JPS6054443A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents
プラズマ気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6054443A JPS6054443A JP16391883A JP16391883A JPS6054443A JP S6054443 A JPS6054443 A JP S6054443A JP 16391883 A JP16391883 A JP 16391883A JP 16391883 A JP16391883 A JP 16391883A JP S6054443 A JPS6054443 A JP S6054443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- reaction
- tube
- holder
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 25
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はプラズマ気相成長（ＯＶＩ））装置ｄに係り、
特にバッチ処理型の自動装着が谷易な構造を有するプラ
ズマ気相成長装置に関する。
特にバッチ処理型の自動装着が谷易な構造を有するプラ
ズマ気相成長装置に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
たとえば半導体基板（試料）ｔに層間絶縁膜、或ハパツ
シベーション膜を形成する場合にプラズマ気相成長法が
用いられ、その際に使Ｊｆｉされる従来のバッチ処理型
のプラズマ気相成長装喧について第１図にその模式的１
１１℃略構成図を示す。
シベーション膜を形成する場合にプラズマ気相成長法が
用いられ、その際に使Ｊｆｉされる従来のバッチ処理型
のプラズマ気相成長装喧について第１図にその模式的１
１１℃略構成図を示す。
同図においてｌは反応１４’、２は加熱炉、３．４ハ相
対する電極（）ｊ−ボンサセプターＬｆｉｌＪカーボン
→Ｊ“セブタ市：極−１二に保持された半導体基板（試
料）、６は反応管１バ一端にＨ３Ｐ ｔｌられた反応カ
ス導入管、７＃Ｊ反応管の他端に設りられた１Ｊ］：気
管、８は電極間隔を保持する絶縁部側、１．り乙Ｃる保
持棒を示す。
対する電極（）ｊ−ボンサセプターＬｆｉｌＪカーボン
→Ｊ“セブタ市：極−１二に保持された半導体基板（試
料）、６は反応管１バ一端にＨ３Ｐ ｔｌられた反応カ
ス導入管、７＃Ｊ反応管の他端に設りられた１Ｊ］：気
管、８は電極間隔を保持する絶縁部側、１．り乙Ｃる保
持棒を示す。
かかる装置を用いて半導体基板上にプラズマ気相成長を
行なう場合に目相対する電極＋（、４Ｊ、に半導体基板
５を図示したごとく装着保持１）で横型の反応管１円に
挿入１ｙ Ｎ排気％”！’ ７．４：り真空に排気した
後、反応ガス導入管６より反応ガスたとえばモノシラン
（５ｉｌｌ、 ）とアンモニア（Ｎｉ１８）ガス及び窒
素（Ｎｇ）ガスを導入して真空１Ｍ：を約１ ’ｌ’ｏ
ｒｒとする。次いで加熱炉２によって所定湿度（約４０
０℃）に加熱ｊノながら［極８．４間に高周波電圧を印
加して反応ガスをプラズマス１つ１）≧１′−導体基板
５−ヒに窒化シリコン膜を形成する。
行なう場合に目相対する電極＋（、４Ｊ、に半導体基板
５を図示したごとく装着保持１）で横型の反応管１円に
挿入１ｙ Ｎ排気％”！’ ７．４：り真空に排気した
後、反応ガス導入管６より反応ガスたとえばモノシラン
（５ｉｌｌ、 ）とアンモニア（Ｎｉ１８）ガス及び窒
素（Ｎｇ）ガスを導入して真空１Ｍ：を約１ ’ｌ’ｏ
ｒｒとする。次いで加熱炉２によって所定湿度（約４０
０℃）に加熱ｊノながら［極８．４間に高周波電圧を印
加して反応ガスをプラズマス１つ１）≧１′−導体基板
５−ヒに窒化シリコン膜を形成する。
しかしながらかかる構造の装置ｄにおいては反応管（反
応領域）内に基板を保持する電極を有するため、今後の
基板の大口径化によっては大量処理することが’ｌ：ｉ
ｉ：かしく、かつ図示したように電極上に基板を自動装
着することが非常に難かしいという問題があった。
応領域）内に基板を保持する電極を有するため、今後の
基板の大口径化によっては大量処理することが’ｌ：ｉ
ｉ：かしく、かつ図示したように電極上に基板を自動装
着することが非常に難かしいという問題があった。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので、反
応領域の中に電極が入らない構造で基板の大量処理を可
能にし、かつ基板の自動装着が容易な構造を有するプラ
ズマ気相成長装置の提供にある。
応領域の中に電極が入らない構造で基板の大量処理を可
能にし、かつ基板の自動装着が容易な構造を有するプラ
ズマ気相成長装置の提供にある。
（（１）発明の構成
その目的を達成するため本発明は縦型加熱炉と反応ガス
導入管及び排気管を付設した縦型反応管と、該反応管内
部に装着された試料ポールダと、前記加熱炉と前記反応
管との間に相対して設けられた電極を具備１ハ前記試料
ホールダが反応管底部より着脱されるように構成された
ことを特徴とする。
導入管及び排気管を付設した縦型反応管と、該反応管内
部に装着された試料ポールダと、前記加熱炉と前記反応
管との間に相対して設けられた電極を具備１ハ前記試料
ホールダが反応管底部より着脱されるように構成された
