JPH02214121A - 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法 - Google Patents
半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法Info
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- JPH02214121A JPH02214121A JP3363189A JP3363189A JPH02214121A JP H02214121 A JPH02214121 A JP H02214121A JP 3363189 A JP3363189 A JP 3363189A JP 3363189 A JP3363189 A JP 3363189A JP H02214121 A JPH02214121 A JP H02214121A
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- cleaning
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造に於ける、エピタキシャル等の蒸着
、拡散工程で使用される、ウェハー等の半導体被加工材
を固定するための支持治具、治具材料、その他装置の洗
浄方法に関する。
、拡散工程で使用される、ウェハー等の半導体被加工材
を固定するための支持治具、治具材料、その他装置の洗
浄方法に関する。
半導体拡散用治具材料に対してその使用前に行う洗浄法
としては、酸洗浄法、酸性雰囲気下の高温洗浄法が一般
的である。
としては、酸洗浄法、酸性雰囲気下の高温洗浄法が一般
的である。
酸洗浄法は半導体支持治具表面を酸性溶液で洗浄するも
のであって表面洗浄以上の効果はなく、加えて洗浄溶液
の除去工程が伴う面倒がある。
のであって表面洗浄以上の効果はなく、加えて洗浄溶液
の除去工程が伴う面倒がある。
高温洗浄法は塩酸ガス等をプロセス管中にパージし、高
温下でＳｉＣ材料を洗浄する方法であるが、基材表面に
酸化膜が生じると酸化膜にトラップされた不純物が飽和
し安定状態となり、被覆が起こると安定化した不純物に
対する洗浄効果は働かない。
温下でＳｉＣ材料を洗浄する方法であるが、基材表面に
酸化膜が生じると酸化膜にトラップされた不純物が飽和
し安定状態となり、被覆が起こると安定化した不純物に
対する洗浄効果は働かない。
クリーニング対象となる不純物は器材・治具の製造中、
あるいは使用中に外来するものに限られず、器材・治具
中に介在する不純物は、使用条件下で表面に移動し、被
処理ウェハー等に対する不純物源となるから、表面のみ
のクリーニング処理では本格的クリーニング法を確立す
ることができない。
あるいは使用中に外来するものに限られず、器材・治具
中に介在する不純物は、使用条件下で表面に移動し、被
処理ウェハー等に対する不純物源となるから、表面のみ
のクリーニング処理では本格的クリーニング法を確立す
ることができない。
半導体拡散処理装置の器材・治具にばその中にＦｅ 、
Ｎｉ等の不純物が介在する。集積度をより高めるための
基板に用いるウェハーではこのような不純物による汚染
も好ましくない。
Ｎｉ等の不純物が介在する。集積度をより高めるための
基板に用いるウェハーではこのような不純物による汚染
も好ましくない。
器材・治具の表面洗浄では確立しない本格的クリーニン
グ方法を確立するために器材・治具中の不純物の除去に
も効果を上げる新しいクリーニング法が開発されなけれ
ばならない。
グ方法を確立するために器材・治具中の不純物の除去に
も効果を上げる新しいクリーニング法が開発されなけれ
ばならない。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明では、圧力５ＱＴｏ
ｒｒ以下、温度８００°Ｃ以上の減圧高温下でＮ２、Ａ
ｒ 、、Ｈｅ ％ Ｈｚ等の不活性ガス、或いは塩酸ガ
ス等のハロゲン化水素ガスを基板表面に流動させて、器
材・治具を洗浄する方法を確立した。
ｒｒ以下、温度８００°Ｃ以上の減圧高温下でＮ２、Ａ
ｒ 、、Ｈｅ ％ Ｈｚ等の不活性ガス、或いは塩酸ガ
ス等のハロゲン化水素ガスを基板表面に流動させて、器
材・治具を洗浄する方法を確立した。
即ち、減圧下に於ける器材・治具材質中に含有される不
純物についてその表面層からの揮発、吸引を、高温下の
熱による不純物の基村内拡散、放出を利用して積極的に
行い基村内不純物の除去・減少をも行う。
純物についてその表面層からの揮発、吸引を、高温下の
熱による不純物の基村内拡散、放出を利用して積極的に
行い基村内不純物の除去・減少をも行う。
器材・治具中の基板表面への移動、更には表面に滲出し
た不純物の揮発拡散プロセスを確立し、器材・治具の表
面だけでなく、内部のＦｅ、Ｎｉ等の不純物もクリーニ
ングし得る本方法により、従来方法を大幅に凌駕し、集
積度の著しい増加に対応するきめの細かい不純物の除去
が可能となった。
た不純物の揮発拡散プロセスを確立し、器材・治具の表
面だけでなく、内部のＦｅ、Ｎｉ等の不純物もクリーニ
ングし得る本方法により、従来方法を大幅に凌駕し、集
