JPH05315251A - シリコン薄膜の成膜方法 - Google Patents
シリコン薄膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH05315251A JPH05315251A JP9664891A JP9664891A JPH05315251A JP H05315251 A JPH05315251 A JP H05315251A JP 9664891 A JP9664891 A JP 9664891A JP 9664891 A JP9664891 A JP 9664891A JP H05315251 A JPH05315251 A JP H05315251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- thin film
- silicon thin
- silicon
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板等から剥離し難くしかも膜中に欠陥が入
り難いシリコン薄膜の成膜方法を提供すること。 【構成】 予め洗浄されたガラス基板が配置された真空
チャンバ内を排気して高真空にしかつこの真空チャンバ
内へＳｉＦ4 のハロゲン化珪素ガスを導入すると共に高
周波にてこのガスをプラズマ化させた後このハロゲン化
珪素ガスによりガラス基板表面を真空条件下でエッチン
グ処理した。この処理により基板に残留する不純物を完
全に除去できかつ表面に均質で微細な凹凸を形成でき
る。次にこのガラス基板面にプラズマＣＶＤ法により多
結晶シリコン薄膜を成膜した。そして上記エッチング処
理の作用により成膜された多結晶シリコン薄膜とガラス
基板との間には不純物が介在せずしかも接触面積も増え
るため密着性の向上が図れかつ膜中に欠陥が生じ難く膜
質改善も図れる。
り難いシリコン薄膜の成膜方法を提供すること。 【構成】 予め洗浄されたガラス基板が配置された真空
チャンバ内を排気して高真空にしかつこの真空チャンバ
内へＳｉＦ4 のハロゲン化珪素ガスを導入すると共に高
周波にてこのガスをプラズマ化させた後このハロゲン化
珪素ガスによりガラス基板表面を真空条件下でエッチン
グ処理した。この処理により基板に残留する不純物を完
全に除去できかつ表面に均質で微細な凹凸を形成でき
る。次にこのガラス基板面にプラズマＣＶＤ法により多
結晶シリコン薄膜を成膜した。そして上記エッチング処
理の作用により成膜された多結晶シリコン薄膜とガラス
基板との間には不純物が介在せずしかも接触面積も増え
るため密着性の向上が図れかつ膜中に欠陥が生じ難く膜
質改善も図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ等の
半導体素子あるいは太陽電池等に利用可能な単結晶若し
くは多結晶シリコンやアモルファスシリコン等シリコン
薄膜の成膜方法に係り、特に、基板等から剥がれ難くし
かも成膜されたシリコン薄膜に欠陥が入り難いシリコン
薄膜の成膜方法に関する。
半導体素子あるいは太陽電池等に利用可能な単結晶若し
くは多結晶シリコンやアモルファスシリコン等シリコン
薄膜の成膜方法に係り、特に、基板等から剥がれ難くし
かも成膜されたシリコン薄膜に欠陥が入り難いシリコン
薄膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス等の基板上へ若しくはこの
基板に設けられた酸化シリコン等の絶縁膜上へシリコン
薄膜を成膜する方法として、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶ
Ｄ法で代表される化学的気相成長法やスパッタリング法
等が広く利用されている。
基板に設けられた酸化シリコン等の絶縁膜上へシリコン
薄膜を成膜する方法として、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶ
Ｄ法で代表される化学的気相成長法やスパッタリング法
等が広く利用されている。
【０００３】ところで、上記多結晶シリコン等のシリコ
ン薄膜が成膜される基板等に対する前処理として、従
来、基板上に付着する有機物や重金属等の不純物を洗浄
して取除くと共に、シリコン薄膜が成膜される前に基板
等を真空条件下において加熱処理し尚残留する不純物を
熱分解させて取除いたり、アルゴン（Ａｒ）等不活性ガ
スのプラズマにより基板等の表面をたたいて尚残留する
不純物を物理的に除去する等の方法が採られていた。
ン薄膜が成膜される基板等に対する前処理として、従
来、基板上に付着する有機物や重金属等の不純物を洗浄
して取除くと共に、シリコン薄膜が成膜される前に基板
等を真空条件下において加熱処理し尚残留する不純物を
熱分解させて取除いたり、アルゴン（Ａｒ）等不活性ガ
スのプラズマにより基板等の表面をたたいて尚残留する
不純物を物理的に除去する等の方法が採られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な前処
理を施しても若干の不純物が基板等の表面に残留してし
まうため、シリコン薄膜を成膜した後の各種工程により
このシリコン薄膜に様々なストレスが加わった場合、基