ことを特徴とする。
＜ｅ＞ 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照ｌノで説明する
。第２図は本発明の一実Ｍ＋ｉ例のプラズマ気相成長装
置の側断面図、第８図は同じく平面図の要部断面図であ
る。
。第２図は本発明の一実Ｍ＋ｉ例のプラズマ気相成長装
置の側断面図、第８図は同じく平面図の要部断面図であ
る。
第２図及び第８図において１目；ｔ、 ａ１ｉ曹−り反
応物（石英’Ｉｔ ）、］ ２ 、 ｌ ’ｌ １．Ｊ
：Ｗ＆反応’に；ｈ’付ＷＸｕｉコ反応ガス導入管、１
）１ 、１ Ｂ’は同じく該反応管に何段した排気管
、１４は該反応管と縦型加熱炉１５との間に相対；ッて
設けられた電極、１６は試料ホールダ、１７は試料ホー
ルダ載１ｄ台、１８は試料１９は封由用（−）リングを
示す。
応物（石英’Ｉｔ ）、］ ２ 、 ｌ ’ｌ １．Ｊ
：Ｗ＆反応’に；ｈ’付ＷＸｕｉコ反応ガス導入管、１
）１ 、１ Ｂ’は同じく該反応管に何段した排気管
、１４は該反応管と縦型加熱炉１５との間に相対；ッて
設けられた電極、１６は試料ホールダ、１７は試料ホー
ルダ載１ｄ台、１８は試料１９は封由用（−）リングを
示す。
図から明らかな３１うにｍ極１４は縦型反応管１１の外
側に相対ｌノで設けられており、試料１８たとえば半導
体基板を水平に保持する基板ホールダ１６を載置する試
料ポールダ載１ｆｉｅ＊ １７は、に下に可動するこ−
とが出来るように構成されている。この場合、基板ホー
ルダ１６と前記載置台１７は１体的に構成されてもＪ：
い。かかる基板ホールダ１６に半導体基板１８を装着す
る陽合には基板ホールダ１６と載置台１７を下方に移）
１！＋ １ノ、下方側面Ｊ、りのカセット（図示せず）
に収納された半導体基板１８を自動的にロボットにより
基板ホールダ１Ｇ内に自動装着される。自動装着された
基板ホールダ１６は’４Ｑｉ ｉ＆台１７と共に１万に
移動して前記反応管１１の低部にＯリング１９によって
真空封止される３゜ かかる状態において複数個の排気口を有する排気管１．
８ 、１８’より真空排気し、同じく複数個の噴出口を
有する反応ガス導入管１２・１２′より反応ガスｔこと
えば６７１述したモノシラン（８ｉ戊）とアンモニア（
ＮＨ８）ガス及び窒素（Ｎｓ ）ガスを導入して約１１
’ｏｒｒの真空度とし縦型加熱炉１５によって反応管１
１内を所定温度（約４００’Ｃ）に加熱しながら電極１
４に菖周波電圧（１８，５６”ｋ）を印加して前記反応
ガスをプラズマ化し基板１８上に窒化シリコン膜を形成
する。
側に相対ｌノで設けられており、試料１８たとえば半導
体基板を水平に保持する基板ホールダ１６を載置する試
料ポールダ載１ｆｉｅ＊ １７は、に下に可動するこ−
とが出来るように構成されている。この場合、基板ホー
ルダ１６と前記載置台１７は１体的に構成されてもＪ：
い。かかる基板ホールダ１６に半導体基板１８を装着す
る陽合には基板ホールダ１６と載置台１７を下方に移）
１！＋ １ノ、下方側面Ｊ、りのカセット（図示せず）
に収納された半導体基板１８を自動的にロボットにより
基板ホールダ１Ｇ内に自動装着される。自動装着された
基板ホールダ１６は’４Ｑｉ ｉ＆台１７と共に１万に
移動して前記反応管１１の低部にＯリング１９によって
真空封止される３゜ かかる状態において複数個の排気口を有する排気管１．
８ 、１８’より真空排気し、同じく複数個の噴出口を
有する反応ガス導入管１２・１２′より反応ガスｔこと
えば６７１述したモノシラン（８ｉ戊）とアンモニア（
ＮＨ８）ガス及び窒素（Ｎｓ ）ガスを導入して約１１
’ｏｒｒの真空度とし縦型加熱炉１５によって反応管１
１内を所定温度（約４００’Ｃ）に加熱しながら電極１
４に菖周波電圧（１８，５６”ｋ）を印加して前記反応
ガスをプラズマ化し基板１８上に窒化シリコン膜を形成
する。
また第４図及び第５図に本発明の他の実施例のプラズマ
気相成長装置ｔの側断面図、及び平面図の要部断面図を
示す。
気相成長装置ｔの側断面図、及び平面図の要部断面図を
示す。
第４図及び第５図において２１は四角形の箱状の縦型反
応管（石英？ｆ）、２２．２２は該反応管に付設置ノた
反応ガス導入管、２８ 、２８’は同＋Ｚ＜該反応管に
付設した排気管、２４は該反応管の夕１側に平行に対向
して設けられた電極、２５は縦型加熱炉、２６は一端を
封じた円筒状の保′Ｗｉ管（石英管）、２７は該保護管
にイ１設した排気管、２８は試料ホールダ、２９は試料
ホールグ載圓台、８０は試料、８１．８２は夫々封止用
０ リングを示す。
応管（石英？ｆ）、２２．２２は該反応管に付設置ノた
反応ガス導入管、２８ 、２８’は同＋Ｚ＜該反応管に
付設した排気管、２４は該反応管の夕１側に平行に対向
して設けられた電極、２５は縦型加熱炉、２６は一端を
封じた円筒状の保′Ｗｉ管（石英管）、２７は該保護管
にイ１設した排気管、２８は試料ホールダ、２９は試料
ホールグ載圓台、８０は試料、８１．８２は夫々封止用
０ リングを示す。
本実施例においては図から明らかなようにハ２応管２１
に四角状の反応管（石英管）を用い相対する電極２４を
平行に対向するように設けている。
に四角状の反応管（石英管）を用い相対する電極２４を
平行に対向するように設けている。
そのため減圧時における反応ｉ！′２１のｆｆＪ１９を
防１にするため、その外側に円筒形の保護管２６を用い
て二重横這とし、排気管２７より排気して反応管２１内
の真空度と同一にする構造となっている。
