KR940010228A - 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법 - Google Patents

400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법 Download PDF

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KR940010228A
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지. 텔포드 수잔
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츄 샌디
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제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 400℃이상, 바람직하게는 최소한 약 550℃이상의 웨이퍼 지지부온도로 리액터 내에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정에 관한 것으로서, 웨이퍼 지지부 또는 서스셉터 등과같은 공정 장치를 포함하는 리액터 내에서, 알루미늄 나이트라이드의 보호층으로 코팅된 그래파이트 재료를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 처리하는 것을 포함하는 그런 공정중에 리액터 내에 사용된 화학약품에 대해 부식저항을 가지며, 한편 비틀림 없는 반도체 웨이퍼 처리 공정에 관한 것이다.

Description

400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법의 설명도.

Claims (16)

  1. 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 공정 장치로 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방법은 상기 웨이퍼 지지온도를 최소한 550℃이상으로 유지하면서 상기 리액터 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 방법은 상기 웨이퍼가 상기 리액터 내에서 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 웨이퍼 지지부 상에서 지지되면서 상기 리액터 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼는 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트클램핑 수단에 의해 상기 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 웨이퍼 지지부에 고착되면서 상기 리액터 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 방법은 상기 웨이퍼의 주변부가 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 새도 링에 의해 차폐되면서, 상기 리액터 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 리액터내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 방법은 공정 가스가 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 샤워헤드를 통하여 상기 리액터 내로 유입시키면서 상기 리액터내에서 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 방법은, 상기 리액터 내에서 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 전극들 사이에 플라즈마를 유지하면서 상기 리액터 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 방법은 상기 리액터 내로 WF6가스를 유입시킴으로써 상기 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐을 형성하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  9. 제3항에 있어서, 상기 방법은 상기 리액터 내로 WF6및 Si2Cl2H2가스 혼합물을 유입시킴으로써 상기 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐 실리사이드를 형성하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  10. 리액터 내에서 상기 웨이퍼를 처리하는 중에 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 웨이펴 지지부 상에 상기 웨이퍼를 지지하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 방법은 최소한 약 550℃의 웨이퍼 지지부온도로 상기 웨이퍼를 처리하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 방법은 리액터 내에서 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 서스셉터 상에 상기 반도체 웨이퍼를 지지하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법.
  13. 리액터 내에서 상기 웨이퍼를 처리하는 중에 최소한 약 400℃의 온도로 유지된 상태에서 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 서스셉터 상에 상기 웨이퍼를 지지하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 반도체 웨이퍼 처리방법.
  14. 제13항에 있어서, 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 서스셉터상에 상기 웨이퍼를 지지하면서 리액터 내에서 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 상기 방법은, 상기 웨이퍼를 처리하는 상기 알루미늄 나이트라이드 코팅된 그래파이트 서스셉터를 최소한 550℃의 온도로 유지하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 방법은 추가로 상기 리액터 내로 WF6가스를 유입시킴으로써 상기 반도체 웨이퍼상에 텅스텐을 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 반도체 웨이퍼 처리방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 방법은 상기 리액터 내로 WF6및 Si2C12H2가스의 혼합체를 유입시킴으로써 상기 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐 실리사이드를 형성하는 공정을 추가로 포함함을 특징으로 하는 리액터 내에서 반도체 웨이퍼 처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930022673A 1992-10-30 1993-10-29 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법 KR940010228A (ko)

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