板等からシリコン薄膜が剥がれ易いといった問題点があ
った。
理を施しても若干の不純物が基板等の表面に残留してし
まうため、シリコン薄膜を成膜した後の各種工程により
このシリコン薄膜に様々なストレスが加わった場合、基
板等からシリコン薄膜が剥がれ易いといった問題点があ
った。
【０００５】また、上記基板等表面を不活性ガスにてた
たく処理を施した場合、これ等処理表面に不均質な凹凸
が形成され易くこれ等面上に単結晶シリコン薄膜を成膜
しようとしてもエピタキシャル成長し難い問題点があ
り、かつ、成膜されたシリコン薄膜に欠陥が生じ易い問
題点があった。
たく処理を施した場合、これ等処理表面に不均質な凹凸
が形成され易くこれ等面上に単結晶シリコン薄膜を成膜
しようとしてもエピタキシャル成長し難い問題点があ
り、かつ、成膜されたシリコン薄膜に欠陥が生じ易い問
題点があった。
【０００６】本発明は以上のような問題点に着目してな
されたもので、その課題とするところは、基板等から剥
がれ難くしかも成膜されたシリコン薄膜に欠陥が入り難
いシリコン薄膜の成膜方法を提供することにある。
されたもので、その課題とするところは、基板等から剥
がれ難くしかも成膜されたシリコン薄膜に欠陥が入り難
いシリコン薄膜の成膜方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、基板
上へ若しくはこの基板に設けられた絶縁膜上へシリコン
薄膜を成膜する方法を前提とし、シリコン薄膜を成膜す
る前に、ハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲ
ン化シランガスから選択される少なくとも一種の励起さ
れたガスにより真空条件下において上記基板表面若しく
は絶縁膜表面をエッチング処理することを特徴とするも
のである。
上へ若しくはこの基板に設けられた絶縁膜上へシリコン
薄膜を成膜する方法を前提とし、シリコン薄膜を成膜す
る前に、ハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲ
ン化シランガスから選択される少なくとも一種の励起さ
れたガスにより真空条件下において上記基板表面若しく
は絶縁膜表面をエッチング処理することを特徴とするも
のである。
【０００８】このような技術的手段において上記ハロゲ
ンガスとしてはＦ2 又はＣｌ2 が適用でき、ハロゲン化
珪素ガスとしてはＳｉＦ4 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 等
が適用でき、また、ハロゲン化シランガスとしてはＳｉ
Ｈm Ｘ4-m （但し、ｍは１〜３、好ましくは２、ＸはＣ
ｌ又はＦ原子、好ましくはＦ原子である）で示されるガ
スが適用できる。
ンガスとしてはＦ2 又はＣｌ2 が適用でき、ハロゲン化
珪素ガスとしてはＳｉＦ4 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 等
が適用でき、また、ハロゲン化シランガスとしてはＳｉ
Ｈm Ｘ4-m （但し、ｍは１〜３、好ましくは２、ＸはＣ
ｌ又はＦ原子、好ましくはＦ原子である）で示されるガ
スが適用できる。
【０００９】また、これ等ハロゲンガス、ハロゲン化珪
素ガス又はハロゲン化シランガスを励起させる手段とし
ては、真空チャンバ内に導入されたこれ等ガスを加熱処
理したり、これ等ガスに紫外光を照射して励起させた
り、あるいは、これ等ガスに高周波、マイクロ波等のＲ
Ｆ電力を印加する方法等が適用できる。
素ガス又はハロゲン化シランガスを励起させる手段とし
ては、真空チャンバ内に導入されたこれ等ガスを加熱処
理したり、これ等ガスに紫外光を照射して励起させた
り、あるいは、これ等ガスに高周波、マイクロ波等のＲ
Ｆ電力を印加する方法等が適用できる。
【００１０】尚、エッチング時における真空度（すなわ
ち真空チャンバ内の圧力）、エッチング時間、上記ハロ
ゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲン化シランガ
スの濃度、加熱温度、紫外光の照射パワー、ＲＦ電力の
電力密度等の条件設定は、適用されるシリコンの種類、
基板の種類、絶縁膜の種類等を考慮に入れて適宜決定さ
れる。
ち真空チャンバ内の圧力）、エッチング時間、上記ハロ
ゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲン化シランガ
スの濃度、加熱温度、紫外光の照射パワー、ＲＦ電力の
電力密度等の条件設定は、適用されるシリコンの種類、
基板の種類、絶縁膜の種類等を考慮に入れて適宜決定さ
れる。
【００１１】次に、上記エッチング処理後におけるシリ
コン薄膜の成膜手段としては、従来同様、化学的気相成
長法やスパッタリング法等が適用できるが、上記エッチ
ング処理が真空チャンバ内で行われる関係上、このエッ
チング処理の後に連続して成膜処理を施せる減圧熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等の適用が
作業効率上優れている。
コン薄膜の成膜手段としては、従来同様、化学的気相成
長法やスパッタリング法等が適用できるが、上記エッチ