防１にするため、その外側に円筒形の保護管２６を用い
て二重横這とし、排気管２７より排気して反応管２１内
の真空度と同一にする構造となっている。
かかる構造は反応管２１０対向する面に平行にプラズマ
発生のｗｔ極を置きプラズマ発生をにり均一にし膜厚の
分布を、しくする利点がある。その他は第２図及び第８
図で説明したと同様に基板ホールダ２８及び載置８２９
（一体内に構成されてもよい）を−ヒ下にｉｉＪ動（着
脱）して試料３０の自動装着を行い該試料８１１ ｌ二
に所望の気相成長膜を形成する。
発生のｗｔ極を置きプラズマ発生をにり均一にし膜厚の
分布を、しくする利点がある。その他は第２図及び第８
図で説明したと同様に基板ホールダ２８及び載置８２９
（一体内に構成されてもよい）を−ヒ下にｉｉＪ動（着
脱）して試料３０の自動装着を行い該試料８１１ ｌ二
に所望の気相成長膜を形成する。
かかる構造のブラスマ気相成長装口においては反応領域
の中に電極が入らない構造となり試料ホールダの上下可
動（着脱）によって試料の自動装着が容易となる。
の中に電極が入らない構造となり試料ホールダの上下可
動（着脱）によって試料の自動装着が容易となる。
げ） 発明の詳細
な説明したごとく本発明によれば反応領域同に電極が入
らない構造によってバッチ処理における試料の大口径化
における大量処理が可能となりかつ試料ホールグーの一
ヒ下可動によって試料の自動装着が容易となり、能率向
上に大いに効果がある。
らない構造によってバッチ処理における試料の大口径化
における大量処理が可能となりかつ試料ホールグーの一
ヒ下可動によって試料の自動装着が容易となり、能率向
上に大いに効果がある。
第１図は従来吃！の模式的概略構成図、第２図及び第８
図は本発明の一実施例のプラズマ気相成長装置の側断面
図及び平面図の要部断面図、第４図及び第５図は本発明
の他の実施例の装置の側断面図及び平面図の要部断面図
である。 図において、１１．２１は縦型反応管、１２゜２２は反
応ガス導入管、１８．２８は排気管、１４．２４は電極
、１５．２５は縦型加熱炉、１６．２８は試料ホールダ
、１８．８（ｌは試料を示す。 第 １ 図 第２図 ＷＩ ３ 図 ＩＩＡ 図
図は本発明の一実施例のプラズマ気相成長装置の側断面
図及び平面図の要部断面図、第４図及び第５図は本発明
の他の実施例の装置の側断面図及び平面図の要部断面図
である。 図において、１１．２１は縦型反応管、１２゜２２は反
応ガス導入管、１８．２８は排気管、１４．２４は電極
、１５．２５は縦型加熱炉、１６．２８は試料ホールダ
、１８．８（ｌは試料を示す。 第 １ 図 第２図 ＷＩ ３ 図 ＩＩＡ 図
Claims (1)
- 縦型加熱炉と、反応ガス導入管及び排気管を旧設した縦
型反応管と、該反応管内部に装着された試料ボールダと
、前記加熱炉と前記反応管との間に相対して設けられた
電極を具備（へ前記試利ホールダが反応管底部Ｊ：り着
脱されるように構成されたことを特徴とするプラズマ気
相成長装置ａ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16391883A JPS6054443A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16391883A JPS6054443A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054443A true JPS6054443A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15783295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16391883A Pending JPS6054443A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054443A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196820A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Furendo Tec Kenkyusho:Kk | 半導体装置製造装置およびその反応管内部の洗浄方法 |
| US5702529A (en) * | 1990-06-26 | 1997-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of making doped semiconductor film having uniform impurity concentration on semiconductor substrate and apparatus for making the same |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US9061620B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-06-23 | Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha | Vehicle seat |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710937A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma