JPH0224372B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0224372B2 JPH0224372B2 JP58249356A JP24935683A JPH0224372B2 JP H0224372 B2 JPH0224372 B2 JP H0224372B2 JP 58249356 A JP58249356 A JP 58249356A JP 24935683 A JP24935683 A JP 24935683A JP H0224372 B2 JPH0224372 B2 JP H0224372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- frequency
- plasma
- forming
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical compound [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、MOS−IC等半導体装置の生産工程
に適用されるプラズマ気相成長装置に関する。
に適用されるプラズマ気相成長装置に関する。
(b) 技術の背景
プラズマ励起したガス中にてガス組成物質を基
板上に堆積成膜する気相成長装置に於いては、基
板上に成膜する物質例えばシリコン窒素酸化物
（SiON）は、励起する放電周波数に依存して堆
積膜の膜質が大幅に変化することが知られてい
る。本発明は、所謂、プラズマCVD（Chemical
Vapor Deposition）法と呼ばれる気相成長方法
に係り特に、該成長装置のプラズマ励起周波数源
に就き提示するものである。
板上に堆積成膜する気相成長装置に於いては、基
板上に成膜する物質例えばシリコン窒素酸化物
（SiON）は、励起する放電周波数に依存して堆
積膜の膜質が大幅に変化することが知られてい
る。本発明は、所謂、プラズマCVD（Chemical
Vapor Deposition）法と呼ばれる気相成長方法
に係り特に、該成長装置のプラズマ励起周波数源
に就き提示するものである。
(c) 従来技術と問題点
第１図は従来のプラズマ気相成長装置の一例を
示す簡略断面図である。
示す簡略断面図である。
図中、１は下方が真空排気系に連結されたベル
ジヤ、２はプラズマ励起をなす高周波励振源、３
はベルジヤ１へ反応ガスを供給するガス管、４は
成膜対象の例えばシリコン結晶基板、５は基板４
を載置固定する平板電極（接地側）、６は基板加
熱用ヒータ、及び７は接地電極５に対し平行平面
を形成する他方側の電極である。
ジヤ、２はプラズマ励起をなす高周波励振源、３
はベルジヤ１へ反応ガスを供給するガス管、４は
成膜対象の例えばシリコン結晶基板、５は基板４
を載置固定する平板電極（接地側）、６は基板加
熱用ヒータ、及び７は接地電極５に対し平行平面
を形成する他方側の電極である。
前記気相成長装置はベルジヤ型気相反応生成室
を有する平行平板電極７及び５の場合を例示をす
るが、この場合、装置付設の励振源は10数ＭHz、
電力50WのHF（High Frequency）電源を使用し
ている。併し、前記プラズマ励起用高周波励振周
波数は、それが一定の場合であつても、主として
生成室の形状や電極間距離等の構成要因により電
離イオンの集束状態が変化する。更に、堆積成膜
をなす例えば、半導体膜ないしはパシベーシヨン
膜等の各種成膜材質の相違により一定の電離イオ
ン集束状態となるための最適励振周波数は異な
る。
を有する平行平板電極７及び５の場合を例示をす
るが、この場合、装置付設の励振源は10数ＭHz、
電力50WのHF（High Frequency）電源を使用し
ている。併し、前記プラズマ励起用高周波励振周
波数は、それが一定の場合であつても、主として
生成室の形状や電極間距離等の構成要因により電
離イオンの集束状態が変化する。更に、堆積成膜
をなす例えば、半導体膜ないしはパシベーシヨン
膜等の各種成膜材質の相違により一定の電離イオ
ン集束状態となるための最適励振周波数は異な
る。
斯様な点に鑑み具体的問題点の一つは、成膜加
工前後に於ける前記気相反応生成室のドライエツ
チングによるクリーニングをなすが、この場合、
水素ガス或いはアルゴンガス等エツチングガスの
濃度を適宜高めてベルジヤの清浄効果を高めるも
のであるが、然し該ドライエツチングは、当然、
前記半導体装置形成の基板成膜時とは異なる周波
数によるイオン化ガス集束の励振条件を付す必要
がある。
工前後に於ける前記気相反応生成室のドライエツ
チングによるクリーニングをなすが、この場合、
水素ガス或いはアルゴンガス等エツチングガスの
濃度を適宜高めてベルジヤの清浄効果を高めるも
のであるが、然し該ドライエツチングは、当然、
前記半導体装置形成の基板成膜時とは異なる周波
数によるイオン化ガス集束の励振条件を付す必要
がある。
ところで、従来の気相成長装置は成膜時である
とクリーニング時であるとを問はず、何れも単高
周波励振源しか持たず不都合である。更に、一般
的には、成膜加工の汎用化を図るプラズマ周波数
励振条件は、当然最適とする条件があるにかかわ
らずその最適化に対する考慮がなされておらず、
この為、半導体装置の生産時の効率（堆積の成膜
速度）が低下するばかりでなく、良質の薄膜成長
も困難となり問題がある。
とクリーニング時であるとを問はず、何れも単高
周波励振源しか持たず不都合である。更に、一般
的には、成膜加工の汎用化を図るプラズマ周波数
励振条件は、当然最適とする条件があるにかかわ
らずその最適化に対する考慮がなされておらず、
この為、半導体装置の生産時の効率（堆積の成膜
速度）が低下するばかりでなく、良質の薄膜成長
も困難となり問題がある。
(d) 発明の目的
本発明は前記の問題点を解決することである。