ング処理が真空チャンバ内で行われる関係上、このエッ
チング処理の後に連続して成膜処理を施せる減圧熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等の適用が
作業効率上優れている。
【００１２】また、成膜するシリコン薄膜についても、
従来同様、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルフ
ァスシリコン等がその対象となる。
従来同様、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルフ
ァスシリコン等がその対象となる。
【００１３】また、本発明が適用できる基板としては、
シリコン単結晶基板、ガラス基板、セラミックス基板等
があり、更にこれ等に加えて金属基板等も挙げられる。
シリコン単結晶基板、ガラス基板、セラミックス基板等
があり、更にこれ等に加えて金属基板等も挙げられる。
【００１４】
【作用】この様な技術的手段によれば、シリコン薄膜を
成膜する前に、ハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又は
ハロゲン化シランガスから選択される少なくとも一種の
励起されたガスにより真空条件下において上記基板表面
若しくは絶縁膜表面をエッチング処理しているため、上
記励起されたハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハ
ロゲン化シランガス等の物理的・化学的作用により基板
若しくは絶縁膜表面に残留する不純物が除去されてその
表面が清浄になると共に表面に均質で微細な凹凸を形成
することが可能となる。
成膜する前に、ハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又は
ハロゲン化シランガスから選択される少なくとも一種の
励起されたガスにより真空条件下において上記基板表面
若しくは絶縁膜表面をエッチング処理しているため、上
記励起されたハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハ
ロゲン化シランガス等の物理的・化学的作用により基板
若しくは絶縁膜表面に残留する不純物が除去されてその
表面が清浄になると共に表面に均質で微細な凹凸を形成
することが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
るが本発明はこれ等実施例によって限定されるものでは
ない。
るが本発明はこれ等実施例によって限定されるものでは
ない。
【００１６】尚、図１は実施例で適用されたプラズマＣ
ＶＤ装置の概略構成を示した説明図で、図中、２１は真
空チャンバ、２２は電極、２３はヒータが組込まれた電
極、２４は高周波電源、２５はガス供給源、２６は減圧
ポンプである。
ＶＤ装置の概略構成を示した説明図で、図中、２１は真
空チャンバ、２２は電極、２３はヒータが組込まれた電
極、２４は高周波電源、２５はガス供給源、２６は減圧
ポンプである。
【００１７】［実施例１］まず、上記真空チャンバ内の
電極２３面上へ適宜洗浄処理が施されたガラス基板１を
設置し、かつ、減圧ポンプ２６により真空チャンバ２１
内を排気して１×１０-9Ｔｏｒｒの高真空に設定した
後、この真空チャンバ２１内へガス供給源２５からＳｉ
Ｆ4 のハロゲン化珪素ガスを８０ｓｃｃｍで供給すると
共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整した。
電極２３面上へ適宜洗浄処理が施されたガラス基板１を
設置し、かつ、減圧ポンプ２６により真空チャンバ２１
内を排気して１×１０-9Ｔｏｒｒの高真空に設定した
後、この真空チャンバ２１内へガス供給源２５からＳｉ
Ｆ4 のハロゲン化珪素ガスを８０ｓｃｃｍで供給すると
共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整した。
【００１８】次に、このハロゲン化珪素ガスを１３．５
６ＭＨｚの高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2
でプラズマ化し、この励起されたハロゲン化珪素ガスに
より３００℃に加熱されたガラス基板１面をエッチング
処理した。
６ＭＨｚの高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2
でプラズマ化し、この励起されたハロゲン化珪素ガスに
より３００℃に加熱されたガラス基板１面をエッチング
処理した。
【００１９】このエッチング処理によりガラス基板１面
に尚残留する不純物が完全に除去されると共にその表面
に均質で微細な凹凸が形成された。
に尚残留する不純物が完全に除去されると共にその表面
に均質で微細な凹凸が形成された。
【００２０】次いで、このエッチング処理終了後、上記
ハロゲン化珪素ガスの供給を停止する一方、真空チャン
バ２１内へ、新たにＳｉＦ4 ：Ｈ2 ：Ｆ2 （ガス比率は
容積比で２：１：５であった）の混合ガスを８０ｓｃｃ
ｍで供給すると共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整し
