されたもの
である。 【００２３】なお、上記成膜室２は、この内部を真空状
態に保ったまゝ、基板３をロードロック室１から搬入し
て、対向電極６面にセットするための図示しない機構を
有するものである。 【００２４】本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置を用
いて行う水素化アモルファスシリコン薄膜のガラス基板
上への形成については、次のように行った。基板３を成
膜室２にセットする前に、まず、ロードロック室１およ
び成膜室２内が１０-7Torrとなるまで真空排気した。 【００２５】次に、金属メッシュヒータ４に交流電源５
より電力を供給し、加熱した。その際、供給する電力を
０〜５００Ｗの範囲で周期的に変化させ、図２（ａ）に
示すように、約３００℃の温度サイクルを１０回与え
た。 【００２６】次に、金属メッシュヒータ４に５００Ｗの
電力を供給し、温度を安定させるために２０分間そのま
ま保持した。その後、予め有機溶剤で洗浄したガラス基
板３をロードロック室１から成膜室２に搬送し、対向電
極６の基板ホルダーにセットした。なお、対向電極６の
図示しないヒータは、予め所定の温度となるように制御
した。 【００２７】次に、成膜室２に水素Ｈ２で希釈したシラ
ンＳｉＨ４ガスを毎分５００cm3 の流量で導入し、圧力
０．１Torrに調整した後、高周波電極７に高周波電源８
より１００Ｗの高周波電力を供給してグロー放電プラズ
マを発生させ、ガラス基板３の表面に水素化アモルファ
スシリコンａ−Ｓｉ：Ｈ薄膜の成膜を１時間行った。 【００２８】このようにして形成した薄膜の膜厚は、約
８０００Åであった。薄膜の欠陥密度は２×１０14個／
cm3 と低く、太陽電池材料として良好な特性を有してい
た。また、高輝度ライトのもとで薄膜表面を観察したと
ころ、フレークやパーティクルなどは全く認められなか
った。同条件で１０回成膜を繰り返したが、フレークの
発生は認められなかった。また、成膜速度は一定であっ
た。 【００２９】比較のため、薄膜の成膜前に金属メッシュ
ヒータ４に温度サイクルを与えるプロセスを省略した従
来方法で成膜を実施した。成膜条件は、上記と同一とし
た。この場合、高輝度ライト下での観察の結果、２回目
の成膜から基板表面に多数のフレークが認められ、その
量は成膜回数とともに増加した。 【００３０】基板表面に付着したフレークを光学顕微鏡
で観察したところ、金属メッシュに等しい曲率を有して
おり、金属メッシュヒータ４から剥離したものであるこ
とが確認された。薄膜中の欠陥密度は６×１０15個／cm
3 であり、温度サイクルを与えた場合に比べ、１桁以上
大きかった。また、成膜速度は成膜毎に約３％程度低下
していた。 【００３１】上記金属メッシュヒータ４の温度サイクル
の温度範囲については、実験結果より１００℃以上５０
０℃以下が望ましいことが判った。１００℃以下ではク
リーニング効果が認められないためであり、５００℃以
上の場合はクリーニング効果はあるものの、金属メッシ
ュヒータ４の変形を引き起こす可能性があるためであ
る。 【００３２】また、温度サイクルの回数については、実
験により図２（ｂ）に示す実験結果を得ており、３回以
下の場合、クリーニング効果がきわめて少なく、少なく
とも３回以上必要であることが判った。 【００３３】 【発明の効果】本発明の金属メッシュヒータのクリーニ
ング方法は、アモルファスシリコン系薄膜の成膜前に、
これが成膜される基板の表面近傍に配設された金属メッ
シュヒータに周期的に変化する電力を供給し、所定の温
度範囲の温度サイクルを形成させ、金属メッシュヒータ
の表面に付着した膜を剥離させることによって、成膜中
に基板表面への膜の破片の付着による薄膜の膜質低下の
防止が可能となり、また、成膜前に短時間でクリーニン
グすることができるとともに、金属メッシュの開口率が
変化せず常に安定した成膜速度を維持することができる
ため、生産性の向上が可能となり、金属メッシュヒータ
の付着膜の除去が真空中で実施されるため、薄膜への大
気成分の混入がなく、優れた特性を有するアモルファス
シリコン系薄膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態に係るプラズマＣＶＤ装
置の説明図である。 【図２】上記一実施形態に係る金属メッシュヒータの作
用説明図で、（ａ）は温度サイクル、（ｂ）は温度サイ
クル数とフレーク数の関係の説明図である。 【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の説明図である。 【図４】従来の装置における金属メッシュヒータの温度
変化の説明図である。 【符号の説明】 １ ロードロック室 ２ 成膜室 ３ 基板 ４ 金属メッシュヒータ ５ 交流電源 ６ 対向電極 ７ 高周波電極 ８ 高周波電源
置の説明図である。 【図２】上記一実施形態に係る金属メッシュヒータの作
用説明図で、（ａ）は温度サイクル、（ｂ）は温度サイ
クル数とフレーク数の関係の説明図である。 【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の説明図である。 【図４】従来の装置における金属メッシュヒータの温度
変化の説明図である。 【符号の説明】 １ ロードロック室 ２ 成膜室 ３ 基板 ４ 金属メッシュヒータ ５ 交流電源 ６ 対向電極 ７ 高周波電極 ８ 高周波電源
フロントページの続き
(72)発明者 高野 暁己
長崎市深堀町五丁目717番１号 三菱重
工業株式会社長崎研究所内
(72)発明者 青井 辰史
長崎市深堀町五丁目717番１号 三菱重
工業株式会社長崎研究所内
(56)参考文献 特開 平６−204142（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−338470（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−216190（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−204140（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−192474（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−102261（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 11/00
C23C 16/44
H05B 3/20
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 プラズマ化学蒸着方法によりアモルファ
スシリコン系薄膜が成膜される基板の表面の近傍に配設
され、上記薄膜の成膜時に電力が供給されて発熱する金
属メッシュヒータにおいて、上記薄膜の成膜前に、上記
金属メッシュヒータに所定値の範囲で周期的に変化する
電力を供給し、所定の温度範囲の温度サイクルを複数回
形成させ、金属メッシュヒータの表面に付着した膜を剥
離させることを特徴とする金属メッシュヒータのクリー
ニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077996A JP3486292B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 金属メッシュヒータのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11077996A JP3486292B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 金属メッシュヒータのクリーニング方法 |
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1996
- 1996-05-01 JP JP11077996A patent/JP3486292B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH09298087A (ja) | 1997-11-18 |
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