本発明は、前記プラズマ気相成長装置に対し、
膜成長時とクリーニング時とに於ける加工条件の
違いに応じて、異なる高周波励振条件を付与せし
めることにより該装置の生産稼働性を高め、電気
的にも化学的にも安定なパシベーシヨン薄膜等を
形成することである。
膜成長時とクリーニング時とに於ける加工条件の
違いに応じて、異なる高周波励振条件を付与せし
めることにより該装置の生産稼働性を高め、電気
的にも化学的にも安定なパシベーシヨン薄膜等を
形成することである。
(e) 発明の構成
前記目的は本発明によりベルジヤ内の一対の電
極間でプラズマ励起した物質を基板上に堆積せし
めて成膜を行う場合、該ベルジヤ内に導入したエ
ツチングガスのプラズマ作用によるクリーニング
時には周波数に比例して速度が増加する周波数−
エツチング速度特性曲線にもとずき希望するエツ
チング速度に対応する高い周波数を使用し、成膜
の際は略Ｖ字型を示す周波数−成膜速度特性曲線
の立下り側でかつ成膜内に圧縮ストレスの生ずる
範囲に周波数が選ばれることを特徴とするプラズ
マ気相成長装置によつて達成される。
極間でプラズマ励起した物質を基板上に堆積せし
めて成膜を行う場合、該ベルジヤ内に導入したエ
ツチングガスのプラズマ作用によるクリーニング
時には周波数に比例して速度が増加する周波数−
エツチング速度特性曲線にもとずき希望するエツ
チング速度に対応する高い周波数を使用し、成膜
の際は略Ｖ字型を示す周波数−成膜速度特性曲線
の立下り側でかつ成膜内に圧縮ストレスの生ずる
範囲に周波数が選ばれることを特徴とするプラズ
マ気相成長装置によつて達成される。
(f) 発明の実施例
以下、本発明に係る成膜基板の凡例を示す第２
図断面図、プラズマ励振周波数をパラメータとし
てドライエツチングの加工特性を示す第３図、及
びパシベーシヨン成膜をなす窒化シリコン膜
SiON生成加工特性、成膜後の膜品質を評価する
ストレス特性を示す第４乃至第５図を参照して、
本発明を詳細に説明する。
図断面図、プラズマ励振周波数をパラメータとし
てドライエツチングの加工特性を示す第３図、及
びパシベーシヨン成膜をなす窒化シリコン膜
SiON生成加工特性、成膜後の膜品質を評価する
ストレス特性を示す第４乃至第５図を参照して、
本発明を詳細に説明する。
第２図を引用してMOSダイオード形成のシリ
コン基板４にパシベーシヨン膜１２として前記
SiONを堆積した第２図断面図を参照して前記装
置による気相成長方法の概要を述べる。
コン基板４にパシベーシヨン膜１２として前記
SiONを堆積した第２図断面図を参照して前記装
置による気相成長方法の概要を述べる。
第１図ベルジヤ１内を真空排気し、該排気空間
に成膜対象とする化学反応物質としての混合ガス
（SiH4、NH3、N2O）を気圧1Torr程度に充填す
る。次いで加熱用ヒータ６により基板４温度を略
400℃とし、電極７及び接地側電極５間に高周波
を印加してベルジヤ空間８内ガスをプラズマ励起
して該励起のイオン化ガス物質を基板４上に堆積
成膜する。但し、該成膜されたシリコン窒素酸化
物１２（SiON）の下地層の１１は予成膜された
燐珪酸ガラス（PSG）成膜層、１０はアルミニ
ウム（Al）電極形成部、及び９は酸化シリコン
層である。
に成膜対象とする化学反応物質としての混合ガス
（SiH4、NH3、N2O）を気圧1Torr程度に充填す
る。次いで加熱用ヒータ６により基板４温度を略
400℃とし、電極７及び接地側電極５間に高周波
を印加してベルジヤ空間８内ガスをプラズマ励起
して該励起のイオン化ガス物質を基板４上に堆積
成膜する。但し、該成膜されたシリコン窒素酸化
物１２（SiON）の下地層の１１は予成膜された
燐珪酸ガラス（PSG）成膜層、１０はアルミニ
ウム（Al）電極形成部、及び９は酸化シリコン
層である。
而して、この種気相成長装置は前記例示せる成
膜加工の前後にはドライエツチングによる生成室
のクリニングをなし生成膜品質の高純化を図る。
膜加工の前後にはドライエツチングによる生成室
のクリニングをなし生成膜品質の高純化を図る。
第３図は前記ベルジヤ壁面等に付着する汚染体
を除去するエツチング特性である。
を除去するエツチング特性である。
第３図図示の横軸は周波数領域50kHz〜15MHz
にわたり可変したプラズマ周波数、縦軸はエツチ
ング速度（単位Å／min）である。この場合、適
宜濃度のアルゴンガス等を充満して行う。
にわたり可変したプラズマ周波数、縦軸はエツチ
ング速度（単位Å／min）である。この場合、適
宜濃度のアルゴンガス等を充満して行う。
同特性から、生成室クリーニングは周波数に比
例してその速度が増加することが知れる。例えば
5MHzでは、400Å／minが得られ、100kHz時の略
2.5倍の速度である。
例してその速度が増加することが知れる。例えば
5MHzでは、400Å／minが得られ、100kHz時の略
2.5倍の速度である。
他方、第４図と第５図は、反応ガス空間８（第
１図参照）に励起されたプラズマイオンガスを集
束して基板４に窒化シリコン（Si3N4）を堆積し
た特に成膜品質を評価する特性である。
１図参照）に励起されたプラズマイオンガスを集
束して基板４に窒化シリコン（Si3N4）を堆積し
た特に成膜品質を評価する特性である。
両図共に、プラズマ周波数を横軸として表示し
てある。第４図は、成膜速度（Å／min）特性で
あり、第５図は成膜後の膜内ストレス特性であ
る。但し、各特性はプラズマ気相成長時の基板温
度、充填の混合ガス組成とその気圧等の他の成膜
条件は、総て一定とした場合である。
てある。第４図は、成膜速度（Å／min）特性で
あり、第５図は成膜後の膜内ストレス特性であ
る。但し、各特性はプラズマ気相成長時の基板温
度、充填の混合ガス組成とその気圧等の他の成膜
条件は、総て一定とした場合である。
第４図の成膜速度から特に、1MHzから5MHzま
での周波数領域は、他の周波数域に比べ成膜速度