た。
ハロゲン化珪素ガスの供給を停止する一方、真空チャン
バ２１内へ、新たにＳｉＦ4 ：Ｈ2 ：Ｆ2 （ガス比率は
容積比で２：１：５であった）の混合ガスを８０ｓｃｃ
ｍで供給すると共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整し
た。
【００２１】そして、この混合ガスを１３．５６ＭＨｚ
の高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2 でプラズ
マ化し、３５０℃に加熱されたガラス基板１上へ約３０
００オングストロームの厚さとなるまでシリコン薄膜を
形成させた。
の高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2 でプラズ
マ化し、３５０℃に加熱されたガラス基板１上へ約３０
００オングストロームの厚さとなるまでシリコン薄膜を
形成させた。
【００２２】得られたこの薄膜についてラマン分光分析
を行ったところ、５２０cm-1の位置に半値巾４cm-1の結
晶シリコンに基づく非常にシャープなスペクトルが観測
された。
を行ったところ、５２０cm-1の位置に半値巾４cm-1の結
晶シリコンに基づく非常にシャープなスペクトルが観測
された。
【００２３】また、透過型電子顕微鏡によってその粒径
を測定したところその平均粒径は約１８００オングスト
ロームであり、かつ、この薄膜の電子移動度をホール効
果測定装置により求めたところ１８．５cm2 ／Ｖ・Ｓで
あり、この薄膜が多結晶シリコンであることがまたこの
薄膜に欠陥が少ないことも確認できた。
を測定したところその平均粒径は約１８００オングスト
ロームであり、かつ、この薄膜の電子移動度をホール効
果測定装置により求めたところ１８．５cm2 ／Ｖ・Ｓで
あり、この薄膜が多結晶シリコンであることがまたこの
薄膜に欠陥が少ないことも確認できた。
【００２４】更に、成膜されたこの多結晶シリコン薄膜
の剥離強度も調べたところ、このエッチング処理を施さ
なかった多結晶シリコン薄膜に較べてその強度が大きく
なっていることが確認できた。
の剥離強度も調べたところ、このエッチング処理を施さ
なかった多結晶シリコン薄膜に較べてその強度が大きく
なっていることが確認できた。
【００２５】［実施例２］実施例１と同様に真空チャン
バ内の電極２３面上へ適宜洗浄処理が施されたシリコン
単結晶基板１を設置し、かつ、減圧ポンプ２６により真
空チャンバ２１内を排気して１×１０-9Ｔｏｒｒの高真
空に設定した後、この真空チャンバ２１内へガス供給源
２５からＳｉＨ2 Ｆ2 とＦ2 の混合ガスを８０ｓｃｃｍ
で供給すると共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整し
た。
バ内の電極２３面上へ適宜洗浄処理が施されたシリコン
単結晶基板１を設置し、かつ、減圧ポンプ２６により真
空チャンバ２１内を排気して１×１０-9Ｔｏｒｒの高真
空に設定した後、この真空チャンバ２１内へガス供給源
２５からＳｉＨ2 Ｆ2 とＦ2 の混合ガスを８０ｓｃｃｍ
で供給すると共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整し
た。
【００２６】次に、この混合ガスを１３．５６ＭＨｚの
高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2 でプラズマ
化し、この励起された混合ガスにより３００℃に加熱さ
れたシリコン単結晶基板１面をエッチング処理した。
高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2 でプラズマ
化し、この励起された混合ガスにより３００℃に加熱さ
れたシリコン単結晶基板１面をエッチング処理した。
【００２７】このエッチング処理によりシリコン単結晶
基板１面に尚残留する不純物が完全に除去されると共に
その表面に均質で微細な凹凸が形成された。
基板１面に尚残留する不純物が完全に除去されると共に
その表面に均質で微細な凹凸が形成された。
【００２８】次いで、このエッチング処理終了後、上記
混合ガスの供給を停止する一方、真空チャンバ２１内
へ、新たにＳｉＦ4 ：ＳｉＨ4 ：Ｈ2 （ガス比率は容積
比で２：１：５であった）の混合ガスを８０ｓｃｃｍで
供給すると共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整した。
混合ガスの供給を停止する一方、真空チャンバ２１内
へ、新たにＳｉＦ4 ：ＳｉＨ4 ：Ｈ2 （ガス比率は容積
比で２：１：５であった）の混合ガスを８０ｓｃｃｍで
供給すると共にその圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整した。
【００２９】そして、この混合ガスを１３．５６ＭＨｚ
の高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2 でプラズ
マ化し、４００℃に加熱されたシリコン単結晶基板１面
上へ２．０μｍの厚さとなるまでシリコン薄膜を形成さ
せた。