gaseous phase growth device |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP16391883A patent/JPS6054443A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710937A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma gaseous phase growth device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196820A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Furendo Tec Kenkyusho:Kk | 半導体装置製造装置およびその反応管内部の洗浄方法 |
| US5702529A (en) * | 1990-06-26 | 1997-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of making doped semiconductor film having uniform impurity concentration on semiconductor substrate and apparatus for making the same |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US9061620B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-06-23 | Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha | Vehicle seat |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5587019A (en) | Apparatus for use in epitaxial crystal growth | |
| JPS6054919B2 (ja) | 低圧反応装置 | |
| JPH0377655B2 (ja) | ||
| JPS6054443A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| KR940010228A (ko) | 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법 | |
| JPS592374B2 (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| US3271209A (en) | Method of eliminating semiconductor material precipitated upon a heater in epitaxial production of semiconductor members | |
| JPS6114726A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP2004260086A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| EP0240314B1 (en) | Method for forming deposited film | |
| JPH0494117A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0658884B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JP2528912B2 (ja) | 半導体成長装置 | |
| JPH04202091A (ja) | 化合物半導体の気相成長装置 | |
| JPH10223620A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2667664B2 (ja) | シリコン単結晶薄膜の製法 | |
| JPS62136814A (ja) | エピタキシヤル膜の成長方法 | |
| JPS61132592A (ja) | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 | |
| JPH06163484A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61283113A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS62183108A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61155291A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH0516653B2 (ja) | ||
| JPS6113616A (ja) | アモルフアスシリコン膜の成長装置 | |
| JPH089517B2 (ja) | 単結晶製造方法 |