が顕著に低下することから膜堆積時のプラズマ周
波数は1MHz以下かもしくは5MHz以上の領域が好
ましい。
での周波数領域は、他の周波数域に比べ成膜速度
が顕著に低下することから膜堆積時のプラズマ周
波数は1MHz以下かもしくは5MHz以上の領域が好
ましい。
第５図は前記成膜後、膜内に残存するストレス
状態を示し、縦軸の０から上方＋側は引張り、下
方−側は圧縮ストレスが存在するを示す。但し、
軸のストレス単位は109Dyne／cm2である。
状態を示し、縦軸の０から上方＋側は引張り、下
方−側は圧縮ストレスが存在するを示す。但し、
軸のストレス単位は109Dyne／cm2である。
第５図を第４図と比較参照して、成膜速度が低
下する１〜3MHzの周波数領域は、略引張圧縮何
れでもない膜質が形成されることが知られる。
尚、図示されないが、成膜体に対する膜密度の評
価によれば、プラズマ周波数の低い圧縮ストレス
領域側で緻密な膜が取得され、プラズマ周波数の
高い引張領域側では成膜体クラツクとなり易いこ
とが確認されている。
下する１〜3MHzの周波数領域は、略引張圧縮何
れでもない膜質が形成されることが知られる。
尚、図示されないが、成膜体に対する膜密度の評
価によれば、プラズマ周波数の低い圧縮ストレス
領域側で緻密な膜が取得され、プラズマ周波数の
高い引張領域側では成膜体クラツクとなり易いこ
とが確認されている。
係る堆積成膜の加工特性からして、安定かつ良
質のパシベーシヨン膜成膜条件としてプラズマ周
波数は1MHzもしくはそれ以下の周波数が適切で
ある。又、成膜前又は成膜後のベルジヤクリーニ
ング時は、エツチング速度の高い5MHz以上の周
波数が必要である。
質のパシベーシヨン膜成膜条件としてプラズマ周
波数は1MHzもしくはそれ以下の周波数が適切で
ある。又、成膜前又は成膜後のベルジヤクリーニ
ング時は、エツチング速度の高い5MHz以上の周
波数が必要である。
この様な二つの加工条件の相違に応じてプラズ
マ励振周波数を変えることにより、即ち、成膜直
前の予クリーニング時は5MHz以上の高いプラズ
マ周波数となし、また気相反応によるパシベーシ
ヨン膜堆積時は1MHz以下のプラズマ周波数で施
行すれば、生産時の観点から効率のよい、且つ緻
密且つ良質の薄膜が形成されることになる。
マ励振周波数を変えることにより、即ち、成膜直
前の予クリーニング時は5MHz以上の高いプラズ
マ周波数となし、また気相反応によるパシベーシ
ヨン膜堆積時は1MHz以下のプラズマ周波数で施
行すれば、生産時の観点から効率のよい、且つ緻
密且つ良質の薄膜が形成されることになる。
前記実施例に引用した例えばMOS−IC等の半
導体装置形成基板及び該基板上堆積するパシベー
シヨン膜の膜質等は一例である。
導体装置形成基板及び該基板上堆積するパシベー
シヨン膜の膜質等は一例である。
(g) 発明の効果
以上、詳細に説明した本発明の周波数源を具え
るプラズマ気相成長装置を、半導体装置製造プロ
セスに適用すれば、化学的あるいは電気的特性が
安定した膜質の良いICが効率よく製造できる。
るプラズマ気相成長装置を、半導体装置製造プロ
セスに適用すれば、化学的あるいは電気的特性が
安定した膜質の良いICが効率よく製造できる。
第１図はプラズマ気相成長装置の簡略断面図、
第２図は本発明に係る成膜基板例の断面図、第３
図はプラズマ周波数に対するドライエツチング速
度特性、第４図は堆積の基板成膜速度特性（単位
Å／min）、及び第５図は成膜後の膜内ストレス
評価特性である。 図中、１はベルジヤ、２は高周波励振源、３は
反応ガス管、４は成膜対象基板、及び８は気相反
応ガス空間である。
第２図は本発明に係る成膜基板例の断面図、第３
図はプラズマ周波数に対するドライエツチング速
度特性、第４図は堆積の基板成膜速度特性（単位
Å／min）、及び第５図は成膜後の膜内ストレス
評価特性である。 図中、１はベルジヤ、２は高周波励振源、３は
反応ガス管、４は成膜対象基板、及び８は気相反
応ガス空間である。
Claims (1)
- １ ベルジヤ内の一対の電極間でプラズマ励起し
た物質を基板上に堆積せしめて成膜を行う場合、
該ベルジヤ内に導入したエツチングガスのプラズ
マ作用によるクリーニング時には周波数に比例し
て速度が増加する周波数−エツチング速度特性曲
線にもとずき希望するエツチング速度に対応する
高い周波数を使用し、成膜の際は略Ｖ字型を示す
周波数−成膜速度特性曲線の立下り側でかつ成膜
内に圧縮ストレスの生ずる範囲に周波数が選ばれ
ることを特徴とするプラズマ気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24935683A JPS60140726A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24935683A JPS60140726A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140726A JPS60140726A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0224372B2 true JPH0224372B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17191805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24935683A Granted JPS60140726A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140726A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691065B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1994-11-14 | 三洋電機株式会社 | プラズマｃｖｄ法 |