の高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／cm2 でプラズ
マ化し、４００℃に加熱されたシリコン単結晶基板１面
上へ２．０μｍの厚さとなるまでシリコン薄膜を形成さ
せた。
【００３０】このようにして得られた薄膜について反射
高速電子線回析（ＲＨＥＥＤ）によってシリコン薄膜の
評価を行ったところ、ストリークパターンと菊池ライン
が観測され良好な単結晶であることが判明した。また、
この薄膜の比抵抗は５０Ω・cmであり、かつ、この電子
移動度をホール効果測定装置により求めたところ１３０
０cm2 ／Ｖ・Ｓであり膜中に欠陥が少ないことも確認で
きた。
高速電子線回析（ＲＨＥＥＤ）によってシリコン薄膜の
評価を行ったところ、ストリークパターンと菊池ライン
が観測され良好な単結晶であることが判明した。また、
この薄膜の比抵抗は５０Ω・cmであり、かつ、この電子
移動度をホール効果測定装置により求めたところ１３０
０cm2 ／Ｖ・Ｓであり膜中に欠陥が少ないことも確認で
きた。
【００３１】更に、成膜されたこの単結晶シリコン薄膜
の剥離強度も調べたところ、このエッチング処理を施さ
なかった単結晶シリコン薄膜に較べてその強度が大きく
なっていることが確認できた。
の剥離強度も調べたところ、このエッチング処理を施さ
なかった単結晶シリコン薄膜に較べてその強度が大きく
なっていることが確認できた。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、励起されたハロゲンガ
ス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲン化シランガス等の
物理的・化学的作用により基板若しくは絶縁膜表面に残
留する不純物が除去されてその表面が清浄になると共に
表面に均質で微細な凹凸を形成することが可能となる。
ス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲン化シランガス等の
物理的・化学的作用により基板若しくは絶縁膜表面に残
留する不純物が除去されてその表面が清浄になると共に
表面に均質で微細な凹凸を形成することが可能となる。
【００３３】従って、成膜されたシリコンと上記基板若
しくは絶縁膜表面との間に不純物が介在せずしかもその
接触面積も増えるため成膜されたシリコンと基板若しく
は絶縁膜との密着性の向上が図れる効果を有しており、
かつ、成膜されたシリコンに欠陥が生じ難くなるためそ
の膜質改善も図れる効果を有している。
しくは絶縁膜表面との間に不純物が介在せずしかもその
接触面積も増えるため成膜されたシリコンと基板若しく
は絶縁膜との密着性の向上が図れる効果を有しており、
かつ、成膜されたシリコンに欠陥が生じ難くなるためそ
の膜質改善も図れる効果を有している。
【図１】実施例において適用されたプラズマＣＶＤ装置
の概略構成説明図。
の概略構成説明図。
１ 基板 ２１ 真空チャンバ ２２ 電極 ２３ ヒータが組込まれた電極 ２４ 高周波電源 ２５ ガス供給源 ２６ 減圧ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上へ若しくはこの基板に設けられた
絶縁膜上へシリコン薄膜を成膜する方法において、 シリコン薄膜を成膜する前に、ハロゲンガス、ハロゲン
化珪素ガス又はハロゲン化シランガスから選択される少
なくとも一種の励起されたガスにより真空条件下におい
て上記基板表面若しくは絶縁膜表面をエッチング処理す
ることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9664891A JPH05315251A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | シリコン薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9664891A JPH05315251A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | シリコン薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315251A true JPH05315251A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14170649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9664891A Pending JPH05315251A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | シリコン薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548380B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, semiconductor device employing the same, methods for manufacturing the same and device for manufacturing a semiconductor thin film |