積度の著しい増加に対応するきめの細かい不純物の除去
が可能となった。
以下に本発明の作用および実施例に就いて詳述するが、
洗浄温度、洗浄圧力、洗浄時間、流動ガスの種類、流量
等は本実施例に限定されないのは当然のことである。
洗浄温度、洗浄圧力、洗浄時間、流動ガスの種類、流量
等は本実施例に限定されないのは当然のことである。
第１図は本発明の半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニン
グ方法に係る洗浄装置で、被処理基材（１）を収納する
ＳｉＣプロセス管（２）には導入される流動ガスの流量
を調節するガス流量計（３）、高温洗浄を施すためのヒ
ータ（４） 、ＳｉＣプロセス管（２）に減圧状態を派
生させるための真空ポンプ（５）、ＳｉＣプロセス管（
２）内の圧力を表示する圧力計（６）、真空ポンプ（５
）を通過した不純物を補集するスクラバー（７）が設け
られている。
グ方法に係る洗浄装置で、被処理基材（１）を収納する
ＳｉＣプロセス管（２）には導入される流動ガスの流量
を調節するガス流量計（３）、高温洗浄を施すためのヒ
ータ（４） 、ＳｉＣプロセス管（２）に減圧状態を派
生させるための真空ポンプ（５）、ＳｉＣプロセス管（
２）内の圧力を表示する圧力計（６）、真空ポンプ（５
）を通過した不純物を補集するスクラバー（７）が設け
られている。
（実施例１）
ＳｉＣプロセス管（２）中にガス源よりＨ２ガスを流量
５１ ／ｍｉｎで流動させ、ヒータ（４）による加熱で
管内温度を１０００”Ｃに保持し、真空ポンプ（５）に
より管内圧力を５ Ｔｏｒｒとして器材・治具（１）の
洗浄を１時間行った。 処理中の吸引ガス成分の変化を
Ｆｅ、Ｎｉに就いて分析した結果、洗浄開始まもなくの
ガス中にヰ食出されたＦｅ含有量３０００ｐｐｍが１時
間後に２００ｐｐｍに減少し、Ｎｉ含有量１１０００ｐ
ｐは５０ｐｐｍに、大幅に減少し、効率の良いクリーニ
ング効果が確認された。
５１ ／ｍｉｎで流動させ、ヒータ（４）による加熱で
管内温度を１０００”Ｃに保持し、真空ポンプ（５）に
より管内圧力を５ Ｔｏｒｒとして器材・治具（１）の
洗浄を１時間行った。 処理中の吸引ガス成分の変化を
Ｆｅ、Ｎｉに就いて分析した結果、洗浄開始まもなくの
ガス中にヰ食出されたＦｅ含有量３０００ｐｐｍが１時
間後に２００ｐｐｍに減少し、Ｎｉ含有量１１０００ｐ
ｐは５０ｐｐｍに、大幅に減少し、効率の良いクリーニ
ング効果が確認された。
（実施例２）
ＳｉＣプロセス管（２）中にガス源よりＨ２ガスを流ｉ
１５１ ／ｍｉｎで流動させ、ヒータ（４）による加熱
で管内温度を１３００°Ｃに保持し、真空ポンプ（５）
により管内圧力を５ Ｔｏｒｒとして器材・治具（１）
の洗浄を１時間行った。 処理中の吸引ガス成分の変化
をＦｅ、Ｎｉに就いて分析した結果、洗浄開始まもなく
のガス中に検出されたＦｅ含有量３０００ｐｐｍが１時
間後に５０ｐｐｍに減少し、Ｎ１含有Ｎ １０００ｐｐ
ｍは１０ｐ１１＋１１に、大幅に減少し１．効率の良い
クリーニング効果が確認された。
１５１ ／ｍｉｎで流動させ、ヒータ（４）による加熱
で管内温度を１３００°Ｃに保持し、真空ポンプ（５）
により管内圧力を５ Ｔｏｒｒとして器材・治具（１）
の洗浄を１時間行った。 処理中の吸引ガス成分の変化
をＦｅ、Ｎｉに就いて分析した結果、洗浄開始まもなく
のガス中に検出されたＦｅ含有量３０００ｐｐｍが１時
間後に５０ｐｐｍに減少し、Ｎ１含有Ｎ １０００ｐｐ
ｍは１０ｐ１１＋１１に、大幅に減少し１．効率の良い
クリーニング効果が確認された。
本発明のクリーニング法は、拡散炉をそのまま利用して
も実行できる。
も実行できる。
ウェハーを載置する治具（１）がウェハーの積替ごとに
汚れを増す懸念からクリーニングを必要とする時、治具
（１）等器材を予備洗浄後拡散炉中に収納して本発明方
法を実施する。
汚れを増す懸念からクリーニングを必要とする時、治具
（１）等器材を予備洗浄後拡散炉中に収納して本発明方
法を実施する。
貧酸素の減圧高温条件は、関係装置、器材、治具の表面
および基村内不純物のクリーニング効果により良好な状
態にリフレッシュされる。
および基村内不純物のクリーニング効果により良好な状
態にリフレッシュされる。
本発明の半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法に
より、器材・治具の表面のみの不純物の洗浄に限定され
た従来方法と異なり、器材・治具内に含有される不純物
をも減圧、高温下で表面への移動と、表面からの離脱を
促進して、除去が可能となり、また真空ポンプの吸引機
能により器材・治具の表面に不純物がトラップされて堆
積する現象も回避されるので、高集積度に対応する効率
の良い半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニングが可能と
なった。
より、器材・治具の表面のみの不純物の洗浄に限定され
た従来方法と異なり、器材・治具内に含有される不純物
をも減圧、高温下で表面への移動と、表面からの離脱を
促進して、除去が可能となり、また真空ポンプの吸引機
能により器材・治具の表面に不純物がトラップされて堆
積する現象も回避されるので、高集積度に対応する効率
