JPS6114726A - 半導体基板の処理方法 - Google Patents

半導体基板の処理方法

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JPS6114726A
JPS6114726A JP13540684A JP13540684A JPS6114726A JP S6114726 A JPS6114726 A JP S6114726A JP 13540684 A JP13540684 A JP 13540684A JP 13540684 A JP13540684 A JP 13540684A JP S6114726 A JPS6114726 A JP S6114726A
Authority
JP
Japan
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substrate
etching
semiconductor substrate
treatment
plasma
Prior art date
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Pending
Application number
JP13540684A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Ikegami
池上　薫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6114726A publication Critical patent/JPS6114726A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は結晶成長前の半導体基板の処理方法に関する。
エピタキシャル成長や気相成長（ＣＶＤ）法により半導
体基板１−に結晶層を成長させる場合は、成長した結晶
層の結晶性を良くするために、半導体基板上に生成した
自然酸化層や付着した汚染を除去することが必要であり
、そのために種々の半導体基板前処理方法が試みられて
いる。
〔従来の技術〕
従来は、半導体基板として例えば珪素（Ｓｉ）基板を用
いた場合に対する結晶成長前の炉内処理は、以下の方法
が一般に広く使用されている。
量、水素（Ｈ２）中で高温（〜１１５０℃）で熱処理を
行う。
この方法では、半導体基板は高温にさらされるため、例
えば埋込層からの拡散によりその上に被着したエピタキ
シャル層に不純物の這い上がりを生じ、シャープな接合
ができなくなる。
１１、塩酸（ＨＣＩ）エツチング処理を行う。
この方法では、１１Ｃ１により配管が錆びる等保守の面
で困難である。
ｉｉｉ、Ｓｉ基板を常温で四弗化炭素（ＣＦ４）のプラ
ズマ・エツチングを行う。
第２図は従来例に用いられるＣＦ、のプラズマ・エツチ
ングによる前処理装置を模式的に示す断面図である。
図において、真空容器１を減圧してＣＦ、ガスを導入し
、この中に配設された並行平板電極の下部電極２の上に
半導体基板３をｉ置し、上部電極４には電源５により１
３．５６ＭＩＩｚのＲＦ電力を加えてプラズマ・エツチ
ングによる半導体基板３の前処理を行う。
前処理後ガスを切り換えてエピタキシャル成長を行う。
この方法では、半導体基板表面にテフロン等重合物の生
成があり、結晶成長前処理としては適当でない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の従来方法によると、半導体基板は高温にさらされ
るか、装置の保守が困難であるか、半導体基板に重合物
等異物が生成する等の不都合が生ずる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、結晶成長炉内において半導体基板
−Ｌへの結晶成長前に、該基板に対し三弗化窒素のプラ
ズマによるエツチングを行う本発明による半導体基板の
処理方法により達成される。
〔作用〕
三弗化窒素（ＮＦ３）を用いたプラズマ・エツチングは
ＮＦ、にマイクロ波を加えてビラジカルを発生させ、こ
れを炉内へ導入してエツチングを行うもので、窒化珪素
（Ｓｉ３Ｎ４）や、二酸化珪素（Ｓｉ（ｈ）のエツチン
グに使用され、エツチング・レートは例えば下記の実施
例の条件で常温において、Ｓｉに対し、　　２００００
人／ａｋｉｎＳｉ０２に対し、　３０００人／ｓｉｎで
あり、Ｓｉ基板上の自然酸化層（ＳｉＯ□）は数１０人
生成しているので、１ｏｓｅｃ程度エツチングすれば、
上記のエツチング・レートより明らかにＳｉＯ□層を完
全に除去し、下地のＳｉ基板も数１０００人エツチング
して清浄なＳｉ面を露出させ、この上に結晶性の良い結
晶層を成長させることができる。
また、常温でＳｉに対するエツチング・レートが非常に
大きいので、短時間で管壁に付着した多結晶珪素層を除
去して、炉内のクリーニングを行うこともできる。
〔実施例〕
第１図は本発明に用いられるＮＦ、のプラズマ・エツチ
ングによる前処理装置を模式的に示す断面図である。
図において、真空容器１１の中に配設されたカーボン（
Ｃ）に炭化珪素（ＳｉＣ）を被覆してなるサセプタ１２
トにＳｉ基板１３を載せる。一方Ｉ　Ｔｏｒｒに減圧さ
れたプラズマ発生室１４に導入されたＮＦ、に電源１５
により２．５４ＧＩＩｚのマイクロ波を数１００Ｗ加え
てビラジカルを発生さ・ｌ、真空容器ｌｌ内に導いて常
温に保持されたＳ　ｉ　Ｍ　ｌｉ　］　３のエツチング
を約１０ｓｅｃ間行う。
上記のＮＦ３のプラズマ・エツチングによるＳｉ基板１
３の前処理後、ランプ１６によりＳｉ基板１３を加熱し
、ガスを切り換えてＳｉ基板１３上にエピタキシャル成
長を行う。
この前処理中に管壁に付着した多結晶珪素層は除去され
、炉内はクリーニングされる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体基板
は高温にさらされたり、重合物等異物が生成する等の不
都合を生ずることなく、清浄な面を露出した後、結晶性
の良い結晶層の成長を行うことができる。
また配管等の腐食の心配もなく装置の保守が極めて容易
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に用いられるＮＦ３のプラズマ・エツチ