| US7776670B2 (en) | 2006-06-16 | 2010-08-17 | Toray Engineering Co., Ltd. | Silicon thin-film and method of forming silicon thin-film |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9664891A patent/JPH05315251A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548380B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, semiconductor device employing the same, methods for manufacturing the same and device for manufacturing a semiconductor thin film |
| US6846728B2 (en) | 1999-09-08 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, semiconductor device employing the same, methods for manufacturing the same and device for manufacturing a semiconductor thin film |
| US7776670B2 (en) | 2006-06-16 | 2010-08-17 | Toray Engineering Co., Ltd. | Silicon thin-film and method of forming silicon thin-film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6499427B1 (en) | Plasma CVD apparatus | |
| US5185179A (en) | Plasma processing method and products thereof | |
| JP3176493B2 (ja) | 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法 | |
| US7521341B2 (en) | Method of direct deposition of polycrystalline silicon | |
| JP3112880B2 (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| US20100062585A1 (en) | Method for forming silicon thin film | |
| JPH05315251A (ja) | シリコン薄膜の成膜方法 | |
| KR100885690B1 (ko) | 다이아몬드막의 제조방법 및 다이아몬드막 | |
| JP2000096239A (ja) | 誘導結合型プラズマｃｖｄ方法及びそのための誘導結合型プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2914992B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH0639709B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3319550B2 (ja) | 多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法 | |
| JPH05213695A (ja) | ダイヤモンド薄膜の堆積方法 | |
| JP3024543B2 (ja) | 結晶性シリコン膜及びその製造方法 | |
| JP2002241945A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3486292B2 (ja) | 金属メッシュヒータのクリーニング方法 | |
| JPS59177919A (ja) | 薄膜の選択成長法 | |
| JP4570186B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| JP3190100B2 (ja) | 炭素材料作製装置 | |
| JPS60186500A (ja) | 気相からのダイヤモンド合成法 | |
| JPH02196096A (ja) | ダイヤモンド薄膜の合成法 | |
| JP3991446B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0224372B2 (ja) | ||
| JP2695155B2 (ja) | 膜形成方法 | |
| JPH11111699A (ja) | ガスクリーニング装置およびガスクリーニング方法 |