の良い半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニングが可能と
なった。
第１図は本発明の半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニン
グ方法が施される洗浄装置の要部断面概略図を示す。 被処理基材 ＳｉＣプロセス管 ガス流量計 ヒータ （５）真空ポンプ （６）圧力計 （７）スクラバー 出願人 東芝セラミックス株式会社
グ方法が施される洗浄装置の要部断面概略図を示す。 被処理基材 ＳｉＣプロセス管 ガス流量計 ヒータ （５）真空ポンプ （６）圧力計 （７）スクラバー 出願人 東芝セラミックス株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高温加熱用ヒータ、減圧用真空ポンプを備えたＳｉ
Ｃプロセス管中で洗浄用ガス流動下、高温、減圧雰囲気
条件下で被処理物を洗浄することを特徴とする半導体用
ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法。 ２、高温加熱用ヒータ、減圧用真空ポンプを備えたＳｉ
Ｃプロセス管中の温度を８００〜１３００℃に保ち、Ｎ
＿２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ＿２等の不活性ガス、或いは塩酸
ガス等のハロゲン化水素ガスを５ｌ／ｍｉｎ程度の流量
で流動し、圧力５０Ｔｏｒｒ以下で１時間被処理物を洗
浄することを特徴とする半導体用ＳｉＣ質治具等のクリ
ーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3363189A JPH02214121A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3363189A JPH02214121A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214121A true JPH02214121A (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12391799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3363189A Pending JPH02214121A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02214121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786194A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 炭化硅素製炉芯管を有する拡散炉 |
| JP2008172253A (ja) * | 2008-01-23 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング用電極 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727024A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Washing of reactor for plasma cvd method |
| JPS5939029A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の清浄化方法 |
| JPS6114726A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の処理方法 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3363189A patent/JPH02214121A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727024A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Washing of reactor for plasma cvd method |
| JPS5939029A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の清浄化方法 |
| JPS6114726A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786194A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 炭化硅素製炉芯管を有する拡散炉 |
| JP2008172253A (ja) * | 2008-01-23 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング用電極 |
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