ングによる前処理装置を模式的に示す断面図、 第２図は従来例に用いられるＣＦ、のプラズマ・エツチ
ングによる前処理装置を模式的に示す断面図である。 図において、 １１は真空容器、　　　１２はサセプタ、１３は半導体
基板、　　１４はプラズマ発生室、１５は電源、　　　
　　　１６はランプを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　結晶成長炉内において半導体基板上への結晶成長前に
    、該基板に対し三弗化窒素のプラズマによるエッチング
    を行うことを特徴とする半導体基板の処理方法。
JP13540684A 1984-06-29 1984-06-29 半導体基板の処理方法 Pending JPS6114726A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639121A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JPH02214121A (ja) * 1989-02-15 1990-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法
KR20010066378A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 박종섭 반도체장치의 선택적 에피택셜 형성방법
US6274058B1 (en) 1997-07-11 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning method for processing chambers
WO2001098555A1 (de) * 2000-06-21 2001-12-27 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen eines pvd- oder cvd-reaktors sowie von abgasleitungen desselben
SG112892A1 (en) * 2002-10-18 2005-07-28 Boc Group Inc Sub-atmospheric supply of fluorine to semiconductor process chamber
KR100634659B1 (ko) * 1999-03-08 2006-10-16 스피드팜 가부시키가이샤 실리콘 에피택셜 성장 웨이퍼 제조방법 및 그 장치
CN111074342A (zh) * 2019-12-27 2020-04-28 季华实验室 一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158143A (en) * 1980-05-12 1981-12-05 Mitsubishi Electric Corp Reduced pressure type vapor phase growing device
JPS5749220A (en) * 1980-09-08 1982-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Plasma gas phase method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158143A (en) * 1980-05-12 1981-12-05 Mitsubishi Electric Corp Reduced pressure type vapor phase growing device
JPS5749220A (en) * 1980-09-08 1982-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Plasma gas phase method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639121A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JPH02214121A (ja) * 1989-02-15 1990-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法
US6274058B1 (en) 1997-07-11 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning method for processing chambers
KR100634659B1 (ko) * 1999-03-08 2006-10-16 스피드팜 가부시키가이샤 실리콘 에피택셜 성장 웨이퍼 제조방법 및 그 장치
KR20010066378A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 박종섭 반도체장치의 선택적 에피택셜 형성방법
WO2001098555A1 (de) * 2000-06-21 2001-12-27 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen eines pvd- oder cvd-reaktors sowie von abgasleitungen desselben
SG112892A1 (en) * 2002-10-18 2005-07-28 Boc Group Inc Sub-atmospheric supply of fluorine to semiconductor process chamber
CN111074342A (zh) * 2019-12-27 2020-04-28 季华实验室 一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法
CN111074342B (zh) * 2019-12-27 2021-11-09 季华实验室 一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法

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