| JP2695155B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1997-12-24 | 三井東圧化学株式会社 | 膜形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358490A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for film |
| JPS5419662A (en) * | 1977-07-15 | 1979-02-14 | Hitachi Ltd | Forming method of plasma cvd film |
| JPS55124235A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fujitsu Ltd | Plasma generation method |
| JPS58186937A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24935683A patent/JPS60140726A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358490A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for film |
| JPS5419662A (en) * | 1977-07-15 | 1979-02-14 | Hitachi Ltd | Forming method of plasma cvd film |
| JPS55124235A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fujitsu Ltd | Plasma generation method |
| JPS58186937A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140726A (ja) | 1985-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100497778B1 (ko) | 유도결합 플라즈마 화학증착법 | |
| US5185179A (en) | Plasma processing method and products thereof | |
| JPS5930130B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH0831808A (ja) | 半導体材料内にトレンチをエッチングする方法及び装置 | |
| JP2002033289A (ja) | 半導体プロセスチャンバの洗浄方法 | |
| JPH09270421A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
| JPH098032A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| US6767829B2 (en) | Plasma deposition method and system | |
| JPH101774A (ja) | プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法およびプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3649650B2 (ja) | 基板エッチング方法、半導体装置製造方法 | |
| JP2837087B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3112880B2 (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JPH05315268A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0570957A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH0224372B2 (ja) | ||
| JPH07201738A (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
| JP3420960B2 (ja) | 電子デバイス製造装置および電子デバイス製造方法 | |
| JPH0799744B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH06236850A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08115911A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2916119B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2978704B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH07254590A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3287124B2 (ja) | ＳｉＮ系絶縁膜の成膜方法 | |
| JP2742381B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 |